Травление газовое

На рис. 2.4 и 2,5 приведены электронные микрофотографии некоторых полимеров, полученные методом травления (газовый разряд в кислородной среде). Видно, что исследованные полимеры в блоке характеризуются микро-неоднородной структурой (средние размеры микроблоков приведены в табл, 2.1), [c.31]

Подготовка подшипника к ремонту заключается в очистке от грязи, масла и следов коррозии и выплавлении из вкладышей подшипника изношенного слоя баббита. Выплавка этого слоя осуществляется в вертикальном положении нагревом газовой горелкой или паяльной лампой до температуры 240—260 °С с тыльной стороны. При легком постукивании с торца по вкладышу корпус освобождается от баббита. Затем производится травление вкладышей в 10—15% растворе соляной или серной кислоты в течение 2—10 мин при комнатной температуре. [c.163]

Полностью удалить продукты газовой коррозии с поверхности металлов без повреждения самих металлов, особенно высоколегированных жаростойких сплавов, очень трудно. Критерием пригодности для этих целей тех или иных травителей является незначительность потерь массы при травлении в них контрольных образцов с чистой поверхностью по сравнению с массой удаляе- [c.441]

Подготовка поверхности. Подготовка поверхности образца часто является необходимым условием получения надежной информации о морфологии полимеров. Для подготовки поверхности твердых полимеров обычно применяют химическое травление (травление растворителем, агрессивными средами) и обработку в газовом разряде. [c.111]

Рис. 7.8. Схема установки для травления полимеров в линейном высокочастотном безэлектродном газовом разряде

Методика работы. Образцы закрепляют на предметном стекле в строго определенном положении и подвергают травлению с помощью линейного безэлектродного высокочастотного газового разряда (рабочий газ—кислород). На обработанную поверхность напыляют углерод (угол оттенения 30°). При этом обязательно регистрируют направление напыления и предпочтительное совпадение направлений силового поля и напыления. Удаляют реплику с поверхности полимера, промывают ее, просушивают и укладывают на медную сетку, которую укрепляют в специальном патроне. Патрон с репликой через камеру объектов вводят в колонну (работа [c.117]

Методика работы. Из деформированных образцов вырезают скальпелем пластинки размером (2,5ХЮ) м вдоль, перпендикулярно и под углом 45° к направлению деформации. Закрепляют образцы на предметном стекле в строго фиксированном положении и подвергают травлению в плазме безэлектродного высокочастотного газового разряда. На подготовленную поверхность напыляют углеродную реплику (направление напыления строго фиксировано и одинаково для всех образцов). Обработанную соответствующим образом углеродную реплику просматривают в электронном микроскопе сначала при малых увеличениях, а после нахождения характерных участков при больших увеличениях. Изображение фиксируют на фотопластинки и с них изготавливают микрофотографии. Параллельно с этим из деформированных образцов вырубают лопатки (по ГОСТ 16337—70) в направлении деформации и перпендикулярно ему. Лопатки испытываются на растяжение. Рассчитывают значения разрушающего напряжения при растяжении и относительного удлинения при разрыве (см. работу 43). [c.120]

Подготовку поверхности металла при металлографических исследованиях можно проводить травлением каким-либо растворителем или методом бомбардировки ионами в газовом разряде. С помощью таких обработок удаляют деформированные, наименее упорядоченные поверхностные слои объекта. При исследовании структуры полимера методом реплик поверхность образца обрабатывают также травлением растворителями. В последнее время травление проводят [c.174]

Химическое травление, основанное на различной химической активности структурных составляющих или участков кристалла по отношению к химическим реагентам. Химическое травление может происходить как в жидкой среде — в водных и неводных растворах, в расплавах солей и металлов, так и в газовой фазе. Единственное условие, которое при этом должно соблюдаться, — достаточная легкость образования и удаления с поверхности продуктов взаимодействия. [c.101]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

Пользуясь аналогичными представлениями, 3. А. Иофа и В. А. Кузнецов объяснили механизм травления железа. Новые представления в области кинетики электродных процессов были использованы при изучении явлений пассивности металлов. Я- М. Колотыркин, Б. В. Эрш-лер, Д. И. Лейкис и др. развили адсорбционную теорию пассивности. Р. X. Бурштейн и Н. А. Шумилова определили минимальное количество кислорода, которое нужно выделить на поверхности железа из газовой фазы для пассивации металла. При этом была обнаружена связь между величиной контактного потенциала окисленного железа и пассивностью этого металла в щелочах. [c.13]

В заключение следует остановиться на пиролитических углеродных волокнах (ПУВ) — графитовых усах. Хотя их получают при пиролизе в газовой фазе, по своему применению они ближе к углеродным волокнам, чем к пироуглероду. Кристаллооптический анализ показывает, что ПУВ состоят из центральной оптически изотропной части и оптически анизотропного углерода, монослои которого параллельны оси волокна. Монослои имеют локальные нарушения преимущественной ориентации. При этом в поляризованном свете структура шлифов осевого сечения ПУВ и поперечного сечения пирографита аналогичны [135]. Авторы указанной работы отмечают в обоих случаях наличие чередующихся участков с различной ориентацией кристаллитов, полагая, что центрами формирования первичных надмолекулярных образований в ПУВ являются утолщения и изгибы стержневой части. Первичные надмолекулярные образования выходят на внешнюю поверхность, образуя характерное кольчатое строение ПУВ. Внутри первичных находятся более мелкие вторичные образования, причем на границах между ними отмечается упорядоченность кристаллической структуры. Такой характер надмолекулярной организации обусловил физико-механические свойства ПУВ. Поскольку, как в случае пирографита, разрушение происходит по границам образований, прочность ПУВ зависит от концентрации и расположения включений дисперсного углерода. Травление таких волокон жидким окислителем (концентрированная серная кислота с бихроматом калия) показало периодическое изменение реакционной способности в радиальном направлении, сопровождаемое изменением прочности вследствие удаления различных слоев волокна, отличающихся надмолекулярной организацией структуры [c.242]

Эти ингибиторы рекомендуется применять при травлении черных металлов в растворах соляной и серной кислот при температурах до 100° С, при 80° С наблюдается максимум ингибирующего действия. Ингибиторы нечувствительны к солям железа. Рекомендуемые концентрации—0,03—0,3%, защитное действие — 90—99%. Для перевозки и хранения соляной кислоты в стальных емкостях рекомендуется концентрация 0,7—1 %. Кроме того, ингибиторы применя-ются для химической очистки теплосилового оборудования от минеральных отложений растворами соляной кислоты (концентрация 0,03—0,3%), для защиты оборудования нефтяных и газовых скважин при солянокислых обработках (концентрация 0,7—1 %). [c.68]

В некоторых установках для катодного распыления можно изменять полярность образца и мишени, что позволяет производить плазменное травление, а возможно, и очистку поверхности. Подобным образом в кислородной плазме газового разряда можно быстро удалять органические материалы с поверхности неорганического образца. Такие методики следует использовать с крайней осторожностью на соответствующим образом стаби- [c.227]

Для контроля плазменного травления предложен ряд методов механическое измерение рельефа [126], интерферометрические методы [134], прямое измерение состава газовой фазы при помощи эмиссионных спектров [135], масс-спектрометрия [101, 136] и др. [137]. [c.62]

Возможность выделения двух конкурирующих фаз — алмаза и графита — существенно усложняет процесс кристаллизации. В кинетике гетерогенных химических реакций широко используются понятия и определения, заимствованные из учения о гомогенных химических реакциях. Во многих случаях это вполне оправданно, например, при каталитических реакциях. Во многих же гетерогенных процессах, например, процессах роста и травления кристаллов, происходит обмен веществом между газовой и твердой фазами, что приводит к ряду принципиальных особенностей гетерогенных реакций, идущих с образованием новой фазы. Эти особенности позволяют выделить физико-химический синтез веществ в качестве отдельного направления химического (неорганического и органического) синтеза, подобно тому как в настоящее время из общих методов анализа выделился физико-химический анализ. [c.22]

Во многих технологических процессах в качестве рабочих сред используются кислоты или различного рода кислые среды. Общеизвестно широкое применение соляной и серной кислот для травления металлов и сплавов с целью удаления технологической окалины и ржавчины. Кислоты используются для снятия накипи и минеральных отложений в теплообменниках, опреснителях морской воды, системах охлаждения дизелей и двигателей внутреннего сгорания, для дезактивации оборудования атомных электростанций, в качестве электролитов в топливных элементах, компонентов ракетных топлив и т. д. Солянокислотные обработки нефтяных и газовых скважин применяют для дополнительного притока нефти и газа. Ряд отраслей промышленности имеет дело с кислыми средами. Так, в химической промышленности большинство синтезов протекает в кислых средах или с образованием кислых продуктов, не говоря уже о получении самих кислот. В нефтяной и газовой промышленности приходится иметь дело с кислыми природными водами, а в нефтеперерабатывающей — с кислотами, появляющимися в процессе переработки нефти. [c.6]

Предназначен для травления проката из углеродистых сталей, преимущественно в солянокислотных растворах, для удаления технологической окалины,, для химических очисток от минеральных отложений, для защиты нефтяных и газовы.х скважин и оборудования при соляно- и пенокислотных обработках карбонатных коллекторов, при транспортировке соляной кислоты в стальных цистернах, в гальванотехнике (травление, декапирование). [c.129]

Предназначен для травления проката и изделий из углеродистых, сталей преимущественно в солянокислых растворах для соляно- и пенокислотных обработок нефтяных и газовых скважин, для химических. очисток теплоэнергетического оборудования соляной кислотой. ,, , [c.130]

Может использоваться для травления сталей в минеральных кислотах, для защиты теплоэнергетического оборудования при химических очистках от отложений, для защиты оборудования нефтяных и газовых скважин при кислотных обработках. [c.139]

Предназначен для травления углеродистых и легированных сталей в серной и соляной кислотах, отмывок различного технологического и теплоэнергетического оборудования от отложений, для кислотных обработок нефтяных и газовых скважин. [c.140]

Используется для приготовления ингибированной соляной кислоты, в процессах травления, солянокислотных обработках нефтяных и газовых скважин, для удаления отложений в теплоэнергетике. [c.149]

Предназначен для защиты углеродистых и низколегированных сталей ири травлении с целью удаления окалины, защиты от коррозионно-механического разрушения оборудования нефтяных и газовых скважин. [c.160]

Первоначально был отработан метод, называемый газовым экзаменатором , с помощью которого можно контролировать очищенный городской газ. В этом случае газ (расход 2,5 л/мин) омывает лист ацетатсвинцовой бумаги в течение 3 мин. Если обесцвечивания бумаги не наблюдается, считается, что объемная доля НгЗ в газе не превышает 0,0001 %. Предел обнаружения НгЗ снижается до 0,000001 % (по объему) при пропускании газа через бумагу и уменьшении его расхода до 0,23 л/мин. Интенсивность травления определяется с помощью фотоэлектрического денситометра. При травлении и расходе газа, равном 125 мл/мин, предел обнаружения НгЗ повышается до 0,0005 % (по объему). Тогда для оценки плотности травления необходима пользоваться калибровочными таблицами. [c.88]

Таким образом, механизм травления в газовом разряде можно представить как результат деструкции макр0 М0лекул на осколки под воздействием активных частиц плазмы, энергия которых должна быть сравнима с энергией химической связи скелетных атомов. [c.112]

Если отводить образовавшиеся про-8 дукты деструкции, то можно обнажить глубинные слои полимерного образца, т. е. испарять поверхностные слои материала, минуя его жидкое состояние. Наличие деструкции можно установить по изменению массы образца в процессе к йда й/м/у травления, изучением продуктов дест-методами газовой хроматографии или масс-спектроскопии. [c.112]

Установка травления полимеров в Пинцет линейном безэлектродном высо- Разрывная машина РМ-250 кочастотном газовом разряде Отсчетная линейка [c.117]

В главах III—VIII основное внимание уделено электропроводности полупроводников, процессам генерации и рекомбинации носителей заряда, электрическим явлениям на поверхности полупроводников при их контакте между собой, с металлами, водными растворами и газовыми средами, а также вопросам химического травления, термодинамической устойчивости различных соединений германия и кремния и основным методам стабилизации поверхностных свойств полупроводников. [c.5]

Для получения чистой поверхности германия проводят газовое травление бромом в потоке аргона. Рассчитайте равновесные давления (в барах) компонентов газовой фазы (ОеВг4, GeBf2) при 250 °С, если давление Вгз на входе равно 200 торр. [c.40]

Лаборатория,предназначенная для выполнения практикума, должна быть соответствующим образом оборудована. В ней необходимо организовать специализированные участки вакуумный участок с газовой горелкой для стеклодувных и кварцедувных работ участок травления с местной вытяжной вентиляцией термический участок, в котором сосредоточены печи для одно- и двухтемпературного синтеза, диффузии и других работ, требующих применения высоких температур участок механической шлифовки и полировки образцов участок физико-химических методов анализа, где расположены пирометрические установки, аппаратура для изучения давления диссоциации и т. п., а также участок физико-химических исследований и электрофизических измерений, где проводится изучение микроструктуры, измерение микротвердости, определение удельного сопротивления, термо-э.д.с., изучение вольт-амперных, вольт-емкостных характеристик и т. п. [c.4]

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, которые позволяют формировать в нем разнородные области п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п. формированне стеклообразных пленок на основе 810а, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при П0М01ДИ которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы. [c.96]

Реакции (I), (4), (6) приводят к росту пленки, а (5), (7) —к се травлению. Сущестпенным отличием этого метода от других является то, что осажденный кремнии вступает в обратимую реакцию с тетрахлоридом кремния с образованием летучего субхлорида (7), Это ведет к травлению поверхности при больших концентрациях тетрахлорида кремния. Реакция (7) в некотором смысле противоположна реакции осаждения. Определяемая экспериментально скорость роста есть алгебраическая сумма скоростей этих двух процессов. При этом чем выше концентрация тетрахлорида в газовой смеси, тем заметнее роль травления, и наоборот. [c.142]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

Максимальная избирательность травления поверхности металла должна достигаться в газовой атмосфере или квазивакууме (е = 1) 1п (Яа1Яъ) = недействительно, широкое распространение получило так называемое термиче-ское травление дислокаций, проводимое при повышенных температурах в разреженной атмосфере кислорода. [c.170]

Реальную пов-сть анализируют методами оже-спект-роскопии, рентгеноэлектронной спектроскопии, спектроскопии рассеяния медленных ионов (см. Ионного рассеяния спектроскопия), масс-спегфометрии вторичных ионов в статич. режиме (см. Ионный микроанализ). Обычно анализ проводят в высоком вакууме (10 -10 Па) с помощью установок, позволяющих одновременно использовать неск. аналит. методов. В тех же установках проводят разрушающий послойный анализ субмикронных и поверхностных слоев, удаляя слои ионным травлением, лазером, искровым разрядом, хим. или электрохим. растворением. Затем определяют элементы в газовой фазе, р-ре или на протравленной пов-сти. [c.610]

Упрочняют С.н. обьпно способами, способствующими созданию в нем поверхностных сжимающих напряжений (отжиг, термич. закалка, хим. упрочнение), причем прочность закаленного С.н. в 4-6 раз превьпиает прочность отожженного. Хим. способы упрочнения - обработка пов-сти С.н. газовыми реагентами (напр., 8О3), ионный обмен (обработка пов-сти в расплавах солей щелочных металлов), поверхностная кристаллизация, нанесение полимерных и др. покрьггий. Возможно также упрочнение травлением, т.е. путем удаления или залечивания дефектов при обработке пов-сти С. н. разл. хим. реагентами. Так, напр., для пром. листового стекла после действия фтористоводородной к-ты составляет 500-600 МПа. [c.422]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

По нази.ачению все ингибиторы, применяемые для защиты в кислых средах,., можно разделить на следующие группы 1) ингибиторы травления 2) ингибито-ры для хи. н1ческих очисток оборудования от различного рода отложений, 3) ии-гибиторы для защиты оборудования нефтяных и газовых скважин при соляно- [c.95]