Диффузия примесных атомов

В заключение следует отметить, что изменение температуры окружающей среды и температуры продукта перекачки, как показывают полученные результаты, влияет на структуру и свойства металла труб СГС. В частности, снижение температуры до -40°С уменьшает ударную вязкость в два раза. Повыщенная температура ( 400 С) увеличивает диффузию примесных атомов и ускоряет деформационное старение трубных сталей. При этой температуре в сталях происходит перегруппировка дислокации, уменьшение плотности дислокации и микродефектов, часть вакансий уходит на границы зерен, а часть вакансий и междоузельных атомов поглощается дислокациями. [c.139]

СОВ (разд. XX.3.2). Примером может служить растворение и осаждение меди и никеля в германии [8]. Атомы этих элементов быстро диффундируют в германий и из него, двигаясь по междоузлиям. Однако внедрение преимущественно происходит в нормальные узлы решетки. При осаждении атомы меди и никеля двигаются по узлам решетки, оставляя за собой вакансии, которые в свою очередь аннигилируют путем диффузии. Скорость диффузии вакансий гораздо меньше скорости диффузии примесных атомов, в результате чего может возникнуть высокая неравновесная плотность вакансий. [c.269]

Измерить коэффициент диффузии в твердом теле довольно трудно. Почти всегда значения D малы, особенно при низких температурах, поэтому расстояния, на которые диффундируют атомы, невелики. Хорошие результаты дает метод меченых атомов, используемый для исследования как диффузии примесных атомов, так и самодиффузии неплохие результаты удается получить и с помощью некоторых других методов. Рассмотрим несколько примеров измерения диффузии в твердой фазе и сравним эксперимент с теорией. [c.113]

Предполагая, что механизм диффузии примесных атомов замещения не отличается от рассмотренного в разд. 4.4.1 механизма самодиффузии, соотношение (4.42) можно отнести и к диффузии примеси. Выражение для парциальной теплоты испарения АЯисп может быть записано в виде [109] [c.85]

Коэффициенты распределения и диффузии примесных атомов в кремнии и германии [c.67]

В гл. IV отмечалось, что исследование процесса диффузии примеси в соединениях может позволить установить природу преобладающих дефектов. Для этого необходимо определить, как изменяется скорость самодиффузии или диффузии примесных атомов в кристаллах, изготовленных в разных условиях. [c.374]

Термодинамические основы механизма совместной миграции примесных атомов и границ зерен можно представить следующим образом. При опережении границей примесных атомов, последние окажутся внутри зерен. Это вызывает искажение кристаллической решетки и соответствующее увеличение свободной энергии в объеме металла. Потеря границей примесных атомов, снижающих энергию искажения решетки, также приведет к увеличению свободной энергии границы. Следовательно, для поддержания минимальной суммарной свободной энергии системы атомы должны перейти вновь на границу. Таким образом, возникает энергетическая необходимость перемещения границ одновременно с диффузией примесных атомов. [c.114]

В котором D, — коэффициент диффузии примесных атомов, а Тд и Т — средние времена жизни атомов растворителя и растворенного вещества в адсорбционном слое — коэффициент, зависящий от Vg и параметра, описывающего перенос атомов из адсорбционного слоя в расплав. В соответствии с выраже- [c.16]

Метод успешно применялся для определения никеля, железа, ванадия в катализаторах на основе окислов алюминия и кремния [67]. Кроме того, его использовали для определения коэффициентов диффузии примесных атомов в кристаллах [68] методом последовательного снятия слоев. [c.24]

Введение примесных атомов в готовый кристалл осуществляют тремя способами. Наиболее часто кристалл приводят в контакт с другой, фазой (твердой, жидкой или газообразной), содержащей необходимые примеси, которые затем проникают в кристалл благодаря диффузии. Скорость диффузии примесных атомов в твердой фазе, как правило, мала, поэтому для достижения гомогенного распределения примесей может потребоваться много времени, особенно если размеры кристалла велики. Поэтому указанный метод применяют главным образом при исследовании мелкозернистых порошков и тонких монокристаллов, т. е. в тех случаях, когда время диффузии не столь уж велико, поскольку не слишком мал коэффициент диффузии, или не очень велико расстояние, которое должны преодолеть атомы при дн4)фузии. Например, монокристаллы сульфида кадмия легируют медью или серебром путем продолжительного нагрева их при 950° [811 в порошке сульфида кадмия, содержащем медь или серебро. Медь в монокристаллы германия вводят нагреванием их в контакте с жидким сплавом, содержащим медь [82]. Для легирования кремния литием в подобном случае использовался металлический литий, точнее сплав лития с кремнием [831. Легирование фосфором осуществляют путем нагревания кристаллов в парах фосфора [841, медь и никель для введения в сульфид свинца электролитически осаждают на поверхности кристаллов PbS, которые затем в течение нескольких часов прогревают при 500° [851. Аналогичную методику применяли для легирования арсенида галлия медью [861. [c.28]

Диффузия примесных атомов [c.166]

Процессы, связанные с перемещением атомов из источника на поверхности в объем кристалла. Эти процессы противоположны описанным в пункте 3. В качестве примера можно привести диффузию примесных атомов в германии или диффузию свинца или серы в PbS. [c.566]

Как указывал Пеннинг (частное сообщение), априори не следует, что образование новой фазы вблизи дислокаций подчиняется этому требованию. Так, например, было замечено [17], что в кремнии медь не образует винтовую структуру вдоль дислокаций, а образовавшаяся фаза состоит из изолированных частиц, расположенных на одинаковых расстояниях вдоль дислокаций, при этом длинная ось частиц расположена под некоторым углом к дислокации. Рост такого скопления отдельных частиц вдоль вытянутого цилиндра можно объяснить только быстрой диффузией примесных атомов по дислокации. [c.570]

Взаимодействие между дефектами рассмотрено в разделе УП1.1. Там было показано, что в галогенидах щелочных металлов диффузия примесных атомов через нормальные узлы решетки происходит только тогда, когда вакансии расположены вблизи примесных атомов. Это в свою очередь приводит к заключению о том, что диффундирующими частицами в этом случае являются ассоциаты (РУ). [c.574]

В рассмотренных выше случаях внутренние электрические поля будут возникать в кристаллах, если при наличии градиента концентрации кристаллы содержат доноры или акцепторы. Такие поля вызывают диффузию не только ионов, но и электронов. Следствием этого и являются представляющие интерес электронные свойства р-/г-переходов [541. Влияние поля, возникающего вследствие градиента концентрации доноров, иа скорость диффузии дырок использовалось в работе [55] для сокращения времени прохождения дырок в основном слое транзистора. Аналогичные явления возникают также при наличии градиента в запрещенной зоне полупроводника [56]. Трудности, связанные с ассоциацией дефектов, возникают при объяснении диффузии примесных атомов в металлах. При этом ассоциация часто проходит настолько глубоко, что [c.583]

В работе [66] приводятся результаты исследования влияния дефектов на диффузию примесных атомов индия в ZnO авторы показали, что скорость диффузии, определяющая выделение свободного индия, пропорциональна ро Этот факт можно объяснить влиянием вакансий Vz,v [c.585]

Для более подробного ознакомления с этими работами можно обратиться к обзору [656]. Влияние образования пар между собственными дефектами и примесными атомами на диффузию примесных атомов обсуждалось в разделах ХП1.1 и ХХ.3.3. [c.586]

Исследование кинетики превращения С-центров в Л-центры под действием температуры показало, что она хорошо описывается феноменологическим уравнением Авраами, которое широко используется для описания процессов распада твердых пересыщенных растворов. Величина параметра процесса п свидетельствует о сферической форме Л-центров, или о прямоугольной и округлой формах пластин. Обращают на себя внимание более высокое значение энергии активации и низкая скорость процесса превращения С-центров в Л-центры. Причиной этого могут быть прежде всего структурные отличия исследованных алмазов. В частности, включения металла-растворителя в зависимости от их количества, размеров и распределения могут заметно видоизменять процессы диффузии примесных атомов, являясь эффективными стоками избыточных вакансий. Это влияние может усугубляться тем, что в ходе термической обработки, как показали визуальные наблюдения, идут процессы миграции и агрегации включений металла в кристалле. Впрочем, исследование процессов превращения С-центров в А-центры при 1770 К в вакууме показали также существенно более низкие скорости реакции, [c.429]

Автоэлектронная микроскопия и метод ионного проектора. Количественные сведения об элементарных процессах и энергиях активации диффузии примесных атомов или молекул, адсорбированных на поверхностях металлов, а также данные о подвижности собственных атомов кристалла, можно получить с помощью автоэлект-ронного микроскопа К В этом случае благодаря применению сильных электрических полей (величины порядка 10 ej M) происходит эмиссия электронов с острия исследуемого материала, нагреваемого в высоком вакууме и служащего катодом. Для этого используют нити из тугоплавких металлов (например, Pt, W, Fe, Мо), имеющие полусферическое острие с малым радиусом кривиз- [c.364]

Примесные атомы, входящие в решетку растворителя по схеме замещения, могут перемещаться по кристаллу путем перескоков в вакантные узлы или по междоузлиям. Если вблизи примесного атома энтальпия образования вакансии меньше, чем в других местах кристалла, диффузия может осуществляться путем перемещения комплексов, образованных примесным атомом и вакансией. Прочность связи примесных атомов с атомом основного вещества обычно меньше прочности связей в кристалле. Следовательно, вакансии легче обмениваются местами с посторонними атомами, чем с атомами растворителя поэтому гетеродиффузия идет быстрее самодиффузии. Скорость диффузии примесных атомов тем больше, а их растворимость тем меньше, [c.373]

Соединение Ионная проводимость, диэлектр. потери и самодиффузия Диффузия Примесных атомов Электронная проводимость [c.424]

Соединение Ионная проводимость, диэлектр. потери И самодиффузия Диффузия примесных атомов Электронная проводимость Оптическое поглощение, флуоресценция, фотопроводимость Плотность Магнитные свойства (парамагнитный резонанс) [c.429]

Данное выражение будет совершенно правильным только в том случае, когда отдельные перескоки, с помощью которых осуществляется диффузия, будут независимыми. Это условие является справедливым для некоторых типов диффузии (диффузия по междоузлиям, самодиффузия по вакансиям) и не выполняется для ряда других (диффузия примесных или меченых атомов по механизму вакансий, диффузия примесных атомов одновременно по междоузлиям и нормальным узлам решетки). Во втором случае необходимо ввестп поправоч- [c.579]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология