Метод ионного проектора

Для успешных исследований методом ионного проектора объект должен иметь радиус порядка 1000 А или менее. При этом умеренные величины напряжения — порядка 10—20 кв — достаточны, чтобы без опасности пробоя получить поля, необходимые для возникновения изображения. Такое условие исключает необходимость термообработки для удаления загрязнений, поскольку энергии активации десорбции кислорода, водорода, азота и окиси углерода превышают энергию активации поверхностной миграции даже для вольфрама. Уже воздействие одной только термической десорбции способно быстро вывести эмиттер из строя. Однако для очистки поверхности можно использовать само поле. [c.220]

Высоковольтная десорбция электроотрицательных загрязнений происходит в соответствии с уравнением (46). Когда ионный уровень снижается до атомного, происходит высоковольтная ионизация и ион удаляется. Таким образом, здесь начинает сказываться глубина потенциальной ямы, связывающей атом, а также энергия ионизации, и именно эти величины оказываются во многих системах теми скрытыми факторами, которые делают энергию активации десорбции более высокой, чем это нужно для возникновения изображения. Поля, необходимые для десорбции загрязнений, в ряде случаев способны вызвать испарение чистой поверхности самого эмиттера, и это обстоятельство устанавливает верхний предел. Однако электрическое поле спадает при переходе от верхушки острия к основанию. Как ясно из рис. 58, высоковольтная десорбция действительно очищает только маленький кончик на самой верхушке эмиттера. Поэтому для того, чтобы получить поверхность, которая уже не будет загрязняться за счет диффузии с основания, необходимо попеременно проводить нагревание и высоковольтную десорбцию. Вызываемое высоковольтной десорбцией и нагреванием затупление острия можно ликвидировать ионной бомбардировкой [44а], как описано в разделе И, Б, 2. Используя затупленное острие в качестве автоэлектронного эмиттера в инертном газе, например в аргоне (при р 0 мм-рт.ст.), можно снова получить очень тонкие и чистые острия. Последующее высоковольтное испарение сглаживает такую сильно поврежденную поверхность и делает эмиттер вновь пригодным для дальнейших наблюдений методом ионного проектора. [c.220]

III. Метод ионного проектора [c.203]

В 1951 г. Мюллер [37] открыл метод ионного проектора. В этом приборе средой, дающей изображение, является газ, способный к ионизации в поле высокого напряжения вблизи острия образовавшиеся ионы ускоряются в поле в направлении фосфоресцирующего экрана. Так как масса иона (в большинстве случаев гелия) более чем в 7000 раз превышает массу электрона, ограничения разрешающей способности, вытекающие из принципа неопределенности, уменьшаются соответственно в 7000 раз. Поскольку источником ионов служит разбавленный газ, их кинетическую энергию можно сильно уменьшить путем охлаждения. Это дает дополнительное увеличение разрешения за счет уменьшения поперечных компонент момента количества движения. Ионный проектор обычно разрешает атомы, находящиеся друг от друга на расстоянии 2,7 А на изображении в электронном проекторе [c.203]

Другой проблемой, с которой обычно сталкиваются при проведении адсорбционных исследований с применением метода ионного проектора, является диссоциация в поле. Например, адсорбированная молекула углеводорода мон- ет терять свободно свисающие атомы водорода они либо непосредственно отрываются под действием поля, либо, если эти атомы водорода находятся достаточно далеко от поверхности, они теряются за счет ионизации в поле. Молекула углеводорода может также расщепляться при адсорбции. Разумеется, с помощью ионного проектора невозможно установить, являются ли адсорбированные частицы исходной молеку-,лой углеводорода или ее осколками. Тем не менее применение ионного проектора для исследования адсорбции веществ типа углеводородов обещает дать важную информацию. Например, в лаборатории авторов было показано, что ацетилен на вольфраме при температуре ниже 700 К неподвижен. Поэтому можно ожидать, что ионный проектор поможет обнару/кить некоторые структурные особенности, присущие ацетилену в процессе адсорбции. [c.213]

Метод ионного проектора существенно дополняет метод электронного проектора, что было показано в недавно выполненных [c.213]

Хемосорбционные пленки могут быть исследованы различными методами. Важнейшими из них являются инфракрасная спектроскопия, измерение контактных потенциалов и работы выхода электронов, электронная микроскопия, метод ионного проектора, а также дифракция медленных электронов. Если первые три метода дают только интегральные сведения о виде и толщине адсорбционных пленок, то два других обеспечивают прямое определение позиций атомов и тем самым дают сведения о структуре адсорбционных слоев. [c.361]

Метод холодной эмиссии заключается в удалении поверхностных атомов с острия при высокой напряженности электрического поля. На экране ионного проектора при этом можно наблюдать дифракционную картину поверхности. Основной недостаток метода — ничтожно малая величина очищенной поверхности. [c.445]

По данным [88], адсорбция кислорода на различных металлах протекает так быстро, что кинетику процесса не удается измерить это указывает на очень малую энергию активации адсорбции. После быстрой адсорбции начинается медленное поглощение кислорода решеткой металла. Для никеля, меди и некоторых других металлов это поглощение сопровождается образованием окислов, для благородных металлов (платина, серебро) медленный процесс поглощения приводит к растворению кислорода в приповерхностных слоях. В электронном и ионном проекторах [90] обнаружена слабосвязанная (молекулярная) форма кислорода а платине (теплота адсорбции 42 кДж/моль, ли 10 ккал/моль). Методом термодесорбции 91] также установлена молекулярная форма адсорбированного кислорода, но на отдельных гранях монокристалла образуются и атомарный и молекулярный ионы кислорода (0 и О2). [c.37]

В течение многих лет теоретическое рассмотрение этих каталитических реакций отставало от практики, а практика в свою очередь мало помогала теории. Изменение наступило, когда Лэнгмюр предположил [5], что промежуточными веществами в этих реакциях являются поверхностные соединения, образованные путем хемосорбции реагирующих веществ в виде ионов, радикалов или атомов на поверхности твердого тела. Точная идентификация этих промежуточных веществ оказалась затруднительной во всех случаях, и во многих гетерогенных реакциях скорость-определяющая стадия не была точно установлена. Здесь оказали помощь количественные исследования величины, скорости и энергий хемосорбции газов, а также измерения дипольного момента адсорбированного слоя (определяемого по изменению работы выхода) или измерение его электропроводности. Совсем недавно исследование ИК-спектров позволило установить тип связи в адсорбированных молекулах, тогда как методы электронного проектора и электронной микроскопии помогли в определении положения адсорбированных молекул относительно граней и ребер кристаллических решеток. Отсутствие ясности в вопросе о механизмах реакций не дает возможности количественно объяснить каталитическую активность даже чистых твердых тел, хотя имеется много обнадеживающих подходов к решению этой проблемы пройдет некоторое время, прежде чем удастся полностью понять поведение сложных поверхностей промышленных катализаторов. [c.19]

И важнейших результатов, полученных методами флэш-десорбции, электронного и ионного проекторов и ультравысокого вакуума при изучении процессов, протекающих на поверхности гетерогенных катализаторов. [c.6]

Еще более глубокое проникновение в атомистические подробности взаимодействия ксенона с вольфрамом уже невозможно связь настолько слабее, что наблюдения в ионном проекторе, по-видимому, неосуществимы. Однако распространение метода флэш-десорбции на кристаллы с монокристаллическим характером поверхности и проведение опытов в более широком интервале температур должны были бы дать однозначный ответ на вопрос об эффективности конденсации. [c.200]

Таких трудностей следует ожидать при использовании любых новых методов. Однако успешная работа на ионном проекторе может быть облегчена, если учесть уникальную информацию, которую можно получить. [c.248]

Применение ионного проектора для адсорбционных исследований еще только начинается. Поэтому пока трудно проводить подробное сравнение достижений, полученных с применением этого метода и методов флэш-десорбции и обычного электронного проектора. В настоящее время число систем, которые можно успешно исследовать в ионном проекторе, ограничено вследствие того, что для получения изображения требуются мощные поля, а также из-за десорбции адсорбированного слоя под влиянием поля и электронной бомбардировки. Однако огромная важность ионного проектора как метода исследования адсорбции совершенно очевидна из уже выполненных работ, а дальнейшие технические усовершенствования должны сильно расширить область его применения. [c.248]

Многочисленные вопросы остаются пока без ответа. К счастью, однако, имеются методы, посредством которых эти вопросы могут быть разрешены. Метод изотопной метки, ИК-спектроскопия, электронный и ионный проекторы, метод ЭПР, электронография, [c.91]

За последние десять лет данные об истинной структуре активных центров поверхности твердого тела были получены непосредственно с помощью таких методов, как, нанример, электронная микроскопия на просвет и электронно-микроскопические реплики [84], ионный проектор [84, 85] и электронный микроанализ в пучке [84] (см. гл. 3). Соответственно возрастает уверенность, что в настоящее время можно получить более полное физическое представление о неоднородной поверхности твердого тела. К числу участков поверхности, на которых теплота хемосорбции, по-видимому, должна отличаться от теплоты хемосорбции на ровных участках, кроме перечисленных Тейлором и Констеблем, относятся следующие 1) участки, где появляются винтовая и краевая дислокации, двойниковые границы и деформированные плоскости 2) нарушения структуры типа дефектов Френкеля и Шоттки, находившиеся во внешних слоях твердого тела, и 3) включения металлических и неметаллических примесей, встречающиеся как отдельно, так и в виде скоплений. Подобные нарушения структуры рассматриваются в гл. 5. [c.45]

Хотя только что описанный способ вычисления энтропии позволил получить много ценной информации о подвижности адсорбата, этот подход к оценке стенени локализации при адсорбции оказался в последнее время вытесненным более надежными прямыми методами, например методами электронного и ионного проекторов и инфракрасной спектрофотометрии. При окончательном анализе оказалось, что энтропийный метод весьма нечувствителен. Этот метод не может быть использован для надежного различения вероятностей существования неподвижных и подвижных слоев в ряде случаев адсорбции в связи с тем, что эффективные площади, приходящиеся на одну адсорбированную молекулу, или величины поверхности самых твердых тел известны с неравноценной степенью точности, что значительно влияет на величины вычисляемых по уравнениям (59) и (60) AS и ASm- На этот недостаток метода указывал Эверет [252]. Другая трудность, связанная с использованием данных об энтропии адсорбции, заключается в том, что в приведенных выше рассуждениях молчаливо подразумевается, что во время адсорбции не происходит никакого изменения энтропии самого твердого тела, а все изменения энтропии обусловлены изменением энтропии адсорбированного вещества. А, как уже говорилось в разделе 2.2.3, это не совсем так [258]. [c.111]

Исследование кинетики и энергетики адсорбции и десорбции методом эмиссионной микроскопии основано на тех же соотношениях, которые используются при анализе поверхностных реакций. Ряд интересных работ выполнен с целью понять влияние строения на хемосорбцию и природу адсорбированных частиц. При изучении системы азот — вольфрам Эрлих [9] показал, как информация, полученная с помощью трех различных методов (ф.леш-десорбции, электронного и ионного проекторов), дополняет друг друга [9]. Гомер и сотр. [22] в серии изящных работ по изучению окиси углерода на вольфраме определили относительное содержание. [c.202]

Ионный проектор дает возможность наблюдать одиночную адсорбированную молекулу на поверхности металла и установить ее локализацию на поверхностных центрах. Поскольку нельзя допустить загрязнений частицами, отличающимися от исследуемых, необходимо, чтобы ионный проектор работал в условиях ультравысокого вакуума. Трубку и вакуумную систему, представленные на рис. 10, легко приспособить для метода ионной микроскопии, предусмотрев введение в микроскоп газа, дающего изображение, и манометра, предназначенного для измерения давления порядка 10 — 10 мм рт. ст., поскольку давление изображающего газа мм рт. ст. [40]. [c.207]

Итак, если каталитическую реакцию разбить на пять общих стадий 1) диффузия реагентов к поверхности, 2) хемосорбция одного или большего числа реагирующих веществ, 3) реакция адсорбированных частиц или взаимодействие мен<ду адсорбированными и газообразными частицами, 4) десорбция продуктов и 5) диффузия продуктов от поверхности катализатора,— методы электронного и ионного проекторов могут дать информацию о стадиях 2— 4. Для стадии 2 можно определить скорости хемосорбции и относительные коэффициенты прилипания. В стадии 3 можно непосредственно наблюдать поверхностную подвижность адсорбированных веществ и зависимость энергетических характеристик диффузии от кристаллографического направления и, кроме того, определить [c.214]

Преимущество этого метода по сравнению с автоэлектронной микроскопией или использованием ионного проектора состоит в том, что при дифракции медленных электронов не нужны сильные внешние электрические поля поэтому нет и деформации поверхности. Вместе с тем силы, которые удерживают адсорбированные атомы на поверхности, имеют величину не ниже напряженности поля. Поэтому результаты метода дифракции медленных электронов могут быть использованы для анализа нормального состояния поверхности. Кроме того, можно проследить кинетику процесса адсорбции в зависимости от давления остаточного газа и от температуры. [c.367]

Желание увидеть с хорошим разрешением атомно-молеку-лярную структуру с помощью прямых средств визуализации (например, электронная микроскопия) пока практически неосуществимо. Правда, метод электронного и, особенно ионного, проектора способен показывать отдельные атомы, но в очень специфических условиях (поверхность острия тончайшей иглы) и только для металлов, (как правило, тяжелых). Для атомов же в полимерной молекуле таких возможностей нет. [c.103]

Эти решетки являются естественными трехмерными дифракционными решетками для рентгеновских лучей. Структуру кристаллов исследуют с помош,ью дифракции рентгеновских лучей (рис. 5), дифракции электронов, нейтронов, с помош,ью электронного микроскопа, ионного проектора (рис. 6) и другими методами. [c.6]

Электронный проектор был создан Мюллером в 1937 г. и усовершенствован им же в последующие годы [1]. По ряду причин этот прибор не привлек широкого внимания вплоть до конца второй мировой войны в настоящее же время стали очевидны те большие возможности, которые предоставляются им для исследований. В сочетании с разработанными в последнее время методами получения сверхвысокого вакуума электронный и ионный проекторы успешно используются теперь для изучения физических и химических поверхностных явлений. [c.104]

Данная статья посвящена краткому изложению теоретических вопросов в ней описаны также некоторые применения электронного и ионного проекторов в каталитических исследованиях, проводимых в настоящее время главным образом в Чикагском университете. Здесь не делается попытки дать полный обзор всех работ в этой области и поэтому работы, не связанные непосредственно с каталитическими проблемами, не рассматриваются. Дано краткое описание экспериментальных методов. [c.104]

Лишние электроны, или электронные дырки, также представляют собой точечные дефекты. Это установлено при экспериментальном изучении ионных кристаллов сравнительное исследование точечных и электронных дефектов в них позволило определить ряд свойств и тех и других. Для этого были проведены измерения электропроводности, чисел переноса, фотопроводимости, а относительно недавно были осуществлены измерения с помощью методов радиоспектроскопии, в частности метода электронного парамагнитного резонанса. Однако существуют и другие методы обнаружения дефектов решетки нанример, в некоторых случаях с помощью ионного проектора можно регистрировать атомы в междоузельных положениях и вакансии. [c.24]

Ионный проектор позволяет непосредственно наблюдать атомные дефекты [131]. В этом методе из кристалла 7 равлением получают острую, тонкую иглу. Между иглой и окружающим ее противоэлектродом создается мощное электрическое поле, причем на иглу подается отрицательный заряд. Имеющиеся при низком давлении атомы газа ионизируются на кончике иглы стекающими с нее электронами. Ионы ускоряются полем и направляются на люминесцентный экран, где они создают увеличенное изображение поверхности кристалла на кончике иглы, детали которого соответствуют эмиссионным характеристикам. Для создания достаточной эмиссии кристалл должен быть горячим, и он медленно испаряется. При этом один за другим обнажаются атомные слои, имеющие типичную для каждого слоя дефектную структуру. Таким образом можно наблюдать дислокации, а также точечные дефекты. Пока метод применялся главным образом для металлов. Однако сравнительно недавно [132] эмиссионные картины были получены также для германия и кремния, и это позволяет надеяться, что метод будет усовершенствован и позволит непосредственно наблюдать дефекты при изучении и указанных элементов. [c.182]

Поверхностная диффузия индивидуальных атомов наблюдалась методом ионного проектора. Эрлих и Худда [И], исследуя диффузию адсорбированных атомов вольфрама по поверхности вольфрама, обнаружили ожидаемое движение вдоль, а не поперек рядов атомов. Однако адсорбированные атомы вольфрама более подвижны на плоскостях (211), чем на атомно наиболее плотно упакованных плоскостях (110) в объемноцентрированной кубической решетке металла. Наблюдавшийся порядок изменения по движности соответствовал ряду (211) > (321) (110) > (111) с энергиями активации 13 ккал/моль на гранях (211) и 22 ккал/моль на гранях (110). Кроме того, отражения мигрирующих адсорбированных атомов наблюдались и на границах плоскостей (110), (211) и (321). [c.214]

Автоэлектронная микроскопия и метод ионного проектора. Количественные сведения об элементарных процессах и энергиях активации диффузии примесных атомов или молекул, адсорбированных на поверхностях металлов, а также данные о подвижности собственных атомов кристалла, можно получить с помощью автоэлект-ронного микроскопа К В этом случае благодаря применению сильных электрических полей (величины порядка 10 ej M) происходит эмиссия электронов с острия исследуемого материала, нагреваемого в высоком вакууме и служащего катодом. Для этого используют нити из тугоплавких металлов (например, Pt, W, Fe, Мо), имеющие полусферическое острие с малым радиусом кривиз- [c.364]

Исходя ИЗ результатов, полученных с помощью ионного проектора, Брилль, Рихтер и Рух [67] пришли к заключению, что азот адсорбируется преимущественно на грани (111) железа. Согласно представлению Руха, основанного на теории химической связи, хемосорбция молекулярного азота обусловлена перекрыванием заполненной л -орбитали N2 и незаполненной низко-энергетической поверхностной орбитали Fe. При этом связь в молекуле N2 ослабляется. Особенно благоприятные условия для этого имеются на грани (111). Однако грань (111) не является равновесной гранью железа, к которым принадлежат грани (100J и (110). Благодаря адсорбции N2 поверхностная энергия грани (111) уменьшается, и эта грань становится равновесной. Промышленный железный катализатор восстанавливают в потоке азото-водородной смеси, что создает условия для образования граней (111) на поверхности кристаллов. Цвитеринг и Вестрик [68] установили, что железный катализатор, полученный восстановлением магнетита, имеет главным образом грани (111). Таубе [69] провел синтез аммиака на усах железа, которые были огранены только гранями (100) и (ПО). Выход аммиака не составил и 1% получаемого на обычных железных катализаторах. Мольер и Берндт [70] исследовали эти усы методом ДМЭ и не смогли обнаружить адсорбции азота на них. Шмидт [71] методом масс-спектрометрии с эмиссией ионов полем показал, что первым промежуточным продуктом на поверхности катализатора, вероятно, является N2H. Соответствующий поверхностный комплекс может иметь строение, показанное на рис. 63. [c.138]

Высоковольтное испарение дает поверхности, отличающиеся от получаемых термическими способами. Это становится очевидным из рассмотрения снимков изображений, получаемых в электронном и ионном проекторах для вольфрамов1 х эмиттеров, обработанных двумя указанными методами (т. е. полем и термически) [76]. [c.216]

Адсорбционные слои можно изучать непосредственно методом электронного проектора. Электронный проектор основан на явлении вырывания электронов из микрокристалла сильным электрическим полем. Электроны падают на флуоресцирующий экран и создают на нем изображение поверхности острия, на котором светлым пятнам отвечают участки с наибольшей эмиссией. Увеличение доходит до 10 . По виду изображения можно отличить отдельные хемосорбированные молекулы и ионы. При адсорбции на вольфраме Нг дает ионы Н+ и Нг+, Ог—Ог , N2— Ыг+, СгНб—СгНб" и СН3+ и т. д. [c.192]

Основными методами изучения Д. в кристаллах служат электронно-микросконич. наблюдение расположения атомных плоскостей в кристаллах декорирование Д. примесями с наблюдением в видимом или ИК-свете металлографич. травление точек выхода Д. на поверхность кристалла изучение фигур спирального роста с применением фазовоконтрастной микроскопии, многолучевой интерферометрии и ионного проектора поляризационно-оптич. определение внутренних напряжений, рентгеновские исследования, а также измерения электропроводности, плотности и комбинации этих методов. [c.573]

Трубка микроскопа и конструкция устройства, несущего острие, почти такие же, как и в установке, применяемой при исследовании поверхности методом электронной эмиссионной микроскопии, различие лишь в том, что для ионного микроскопа требуется менее плотный экран (1—2 мг/см , а не 4—5 мг/см ) и большая тщательность при приготовлении острия. Для метода ионной эмиссии требуются поля 4,5 В/А, а не 0,3 В/А, как в методе электронной эмиссии, и это означает, что острие электронного проектора при работе в режиме ионного проектора должно эмит-тировать ниже 2000 В, чтобы оставаться в пределах мощности источника (обычно 30 ООО В). [c.208]

В электронной эмиссионной микроскопии очистка эмиттеров и их формирование производятся путем термической обработки. Этот метод, однако, неприменим при подготовке эмиттеров для ионного проектора, поскольку он дает притупленное острие, что недопустимо, так как для получения достаточных ионизирующих нолей требуются очень высокие напряжения. Получить эмиттеры для ионного проектора можно с помощью другого метода — метода десорбции в поле, когда на эмиттер де11ствуют положительным полем большой напряженности, которое сдирает с поверхностп металла адсорбат. При приложении более сильных полей можпо удалять с острия и образующий его метал.т, т. е. осуществить испарение в поле [36]. [c.208]

Ионный проектор оказался наиболее полезным в области металлургии. Именно здесь проявились открываемые им возможности исследования атомной решетки и атомных дефектов, о которых можно только косвенно судить на основании других методов. В превосходном обзоре по применению ионного проектора Мюллер [40] привел ряд примеров исследования дефектов в кристаллах металлов. Допо.инительными методами являются масс-спектроско-пия, поверхностная адсорбция и диффузия, два последних имеют важное значение для катализа. [c.211]

Большие успехи в изучении X. достигнуты в последнее время благодаря применению новейших физико-химич. методов исследования. Напр., изучение X. на металлич пленках (N1, Р1), полученных в ультравакууме (10 —10 мм), показало, что такие пленки обладают большой ненасыщенностью. Молекулы На, Оа II других газов хемосорбируются на них без энергии активации. Малые значения динольного момента этпх хемосорбированных слоев, обнаруживаемые измерениями работы выхода электронов, указывают на образование ковалентной связи. Вероятно, в ней участвуют -электроны металлов. В присутствии загрязнений может наблюдаться энергия активации за счет хпмич. реакции адсорбата (На, Оа) с этими загрязнениями. Энергия активации при X. на металлах может указывать также на растворение газа в поверхностном слое. Изучение хемосорбированных слоев на металлах методами дифракции медленных электронов эмиссионного электронного и ионного проекторов показало в ряде случаев кристаллохимич. соответствие структуры хемосорбированного слоя и объема металла и резкую зависимость структуры хемосорбированного слоя и величины X. от кристаллографич. индекса грани. Напротив, при адсорбции Оа и J. на Ое-было обнаружено отличие структуры хемосорбированного слоя от объема адсорбента. [c.313]

Если желательно иметь большую поверхность данной грани, то можно вырезать плоские поверхности, параллельные данной грани ниже описаны методы, позволяющие производить измерения на одной плоскости монокристалла, при которых влияние ребер и других граней можно исключить. Наиболее удобной формой образца является сферический кристалл со срезанными на нем плоскостями, параллельйыми граням, подлежащим исследованию. Измерения при этом проводятся на гладких гранях, а в качестве чувствительного метода обнаружения примесей и для контроля правильности выбора условий эксперимента можно использовать фигуры, полученные на сферической поверхности. Поверхностную структуру различных граней следует изучать при помощи как оптического, так и электронного микроскопов, причем интересно отметить, что изменения структур, которые наблюдали на большом монокристалле, подтвердились недавними исследованиями с тонкими металлическими остриями, проведенными при помощи электронного и ионного проекторов. Метод использования больших монокристаллов имеет то бесспорное преимущество, что он позволяет измерять скорости реакции при одновременном наблюдении изменений структуры поверхности. Эти кристаллы могут быть использованы не только для изучения окисления, но и для исследования боль- [c.83]

Ниже приводятся краткие сведения о технике экспериментов, проводимых с применением электронного и ионного проекторов.. Изготовление колб для проекторов. Колбы для проекторов могут быть изготовлены из пирексовых круглодонных колб произвольного размера, но некоторые исследователи предпочитают иметь плоские экраны. Нижнюю часть колбы покрывают суспензией виллемита в растворе коллодия, к которому добавлено несколько капель бутилфталата, являющегося пластификатором. После тщательной сушки (испарения амилацетата, служащего в качестве растворителя) колбу медленно нагревают в печи до 400—500° С. При этом коллодий разрушается, оставляя довольно стойкий налет люминофора. Последний еще более стабилизируется и приобретает электропроводность при напылении на него алюминия или платины. Более простое в изготовлении, но менее совершенное покрытие получается смачиванием слоя люминофора платиновым раствором марки Хановия с последующей сушкой и нагреванием до 200—400° С. Покрытие, получаемое этим методом, имеет удовлетворительную электропроводность, но отличается меньшей отражательной способностью, вследствие чего изображения обладают пониженной яркостью. Электрические вводы для анода и петли, несущей острие, осуществляются с помощью впаев вольфрама в стекло нонекс (рис. 3). Анодный ввод соединяется внутри колбы с экраном при помощи тонкого слоя платины, наносимого из раствора, или для этого используется [c.146]

К оптическим и дифракционным методам относятся методы, основанные на взаимодействии электромагнитного излучения различной длины волны или потока частиц различной энергии с исследуемым веществом. Это оптическая и электронная микроскопия, рентгеноструктурный анализ (дифракция рентгеновских лучей) под обычными (>30°) и малыми (<5°) углами, рентгеновская микрорадиография, нейтроно- и электронография, электронная и ионная эмиссионная микроскопия (электронный и ионный проекторы). [c.24]

Квор (Прага, ЧССР). В связи с докладом профессора Бонда я хочу отметить, что расчет металлической поверхности методом молекулярных орол.алей вполне применим при изучении поверхностей с помощью ионного проектора. Проводя эту работу для металлической поверхности, когда распределение электронов вокруг каждого из атомов на поверхности было аппроксимировано орбиталями изолированного атома, мы, совместно с профессором Мюллером [7], имели возможность объяснить некоторые типичные особенности эмиссионного изображения гранецентрированных металлов, как, например, локальная яркость пятен на изображении гранецентрированных металлов, отсутствие изображения некоторых рядов атомов и пр. [c.290]

В предыдущей главе читатель познакомился со всем разнообразием видов нанокластеров, наносистем и наноструктур. Как уже отмечалось, одной из основных характерных черт таких объектов является наличие у них развитой поверхности. Поверхность конденсированного состояния вещества обладает столь больщим разнообразием свойств и применений, что это стимулировало развитие известных и привело к появлению ряда новых специфических методов. Это прежде всего методы, основанные на регистрации электронов в различных применениях дифракция электронов, полевые методы — полевая электронная и ионная спектроскопия (спектроскопия электронного и ионного проектора), различные виды электронной микроскопии, электронная РФС-, УФС- и Оже-спектроскопия, далее следует дифракция рентгеновского излучения с применением синхротронного излучения, методы ЕХАРЗ, XANS. Методы оптической, ИК- и спектроскопии комбинационного рассеяния, мессбауэровской спектроскопии весьма эффективны как для изучения состояния поверхности, так и для изучения внутренних слоев нанокластеров. Наконец, остаются, конечно, востребованными хорошо разработанные методы ЯМ и ЭПР радиоспектроскопии. [c.40]

Поверхностные электронные состояния определяются также с помошью группы методов спектроскопии электронного проектора и ионного проектора (см. гл. 2). Здесь используется холодная автоэмиссия в сильных электрических полях. [c.129]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология