Дефекты атомные точечные

Точечные дефекты. Точечными, или атомными, дефектами в структуре ионного кристалла (какими и является основная часть кристаллов силикатов) являются дефекты по Шоттки и по Френкелю (вакансии) и дефекты, связанные с примесными атомами (твердые растворы). К точечным дефектам относятся также электронные. [c.167]

Спайность и твердость Атомные нарушения структуры кристалла. Классификация дефектов структуры Точечные дефекты Дислокации [c.391]

Точечные атомные дефекты в кристаллической решетке обладают определенными свойствами. Например, вакансии в ионных кристаллах выступают носителями заряда, причем катионная вакансия несет отрицательный, а анионная — положительный заряд. Конечно, собственно заряд в вакансии не содержится, но возникающее вокруг нее электрическое поле такое же, какое возникло бы, если бы в вакансии располагался заряд, по значению равный, а по знаку противоположный заряду иона, который покинул данный узел решетки. Любые точечные дефекты обладают способностью к миграции (диффузии) в кристаллической решетке в результате тепловых флуктуаций или приложения к кристаллу внешнего электрического поля. Например, катион в междоузлии может переходить при соответствующем возбуждении в соседнее междоузлие, вакансии мигрируют за счет перемещения соседнего иона в вакантный узел, т. е. путем последовательного обмена позициями между ионами и вакансиями (при таком так называемом вакансионном механизме диффузии перемещение вакансий в одном направлении эквивалентно перемещению ионов в другом). Точечные дефекты могут взаимодействовать друг с другом, образуя в простейшем случае ассоциаты—дефекты, занимающие соседние кристаллографические позиции. Например, в решетке могут возникнуть связанные группы вакансий (кластеры). Связанные пары вакансий способны диффундировать быстрее, чем изолированные вакансии, а тройные кластеры еще быстрее. [c.87]

Дефекты атомного размера точечные дефекты, дислокационные линии, одноатомные ступеньки на плоскостях скола. [c.507]

Итак, для дефектов атомного типа в кристалле точечная группа симметрии всей системы однозначно определяется локальной симметрией той точки, где расположен дефект. Бели есть несколько эквивалентных по симметрии точек (орбита), то любая из них может рассматриваться как точка расположения дефекта, с учетом, однако, физической природы атомов для дефектов замещения. Так, в структуре КаС наличие вакансии в катионном или анионном узле приводит к дефектам раз ного рода, но одинаковой симметрии Он. В структуре алмаза точечный дефект, локализованный в любом из двух атомов в элементарной ячейке, имеет одинаковую природу и симметрию Та- [c.248]

Особое значение приобретают при механическом инициировании распада карбоцепных полимеров (в отличие от термического распада) реакции с участием слабых связей [75]. Дефекты атомных размеров -гетероатомы в основной цепи полимера, кислородсодержащие группировки, разветвления - играют опре-деляю цую роль в разрыве полимерных цепей и зарождении субмикроскопических дефектов сплошности именно точечные дефекты атомных размеров обусловливают снижение энергии активации разрушения эластомеров по сравнению с энергиями диссоциации химических связей полимерных цепей. [c.76]

Соединениями постоянного состава являются вещества молекулярного строения, поскольку состав молекул однозначно определяется строением их образующих атомов. Если же кристаллическое вещество имеет атомное или ионное строение, то оно характеризуется более или менее переменным составом. Причиной этого являются точечные дефекты в кристалле. В реальном кристалле возможны дефекты двух типов. Рассмотрим кристалл двухэлементного соединения АВ. В идеальном случае в кристалле заняты все узлы кристаллической решетки атомами (ионами) А и В (рис. 137, а). В реальном же кристалле могут быть не заняты узлы кристаллической решетки, отвечающие атому (иону) А или атому (иону) В (рис. 137, в) или того или другого. Кроме того, в междоузлиях решетки могут располагаться избыточные атомы (ионы) А и (или) В (рис. 137, б). [c.284]

Вследствие нарущения равновесных условий роста и захвата примесей при кристаллизации, а также под влиянием разл. рода внеш. воздействий идеальная трехмерно-перио-дич. атомная структура К всегда имеет те или иные нарушения. К ним относят точечные дефекты - вакансии, замещения атомов осн. решетки атомами примесей, внедрение в решетку инородных атомов, дислокации и др. (см. Дефекты в кристаллах). Введение небольшого числа атомов примеси, замещающих атомы осн решетки, используют в технике для придания нужных физ св-в К., как, напр., в случае легирования. [c.540]

Идеальный и реальный кристалл 254 2. Точечные дефекты в атомной [c.399]

Любое искажение или нарушение регулярности в расположении атомов кристалла естественно считать дефектом кристаллической решетки. Наличием дефектов реальный кристалл отличается от идеальной кристаллической решетки, и ряд свойств реального кристалла определяется его дефектной структурой. Характер влияния дефекта на физические свойства кристалла существенно зависит от размерности дефекта. Под размерностью мы понимаем количество измерений, по которым дефект имеет макроскопические размеры. . Точечным (или нульмерным) дефектом называется искажение кристаллической решетки, сконцентрированное в объеме порядка величины атомного объема. Если правильное расположение атомов нарушается лишь в малой окрестности некоторой линии, то соответствующий дефект мы будем называть линейным (или одномерным). Наконец, когда нарушение правильного расположения атомов в решетке сосредоточено вдоль участка некоторой поверхности, захватывая слой толщиной порядка межатомных расстояний, то в кристалле существует поверхностный (или двухмерный) дефект. [c.174]

Природа дефектов может быть различной и простирается от микроуровня (электронного, атомного) до дефектов в микрообъемах вещества. В зависимости от размера той области неупорядоченности (области искажений решетки), которую занимают те или иные дефекты, их можно классифицировать по чисто геометрическому признаку — размерности дефекта ( размерность — число измерений, по которым дефект имеет макроскопическую протяженность). По этой классификации дефекты кристаллической решетки разделяют на нульмерные (точечные), одно-, двух- и трехмерные. Нульмерные дефекты в первом приближении занимают в кристалле область искажений, соизмеримую по всем направлениям с размером атома или электрона. Одномерные дефекты имеют протяженность, значительно превосходящую размер атомов в каком-либо одном направлении (в других направлениях они нульмерны), двухмерные — в двух и трехмерные — в трех направлениях. [c.66]

Как уже отмечалось, к атомным нульмерным или точечным дефектам относятся вакансии, примесные атомы в регулярных узлах решетки и примесные атомы, дислоцированные в междоузлиях. Эти типы дефектов в принципе могут встречаться в решетке кристаллов в отдельности, но чаще всего они присутствуют в комбинации друг с другом. В зависимости от этого различают следующие типы атомных нульмерных дефектов твердые растворы (включая дефекты нестехиометрии), дефекты по Шоттки и дефекты по Френкелю. [c.67]

В основу вычисления энергий парного взаимодействия, обусловленных упругими искажениями, положено выражение, предложенное в [250] для вычисления атомных смещений, вызванных точечными дефектами [c.325]

Наконец, перемещение сложного точечного дефекта бывает многоступенчатым. Тогда полная энергия активации миграции дефекта должна быть согласована с энергиями активации отдельных ступеней механизма диффузии. Можно представить себе несколько атомных механизмов скачка, переводящего дефект из одного положения в другое. Обратим внимание на типичные механизмы. Наиболее прост механизм миграции вакансии. Элементарным скачком служит в этом случае переход атома в соседнюю вакансию (рис. 66). В результате скачка атом и вакансия просто обмениваются местами. [c.197]

Анализ дефектов решетки деформация решетки возле ядра дислокации и в матрице, группировки точечных дефектов, детали структуры границ зерен, двойников и антифазных доменов удалось наблюдать микродвойники в кремнии, состоящие всего из трех атомных слоев. [c.540]

Простейшие типы атомных дефектов — точечные дефекты типа вакансий и внедренных атомов. Их образование можно представить как процесс, в результате которого часть атомов или ионов покидает регулярные позиции в узлах решетки и переходит в промежуточные положения, называемые междоузлиями. Незанятый узел решетки носит название вакансии. Неизбежность структурного разупорядочения лри Г>0°К легко обосновать термодинамически. Для элементарного кристалла концентрация вакансий выражается соотношением типа [c.103]

A. Бойко B. . Математическое моделирование границ раздела в кристаллах и их взаимодействия с точечными дефектами // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1980, Вып. 1(12).С. 41-48. [c.258]

До сих пор мы рассматривали атомные дефекты, связанные с неправильным расположением отдельных атомов, каждый из которых проявляет себя как некоторая изолированная квазичастица. Такие дефекты обычно называют точечными (нульмерными). Вместе с тем в реальных твердых телах всегда существует большое число разнообразных нарушений идеальной кристаллической структуры, одновременно охватывающих значительные группы атомов и проявляющих себя как протяженные (одно-, двух- и трехмерные) дефекты. Детальное описание протяженных дефектов не является целью данной книги, так как это потребовало бы существенно иного подхода и иного формализма, не меняя при этом принципиального содержания излагаемой здесь теории. Поэтому мы ограничимся лишь краткой характеристикой простейших протяженных дефектов, рассматривая их по степени усложнения пространственной структуры. [c.44]

Влияние ионной бомбардировки на структуру поверхности исследовано довольно подробно [19—29]. Прежде всего при указанной обработке устраняются такие особенности микрорельефа, как царапины, выступы и углубления, так что в относительно крупном масштабе поверхность становится более гладкой. Однако в атомном масштабе явно имеются шероховатость и другие виды нарушения структуры поверхности. Поверхность ноли-кристаллнческого образца из-за неодинаковой ориентации индивидуальных кристаллов слагается из различных граней. Поскольку скорость удаления металла зависит от индекса грани, с поверхности одних кристаллитов металл распыляется быстрее, чем с других, и между соседними кристаллитами образуются ступеньки. Кроме того, по границам зерен могут появляться углубления (канавки). После бомбардировки грань кристаллита, обращенная в газовую фазу, может стать иной, чем исходная, и этот эффект усиливается при условии наклонного падения ионного пучка. Все это увеличивает шероховатость поверхности. Если шероховатость поверхности необходимо свести к минимуму, предпочтительно ионный пучок направлять по нормали к поверхности. Если бомбардировке подвергаются монокристаллы, рассмотренные источники образования шероховатости отсутствуют, но нарушение структуры поверхности все же наблюдается. Нарушение структуры поверхности, вызываемое пучками с обычно применяемой для очистки энергией, состоит в образовании микрограней (фасеток) и микрокристаллитов, а также появлении на новерхности точечных дефектов и дислокаций. Этот вид нарушения структуры поверхности наблюдается и на каждой грани поликристаллического образца. [c.126]

Изложенная выше теория описывает строение чистых металлов и интерметаллических соединений при малой степени разупорядоченности, когда отклонения от упорядоченной структуры можно представлять как точечные дефекты. Очевидно, что такое представление весьма ограничено. Оно явно не применимо к твердым растворам с широкой областью гомогенности, в которых концентрации обоих компонентов могут изменяться в пределах до десятков атомных процентов. Кроме того, сплавы, состав которых близок к стехиометрическому и которые при низких температурах рассматриваются как интерметаллические соединения, при достаточно высоких температурах ведут себя как твердые растворы. Это связано с тем, что при высоких температурах атомы различных сортов статистически распределяются по узлам решетки. При этом понятие точечных дефектов теряет смысл, и для таких сильно разупорядоченных систем необходимо специальное описание [41—43]. [c.87]

Природа собственных ионных дефектов в ионных кристаллах в принципе не отличается от природы атомных дефектов в интерметаллических или полупроводниковых соединениях. Основными точечными дефектами в ионных кристаллах являются ионные вакансии и междуузельные ионы, отличающиеся от соответствующих атомных дефектов в неионных кристаллах лишь тем, что в основном энергетическом состоянии они заряжены. [c.131]

График температурной зависимости подвижности поляронов, соответствующий формуле (6.88) при рассеянии на оптических фононах, схематически изображен на рис. 6.11 в координатах Аррениуса. Здесь обращает на себя внимание ход кривой, противоположный представленному на рис. 6.8 в отличие от квазисвободных электронов в атомных полупроводниках подвижность поляронов малого радиуса имеет минимум в области промежуточных температур. Пунктирный участок кривой изображает переход к рассеянию туннелирующих поляронов на заряженных точечных дефектах решетки, играющих в ионных кристаллах ту же роль, что и примесные ионы в валентных полупроводниках. [c.202]

Механическая обработка металлов, введение примеси и действия излучений высоких энергий на твердые кристаллические вещества, используемые как катализаторы, во многих случаях повышают их каталитическую активность. Это заставляет предположить, что возникающие при этом дефекты в строении кристаллов связаны определенным образом с каталитическими центрами на их поверхности. Дефекты в кристаллах подразделяют на нульмерные, одномерные и двухмерные. Нульмерные (точечные) дефекты в свою очередь подразделяются на энергетические, электронные и атомные. [c.453]

Участие деформационных процессов в развитии разрушения. Рассмотренная выше (в 2) схема процесса разрущения твердых тел как последовательности термофлуктуационных актов разрывов напряженных внешней силой межатомных связей, конечно, является упрощенной. В действительности, при приложении к телу нагрузки в нем развиваются не только элементарные акты разрушения (разрывы межатомных связей), но и акты, ведущие к деформированию тела (акты атомных и молекулярных перегруппировок, перемещение элементарных точечных, линейных и поверхностных дефектов, ориентационные процессы (в полимерах) и т. д.). Естественно, что при детальном анализе процесса разрущения необходимо учесть взаимосвязь процессов разрущения и деформирования и долю участия разных элементарных актов в развитии разрушения. [c.128]

Структуру границ зерен можно представить двояким образом. Одним из возможных типов границ являются малоугловые границы, показанные на рис. 2.3. Эти границы состоят из выстроенных в ряд краевых дислокаций и возникают при небольшой разориентировке растущих кристаллических плоскостей. Ширина таких границ приближается к атомным размерам, и они служат границами раздела блоков внутри зерна. Несмотря на то, что блок может и.меть сам по себе точечные и линейные дефекты, он является достаточно совершенным кристаллом и для рентгеновских лучей будет представлять область когерентного рассеяния. [c.40]

Как отмечено выше, теоретическая плотность железа, имеющего при комнатной температуре идеально упакованную кристаллическую решетку, может быть установлена довольно точно. Все нарушения укладки атомов в решетке (дефекты структуры) - точечные (вакансии и межуэельные атомы и их Группировки), одномерные (дислокации и дисклинации), двумерные (дефекты упаковки, границы субзерен, границы зерен и границы фаз), а также трехмерные дефекты (например, микропоры), которые по определению относятся к микроструктуре и не требуют анализа на атомном уровне, - неизбежно приводят к дилатации и изменению плотнос- и металла. Соответственно вклад дефекта в изменение удельного объе-или плотности металла может послужить оценкой значимости вклада Данного вида дефектов в изменение его субмикроструктуры. [c.97]

В кристаллических телах встречаются различные дефекты точечные (вакансии, атомы в междуузлиях, примесные атомы), линейные (дислокации), плоскостные (дефекты упаковки), объемные (фазовые включения). Одиночные дефекты подобного типа могут вызвать некоторые перенапряжения, а их агрегации еще более опасны, так как могут приводить к заметным локальным перенапряжениям. Различные дефекты могут быть и в аморфных низкомолекулярпых телах (также вакансии, примесные атомы и т. п.), и в полимерах ( концы молекул, примеси, искажения в строении цепных молекул), что способно играть определенную роль в распределении напряжений по объему тела, хотя особо высоких перенапряжений из-за дефектов атомных размеров здесь также вряд ли следует ожидать. [c.276]

В гл. IV были рассмотрены условия установления полного внутреннего равновесия в кристаллах, взаимодействующих с внещней фазой заданного состава при заданной температуре. Состояние равновесия характеризуется равенством химических потенциалов всех компонентов в сосуществующих фазах. Равновесные концентрации всех видов заряженных дефектов (атомных и точечных) связаны уравнением злектронейтральности, уравнениями, характеризующими обмен атомами между кристаллом и средой, и уравнениями, описывающими ионизацию дефектов. Следовательно, структурно-чувствительные свойства кристаллов зависят от процессов обмена атомами между объемом кристалла и внешней фазой. [c.358]

В первом случае точечная си.мметрия кристалла с дефектом определяется локальной точечной симметрией той точки кристалла, в которой появился дефект атомного типа. К операция. локальной симметрии точки г в молекуле или кристалле (в этой точке, в частности, может располагаться и ядро одного из атомов) относят все те операции точечной группы симметрии системы, которые оставляют эту точку неподвижной. Как мы отмечали в третьей главе, локальная группа симметрии в общем случае является подгруппой точечной группы симметрии молекулы или кристалла, содержащей помимо операций локальной группы и все операции, переводящие точку г в ей эквивалентные (см. 1.1). Если точка г не лежит ни на одном из элементов симметрии кристалла (поворотных осей, плоскостей), то ей соответствует локальная группа Сь если точка г оказывается на пересечении всех элементов симметрии, то ее локальная группа совпадает с точечной группой кристалла (для симморфных кристаллов). [c.247]

Наряду с точечными в кристаллах существуют линейные дефекты, которые соответствуют смещению целых рядов атомов. Они называются дислокациями. Дислокации появляются под действием механических и термических напряжений. Существует два типа дислокаций— краевые и винтовые. Краевая дислокация представляет собой незавершенную атомную плоскость, находящуюся на границе между частью кристалла, в которой произошел сдвиг, и той, где он не произошел. Из рис. XIII.4 видно, что при этом образуется лишняя полуплоскость. Линия, вдоль которой произошел сдвиг, называется линией дислокации. [c.167]

ДЕФЕКТЫ МЕТАЛЛОВ - нарушения регулярной кристаллической структуры металлов. Возникают при изготовлении и эксплуатации металлических изделий. Существенно влияют на свойства металлов. Д. м. классифицируют по морфологическим (наружные, внутренние, в сочленениях), генетическим (механические, термические, диффузионные, коррозионные, адсорбционные, радиационные, эрозионные, кавитационные, сварочные и др.) и структурным (трещины, поры, неметаллические включения, разнозернистость и др.) признакам. Кроме того, есть физ. классификация Д. м. (см. Дефекты в кристаллах), основывающаяся на атомном строении дефектов. В зависимости от размера Д. м. подразделяют на субмикродефекты, микродефекты и макродефекты (табл.). Субмикродефекты — нарушения регулярной кристаллической структуры металлов в атомном масштабе. Различают субмикродефекты точечные, линейные, поверхностные и объемные. Точечные нарушения бесконечно малы в трех измерениях. Возникают при вычитании атомов металла (вакансии и твердые растворы вычитания), внедрении собственных (атомы в междоузлиях) или инородных атомов (твердые растворы внедрения), а также замещении собственных атомов инородными (твердые растворы замещения). Образуют скопления в отдельности или в комбинации. Линейные субмикродефекты малы в двух измерениях и протяженны в третьем. Из них наибольшее значение имеют дислокации, обусловливающие мех. и др. свойства [c.336]

Мех. активация твердых тел заключается в создании долгоживущих нарушений атомной структуры с целью изменения структурно-чувствит. св-в в-ва, прежде всего реакц. способности. Чаще всего активируют порошковые материалы мех. обработка порошков сопровождается накоплением точечных дефектов, дислокаций, аморфных областей, увеличением площади межзеренных границ, образованием новых пов-стей (см. Дефекты). Энергетич. выходы образования структурных дефектов, как правило, не превышают 10 -10 моль/МДж. В результате мех. нарушения атомной структуры повышаются р-римость в-ва и скорость растворения, облегчаются р-ции с молекулами среды и др. твердыми телами, на десятки и сотни градусов снижаются т-ры твердофазного синтеза, термич. разложения, спекания. Механически активируют наполнители (графит и др.), фосфатные удобрения, прир. и синтетич. полимеры и др. материалы. Мех. активация увлажненного диоксида кремния и нек-рьк др. оксидов придает им вяжущие св-ва и является основой безобжиговой технологии жаропрочных материалов. [c.77]

К нульмерным, или точечным, дефектам относятся вакансии (незанятые места в структуре), любые примесные частицы (атомы, ионы, молекулы), находящиеся как в узлах структуры, так и в межузлиях, а также собственные межузельные частицы. К этим дефектам приводит тепловое движение атомов. Чем выше температура, тем больше таких дефектов существует в кристалле. При тепловом равновесии вблизи температуры плавления в кристаллах большинства веществ доля вакансий от общего числа атомных мест в идеальной решетке достигает примерно 10 , доля меж-узельных атомов — приблизительно 10" . Вакансии, кроме того, образуются при вхождении в кристалл примесей с валентностью, отличной от валентности основных строительных единиц кристалла. Так, наличие примеси Са + в кристаллах НаС1 обусловливает существование катионных вакансий в количестве, соответствующем атомной концентрации примеси. [c.5]

В результате теплового воздействия некоторые атомы или ноны могут покидать свои места в узлах решетки и образовывать дефекты, называемые вакансиями Атомы или ионы ( собственные и чужие ) также могут появиться между узлами кристаллической решетки В ионном кристалле (в отличие от атомного) вакансии должны быть обязательно скомпенсированы электрически Комбинация вакансии и иона в междуузлиях называется дефектом по Френкелк) а комбинация анионной и катионной вакансий — дефектом по Шоттки Дефекты по Френкелю и Шотткн относятся к так называемым точечным дефектам Эти дефекты могут мигрировать в кристалле, чем объясняется самоднффузия и ионная проводимость Наличие примесных атомов или ионов в структуре сильно влияет на физические и механические свойства кристаллов Так, например, при добавлении 20% КВг к КС1 теплопроводность снижается на 50% Добавление к железу 1% N1, Мп или Сг приводит к повышению его твердости соответственно на /го, /в и V Примесные атомы нли ионы поглощают свет в тех областях, где чистый кристалл прозрачен, что может влиять иа его цвет В некоторых случаях возбуждается люминесценция [c.239]

Бойко B. ., Мазтова Т.И., Орлов А.Н. Моделирование на ЭВМ атомной структуры 1раниц зерен в ОЦК металлах и их взаимодействие с точечными дефектами// Вопросы атомной науки и техники. Сер. физика радиационных Повреждений и радиационное материаловедение. 1988. Вып. 2 (44). С. 3-9. [c.258]

Так как точечные дефекты имеют в трех кристаллографических нанравленнях атомарные размеры, их называют еще атомными дефектами. Дефекты по Френкелю и по Шоттки принципиально отличаются от линейных [c.217]

Метод декорирования не всегда можно применить в простой форме (напыление в высоком вакууме на грани роста, а также на поверхности, полученные при расщеплении или испарении). У графита, например, поверхность должна быгь сначала активирована соответствующими реакциями (реакция с галогенами или озоном), прежде чем на нее можно будет напылять золото. Так как при химической реакции происходит избирательное воздействие, последующее декорирование дает правильное отображение реальной структуры. Таким путем могут быть обнаружены дислокации, ступеньки скола атомной высоты, скопления точечных дефектов или химических загрязнений. [c.356]

Характерной чертой фаз внедрения являются очень широкие области гомогенности, зачастую достигающие десятков атомных процентов. Поэтому понятие точечных дефектов для таких систем, вообще говоря, лишено смысла. Так, в системе Pd—Н отношение числа атомов водорода к числу атомов палладия может непрерывно изменяться от нуля до значения, равного единице и соответствующего стехиометрическому составу PdH, причем во всей области составов структура металлической подре-щетки отвечает ГЦК структуре чистого палладия. При стехиометрическом составе PdH все октаэдрические позиции заняты водородом и взаимное расположение атомов Pd и Н отвечает чередованию ионов в структуре Na l. Подобное строение характерно и для всех остальных фаз внедрения, однако для их подавляющего большинства имеют место либо ограниченные области гомогенности, разделенные на диаграмме состояний двухфазными областями, либо полиморфные превращения катионной подрешетки, происходящие при увеличении концентрации металлоида (так называемый концентрационный полиморфизм). Эти превращения чаще всего протекают в последовательности ОЦК—>-КГ—>-ГЦК. [c.99]

Будем считать,. что в кристалле простого вещества имеется N узлов и N атомов (рещетку для простоты считаем атомной). В таком кристалле могут быть точечные дефекты двух типов вакансии, их число равно -V , и атомы в междоузлиях, их число равно AIK Тогда число атомов и число узлов будут связаны выражением [c.160]

С позиций структурного подхода кристалл рассматривается как совершено упорядоченная система неподвижных точек. Динамические аспекты поведения кристалла предполагают учет роли дефектов структуры. К ним относятся в первую очередь поверхностные дефекты наружные грани кристалла, ограничивающие периодичность решетки в пространстве (простые поверхности с низкими индексами, вицинальные поверхности, ориентированные совершенно иначе, чем предыдущие, поверхности произвольной ориентации и т. д.). Кроме того, важное значение имеют внутренние поверхности (трещины, поры, включения), границы блоков, линейные дефекты (краевые дислокации, границы неполных атомных плоскостей, ступени и сколы, винтовые дислокации и их выходы на поверхность) точечные дефекты (вакансии и межузель-ные атомы). Отсюда возникает необходимость знать природу, концентрацию, распределение всех типов дефектов и возможные способы их перемещения по кристаллу [71]. [c.71]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология