Кристаллы, выращенные из расплава

Установлено, что монокристаллы, полученные из водных растворов, являются более чувствительными сцинтилляторами, чем кристаллы, выращенные из расплава [1881. [c.104]

Покажите, что концентрация примеси в кристалле, выращенном из расплава, связана с долей х закристаллизовавшегося расплава соотношением [c.214]

Кристаллы, выращенные из расплава 497 [c.497]

Регулятор диаметра кристаллов, выращенных из расплава. — Приборы [c.243]

Наличие спайности очень удобно для определения ориентировки кристалла. У больших монокристаллов, не имеющих естественной огранки из-за условий роста, например у щелочногалоидных кристаллов, выращенных из расплава (см. рис. 3), ориентировка определяется простым способом кристалл слегка ударяют зубилом так, чтобы отколоть от него кусочек по спайности — ровная, гладкая поверхность раскола является плоскостью спайности 100). [c.303]

Кристаллы, выращенные из расплава, почти всегда оказываются неоднородными из-за механических и термических напряжений, возникающих при росте, а особенно во время остывания после роста. [c.369]

В металлических кристаллах, выращенных из расплава, часто образуется ячеистая структура весь кристалл состоит из столбиков, параллельных оси роста. [c.369]

В табл. 7.4 указан ряд кристаллов, выращенных из расплава, вместе с наиболее важными для роста параметрами. Нетрудно видеть, что во многих случаях не всегда имеется достаточно сведений даже о таких основных параметрах, как скорость охлаждения. [c.331]

Для очистки кристаллов, выращенных из расплавов, применяют метод зонной плавки в лодочке или бестигельной зонной плавки. Однако столь ощутимых результатов, как это наблюдается для кремния или германия, такие методы очистки арсенида галлия не дают. [c.475]

На рис. VHI.61 изображены аппаратура и схема трехзонной вакуумной печи, примененной для выращивания селенида свинца в равновесных условиях по [791, стр. 497. Показаны также температурные градиенты в разных зонах. Температура зоны выращивания монокристалла поддерживалась около 775° С. Температура зоны, в которой нагревался исходный поликристаллический селенид дэ образования монокристалла, 776° С. Как только зародыш возникал, температуру поликристаллической зоны в целях улучшения кинетики роста резко повышали до 805° С. Температура селена поддерживалась в данном случае около 240° С 0,02°. Растущий при температурном градиенте— между зоной испарения и зоной конденсации — порядка Г см [79], стр. 497 и след, монокристалл был равновесным или близким к нему. При попытках получения кристаллов стехиометрического состава достигалась концентрация собственных носителей порядка 2-10 см . Она была в 50 раз меньше, чем в кристаллах, выращенных из расплава. Близкие к равновесным условия выращивания благоприятствуют уменьшению концентрации дефектов. [c.626]

Решение для этого случая приведено иа рис. XII. 17. На рисунке показано также изменение концентрации сурьмы в кристаллах, выращенных из расплава, содержащего только сурьму. Видно, что, как и при равновесии твердое тело — пар (разд. ХП.1), в областях II и III растворимость сурьмы заметно увеличивается в присутствии галлия. [c.299]

Распределение растворенного вещества в кристаллах, выращенных из расплава. Ч. II. Экспериментальная часть. [Данные для Ga в кристалле Ое]. [c.114]

Распределение растворенного вещества в кристаллах, выращенных из расплава. Ч. [c.124]

Установлено, что травящее воздействие испарений расплава на боковую поверхность кристалла усиливается с увеличением соотнощения А120з/У20з>5/3. Поверхность кристалла, выращенного из расплава с избытком оксида иттрия, покрыта редкой сетью бороздок глубиной до 0,05 см. Кристалл, выращенный из расплава стехиометрического состава, покрыт более развитыми субпараллель- ными бороздками глубиной до 0,1 см. У кристаллов, выращенных из расплавов, обогащенных оксидом алюминия, вся боковая поверхность протравлена, бороздки сливаются между собой, образуя густую сеть. Глубина травления достигает 0,3 см. [c.220]

Кристаллы, выращенные из расплава, претерпевают обычно пластическую деформацию вследствие термических напряжений, и по этой причине первоначальное содержание в них дислокаций увеличивается. Однако Тетсуниэн и Чалмерс [31] указали на другой важный эффект, а именно эффект температурного градиента, также приводящий к увеличению содержания дислокаций. Равновесное содержание вакансий в твердом теле возрастает экспоненциально [c.33]

При выращивании кристаллофосфора из расплава КВг -f NiaO активатор также внедряется в решетку в виде двузарядных ионов Ni+ +. Такой вывод следует из указанной выше идентичности спектров поглощения кристаллов, выращенных из расплавов КВг -f-NiBr и КВг + Ni Og. В последнем случае можно полагать в соот- [c.189]

Однако в активированных никелем кристаллах, выращенных из расплава, и особенно в Na l — Ni, может быть возбуждена яркая оранжево-красная флуоресценция, если кристаллы предварительно облучить рентгеновыми лучами. При этом указанная флуоресценция возбуждается, как и в случае электрохимически активированных фосфоров Na l — Ni, длинноволновым ультрафиолетовым светом. [c.192]

ДлиЕЫ складок в кристаллах, выращенных из расплавов, как показано на рис. 3.13 для полиэтилена, отличаются от теоретически вычисленных по теории вторичного зародышеобразования даже при низких степенях переохлаждения. Длина складок в них. увеличивается с величиной 1/ДГ значительно быстрее, чем предсказывает теория. Существуют доказательства, что причина этого в перестройке складок с увеличением их длины после первичной кристаллизации. В некоторых полимерах в результате такого вторичного растяжения складок образуются кристаллы из вытянутых цепей (разд. 3.3.1, 6-3.3 и 7.1.3). [c.120]

В общем имеется достаточно оснований предположить, что отжиг ламелярных кристаллов, выращенных из расплава, аналогичен отжигу кристаллов, полученных из раствора. Так же как и в том случае, основной целью исследований процесса отжига является выделение трех температурных областей отжига, однако в настоящее время известно очень немного относительно низкотемпературной области и не определена температура, разделяющая высокотемпературную и промежуточную области. Различия, которых можно было ожидать при отжиге матов монокристаллов, выращенных из раствора и полученных из расплава, заключаются в увеличенном количестве проходных цепей, в образовании стопок ламелей различной степени совершенства и в более плотном контакте между ламелями при кристаллизации из рас- [c.500]

Сравнивая результаты по отжигу при повышенном давлении кристаллов, выращенных из расплава, с результатами по их отжигу при атмосферном давлении, описанными в разд. 7.3.1, можно видеть, что наиболее высокая температура отжига (243 °С при 5,1 10 атм) близка к температуре плавления ламелярных кристаллов с полностью вы-тящтьми цепями (см. сноску ш стр. 530 - 531). Температура плавления ламелей со сложными цепями (без реорганизации) составляет около 210 °С, т.е. лежит несколько ниже температуры, при которой появляются первые следы совершенствования кристаллов, если судить по -плотности и температуре плавления (см. табл. 7.5). Если эту температуру. как обычно (разд. 7.2.1,и 7.3.1), принять за верхний темпера-туоный предел промежуточной температурной области отжига, то на основании этого можно прийти к выводу, что давление замедляет отжиг ниже этой температуры. Эффективный отжиг наблюдается лишь в высокотемпературной области. Рекристаллизация, при которой за счет переноса вещества может произойти образование ламелей больших поперечных размеров, протекает при меньших степенях переохлаждения (- 236 °С, ДГ 6°С) по сравнению с отжигом при атмосферном давлении ( /125°С, ДГ 13°С, см. рис. 7.10). Однако степень реорганизации и ее скорость при этих относительно высоких температурах значительно больше. Близость температур исходного совершенствования и температур плавления объясняет тот факт, почему [c.536]

Особенности необратимого плавления деформированных кристаллов понятны Б меньшей степени, чем особенности необоатимого плавления недеформированных кристаллов, выращенных из раствора и расплава. Во многом поведение деформированных кристаллов при плавлении подобно поведению кристаллов, выращенных из расплава, однако дополнительное влияние проходных молекул, которые находятся в напряженном состоянии, осложняют интерпретацию наблюдаемых явлений. Компенсационный эффект, обусловленный существованием напряженных проходных молекул, часто приводит к тому, что температура плавления, плотность и степень кристалличности деформированных образцов оста- [c.295]

Эффективность направленной кристаллизации при решении указанной задачи можно иллюстрировать результатами работ [227, 228], где было показано, что несмотря на сходный вид диаграмм состояния систем Ое — 5е и Ое—-Те в области существования мо-нохалькогенидов германия, характер плавления соответствующих соединений различен. Так, по распределению селена в кристаллах, выращенных из расплавов системы Ое —8е с содержанием 49,99— 51,00% (ат.) 5е, пришли к выводу об инконгруэнтном плавлении селенида германия. Напротив, данные по направленной кристаллизации образцов, близких по составу к ОеТе, показали, что теллурид германия плавится конгруэнтно состав эвтектики, концентрирующейся в конечной части перекристаллизованных образцов, соответствует 49,85% (ат.) Те. [c.165]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология