Кристаллизация чистых компонентов

Кривая 2 соответствует охлаждению системы, содержащей 20 % Pt. При 1567 К наблюдается уменьшение скорости охлаждения. Это объясняется тем, что происходит процесс, сопровождающийся выделением теплоты. Таким процессом является кристаллизация твердого раствора. При кристаллизации теплота выделяется, что и снижает скорость охлаждения системы. На этой же кривой при 1405 К наблюдается вновь увеличение скорости охлаждения. При этой же температуре закончилась кристаллизация твердого раствора, и дальнейшее охлаждение системы не сопровождается выделением теплоты. Происходит охлаждение твердого раствора. На оси ординат, соответствующей составу 20% Pt, откладываем температуру начала и конца кристаллизации 1567 и 1405 К. Аналогично находим точки начала и конца кристаллизации расплавов с концентрациями 40, 60 и 80 % Pt. Соединив все точки начала кристаллизации, получим кривую ликвидуса соединив точки конца кристаллизации, получим кривую солидуса. Обе кривые сходятся в точках кристаллизации чистых компонентов Pt и Аи. [c.236]

Системы с неограниченной растворимостью компонентов в жидком и взаимной нерастворимостью в твердом состояниях. Системы без образования химических соединений. Простейший вид диаграммы плавкости имеют системы, в которых при охлаждении расплава любого состава кристаллизуются только чистые компоненты (рис. 141). На этой диаграмме фигуративные точки а ц Ь изображают температуры плавления (кристаллизации) чистых компонентов А и В Т, Т1). При этих температурах системы инвариантны (С = 1—2+ 1 =0). При температурах выше Т или 7 чистые компоненты находятся в расплаве (С = I — I + 1 =1), при температурах ниже Г или Тг — в твердом состоянии (С = 1 — [c.404]

На кривых охлаждения // и III смесей веществ температура начала кристаллизации расплава данной концентрации (точка 4) ниже температуры кристаллизации чистого компонента. На участке 3—4 С=2—1 + 1 = 2 (температура, состав). В точке 4 появляются кристаллы компонента А и С=2—2 + 1 = 1 (либо температура, либо состав). По мере кристаллизации компонента А оставшая- [c.40]

Автоматически вычерченные самопишущим потенциометром кривые охлаждения обрабатывают аналогичным способом. В этом случае находят число делений диаграммной бумаги в точках кристаллизации чистых компонентов и строят график в координатах температура кристаллизации (°С)—число делений бумаги. [c.44]

Состав 5 — при охлаждении этого расплава до температуры T a начинается кристаллизация чистого компонента В. По мере его выделения из расплава происходит дальнейшее понижение температуры, а остающаяся жидкость обогащается компонентом А. Составы расплавов, находящихся в равновесии с кристаллами компонента В, описываются линией Т Е. [c.134]

Пятый разрез (рис. 76, д) проведен при температуре ниже температуры кристаллизации эвтектики А — В, но выше тройной эвтектической температуры. Этот разрез пересекает пространство вторичного выделения всех трех компонентов (кристаллизации всех трех двойных эвтектик). Поля диаграммы, отвечающие кристаллизации чистых компонентов, значительно сузились, и расширились поля кристаллизации двойных эвтектик. Площадь, отвечающая жидкому состоянию, лежит в середине и имеет вид криволинейного треугольника. [c.209]

Если компоненты А и В обладают неограниченной растворимостью в жидком состоянии и образуют химическое соединение АВ в твердом состоянии, на линии ликвидуса должны быть три ветви, пересекающиеся между собой две ветви кристаллизации чистых компонентов и ветвь кристаллизации химического соединения. При этом возможны два случая состав жидкой фазы, образующейся при плавлении химического соединения, совпадает с составом его в твердом виде — конгруэнтное плавление (соединение АВ называется конгруэнтным) или состав соедине- [c.274]

Аналогичным образом можно рассмотреть процессы, протекающие при охлаждении расплава состава е от Те до Ts. В этом случае охлаждение расплава сопровождается кристаллизацией чистого компонента В, а точке s соответствует смесь кристаллов А, В и расплава состава s. [c.308]

G - и G -кривые имеют единственную общую точку на ординате одного из компонентов (Гг на рис. 158, а Гг, Г4 на рис. 158,6). Это соответствует кристаллизации чистого компонента из собственного расплава. [c.340]

В процессе охлаждения расплава 3 при Гз начинается кристаллизация чистого компонента В. По мере его выделения температура падает, пока не снизится до Ге, опять отвечающей составу эвтектической смеси. Составы расплавов, находящихся в равновесии с кристаллами В, описываются линией ТвЕ. Линии Т Е к Т Е называются линиями ликвидуса, так как при температуре выше этих линий су- [c.35]

Диаграмма состояния двойной системы, компоненты к-рой не образуют твердых р-ров ТдЕ и Тд — кривые зависимости т-р равновесной кристаллизации чистых компонентов А и В Е — эвтектич. точка Ж — область существования жидкой системы. [c.692]

Состав 5 — при охлаждении этого расплава до температуры Ts начинается кристаллизация чистого компонента [c.168]

Если исходный расплав точно отвечает эвтектическому (например, расплав состава О] или твердая смесь состава [), то при достижении эвтектической температуры он будет сразу весь кристаллизоваться, выделяя эвтектическую смесь кристаллов А и В (если охлаждать расплав), или плавиться, образуя жидкость эвтектического состава (если нагревать смесь твердых компонентов). Все это будет происходить при постоянной температуре. Точно так же при постоянной температуре будет происходить плавление и кристаллизация чистых компонентов А и В (соответственно при температурах t и в). [c.225]

Зтп системы образуются веществами, близкими по химическому строению ц кристаллической структуре. При этом температура начала кристаллизации может быть выше и ниже температуры кристаллизации чистых компонентов. [c.20]

Приводим примеры систем металлических, солевых п органических, указывая только температуры кристаллизации чистых компонентов и эвтектик, а также состав последних- [c.98]

На рис. IX.3 дана температурная зависимость давления пара компонента А кривой i в твердом состоянии и кривой АА в жидком. Точка пересечения этих кривых М соответствует — температуре кристаллизации чистого компонента А. Пусть теперь в некотором жидком растворе компонент А имеет парциальное давление, изображенное кривой ВВ . Тогда точка пересечения М этой кривой с кривой давления пара твердого А (кривой ССх) будет соответствовать равновесию между данным жидким раствором и чистым компонентом А. Температура Zj, отвечающая этому равновесию, лежит ниже температуры tg. Таким образом, когда из жидкого раствора выделяется чистый компонент, температура начала кристаллизации всегда ниже его температуры плавления в чистом виде. [c.117]

Если давление пара компонента А в твердом растворе изобран<ается кривой EEi, то эта кривая пересекается с кривой ВВ в точке Mg, и кристаллизация начнется при — выше температуры кристаллизации чистого А (io)- Если то же свойство твердого раствора изображается кривой FF , то точка пересечения FF с BBi лежит на одной ординате с точкой М, т. е. температура начала кристаллизации твердого раствора совпадает с температурой кристаллизации чистого компонента А. [c.117]

Кристаллизация чистых компонентов 141 [c.141]

ХП.2. Кристаллизация чистых компонентов [c.141]

Кристаллизация чистых компонентов 143 [c.143]

ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ ТРОЙНЫХ КОНДЕНСИРОВАННЫХ СИСТЕМ С КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ ЧИСТЫХ КОМПОНЕНТОВ [c.182]

Простые четверные системы с кристаллизацией чистых компонентов 315 [c.315]

ХХШ.4. Диаграммы конденсированного состояния простых четверных систем с кристаллизацией чистых компонентов [c.315]

Растворимость трех твердых веществ с кристаллизацией чистых компонентов 335 [c.335]

При кристаллизации жидких систем могут выделяться как чистые компоненты и образуемые ими химические соединения, так и твердые растворы на основе чистых компонентов и их соединений. Кристаллизацию чистых компонентов и их соединений из жидкого раствора, а также кристаллизацию из двух несмешиваю-щихся жидкостей с образованием твердых растворов следует считать предельными случаями. [c.223]

Температурная остановка на кривых охлаждения наблюдается при кристаллизации чистого компонента, химического соединения постоянного состава из стехиометрического расплава p = onst), когда с точки зрения правила фаз система также однокомпонента (С= 1 + 1—2 = 0). Кроме того, при одновременной кристаллизации двух компонентов в бинарной системе число степеней свободы также равно нулю К = 2, Ф = 3 (две твердые и жидкая фазы) и С = 2 + [c.328]

Эвтектическая горизонталь, отвечающая нонвариантному превращению, лежит ниже температур кристаллизации чистых компонентов А и В. Однако встречаются системы, в которых нонвариант-ная горизонталь расположена между температурами кристаллизации компонентов. Такая горизонталь называется перитектической. Диаграмма состояния этого типа представлена на рис. 145. На этой диаграмме вместо эвтектического в системе происходит нонвариантное перитектическое превращение. Оно заключается в растворении ранее выпавших кристаллов твердого раствора р в расплаве опре- [c.333]

На этой диаграмме точке отвечает температура плавления индивидуального химического соединения АтВп. Расплавы, отклоняющиеся от этого состава, т. е. содержащие избыток компонента А или компонента В и представляющие собой растворы, кристаллизуются при более низких температурах по сравнению с Т . Кристаллизация химического соединения описывается двумя линиями ликвидуса ТсЕх и Т Е , а кристаллизация чистых компонентов — линиями ТаЕ и В системе образу- [c.89]

Покажем это на примере диаграммы состояния первого типа для случая кристаллизации чистого компонента А из расплава А—В. В нижней части рис. VII.21 показана часть диаграммы двухкомпонентной системы, а в верхней —кривые зависимости энергии Гиббса моля расплава при различных температурах. [c.189]

Температурная остановка на кривых охлаждения наблюдается при кристаллизации чистого компонента, химического соединения постоянного состава из стехиометрического расплава р = onst), когда с точки зрения правила фаз система также однокомпонентна (С = 1 + 1 — 2 = 0). Кроме того, при одновременной кристаллизации двух компонентов в бинарной системе число степеней свободы также равно нулю К = 2, Ф = 3 (две твердые и жидкая фазы) и С = = 2+1— 3 = 0). Нонвариантными должны быть и любые другие равновесия, когда в бинарной системе присутствуют три фазы. По характерным изломам и остановкам на кривых охлаждения сплавов различного состава строят Т — г-диаграмму состояния. В зависимости от особенностей взаимодействия компонентов существуют различные типы диаграмм состояния. [c.195]

Эвтектическая горизонталь, отвечающая нонвариантному превращению, лежит ниже температур кристаллизации чистых компонентов А и В. Однако встречаются системы, в которых нонвариантная горизонталь расположена между температурами кристаллизации компонентов. Такая горизонталь называется перитектиче-ской. Диаграмма состояния этого типа представлена на рис. 99. На этой диаграмме вместо эвтектического происходит нонвариантное перптектическое превраще-ние. Оно заключается в растворении ранее выпавших кристаллов твердого раст вора в расплаве определенного состава, в результате чего образуются кристаллы твердого раствора а р) + Дп) а т). Подобное превращение претерпевают в ходе охлаждения сплавы, составы которых лежат в пределах протяженности перитектической горизонтали рп. [c.199]

Возможны диаграммы, когда точка Р (см. рис. VIII.4) совпадает с составом соединения S. В работе [7] путем вывода из удельных изобарных потенциалов показано, что в подобных системах ветвь кривой ликвидус, соответствующая кристаллизации чистого компонента, пересекается с линией кристаллизации соединения в дистектической точке. Соединение S выделяется в точке пересечения непосредственно из расплава. Компонент А не претерпевает перитектического превращения. Такую диаграмму автор считает промежуточной между описанными ранее типами диаграмм с конгруэнтно и инконгруэнтно плавящимся соединением. [c.109]

XXIV.2. Диаграммы растворимости трех твердых веществ в одном растворителе с кристаллизацией чистых компонентов [c.334]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология