Точка также Температура кристаллизации

Прямые ib и k l характеризуют присутствие в смеси одновременно кристаллов и жидкого расплава и называются линиями солидуса. Они определяют температуру кристаллизации расплава. Область I определяет гетерогенную систему, в которой в смеси содержатся кристаллы вещества В и жидкий расплав /=2—2+1 = 1). В области И содержатся- кристаллы вещества Л + жидкий расплав, область П1 характеризует кристаллы вещества Л+химическое соединение, IV — кристаллы ЛВ+жидкость, V — кристаллы вещества АВ, VI — эвтектика химического соединения + кристаллы вещества В, а также избыточное количество кристаллов вещества АВ слева от точки с . В точке с в системе одновременно присутствуют жидкий расплав, кристаллы вещества В и соединения АВ f=2—3+1=0). Эта точка определяет эвтектику. [c.183]

Так как в большинстве случаев растворимость кристаллизующихся веществ понижается с понижением температуры, то для образования кристаллов и выделения их из растворов прибегают к понижению температуры раствора, что, однако, приводит также к повышению вязкости и к замедлению скорости образования кристаллов. Если жидкость, в которой растворено кристаллизующееся вещество, обладает при температуре кристаллизации сравнительно высокой вязкостью, то для снижения вязкости системы и создания условий для более быстрого роста кристаллов применяют специальные растворители, понижающие вязкость среды. [c.227]

Из уравнений (48) и (49) видно, что а и р не зависят от азимутального угла 0, т. е. в пределах пограничного слоя вдоль поверхности раздела фаз концентрация примеси, а также температура кристаллизации не зависят от рассматриваемой точки поверхности, хотя толщины теплового бт и диффузионного бс пограничных слоев (35), (36) и скорость перемещения границы фаз /(0) (48—49) изменяются по азимутальному углу 0. Тепловой и диффузионный слои подобны, изменение одного компенсируется во столько же раз изменением другого. Увеличивается теплопередача из-за изменения толщины теплового слоя, во столько же раз увеличивается массоперенос. Поэтому изменение скорости роста вдоль поверхности вследствие изменения внешнего поля g или смещения по поверхности не приводит к изменению температуры поверхности и концентрации примеси на ней. Изменение температуры или концентрации примеси вдоль от движущегося кристалла приводит к изменению температуры кристаллизации и концентрации примеси на поверхности на одну и ту же величину, не зависящую ни от внешнего поля д, ни от азимутального угла 0. [c.272]

Необходимо также, чтобы при температуре кристаллизации макромолекулы сохраняли определенную подвижность, необходимую для их перестройки. Известно, что кристаллизация происходит при температуре ниже температуры текучести Тг, но выше температуры стеклования Тс, т. е, для полимеров в интервале высокоэластического состояния. Следовательно, жесткоцепные полимеры, температура разлол ения которых лежит ниже Гс, вообще не способны кристаллизоваться и всегда находятся в аморфном состоянии. Примером таких полимеров может служить целлюлоза, В то же время слишком большая гибкость макромолекул также мешает кристаллизации, так как в этом случае образующиеся упорядоченные области сразу л<е нарушаются в результате флуктуаций. Следовательно, наибольшей способностью к кристаллизации обладают полимеры с цепями средней гибкости. [c.258]

Если соблюдается условие плоского фронта кристаллизации, то изменения температуры кристаллизации и концентраций примесей в общем случае исключены и граница раздела будет плоской в масштабе нескольких сотен межатомных расстояний. Если же граница раздела искривлена, то распределение температуры, а также примесей вдоль границы раздела может изменяться и вызывать прорастание отдельных пирамид далеко в глубь расплава. В этих неконтролируемых условиях возможно возникновение любых видов нарушений. [c.299]

Дальнейшее исследование показало, что при одной и той же температуре кристаллизации одновременно были выделены нормальные и разветвленные парафины, а также циклические твердые углеводороды. [c.231]

Поляризуемость полимерной молекулы по направлению главной оси и поперек ее различна. Поскольку главные оси полимерных молекул ориентированы перпендикулярно радиусу сферолита, такие агрегаты обладают способностью к двулучепреломлению и рассеивают лучи света, если их размер оказывается соизмерим с длиной волны видимого света (в то же время аморфные полимеры, например полистирол, оптически прозрачны). Размеры сферолитов влияют не только на оптические свойства полимеров, но также и на их механические характеристики. Степень кристалличности, число и размеры кристаллитов так же, как и скорость кристаллизации, существенно зависят как от температуры кристаллизации (отжига), так и от величины молекулярной ориентации (степени ориентации) в момент кристаллизации, вызванной воздействием внешнего поля механических напряжений. [c.40]

Диаграммы состояния двойных систем с твердыми фазами экспериментально получают при постоянном (атмосферном) давлении методом термического анализа, поэтому их часто называют также диаграммами плавкости. Сущность этого метода состоит в том, что охлаждают расплавленную смесь двух веществ, измеряя через равные промежутки времени температуру. Далее в координатах время — температура строят кривую охлаждения. Процессы, сопровождающиеся выделением теплоты (кристаллизация, химические реакции, полиморфные превращения и т. д.), отражаются На кривой охлаждения горизонтальными участками с постоянной температурой или участками с замедленной скоростью охлаждения. Некоторые типы кривых охлаждения изображены на рис. 43. Характерные точки на кривых —температура плавления (кристаллизации) ti—температура начала кристаллизации — температура конца кристаллизации, tg — температура кристаллизации эвтектики. [c.168]

Если линейный полимер находится в кристаллическом состоянии, то ниже температуры плавления — температуры кристаллизации Гк он находится в твердом состоянии, но может различаться жесткостью ниже и выше температуры стеклования (кривая б). Это связано с тем, что аморфная часть полимера также может находиться в разных физических (релаксационных) состояниях. В тех случаях, когда полимер слабо закристаллизован, то выше Гс он [c.103]

Если металлы, образуя твердые растворы, при ширине области гомогенности до 10 вес.% заметно не изменяют своих свойств, то полупроводники чувствительны к изменению состава в пределах, гораздо, меньших (даже до 10 %), и их диаграммы надо показывать в гораздо больших масштабах. При такой чувствительности свойств (особенно электрофизических) к изменению состава полупроводники почти всегда придется считать твердыми растворами переменного состава, потому что очистка веш,еств до 10 % очень затруднительна. На рис. 52-а. этот важный участок диаграммы изображен в крупном масштабе по оси абсцисс и в уменьшенном — по оси ординат. Видно, чт растворимость сурьмы в твердом германии Х при некоторой температуре Тх и также при 590° С, хотя и мала, но все же не равна нулю, а максимальная растворимость еще несколько больше (Хм). Очень важно отношение содержания примеси в твердой фазе к содержанию той же примеси в жидкой фазе при данной температуре Хз. Это отношение представляет собой коэффициент распределения (гл. 1, 16) или коэффициент сегрегации примеси К- Хз и Х/. находятся по точкам пересечения изотермы, отвечающей данной температуре, с линиями ликвидуса и солидуса. (Равновесный коэффициент К. для сурьмы в германии при температуре кристаллизации последнего можно считать 0,003 [45].) [c.143]

В случае, когда оба компонента не образуют твердых растворов (рис. 11, 12, 13, 14, 15), выделение одного из них, как упомянуто вначале, не представляет больших трудностей. Но полностью разделить смеси этого типа путем кристаллизации нельзя. Этого можно достигнуть лишь в случаях, изображенных на рис. 16 и 20, когда оба компонента смешиваются и в жидком и в твердом состоянии, не образуя при этом смесей, дающих максимум или минимум температуры затвердевания. Если, например, мы будем охлаждать жидкость первоначального состава (рис. 23) и после начала затвердевания дойдем до точки в которой закристаллизуется около половины (допущение совершенно произвольное) количества взятой смеси, то получим кристаллы состава 51, обедненные более легкоплавким компонентом А, и жидкость состава кх, обогащенную этим компонентом сравнительно с исходным раствором. Отделив кристаллы от жидкости и расплавив их, получим жидкость того же состава, что и эти кристаллы. Закристаллизовав снова около половины вещества в точке 2, получим кристаллы состава Яд, обогащенные компонентом В сравнительно с кристаллами 8 . Повторяя этот процесс несколько раз, мы можем получить чистый компонент В. Охлаждая, в свою очередь, жидкость в точке (также в отношении 1 1) наряду с кристаллами состава 8 получим также жидкость состава обогащенную по сравнению с жидкостью компонентом А. При следующей кристаллизации мы получим жидкость, уже очень близкую по составу к чистому компоненту А, Число повторений кристаллизаций зависит от того, какой степени чистоты требуется получить препарат. [c.43]

Приведенные выше решения задач теплопроводности для движущегося полубесконечного стержня могут быть использованы для нахождения распределения температуры в растущих кристаллах, а также при анализе некоторых других тепловых задач, возникающих при получении монокристаллов по методу Чохральского. Рассмотрим случай, когда внутренние источники тепла отсутствуют. Если /1>8гц, то температурное поле в кристалле можно считать стационарным. В данном случае можно использовать решения задач теплопроводности (V.87) и (V.93), полагая в них ( в = 0. Для подсчета температуры по этим формулам нужно знать а, и физические параметры материала кристалла X, р и а. Последние в решения входят как постоянные. Физические параметры германия X, р и й в расчетных формулах были взяты при температуре кристаллизации. Линейный закон теплообмена с боковой поверхности кристалла был принят для возможности получить точное решение сформулированной задачи. В действительности тепло с боковой поверхности кристалла отдается в основном путем излучения. Поэтому а и /о.с в рассматриваемом случае являются величинами условными и одна из них может быть принята такой, чтобы при этом не нарушался физический смысл процесса теплообмена, В общем случае для любой системы экранирования значения а могут быть получены из расчета лучистого теплообмена элемента кристалла со всеми окружающими его поверхно- [c.155]

Вспомним также анизотропию термодинамических свойств ориентированных полимеров и снова воспользуемся для температуры плавления формулой (с. 26) Т л = (АН АНо) / [АЗг- -+ А52). Внешнее растягивающ,ее поле повышает обе энтальпии (из-за перекачки энергии) и понижает обе энтропии, в особенности конформационную А52, которая наиболее сильно влияет на Тпл. Поэтому при растяжении вдоль оси ориентации Тпл растет — тем более, если в структуре доминируют КВЦ. Но этот очевидный принцип очевидным же образом можно перевернуть если растут температуры плавления, то растут и температуры кристаллизации, т. е. весь купол кристаллизации сдвигается вправо по оси температур (рис. XVI. 13). Иными словами, наряду с механическим плавлением, должна существовать и механическая кристаллизация. Строго говоря, это и есть наиболее строгое определение ориентационной кристаллизации ее вызывает не снижение температуры, а сам по себе процесс растяжения расплава, приводящий по достижении р и / к образованию вынужденно-анизотропной фазы, могущей кристаллизоваться только в виде КВЦ. [c.386]

Проведенные многочисленные исследования диэлектрических свойств синтетического кварца в широком температурном (200— 1500 К) и частотном (0,1—10 МГц) диапазонах позволили установить, что кристаллы, выращенные в щелочных системах, характеризуются наличием температурно-частотных максимумов диэлектрических потерь (tgб) релаксационного типа, сопровождающихся дисперсией диэлектрической проницаемости (е ). В случае синтетического кварца имеет место зависимость температуры и частоты максимумов tgб от скорости роста и температуры кристаллизации, а также от примесного состава. Различия в примесном составе обусловливаются и разной природой щелочных ионов, ответственных за диэлектрические потери в кварце в природном кварце — обычно ионы лития, а в синтетическом ионы натрия играют роль зарядовых компенсаторов при изоморфизме АР+— 51 +. Выше уже отмечалось, что если для низкотемпературной области (tgб 10 —10 , <0,1 эВ) максимумы диэлектрических потерь могут интерпретироваться в рамках дипольно-релаксационной модели Д. Дебая с длиной диполя —0,1 нм, то 136 [c.136]

Для выделения из смеси о-ксилола и особенно этилбензола требуется сверхчеткая ректификация о-ксилол можйо выделять также азеотропной и экстрактивной перегонкой. Выделение л-ксило-ла основано на разнице в температуре его плавления его обьино выделяют кристаллизацией. При выделении п-ксилола из сырых ксилолов отбор от потенциала не превышает 55%. Понижение остаточного содержания о-ксилола в смеси при неизменной температуре кристаллизации приводит к увеличению его отбора от потенциала так, при отборе 70% о-ксилола (в сырье для получения п-ксилола его остается 6—8%) и кристаллизации при минус 68— минус 70 °С можно увеличить отбор п-ксилола до 65%. При дальнейшем углублении отбора о-ксилола можно повысить отбор п-ксилола (даже до 75% от потенциала) при той же температуре кристаллизации. Расчеты показывают, что для отделения (при высоком выходе) 98% о-ксилола от других компонентов достаточно в колонне иметь 150 тарелок. Отделение 99% этилбензола является более сложной задачей — для этого требуется колонна с 350 тарелками. [c.194]

Диаграммы плавкости неизоморфных смесей с простой эвтектикой, при кристаллизации которых выделяются чистые твердые компоненты, строятся на основании кривых охлаждения. Если нагреть жидкий цинк или кадмий до высокой температуры и охладить его, то температура будет равномерно понижаться согласно закону охлаждения Ньютона такой процесс будет происходить до тех пор, пока жидкость не начнет кристаллизоваться. При кристаллизации будет выделяться теплота кристаллизации, и поэтому охлаждение на некоторое время прекратится. С начала кристаллизации температура устанавливается постоянной до тех пор, пока вся жидкость пе затвердеет, после чего охлаждение будет продолжаться по тому же закону Ньютона. Кривые охлаждения (/ и //) представлены на рис. 103, причем температура, соответствующая горизонтальному участку, будет температурой кристаллизации данного вещества. Линия температурной остановки будет горизонтальной, так как состав жидкой фазы, из которой выпадают кристаллы, не меняется, и поэтому выпадение первых порций кристаллов идет при тех же условиях, что и последних. Постоянство температуры в данном случае вытекает также и из правила фаз, поскольку здесь имеется один компонент и две фазы в равновесии — жидкая и твердая при Р = onst. Число степеней свободы будет / = 1 — 2 - - 1 = 0. Таким образом, температура в процессе кристаллизации изменяться не будет. [c.228]

Метод экстраполяции равновесной температуры плавления из зависимости температуры плавления полимера от температуры крио" таллизации [уравнение (10)] также неоднозначен Прежде всего нет доказательства того, что конечные кристаллы, образующиеся при одной и той же температуре кристаллизации, всегда в одинаковой степени толще их первичных гомогенных зародьш1ей. В то же время удивителен тот факт, что р не изменяется в большей степени 1ри изменении температуры кристаллизации, хотя известно, что христаллизация состоит по крайней мере из двух стадий - первичной кристаллизации и следующей за ней стадии совершенствования криогаллов (разд. 6.16). [c.59]

Очевидно, и из водных растворов при температурах, приближающихся к плавлению в отсутствие воды, также кристаллизуется не смесь солей, а их непрерывный твердый раствор (пунктирное продолжение кривой эвтонических растворов, заканчивающееся в точке минимума температур кристаллизации безводных расплавов КС1 -f Na l). [c.47]

Эвтектическая точка соответствует температуре плавления (или кристаллизации) эвтектики, т. е. смеси, имеюш ей постоянньш состав в твердом и жидком состояниях. Двухкомпонентная трехфазная система также не имеет степеней свободы нельзя изменять ни температуру, ни состав независимо друг от друга без нарушения количества фаз. [c.160]

Если линейный полимер находится в кристаллическом состоянии, то ниже температуры плавления — кристаллизации 7к он находится в твердом состоянии, но обладает различной жесткостью ниже и выше температуры стеклования Тс (кривая типа 2). Это связано с тем, что аморфная часть полимера в силу принципа автономности элементов суперсетки (см. 3) также мол<ет находиться в разных релаксационных состояниях. Однако наличие кристаллической фазы смещает границы релаксационных состояний и вообще существенно изменяет структуру аморфньгх участков по сравнению со свободной аморфной фазой. В тех случаях, когда полимер слабо закристаллизован, то выше Тс он деформируется практически как некристаллический полимер. Типичный пример— Обычные марки поливинилхлорида. [c.70]

Если растворенное вещество распадается в растворе на ионы, то число частиц в растворе увеличивается. Поэтому понижение дав-леш1я пара и температуры кристаллизации, а также повышение температуры кипения в растворе электролита больше, чем в растворе неэлектролита с той же моляльной концентрацией. По понижению давления пара, температуры кристаллизации и по повышению температуры кипения можно судить о степени диссоциации слабого электролита, если а 0,1. Если п — число ионов, образовавшееся из одной молекулы, N — число молекул растворенного вещества, то в растворе образуется Nan ионов и остается N (1—а) недиссоциированных молекул. Общее число частиц в растворе электролита равно [c.46]

Внешний вид и плотность. В этой графе охарактеризованы агрегатное состояние соединений, их кристаллическая форма, цвет и т. п. (сведения даны, как правило, в сокращениях, см. стр. 420), а также относительная плотность и раствортели, из которых вещество кристаллизовалось. В скобках иногда приводится количество молекул кристаллизационной воды, приходящихся на 1 молекулу вещества при его кристаллизации из воды или ее смесей с другими растворителями. Как правило, приводится относительная плотность df, т. е. плотность вещества при 20 °С, отнесенная к плотности воды при 4 С. Если приведена относительная плотность при другой температуре (d или d]), то температура, при которой ее определяли, обозначена надстрочным или надстрочным и подстрочным индексами. Например 1,116), означает, что отношение плотности данного вещества при 15 °С к плотности воды при той же температуре равно 1,116 0,9785 означает, что отношение плотности данного вещества при 23 °С к плотности воды при 4 °С равно 0,9785. [c.419]

Для установки нулевой точки термометр погрузить в воду с температурой, равной температуре кристаллизации чистого растворителя. Если ртуть в капилляре установится по середине шкалы, то термометр готов к работе. В ином случае его надо настроить. Если уровень ртути окажется в нижней части шкалы или ниже ее делений, то следует добавить ртуть из верхнего резервуара. Для этой це. Ш соединить ртуть обоих резервуаров, подогревая рукой или опуская в теплую воду нижний резервуар термометра. Ртуть при этом расширяется, заполняет весь капилляр доверху и вытесняется в виде маленькой капельки в верхний резервуар. Тогда быстро перевернуть термометр головкой вниз, слегка постучать по не11 так, чтобы ртуть в запасном резервуаре соединилась с ртутью в верхушке кагтлляра (см. рис. 11, б). Затем осторожно (чтобы не нарушить соединение) возвратить термометр снова в вертикальное положение. Нижний резервуар 1 сразу погрузить в подготовленный сосуд с водой прн температуре, отвечающей температуре кристаллизации чистого растворителя. Металлическую головку 6 термометра зажать в штативе, выдержать 5 мин, пока термометр не примет температуру воды при этом поддерживать температуру постоянной, пользуясь пока-запиямн обычного термометра и помешивая воду, а также добавляя кусочки льда. Термометр не должен касаться стенок сосуда или опираться па дио. [c.48]

При изучении свойств растворов было обнаружено, что растворы электролитов (кислот, солей, оснований) не подчиняются законам Вант-Гоффа и Рауля. Они имеют большие, чем вычисленные по соответствующим формулам, осмотическое давление, понижение давления пара, понижение температуры кристаллизации и повышение температуры кипения. Чтобы распространить на электролиты расчетные формулы законов Вант-Гоффа и Рауля, в них был введен поправочный коэффициент I, называемый также изотоническим коэффициентом или коэффициентом Вант-Гоффа. Тогда, если для неэлектролитов я= 7, к1=Кс, Ы =Ес, то для растворов электролитов л--=i RT, А1=1Кс, М =4Ес. Изотонический коэффициент показывает, во сколько раз опытные величины Яо , больше теоретических, т. е. [c.150]

Примененные для получения перечисленных виниловых эфиров продажные кислоты были наивысшей стспени чистоты. Что касается приведенных ниже кислот, то также были использованы продажные их препараты, но последние дополнительно подвергались очистке фракционированной перегонкой на эффективных колонках. Температуры кипения кислот капроновой 96° (8 мм) каприловой 124—125 (8 мм) каприновой 145—146° (8 мм) пелар-гоновой 176° (64 мм) 10-ундеценовой (уидециленовой) 177—180° (25 мм). Олеиновая кислота была выделена из жирных кислот, полученных из оливкового масла, кристаллизацией при низкой температуре с последующей перегонкой . [c.125]

Вначале по аналиновым точкам определяют содержание ароматических, нафтеновых угле-водородов и по разности сумму нарафиновых углеводородов (нормальных и изопарафиновых). Содержание ароматических углеводородов определяют ио депрессии температуры кристаллизации после пропускания циклогексанового раствора через слой крупнопористого силикагеля, а содержание нормальных парафинов — после пропускания через слой цеолптов СаА. Адсорб-ционно-криоскопический метод может быть использован также для оценки качества цеолитов СаА. [c.496]

Другой важный элемент строения — кривые солидуса, точки которых показывают состав твердой фазы, в частности насыщенного твердого раствора (например, кривая ht на рис. 43), находящейся в равновесии с жидкой фазой (состав которой показывают точки кривой ликвидуса), а также температуру начала плавления твердой фазы при ее нагревании или конца кристаллизации при охлаждении расплава. Солидус может быть представлен также и ломаной линией (например, fges.hIB на рис. 43). [c.219]

На устойчивость некоторых метастабильных растворов оказывают влияние механические, электрические (разряд) и другие факторы. Зависимость устойчивости пересыщенных растворов от многих факторов приводит к тому, что разграничительная линия между метастабильной и лабильной областями обычно не может быть четко определена. На эту линию, как правило, влияют примеси, наличие которых в промышленной практике трудно проконтролировать. Лабильные растворы при малейших возмущениях среды образуют кристаллические зародыши, и поэтому целенаправленно регулировать процесс практически невозможно. Таким образом, управляемое вьфащивание кристаллов возможно только из метастабильных растворов (см. 17.2.3). Движущей силой процесса является пересыщение ст, определяемое как разность между концентрацией целевого компонента в несущей среде и равновесной концентрацией с, которая главным образом зависит от Г, т. е. а = с—с (Т). Пересыщение характеризует степень отклонения системы от равновесного состояния. Поскольку на практике часто создают пересыщение за счет изменения температуры раствора, то степень отклонения от равновесия можно характеризовать также величиной переохлаждения , т. е. разностью между температурой насыщеш1я f и текущей температурой кристаллизации Т. Связь пересыщения с переохлаждением АТ - Т —Т дается формулой [c.30]

Обращает а себя внимание то обстоятельство, что одределе-нию не мешает наличие в смеси циклогексана, имеющего очень близкую к бензолу температуру кристаллизации. Интересно также, что присутствие в смесях незначительных количеств тиофена, образующего с бензолом твердый. раствор, мало сказывается на точности определения концентрации бензола. [c.77]

Рассматриваемый метод довольно универсален. Его можно применять как для фракционирования различных расплавов, так и для очистки веществ перекристаллизацией их из раствора. В одной и той же установке можно осуществлять однократный и многостуненчатый процесс разделения смесей с различными температурами кристаллизации. При этом, варьируя число ступеней, можно добиваться высоких коэффициентов извлечения целевых компонентов, а также высокой степени их очистки от примесей. Так как установка состоит в основном из теплообменных аппаратов, емкостного оборудования и насосов, то она обладает высокой надежностью и безопасностью. Все операцип могут быть полностью автоматизированы. Управление процесса осуществляют по заранее заданной программе с использованием миникомпьютера. Подобные установки требуют относительно низких капитальных затрат [195, 210, 211]. [c.172]

Смотреть страницы где упоминается термин Точка также Температура кристаллизации: [c.26] [c.475] [c.185] [c.86] [c.228] [c.202] [c.55] [c.118] [c.260] [c.371] [c.330] [c.177] [c.300] [c.140] [c.133] [c.322] [c.219] [c.220] [c.131] [c.158]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология