Движение и равновесие дислокаций

Пластическое деформирование, связанное с механическим движением (скольжением) дислокаций, обладает двумя весьма важными характерными чертами. Во-первых, оно происходит со сравнительно большими скоростями, и обеспечивающая его система дислокаций за короткое время приходит в равновесие, отвечающее заданным напряжениям. Поэтому каждому квазистатическому изменению внешней нагрузки можно сопоставить вполне определенную величину изменения пластической деформации. Последнее означает, [c.307]

Движение и равновесие дислокаций. Эффективная подстройка системы валов под оптимальное волновое число может обеспечиваться механизмом переползания дислокаций. Подавляющее большинство исследований их движения посвящено именно переползанию. Некоторые результаты, относящиеся к скольжению дислокаций, будут здесь отмечены для сведения читателя, хотя они и не имеют прямого отношения к отбору волновых чисел. [c.150]

Экспериментальное изучение [1071 пластифицирующего действия среды на монокристалл алюминия показало, что эффективны вещества, химически взаимодействующие с металлом с образованием мыл. Предварительное введение в среду избыточного количества мыла (выше предельной растворимости в масле) тормозило эффект пластификации. По нашему мнению, это могло быть обусловлено только сдвигом неравновесной реакции растворения металла в сторону равновесия. При изучении моно-кристаллических и поликристаллических железа, цинка и кадмия было также установлено [109], что закрученная проволока закручивается в том же направлении (с затуханием), если ее резко подвергнуть действию травителя, что связано с движением дислокаций после удаления барьера. [c.125]

Именно эта проекция представляет наибольший интерес, так как только в плоскости скольжения перемещение дислокации может иметь характер механического движения. Обращение в нуль этой проекции силы соответствует равновесной по отношению к скольжению конфигурации двух дислокаций. Из формулы (19.1) вытекает, что обращается в нуль при ф = л/2 и ф = я/4. Легко проверить, что первое из этих положений (рис. 98, а) отвечает условию устойчивого равновесия двух дислокаций одного знака ( х г > 0). а второе (рис. 98, б) — двух дислокаций разных знаков ( 1 2 < 0). Очевидно, что первая конфигурация (рис. 98, а) остается устойчиво равновесной и в случае числа дислокаций больше двух. Данное обстоятельство является причиной того, что дислокационная стенка, упомянутая в 15 и изображенная на рис. 88 или рис. 89, является равновесной и устойчивой структурой. [c.293]

Допустим, что переползание дислокации совершается достаточно медленно для того, чтобы в процессе движения у оси дислокации успевало устанавливаться равновесие точечных дефектов по отношению к их прохождению через поверхность дислокационной трубки. Тогда, как и в случае поры, мы сможем записать граничное условие для стационарного изменения химического потенциала вакансий на поверхности дислокационной трубки в виде [c.316]

Пороги получаются не только при переползании, но также при скольжении когда движущаяся скольжением дислокация проходит через винтовую дислокацию, которая пересекает ее плоскость скольжения, части ее, проходящие справа и слева от винтовой дислокации, оказываются теперь на разных уровнях. Таким образом, на ней образуется порог при переходе. Дальнейшее движение путем скольжения этой дислокации при некоторых обстоятельствах эффективно инъектирует вакансии или дислоцированные атомы в кристалл. Концентрация этих несовершенств поэтому, как правило, далека от равновесия в процессе пластической деформации и непосредственно после нее. Этот вопрос был подробно рассмотрен Зейтцем [10]. [c.20]

Рассмотренное явление может служить одной из причин того, что часто при пластической деформации кристаллов имеет место скольжение по плоскостям в этом случае растяжение, которое понижает энергию в определенных кристаллографических плоскостях, заставляет присутствующие дислокации располагаться предпочтительно в таких ориентациях кроме того, следует ожидать, что движение дислокации путем скольжения происходит легче, если она растянута. Для нас в данном случае наиболее важным фактом является то, что пороги обладают более высокой энергией в растянутых дислокациях. Следовательно, в условиях приближения к тепловому равновесию пороги будут реже и эти дислокации будут менее эффективнььми источниками выравнивания концентрации вакансий в кристалле. [c.31]

В квазистатических условиях сила Пайерлса - Набарро аналогична силе сухого трения. Модуль и направление силы Пайерлса — Набарро в равновесии зависит от направления движения, предшествовавшего равновесию, так как она включает в себя диссипативную силу трения, всегда направленную против движения. Обычно предполагается, что в пределе бесконечно малой скорости дислокации она равна постоянной величине (соответствующее напряжение обозначим 5о). Эта величина обычно входит в континуальную теорию в виде феноменологического параметра. [c.32]

Если двойники распространяются в дефектном кристалле, то действующая на дислокацию эффективная сила торможения кроме силы Пайерлса включает силу сопротивления, обусловленную распределенными в образце дефектами. Дефекты оказьшают непосредственное воздействие на дислокации, препятствуя их огибанию, пересечению и т.п., и на сопротивление, описываемое их упругими полями. Чтобы подчеркнуть то обстоятельство, что описанная сила имеет слагаемые, отличные от силы Пайерлса, будем называть ее в дальнейшем просто силой трения. Модуль и направление этой силы в равновесии зависят от направления движения дислокации, предшествовавшего равновесию, так как она включает в себя диссипативную силу, всегда направленную против движения. Поэтому вид силы неупругого происхождения зависит в значительной мере от способа образования двойника ). [c.56]

Случаи, когда катион движется наружу. Когда пленка растет благодаря движению через нее катионов, занимаюш,их положение на наружной поверхности, то преобладают различные факторы. Кроме напряжений, возникаю-ш,их (по соображениям, рассмотренным выше) в тончайших пленках, веш,е-ство пленки должно быть почти свободным от напряжений, и причины разрушения, упомянутые выше, йе будут действовать. Но катионы, движу-ш,иеся через металл, оставляют вакансии у основания пленки, и, хотя некоторые из них могут быть адсорбированы дислокациями, другие соединятся вместе, образуя полости, и рано или поздно они будут местами свободно соприкасаться с металлом. Такая слабая опора пленки, вероятно, является причиной разрушения там, где металл подвергся некоторой поверхностной обработке, которая оставила сложную систему внутренних напряжений, отчасти растягивающих и отчасти сжимающих, находящихся в равновесии (см. стр. 105), В том месте, где градиент напряжения высок, переход металла в пленку будет нарушать это равновесие, и если к пленке, где она очень тонка и не имеет опоры, будет приложено очень маленькое результирующее напряжение, то она вероятно сломается. Предположим, например (фиг. 27, стр. 105), что металл до окисления был растянут вблизи поверхности и сжат ниже. После образования пленки растянутый слой частично исчезает, замещаясь пустотой. Очевидно, металл теперь преимущественно сжат, и в своем стремлении расшириться он будет растягивать неподдерживаемую пленку, которая разорвется. Образуется новая пленка, которая разорвется в свою очередь, если остаются достаточные внутренние напряжения. Надо ожидать, что этот процесс залечивания трещин будет продолжаться до тех пор, пока внутренние напряжения не исчерпаются в достаточной мере. Экспериментальные доказательства для залечивания трещин приведены на стр. 165. [c.782]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология