Энергия активации электроны

Отличие полупроводников от диэлектриков основано на величине той энергии, которую необходимо затратить, чтобы валентные электроны вещества могли стать носителями тока — электронами проводимости. У полупроводников энергия активации электронов ниже, ч, м у диэлектриков. Примеси в полупроводниках, попавшие [c.298]

Эта зависимость для некоторых веществ графически изображена на рис. 17.10. Отметим, что энергия активации электронов (пропорциональная тангенсу угла наклона кривой) оказывается зависящей от температ фы и медленно уменьшается при повышении Т. [c.523]

Свободные энергии активации электронного обмена (ккал-моль ) в системе Ре2+ — РеЗ+ при различных расстояниях между ионами [c.45]

В работе [1а] был вычислен вклад среды (пространства вне внутренних координационных сфер реагирующих частиц) в свободную энергию активации электронного перехода в объеме раствора. При расчете использовался метод неравновесной поляризации, причем среда рассматривалась как диэлектрический континуум. Аналогичное вычисление было проведено для электрохимических реакций [1Ь]. Затем задача была сформулирована в терминах многомерных поверхностей потенциальной энергии применительно к электродным [1с] и гомогенным реакциям [М]. Для последних в работе [Ы] содержится подробное решение, в котором учитываются вклады в свободную энергию активации внутренних координационных сфер и находящейся вне этих сфер среды. В ней также приведены результаты, полученные ранее [1а]. В работе [1е], обобщающей результаты работ [1а— 1с1], рассмотрены с единой точки зрения гомогенные и электрохимические реакции. [c.11]

Можно дать качественную оценку энергии активации для этих двух типов реакций. Адсорбция типа А будет иметь некоторую энергию активации Е, лимитирующую ее скорость в рамках нашей модели величину Ек вычислить нельзя. Она может определять и скорость адсорбции типа Б, однако, как явствует из рис. 1, адсорбция типа Б будет характеризоваться, кроме того, еще энергией активации электронного перехода Еъ Ех (рис. 1) [c.322]

Работа большинства полупроводниковых приборов обеспечивается примесным механизмом проводимости, тогда как собственная проводимость, связанная с определенной энергией активации электронов собственных атомов полупроводника (с шириной запрещенной зоны), обычно определяет допустимую температуру эксплуатации приборов. [c.59]

Соотношение между вкладами в энергию активации электронного переноса энергий реорганизации внутренней и внешней координационных сфер зависит от природы реагирующих комплексов и окружающей их среды, а также от механизма переноса электрона. При внутрисферном механизме перенос электрона сопровождается процессами разрушения и образования прочных внутрисферных связей металл — лиганд, причем химические стадии образования предшествующего комплекса и разрушения последующего комплекса могут протекать как в практически равновесных, так и в неравновесных условиях. Более простая ситуация наблюдается в случае внешнесферного механизма, когда перенос электрона не сопровождается разрушением или образованием связей лиганд — внутрисферный лиганд, а происходит лишь изменение их длины и происходит соответствующая реорганизация внешнесферного растворителя [54—56]. [c.21]

Энергия реорганизации растворителя вносит основной вклад в энергию активации электронного переноса тогда, когда равновесные расстояния металл — лиганд в одинаковых по строению окисленной и восстановленной формах очень близки, а электронная структура комплекса существенно не меняется Это, по-видимому, характерно для электронного обмена между комплексами Ки(ЫНд)б и Ки(ЫНз) ", у которых длины связей Ru (III)—N и Ru (II)—N составляют 0,2104 и 0,2144 нм [66], т. е. различаются на 0,004 нм. 22 [c.22]

В процессе смачивания две свободные поверхности заменяются одной границей фаз между твердым металлом и расплавом припоя с более низкой свободной поверхностной энергией системы. Поэтому образовавшиеся в отдельных местах связи очень быстро распространяются по всей площади контакта основной металл — расплав припоя. На этой стадии образования спая основную роль начинают играть квантовые процессы между частицами атомных размеров. Взаимодействие между ними проявляется в притяжении или отталкивании, интенсивность и характер которых изменяются в зависимости от природы металлов и внешних условий процесса. Поскольку при пайке взаимодействие происходит, главным образом, между разнородными металлами, то возможность образования соединений между атомами металлов определяется конфигурацией их внешнего электронного слоя. В том случае, когда он близок к насыщению электронами, атом проявляет большую склонность к захвату чужих электронов. При малом количестве электронов на внешних слоях атома он легко отдает их при взаимодействии с другими атомами. С позиций классической физики электрон для перехода на орбиту другого атома должен преодолеть потенциальный барьер, имея для этого необходимую энергию активации. Величина этой энергии зависит от расстояния между атомами. При больших расстояниях она равна энергии связи электрона на соответствующей орбите (потенциалу ионизации). С сокращением расстояния между атомами энергия активации электрона уменьшается и обращается в нуль, когда орбиты перекрываются [14]. [c.15]

Сюше [90] и Гудмен [98] считают, что ширину запрещенной зоны, т. е. энергию активации электронов полупроводника можно разбить на гомеополярную 7 , и ионную 17 составляющие V = 11 + [c.29]

Природа люминесценции фотопроводников объясняется при помощи модели электронных энергетических зон (ср. рис. 2.34). Согласно этой модели, электроны делокализованы в. кристаллической решетке. Атомы активаторов и дефекты решетки образуют локализованные энергетические уровни (центры люминесценции L и ловушки электронов М) в запрещенной зоне. Например, в результате поглощения энергии активации электрон переносится из валентной зоны кристалла в зону проводимости затем он может либо испустить квант излучения флуоресценции и. возвратиться в осноБное состояние, либо оказаться захваченным электронной ловушкой М. При поглощении тепловой энергии электрон повтор- [c.98]

Значение ковалентной связи в полупроводниках обусловлено эффектом выравнивания периодического потенциала кристалла электронными мостиками между связанными атомами. С повышением ионности связей разница между максимальной и минимальной величинами потенциала кристалла растет, что ведет к увеличению энергии активации электронов Ед. Таким образом, существует зависимость между шириной запрещенной зоны и красталлохимическими величинами, характеризующими прочность ковалентных связей в ряду этих элементов. Вопрос о выборе кристаллохимической характеристики материала является весьма сложным ввиду неоднозначности понятий используемых для оценки связи. Было, например установлено, что энергия ковалентной связи между двумя электронами, обобществленными соседними атомами, которые расположены на минимально возможном рас- [c.58]

В полупроводниках энергия активации электронной проводимости часто уменьшается с ростом концентрации носителей и донорных центров. В литературе это явление известно под названием правила Майера — Нелделя [79—801 и наблюдалось в пятиокиси тантала и ниобия [81] и иодистой меди [83]. [c.351]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология