Графитовые тела

По природе активные угли принадлежат к группе графитовых тел. Для их производства используются углесодержащие материалы растительного происхождения, ископаемые каменные угли, каменноугольные полукоксы и др. Существуют два основных способа получения активных углей парогазовый метод активирования (процесс частичного выжигания углеродистых соединений из угля-сырца и окисления самого углерода за счет кислорода воздуха, пара и углекислого газа) и активирование углей неорганическими добавками (термическое разложение органического материала угля-сырца в присутствии неорганических добавок). В зависимости от способа и условий получения активные угли могут резко отличаться природой поверхности, которая в свою очередь может меняться при хранении в присутствии кислорода воздуха и воды. Активный уголь обладает каталитической активностью в ряде химических реакций окисления, галогенирования, дегидрохлорирования, дегидратации, полимеризации и др. [c.390]

Для улучшения электрического контакта применяют металлизацию (покрытие медью) поверхности магнетитовых анодов или графита [114, 116], лужение металлических вставок и заливку мест контакта сплавами свинца с висмутом, имеющим отрицательный температурный коэффициент расширения [117]. Предложено также уплотнение металлических стержней в графитовом теле токоподвода [c.67]

В. Т. Быков, В. Ю. Глущенко (Дальневосточный университет, Владивосток). Несмотря на исключительное внимание, которое исследователи уделяли адсорбции кислорода на графитовых телах, часто представляется затруднительным однозначно ответить на многие вопросы о механизме и скорости адсорбции. Метод полярографии может оказаться здесь [c.105]

Таким образом, в общем случае трущиеся поверхности графитовых тел нельзя рассматривать как состоящие просто из кристаллов, ориентированных базисными плоскостями параллельно плоскости движения. [c.227]

В методическом отношении пример с шаровидным графитом является хорошей иллюстрацией как целесообразности применения различных способов препарирования одного и того же объекта, так и эффективности предварительных энергичных воздействий (физических или химических) на объект для более глубокого выявления его микроструктуры. Оба способа — катодное травление и химическое расщепление — могут быть применены для исследования других поликристаллических графитовых тел, образованных кристаллами достаточно больших размеров, чтобы их можно было разрешить в электронном микроскопе. [c.229]

Из других примеров активного воздействия на объект можно указать на окисление графитовых тел, приводящее к распаду поликристаллических образований на кристаллы, деформированные вдоль одной из кристаллографических осей (стр. 228). Весьма перспективно, и это уже подчеркивалось, осуществление активного воздействия на объект в самом микроскопе при помощи нагревателей и газовой камеры. [c.270]

Второй тип дефектов — дефекты в связях решетки. В графитовых телах дефекты этого типа вызваны не только присутствием примесных атомов (водород, кислород, азот и др.), но и возможностью атомов углерода находиться в различных валентных состояниях. Вакантные узлы кристаллической решетки представляют собой дефекты по Шоттки. Атомы, смещенные из узла решетки в междоузлие, образуют дефекты по Френкелю. Скопление дефектов приводит к разрыву углеродной сетки и образованию клещевидных или линзообразных дефектов [4]. [c.21]

Перейдем теперь к другим адсорбентам графитовым телам, сажам и активным углям. Здесь также играют роль как химия поверхности (степень ее окисления), так и размеры кристаллитов графита и размеры пор. [c.44]

Здесь и далее авторы называют уг.леродом различные графитовые тела, содержащие связанный водород, иногда даже кислород и другие элементы. Только в этом смысле следует понимать термин образование углерода , часто применяющийся авторами. — Прим. ред. [c.266]

Дефекты в связях решетки графита. При описании дефектов упаковки, характерных для слоистых кристаллических решеток, подразумевалось, что все атомы в углеродной сетке находятся в углах правильных шестиугольников. В реальных кристаллах это условие, как правило, не выполняется. В них часть атомов могут занимать положения, не соответствующие минимуму потенциальной энергии. Можно допустить априори, что в графитовых телах имеются дефекты многих видов. Это обусловлено не только тем, что в таких телах всегда присутствуют атомы примесей (водорода, кислорода, серы и т. д.), но и возможностями атома углерода находиться в различных валентных состояниях. Подробный обзор большого числа видов дефектов в графитовых телах написали Уббелоде и Льюис [31]. [c.30]

Нерегулярности графитовой структуры или возникают в процессе ее формирования, или могут быть созданы искусственно при закалке, механических воздействиях и облучении графитовых тел. В большинстве случаев искажения кристаллической решетки графита снимаются при высокотемпературном отжиге с выделением запасенной в них энергии. [c.33]

Однако поликристаллические графитовые образцы имеют меньшие коэффициенты линейного расширения, чем следует из расчетов по приведенной формуле. Расхождение между вычисленными и экспериментальными значениями обусловлено значительной пористостью графитовых тел. [c.115]

В ряду графитовых тел сажа относится к высокодисперсным системам с сильно нарушенной структурой кристаллической решетки, поэтому ее нередко называют коллоидным [c.105]

Электронные свойства углей и графитов широко изучали [1—4] в последние два десятилетия, однако сравнительно мало внимания было уделено изучению термо-электродвижушей силы (тер-мо-э. д. с.) графита, и особенно вопросам теории. Частично это связано с трудностью получения однородных беспримесных графитовых тел, которые имели бы достаточные размеры для проведения термо-электрических исследований. Кроме того, отсутствовала теория, с которой можно было бы сопоставлять экспериментальные данные. Не удивительно поэтому, что влияние хемосорбции газов на термо-э.д.с. графита практически не было изучено, несмотря на то что графит — идеальный объект для проведения таких исследований. Как будет показано ниже, графит обладает единственной в своем роде я-зонной структурой, причем концентрации положительных и отрицательных носителей близки по величине, а общая концентрация носителей мала по сравнению с металлами (10 /слг вещества). Поэтому термо-э. д.с. очень чувствительна к любому процессу, например хемосорбции кислорода, в результате которого происходит захват отрицательного носителя. [c.328]

Хенниг [54—56] показал, что газовое травление поверхности раскола кристалла графита, например, в смеси кислорода и хлора, приводит к удалению атомов, окружающих дислокации и вакансии. Последующее декорирование повышает контраст поверхности и позволяет исследовать в электронном микроскопе структуру поверхности, дислокации, точечные дефекты и другие нерегулярности графитового тела. [c.27]

В графитированных материалах не только увеличивается степень заполнения валентной зоны, но и уменьшается разрыв между ее верхней границей и нижней границей зоны проводимости. Это создает благоприятные условия для активации электронов из валентной зоны в зону проводимости уже при низких температурах. Возникновение и совершенствование структуры графита сопровождается ростом подвижности носителей тока, что подтверждается расчетами, произведенными автором и Паншиным [52], Хренковой и Касаточкиным [19, 82]. Положительный температурный коэффициент электрического сопротивления графитовых тел обусловлен рассеянием носителей заряда на тепловых колебаниях кристаллической решетки. [c.207]

В работе показано, что ценные для практики особенности поведения окисленного угля Дубинина—Кропта — его ярко выраженная сорбционная избирательность, высокая эффективность как катализатора протолитических реакций кислотного типа в жидкой и паровой фазе и др. — связаны с повышенной протогенностью его кислотных, прежде всего карбоксильных, поверхностных групп. Про-тогенность в свою очередь обусловливается возможностью смещения электронной плотности по системе сопряженных связей угля, как графитового тела, и взаимным влиянием близко расположенных функциональных группировок по механизму поверхностного орто-эффекта . На примере изучения сорбции Са- и Н-силикагелями большего числа катионов I, II и III групп периодической системы, в том числе ионов переходных и редкоземельных элементов, установлено, что сродство ионов к поверхности дисперсных кремнеземов в значительной степени определяется характером распределения электронной плотности в поверхностных группировках Si—О—Ме + между атомом кремния и катионом металла. Библ. — 27 назв., рис. — 2, табл. — 1. [c.266]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология