Эвтектика линия кристаллизации

Так как на кривых охлаждения длина горизонтальной площадки, соответствующей кристаллизации эвтектики, пропорциональна количеству эвтектики, то это можно использовать для определения концентрации компонентов в эвтектической точке. Для этого строится треугольник Таммана. Длины горизонтальных площадок аб, вг, де, жз и ик (рис. 31, а) откладывают вертикально вниз от изотермы эвтектики в точках, отвечающих составам систем (рис. 31, б), и пересечение линий, проведенных через точки м, б, г, е, э, и, л, к, з, дает состав эвтектики. [c.239]

Проследим процесс кристаллизации какого-нибудь сплава. Пусть состав исходного расплава представляется точкой А. При охлаждении такого расплава при 217° С из него начинается выделение кристаллов висмута. Состав остающегося жидкого расплава в результате этого изменяется, но так, что соотношение содержания олова и свинца остается постоянным. Этому соответствует -перемещение точки состава в нашей диаграмме по линии АЕ, так как все точки какой-нибудь прямой, проходящей через вершину треугольника, соответствуют постоянному относительному содержанию двух других компонентов. Перемещение по этой прямой отвечает переходу расплава к составу, представляемому точкой Е, расположенной на линии СР (линии кристаллизации двойной эвтектики), вдоль которой расплав равновесен уже одновременно с кристаллами висмута и олова. [c.350]

Дальнейшее охлаждение сопровождается выделением кристаллов обоих этих компонентов до достижения. тройной эвтектики. Составы остающихся жидких расплавов выражаются соответствующими точками линии от Е до Р. При эвтектической температуре произойдет окончательное отвердевание сплава в результате одновременной кристаллизации всех трех компонентов его. Линии, изображающие изменение состава жидкой фазы в процессе кристаллизации, носят Название путей кристаллизации. [c.350]

Прямые ib и k l характеризуют присутствие в смеси одновременно кристаллов и жидкого расплава и называются линиями солидуса. Они определяют температуру кристаллизации расплава. Область I определяет гетерогенную систему, в которой в смеси содержатся кристаллы вещества В и жидкий расплав /=2—2+1 = 1). В области И содержатся- кристаллы вещества Л + жидкий расплав, область П1 характеризует кристаллы вещества Л+химическое соединение, IV — кристаллы ЛВ+жидкость, V — кристаллы вещества АВ, VI — эвтектика химического соединения + кристаллы вещества В, а также избыточное количество кристаллов вещества АВ слева от точки с . В точке с в системе одновременно присутствуют жидкий расплав, кристаллы вещества В и соединения АВ f=2—3+1=0). Эта точка определяет эвтектику. [c.183]

Рассматриваемая пространственная диаграмма может быть представлена в виде диаграммы на плоскости, если использовать ее проекцию на концентрационный треугольник Л В С (рис. VИ.17). Линии е Е, е. Е и е Е есть проекции линий кристаллизации двойных эвтектик е,Е, в2Е и е Е (рис. VII.15), а области А е[Е е. А, В е[Е е В и С —проекции поверхностей кристаллизации [c.184]

На рис. 22.6 показана фазовая диаграмма типичного биметаллического сплава, в котором металлы образуют эвтектику. Линия ED на диаграмме называется линией солидуса. Каждая точка этой линии указывает температуру, при которой начинается кристаллизация остывающего расплава с соответствующим составом. Точки С и D отвечают температурам плавления чистого компонента А и чистого компонента В соответственно. По мере добавления компонента В к компоненту А температура плавления понижается аналогично тому, как это происходит для любого раствора (здесь мы имеем дело с одним из обычных коллигативных свойств растворов, которые описаны в гл. 12). Точно так же, если компонент А добавляют к чистому компоненту В, температура плавления последнего понижается. Всегда существует раствор такого состава, который обладает минимальной температурой плавления (точка Е на кривой солидуса) исключение составляют сплавы типа твердых растворов. Точ- [c.393]

Все полиномы оказались адекватными. Затем была проведена графическая экстраполяция (рис. 66, г), давшая возможность весьма точно определить линии кристаллизации двойных эвтектик в тройных сплавах и координаты точки тройной эвтектики. [c.286]

Для составов смесей, соответствующих данной линии, характерно постоянство отнощений компонентов Л и С. На участке линии ВС процесс кристаллизации начинается с выделения кристаллов компонента В. Линия k является началом вторичной кристаллизации компонентов 5 и С. На линии а п образуется тройная эвтектика. Линия ai соответствует первичной кристаллизации компонента С, а йгй — вторичной кристаллизации С и Л, а йс — вторичной кристаллизации В и С. [c.36]

Первичные кристаллы а, Р и у содержат все сплавы, кроме fex, которые попадают на линию кристаллизации двойных эвтектик ее, ев2 и евг. [c.249]

Поверхности вторичной кристаллизации образуют при взаимном пересечении четыре линии третичной кристаллизации, т. е. выделения тройных эвтектик линия Е Е соответствует выделению эвтектики А В С, линия ЕчЕ — эвтектики А В В, линия ЕцЕ — эвтектики А С + В и линия Е Е — эвтектики В - - С + + О. [c.46]

При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается [38] аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации молено выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 51, в). Образовавшиеся новые треугольники I, П и П1 рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой системы РЬ—Сс1—В1 внутри каждого треугольника был реализован неполно кубический симплекс-решетчатый план (табл. 68). [c.268]

Диаграммы плавкости неизоморфных смесей с простой эвтектикой, при кристаллизации которых выделяются чистые твердые компоненты, строятся на основании кривых охлаждения. Если нагреть жидкий цинк или кадмий до высокой температуры и охладить его, то температура будет равномерно понижаться согласно закону охлаждения Ньютона такой процесс будет происходить до тех пор, пока жидкость не начнет кристаллизоваться. При кристаллизации будет выделяться теплота кристаллизации, и поэтому охлаждение на некоторое время прекратится. С начала кристаллизации температура устанавливается постоянной до тех пор, пока вся жидкость пе затвердеет, после чего охлаждение будет продолжаться по тому же закону Ньютона. Кривые охлаждения (/ и //) представлены на рис. 103, причем температура, соответствующая горизонтальному участку, будет температурой кристаллизации данного вещества. Линия температурной остановки будет горизонтальной, так как состав жидкой фазы, из которой выпадают кристаллы, не меняется, и поэтому выпадение первых порций кристаллов идет при тех же условиях, что и последних. Постоянство температуры в данном случае вытекает также и из правила фаз, поскольку здесь имеется один компонент и две фазы в равновесии — жидкая и твердая при Р = onst. Число степеней свободы будет / = 1 — 2 - - 1 = 0. Таким образом, температура в процессе кристаллизации изменяться не будет. [c.228]

Точка 3 По линии СЕ охлаждение идет по закону Ньютона. На линии СЕ начинается кристаллизация химического соединения из расплана, причем, вследствие выделения скрытой теплоты кристаллизации вещества ЛВ, охлаждение пойдет с замедлением. Жидкая фаза будет по мере выпадения вещества АВ насыщаться компопеитом А, и, пако-пец, наступит такой момент, когда она будет насыщена относительно компонента А и соединения АВ. При этом будет кристаллизоваться эвтектика на линии ЕН при постоянной температуре. После полного затвердевания смеси охлаждение пойдет по закону Ньютона без всяких термических эффектов. [c.233]

После выравнивания состава охлаждаемой смеси с составом эвтектики (5 ) происходит изотермическая кристаллизация оставшегося расплава при так называемой температуре эвтектики 4-На кривых охлаждения 2, 4 этот процесс отмечается горизонтальной площадкой. На рассматриваемой фазовой диаграмме процесс кристаллизации расплава состава 2 изображается линией ОЕ, а состава 4 — линией ЕЕ. Число степеней свободы системы 196 [c.196]

Построение диаграммы плавкости в координатах температура плавления — состав. Ось составов (ось абсцисс) градуируют в пределах от О до 100 мае. долей, % по одному из компонентов. На оси ординат откладывают значения температуры кристаллизации (°С) для индивидуальных веществ, смесей и эвтектического состава. Рекомендуемый масштаб по оси абсцисс 1 см =10 град, по оси ординат 1 см = 20%. Полученные точки соединяют плавными линиями. Температуры начала кристаллизации ( лавления) смесей дают линию ликвидуса. Температура кристаллизации эвтектики определяет линию солидуса. [c.45]

АЕСВ представляет собой линию ликвидуса. Ветвь АЕ — линия кристаллизации компонента М ветвь ЕС — линия кристаллизации химического соединения плавящегося инконгру-знтно ветвь ВС — линия кристаллизации компонента N. Прямые GEL и D — линии солидуса (от латинского solidus — твердьи ). Фазовые превращения, протекающие по линиям АЕ и ВС, аналогичны превращениям в системе d — Bi (см. рис. 8, а). Превращения, происходящие на линии D, требуют пояснения. Если охлаждать жидкость, обозначенную точкой г, то в точке р начнется кристаллизация компонента N. При дальнейшем охлаждении кристаллизация N продол>кается по кривой ВС до пересечения с кривой ЕС. В точке С находятся в равновесии три фазы жидкая, твердые фазы M N , и N. Число степеней свободы в этой точке равно нулю. Если отнимать далее от этой системы теплоту, то будет происходить кристаллизация соединения M N , которое образуется за счет взаимодействия жидкой фазы, отвечающей точке С, и кристаллов N, на которые распалась система при нагревании в точке С. Процесс образования и кристаллизации происходит при постоянной температуре до полного исчезновения твердой фазы N. Далее, если охлаждать систему, происходит кристаллизация M N по кривой СЕ. В точке Е кристаллизуется эвтектика M,N, + М. [c.120]

Поверхности АЕ Е Е- , ВЕ Е Ея и СЕ Е Е — это поверхности кристаллизации висмута, кадмия и цинка из расплавов разного состава. Линия Е Е — линия кристаллизации эвтектики Сс1 В1 линия E. E — кристаллизации эвтектики В1 + + Zn линия Е Е — кристаллизации эвтектики Zn -Ь Сс1. Точка Е от1зечает кристаллизации тройной эвтектики Zn + + са + В1. [c.125]

ДТА. Линия ликвидуса в интервале 0—20% W0 l4 совпадает с линией кристаллизации эвтектики ДТА [c.68]

Объемная диаграмма может быть представлена в виде проекции на плоскость концентрационного треугольника А В С, как это показано на рис. VI1-20. Линии е[Е, е Е и е Е суть проекции линий кристаллизации двойных эвтектик г Е, е Е и е Е (рис. VII-18). Соответственно области A eiE eiA, В е Е е ъВ и С еъЕ е С — проекции поверхностей кристалли-.здции компонёнтов Л, В и С. Точка -тпроекцня точки тройной эвтектики [c.136]

Расплавы, содержащие от О до 1,75% углерода, после быстрого охлаждения приблизительно до 1150 С, представляют собой однородный твердый раствор—аустенит. Из этих сплавов получается сталь. При содержании углерода более 1,75% после охлаждения до 1150°С, кроме твердого аустенита, имеется еще жидкая эвтектика, которая кристаллизуется при этой температуре, заполняя тонкой смесью кристаллов пространство между кристаллами аустенита. Получающиеся при этом твердые системы представляют собой чугун. Эвтектика может кристаллизоваться двумя способами. При быстром охлаждении затвердевшая эвтектика состоит из кристаллов аустенита и неустойчивых кристаллов Fea , называемых чвл(е тито.и. При медленном охлаждении образуется смесь кристаллов аустенита и устойчивого графита. Температуры кристаллизации этих двух эвтектик и их составы неодинаковы. Устойчивой эвтектике отвечает точка С, а неустойчивой—точка С. Таким образом, система железо—углерод дает, в сущности говоря, две диаграммы состояния. Общий вид их одинаков, но они лишь частично накладываются одна на другую. Сплошными линиями принято изображать диаграмму, получаемую при участии неустойчивого цементита, Линии диаграммы железо—графит, не совпадающие с соответствующими линиями диаграммы железо—цементит, даются пунктиром. Чугун, содержащий цементит, называется белым, а содержащий графит—серым. При средней скорости охла-Ждения возможно одновременное образование обоих типов—такой чугун называется половинчатым. [c.415]

Проследим изменение фазового со стояния системы при ее охлаждении. При охлаждении системы до температуры Ti система гомЬгенная, одна жидкая фаза. При температуре Ti начинается кристаллизация компонента А (точка 2). Так как из расплава в твердую фазу выделяется только компонент А, то соотношение концентраций компонентов В и С в жидком расплаве не меняется. На плоском треугольнике основания призмы такой процесс отражается линией Г—3. Состав расплава меняется по линии 2—3. В точке 3 расплав становится насыщенным не только компонентом А, но и компонентом В. Точка 3 соответствует температуре Т При этой температуре из расплава начинает кристаллизоваться совместно с компонентом А компонент В. Состав расплава меняется по линии 3—g. На плоском треугольнике этот процесс отражается также линией 3 —g. Тройная эвтектика (точка g) находится при температуре Т . При температуре Т вся система кристаллизуется и будет гетерогенной, трехфазной. При дальнейшем охлаждении системы охлаждаются кристаллы компонентов А, В и С, что отражено на диаграмме стрелками на ребрах призмы. Весь процесс охлаждения системы на рис. 33 отражен стрелками. [c.242]

При термодинамически обратимом охлаждении расплава на всем пути изменения его температуры от начала кристаллизации и до образования эвтектики между его твердой и жидкой фазами соблюдается термодинамическое равновесие. Линию, соединяющую на диаграмме точки, соответствующие состояниям равновесных фаз, называют Hoaoti. Например, это линия MN, соединяющая точку М, соответствующую состоянию твердой фазы (кристаллы А) с точкой N, соответствующей состоянию расплава состава I, равновесного при данной температуре с указанной твердой фазой. [c.197]

На сторону АВ проектируются уже не две двойные эвтектики, а одна эвтектика и перитектика и. В системе образуется только одна тройная эвтектика Е. Точка О не является эвтектической, так как температуры по линии СЕ падают по направлению к Е (температурный максимум расположен в точке пересечения соединительной прямой АтВп—С и продолжения линии СЕ), и в точке С сходятся лишь две стрелки. Но поскольку в точке О находятся в равновесии с жидкостью три кристаллические фазы, поля кристаллизации которых примыкают к ней, т. е. фазы А, С и АтВп, то эта точка, так же как и Е, будет инвариантной. Она носит название точки двойного подъема (если в эту точку на поверхности ликвидуса поставить наблюдателя, то он увидит две поднимающиеся и одну опу скающуюся пограничные кривые). Как и эвтектика, точка двойно го подъема относится к так называемым тройным точкам системы, где в равновесии сосуществуют три твердые фазы. [c.78]

Состав в лежит в поле кристаллизации муллита. Путь кристаллизации пойдет по продолжению линии муллит — точка в о выделением муллита. Далее фазовые превращения пойдут по схеме Р- -муллит + ж. ф.-v муллит + кордиерит + ж. ф. -> кордиерит + - -ж. ф.-жордиерит + тридимит-Ь ж. ф.- кордиерит+тридимит-t--f-протоэнстатит. Кристаллизация закончится в эвтектике при температуре 1355°. [c.140]

Системы с образованием химических соединений, плавящихся конгруэнтно. Плавление называется конгруэнтным (от латинского слова сопйгиёп11з — совпадающий), если состав жидкости совпадает с составом твердого химического соединения, из которого жидкость образовалась. Диаграмма плавкости двух компонентов, образующих одно химическое соединение, плавящееся конгруэнтно, приведена на рис. 142. Эта диаграмма является как бы сочетанием двух диаграмм плавкости с одной эвтектикой. Так как в рассматриваемой системе М —РЬ образуется одно химическое соединение, то из расплава могут кристаллизоваться три твердые фазы компонент А(Мр), компонент В(РЬ) и химическое соединение PbMg2. Прибавление магния или свинца к химическому соединению приводит к понижению температуры начала кристаллизации из расплава химического соединения. В связи с этим линия ликвидуса Е СЕ химического соединения, плавящегося конгруэнтно, имеет максимум (фигуративная точка С), отвечающий температуре плавления химического соединения. Температурный максимум на кривой плавкости называется дистектикой (от греч. слова с1151ек11к — трудно плавящийся). Положение этого максимума строго соответствует составу образующегося соединения. Система, изображенная на диаграмме точкой С, инвариантна (С = 1—2 -Ь 1 = [c.405]

Кристаллизация висмута и кадмия до достижения температуры кристал.тшзации эвтектики происходит постепенно номере снижения температуры, поэтому образуются сравнительно крупные кристаллы, которые можно рассматривать в поле микроскопа. ] сли кристаллизация происходит по линии АО, то в поле микроскопа видны кристаллы висмута на сплошном поле эвтектики. Кристаллов висмута будет тем больше, чем больше содержание висмута в исследуемом сплаве. Если кристаллизация сплава происходит в области составов, соответствующих линии ОВ, то в поло микроскопа будут видны криста.ллы кадмия на поле эвтектики, причем кристаллов кадмия будет тем больше, чем бо.льше кадмия в исходном сплаве. Это позволяет на основе микроскопического исследования оценивать с некоторой точностью состав сплава. [c.117]

Рассмотрим пример. Пусть жидкая фаза состава М охлаждается до точки М], в которой начинается кристаллизация кадмия. При дальнейшем охлаждении температура кристаллизации понил ается до точки М , линия М М- отвечает кристаллизации кадмия, В точке кристаллизуется двойная эвтектика са В1. При дальнейшем охлаждении продоллсается кристаллизация эвтектики до точки Е . В точке Е кристаллизуется тройная эвтектика гп + Са - - В1. [c.125]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология