Модель перескакивающего электрона

Н. Бор разработал теорию, которая очень хорошо объяснила весь спектр атомарного водорода, а также легла в основу физической модели строения атома. Согласно модели Бора электроны в атоме вращаются вокруг ядра по устойчивым круговым орбитам. Этим орбитам соответствуют определенные энергии электрона. Перескакивая с одной орбиты на другую, электроны могут приобретать или терять энергию. [c.10]

Мостиковая модель (Амис). Два иона А и В разделены мостиком , которым служат молекула воды, ион водорода и т. д. Эти ионы и мостик образуют область, имеющую форму капсулы. Внутри такой капсулы — полное диэлектрическое насыщение. Термодинамический потенциал перестройки отражает электронную перестройку участвующих в реакции частиц. Перенос электрона происходит в две стадии сначала электрон перескакивает с иона А на мости-ковый ион, а затем с мостикового иона на ион В. Перенос происходит путем туннелирования электрона. Константа скорости реакции определяется суммарным трансмиссионным коэффициентом X, кулоновским отталкиванием одноименных зарядов и изменением термодинамического потенциала, связанного с электронной перестройкой [c.107]

Квантовая модель атома. В теории Бора — Эйнштейна было принято, что электрон в атоме водорода вращается вокруг ядра ио разрешенным дискретным орбитам. Поглотив квант энергии, электрон перескакивает на одну из соседних наружных орбит излучая квант, перескакивает на одну из более близких к ядру орбит. Величина кванта отвечает разности энергии соответствующих орбит [c.110]

Недостающие электроны ( дырки ) точно так же, как и избыточные электроны, распределяются по всему кристаллу хаотически. Причем механизм, с помощью которого устанавливается это распределение, тот же, что и для электронов. Если применяется зонная модель, то говорят, что дырки перемещаются в валентной зоне. При использовании модели скачкообразно перемещающегося электрона считают, что они перескакивают от атома к атому. [c.153]

Миогочисленные исследования электронных свойств твердых катализаторов показали, что электроны, принадлежащие разным ионам, могут быть обобществлены (зонная модель). Передвижение электрона по решетке обусловливает проводимость твердого тела. В полупроводниках электрон перескакивает из валентной зоны или с энергетического уровня примеси, в1веденной в полупроводник, в зону проводимо сти. Создание разнообразных дефв1К-тов в решетке способствует образованию не одиночных энергетических уровней, а узких зон, в которых транспортирование электрона облегчено. [c.147]

Удачное объяснение строения атома предложил в 1913 г. Нильс Бор, который прославился этой и другими работами в области атомной физики. Бор свел воедино несколько хорошо установленных, но разобщенных фактов и теорий—линейчатую структуру атомных спектров, классическую механику, электростатику и новую идею Планка о квантовании энергии [см. уравнение (2.5)]. Согласно вьщвинутой Бором модели, электрон в атоме водорода приобретает или теряет энергию только целочисленными квантами. При этом электрон перескакивает с одного энергетического уровня на другой, скажем с на Е2, и поглощаемое или испускаемое атомом в результате этого излучение должно обладать такой частотой, чтобы выполнялось соотношение [c.69]

Хотя пока еще получено мало экспериментальных данных, подтверждающих существование простого соотношения между каталитической активностью окислов переходных металлов и числом ijf-электронов, концепция кристаллического поля как потенциального фактора в катализе на окислах, несомненно, заслуживает внимания. Она представляется особенно важной, поскольку открывает также возможность более глубокой оценки полупроводниковых свойств. Поведение -орбит при помещении катионов в симметричное окружение кристаллического окисла можно проиллюстрировать на примере работ с закисью никеля. Много лет назад здесь была обнаружена некоторая аномалия, ибо если волновые З -функции ионов Ni + перекрываются и образуют зону, то нужно ожидать проводимости у стехиометрте-ской NiO, так как незаполненные 3 -конфигурации катионов должны дать незаполненную зону. Поэтому де Бур и Фервей [84] предположили, что электропроводность нестехиометрической NiO нужно объяснять моделью локализованных уровней, согласно которой электроны перескакивают от ионов Ni к ионам Ni , причем последние обязаны своим существованием присутствию вакансий никелевых ионов, как это было постулировано Вагнером [39]. В последние годы справедливость идеи о локализованных уровнях была подтверждена Морином [85]. Он указал, что [c.346]

В отношении модели Бора новая физика действительно показывает, что она далеко не во всех своих частях реальна. Из квантовой механики вытекает, что при современном положении наших знаний мы вообще не можем говорить об определенных, строго дефинированных электронных орбитах, так как мы не можем точно ни рассчитать, ни наблюдать положение электрона в каждый данный момент, а знаем лишь средние значения во времени этих положений для каждой точки. Можно говорить лишь об уровнях (значениях) энергии электрона на каждом заданном расстоянии от ядра, которые имеют ту же величину, как если бы электрон занимал ту или другую определенную орбиту. Второй постулат Бора надо также понимать не буквально не электроны перескакивают от орбиты к орбите, а изменяется энергетический уровень атома вследствие изменения расположения электронов в нем на величину, отвечающую воображаемому перескоку электрона с одних стационарных орбит на другие. [c.93]

Этот экспериментальный факт можно связать с высокой подвижностью атома щелочного элемента (или Т1) относительно более жесткого фрагмента МеХ4 (или МеХз), при которой он непрерывно меняет свое положение в молекуле, как бы перескакивая с ребра на ребро и с ребер на грани и на продолжение верщин тетраэдра (или треугольника). Такое движение атома щелочного элемента (или Т1) характеризуется низкой частотой и описывается сложной потенциальной функцией и соответствующей функцией плотности вероятности, которую можно получить после рещения колебательной задачи. К сожалению, эта задача сложна для полного математического описания и получения количественных результатов. Однако нет сомнений в том, что подобная динамическая модель изученных молекул хорощо согласуется с полученными электронографическими данными. Требуются дальнейшие исследования вида теоретических выражений интенсивности рассеянных электронов, учитывающих такое движение ядер. [c.274]

В работе [107] предлагается новая модель, в которой электропроводность в NiO связывают с 2/5-полосой кислорода. Для описания оптического поглощения и края фотопроводимости используются заполненная 2р-полоса кислорода и пустая 45-полоса никеля с энергетической щелью между ними4эе. Так как непроводящие 3 -состояния заполнены, то чистая NiO — полупроводник с внутренней щелью 4 эв. Введение Li+ приводит к возникновению соседних Ni3+- o TOHHHn и этот комплекс действует как акцептор для 2р-полосы. При низких температурах Ni -AbipKa может перескакивать на Ni вблизи узла Li+ и таким образом создается вклад в электропроводность. При высоких температурах акцептор, являясь ионизованным, оставляет Ni + вблизи Li+, а дырка переходит в кислородную 2р-полосу. Эти дырки дают зонную проводимость р-типа, которая и наблюдается при средних температурах. За магнитные свойства и оптический спектр в NiO ответственны локализованные Зй-электроны. [c.89]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология