Дислокация растянутая

Дислокации одного знака взаимно отталкиваются, а разного —. притягиваются, так как в последнем случае рядом с растянутой областью, отвечающей одной дислокации, окажется сжатая, отвечающая другой. [c.279]

Из рис. XIV.6, виг следует, что тот же сдвиг в том же направлении может возникнуть, если дислокация движется в противоположном направлении. Существенно при этом, что теперь растянутой окажется область над дислокацией. Эти типы дислокаций отличают ио знаку первую считают положительной, а вторую — отрицательной. Очевидно, энергия, необходимая для создания двух дислокаций, не будет аддитивно складываться из энергий, требующихся для [c.359]

Таким образом, немногочисленные данные показывают, что ингибиторы могут эффективно подавлять коррозию сталей под напряжением. Однако пока не установлена зависимость между способностью ингибиторов тормозить коррозию под напряжением и их строением, что не позволяет научно обоснованно подходить к их выбору. На основе теоретических соображений можно пред-. положить [103[, что при воздействии растягивающих напряжений наиболее эффективными ингибиторами будут являться те, которые хорошо адсорбируются на отрицательно заряженной поверхности растянутого металла. Это прежде всего ингибиторы катионного типа, а также ингибиторы, образующие На поверхности плотные пленки. В случае пластической дефор.мации, когда в кристаллической решетке металла образуются линейные дефекты — дислокации, сжатая часть которых заряжена положительно, а растянутая отрицательно, можно ожидать, что эффективными ингибиторами могут являться вещества Как катионного, так и анионного типа, а также ингибиторы образующие плотные полимолекулярные слои или пленки. [c.65]

Один из главных типов дислокаций — краевая, или линейная, дислокация. Схема образования краевой дислокации показана на рис.У-9. На этом рисунке представлено сечение решетки кристалла с одной избыточной полуплоскостью (перпендикулярной плоскости рисунка). Ниже плоскости скольжения АВ кристалл растянут, а выше ее — сжат. Линия, находящаяся в плоскости скольжения и проходящая через точку С (перпендикулярно плоскости рисунка), называется линией дислокации. Дислокация выходит на поверхность в виде ступеньки. Сила, действующая на поверхность выше АВ, приводит к скольжению одной части решетки относительно другой, что отражается на виде поверхности кристалла. При непрерывном движении С влево линия дислокации выйдет на поверхность и решетка верхней части тела примет нормальный вид. Этот процесс весьма напоминает движение сложенного пледа, который тянут за нижние складки. [c.216]

ТОГО края, восстанавливающее структуру правильной решетки, складываются в трансляцию решетки. Края такой полосы обладают упругими свойствами дислокаций и называются несовершенными или парциальными дислокациями. Две парциальные дислокации, составляющие края растянутой дислокации этого вида, отталкиваются друг от друга с силой, обратно пропорциональной расстоянию. Поверхностное натяжение нарушения укладки препятствует этому отталкиванию, так что полоса имеет стабильную равновесную ширину. Вычисленное значение ее приблизительно равно 30 А для случая меди. [c.31]

Поле напряжений вблизи краевой дислокации таково, что кристалл сжат с одной стороны плоскости скольжения и растянут с другой стороны. В твердых растворах замещения большие атомы растворенного вещества, собирающиеся в растянутой части, или малые атомы, собирающиеся в сжатой части, будут снижать энергию деформации дислокаций. [c.240]

На рис. 11 показан растянутый узел, представляющий собой другую особенность, которую можно использовать для измерения энергий дефектов упаковки. Схематическое изображение представлено на рис. 17. Изолированный растянутый узел (рис. 18) образуется в результате взаимодействия между двумя рядами, лежащими в одной и той же плоскости решетки. Частичные дислокации, встречаясь, уничтожают друг друга, и образуется треугольная область дефекта упаковки. Но вследствие того, что дефект упаковки вызывает некоторое натяжение, треугольная структура прогибается в сторону дефектной области. Устойчивое состояние определяется равновесием между линейным натяжением, которое стремится по возможности укоротить дислокацию, и дефектом упаковки, который стремится уменьшить занимаемую площадь. Учет обоих этих эффектов (которые являются основными) приводит к простому соотношению [c.33]

Последняя частичная дислокация первого ряда имеет такой же вектор Бюргерса, как первая частичная дислокация второго ряда, например Ао + аВ и ба + аС. Подобные ряды всегда притягиваются. Встречаясь, две частичные дислокации оВ и Во взаимно уничтожают друг друга, и образуется одиночный ряд с векторами Ао + аС. Если вступающие во взаимодействие ряды закреплены каким-либо способом, получается растянутый узел, как это и показано на рис. 18. [c.35]

Если все векторы Бюргерса параллельны плоскости с, могут образоваться только закрученные границы, лежащие в этой же плоскости и имеющие вектор вращения, перпендикулярный к плоскости с. Такую границу можно построить из двух семейств дислокаций, например Аа+аВ и Аа + аС. При расположении этих семейств в одной и той же плоскости решетки они взаимодействуют способом, описанным в разд. 4, А (рис. 21). В результате образуется регулярная сетка, состоящая из чередующихся сжатых и растянутых узлов на рис, 32 показана схема. [c.50]

Эта формула неточна из-за изменения равновесия при пересечении дефекта упаковки с поверхностью фольги. Кроме того, положение осложняется из-за взаимодействия разных дислокаций. Наиболее точная оценка энергии дефекта упаковки возможна по тройным узлам, расположенным параллельно поверхности фольги. В конфигурации, изображенной на рис. 21.22,6, кривизна частичных дислокаций уравновешивается поверхностной энергией дефекта упаковки. Для оценки энергии дефекта нужно измерить радиус кривизны Е частичных дислокаций у растянутых узлов [c.507]

На рис. 292, например, показано расщепление 60-градусной дислокации в структуре сфалерита здесь а и б — два возможных положения атомных цепочек, проектирующихся на плоскость чертежа в виде атомов 2иЗ (рис. 292,а) или 4 VI 5 (рис. 292,6). Эти цепочки могут поворачиваться при перестройке. В обоих случаях происходят поворот атомных лент шириной в два атома (перпендикулярных плоскости чертежа) в новое положение и перестройка связей с образованием конфигураций, показанных пунктирными линиями. На рис. 292,в изображена растянутая (расщепленная) дислокация, образовавшаяся в результате вращения цепочки 3-2 по часовой стрелке, а на рис. 292,г — образовавшаяся вследствие вращения цепочки [c.340]

Из физики металлов известно, что при неравномерном распределении механических напряжений сжатые области кристаллической решетки металлов вследствие перераспределения электронов заряжаются положительно, а растянутые — отрицательно. Поэтому, например, при изгибе образца металла в упругой области растянутая сторона заряжается отрицательно, вследствие чего адсорбция анионов на ней затрудняется, а катионов— облегчается. При пластической деформации металлов в кристаллической решетке образуются линейные дефекты — дислокации, сжатая часть которых заряжена положительно, а растянутая—отрицательно. Поэтому при наличии пластической деформации облегчается адсорбция и катионов, и анионов. [c.82]

Дислокации одного знака (например, положительные) отталкиваются друг от друга, так как при этом сжатая область кристалла встречается с сжатой, а растянутая— с растянутой. Дислокации разного знака притягиваются друг с другу. Можно показать, что сила взаимодействия между дислокациями обратно пропорциональна расстоянию между ними. Как и ионы в кристалле образуют решетку, так и дислокации стремятся к упорядоченному расположению, при котором каждая положительная дислокация оказывается окруженной отрицательными и наоборот. Очевидно, что взаимодействие дислокаций будет препятствовать их движению и пластичность в этом случае будет уменьшена. Это явление объясняет так называемый наклеп при холодной обработке металлов, сопровождающийся уменьшением пластичности. [c.336]

Изображение тройного растянутого узла дислокаций в фольге сплава на основе Р-кобальта после слабой деформации. Оценить энергию дефекта упаковки. [c.365]

В соответствии с [101], часть электронов перемещается из сжатой области дислокации к растянутой, образуя электрический диполь. Поэтому наличие в растворе только поверхностно активных катионов или только анионов не может эффективно тормозить адсорбцию молекул воды на поверхности металла и предотвратить развитие первоначальных трещин, образование которых сопровождается пластической деформацией. [c.112]

Отношение интенсивности центральной компоненты ( /п- — /г) линий 21, получающихся в результате квадрупольного взаимодействия в кристалле некубической симметрии, к полной интенсивности, включающей все дополнительные компоненты, равно Vio для ядер с / = Va и Vsr, для ядер с / = /г. Дислокации, образующиеся в кристалле при пластической деформации, приводят к локальным отклонениям от кубической симметрии и к появлению градиента электрического поля, который вызывает появление дополнительных компонентов, отстоящих от центрального компонента, который при эффектах первого порядка не изменяется при квадрупольном взаимодействии. Значения eq колеблются в некотором диапазоне, а дополнительные линии не резки и растянуты в широком диапазоне частот или напряженности поля, так что их нельзя наблюдать экспериментально. Это размывание дополнительных линий особенно заметно для Вг , Вг и ввиду больших ядерных квадрупольных моментов и антиэкранирующих факторов для этих атомов. Подобные эффекты можно обнаружить даже в случае весьма совершенных кубических кристаллов. Уаткинс установил [105], что в тер- [c.44]

Как известно, даже в отсутствие механических напряжений реальная поверхность металла не является эквипотенциальной, а содержит активные участки, которыми являются границы зерен, микровключения легирующих и других элементов, выделения или сегрегации компонентов сплава, поверхностные вакансии, дислокации и т.п. При приложении механических напряжений электрохимическая гетерогенность поверхности возрастает за счет смещения потенциала растянутых участков в анодную область, сжатых - в катодную [11]. Местом зарождения трещины, как правило, является активный участок поверхности, на котором повреждена защитная пассивная пленка. В результате протекания электохимической коррозий на этом участке" образуется повреждение, направленное в глубь металла -питтинг, который, являясь концентратом механических напряжений, дает начало трещине. [c.7]

ТЕРМОХИМИКОМЕХАНЙЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА металлов — обработка, заключающаяся в нагреве и выдержке металла (сплава) в химически активной среде, совмещенных с упруго-пластическим деформированием. При Т. о. легирующие жате-рмалн диффундируют (см. Диффузия) в поверхностные слои изделий значительно скорее, чем в процессе обычной химико-термической обработки. Интенсификация диффузионных процессов при пластическом деформировании вызывается увеличением общей протяженности границ верен, развитием сетки пачек скольжения, повышением плотности дислокаций и увеличением концентрации неравновесных вакансий. Ускорение диффузии по границам зерен и пачкам скольжения, т. е. в местах сохранения энергии остаточных упругих напряжений, обусловливается неоднородным напряженным состоянием нри этом атомы с большим радиусом стремятся переместиться в растянутые области, а атомы с меньшим радиусом — в сжатые. Ускорение диффузии прп иовышепной плотности дислокаций [c.550]

Сходным случаем, реальность которого вряд ли может быть поставлена под сомнение, хотя и отсутствует непосредственное экспериментальное наблюдение, можно считать образование дислокацией нарушения в кристалле в виде полосы, лежащей в определенной кристаллографической плоскости, а не в виде полой трубки. Впервые этот случай был рассмотрен Шокли и Гейденрейхом [26] для плотноупакованных металлов. Причиной его является многообразие плотнейших упаковок сфер, приче.м все они представляют различные укладки плотноупакованных слоев. Общие условия образования растянутых дислокаций даны Фрэнком [5], а Фрэнк и Николас [27] рассмотрели различные возможности в наиболее простых кристаллических решетках. Растянутые дислокации образуются обычно тогда, когда имеются такие плоскости в кристалле, что относительное смещение двух половин кристалла с обеих сторон такой плоскости на долю межплоскостного расстояния переводит их вновь в положение метастабильного равновесия. Поверхность раздела становится тогда трансляционной двойниковой поверхностью или нарушением укладки . Наипростейший вид растянутой дислокации представляет полоса нарушения укладки, в которой первое смещение, у одного ее края, вызывающее нарушение, и второе, у дру- [c.30]

Рассмотренное явление может служить одной из причин того, что часто при пластической деформации кристаллов имеет место скольжение по плоскостям в этом случае растяжение, которое понижает энергию в определенных кристаллографических плоскостях, заставляет присутствующие дислокации располагаться предпочтительно в таких ориентациях кроме того, следует ожидать, что движение дислокации путем скольжения происходит легче, если она растянута. Для нас в данном случае наиболее важным фактом является то, что пороги обладают более высокой энергией в растянутых дислокациях. Следовательно, в условиях приближения к тепловому равновесию пороги будут реже и эти дислокации будут менее эффективнььми источниками выравнивания концентрации вакансий в кристалле. [c.31]

Рис. 18. Слияние двуч рядов с образованием изолированного растянутого узла. Две встречающиеся частичные дислокации уничтожаются с образованием треугольной области дефекта упаковки.

Эмелинкс и Дилавигнетт [66] провели электроннооптическое изучение базисных дислокаций в графите и показали, что при пересечении дислокаций возникают гексагональные сетки с сильно растянутыми и сжатыми узлами. Это свидетельствует об очень низкой энергии дефектов упаковки. По их мнению, она составляет 0,03—0,05 эрг см . [c.29]

В области ядра дислокации кристаллическая решетка заметно деформирована. В окрестностях краевых дислокаций имеются как сжатые, так и растянутые области решетки. В растянутые места стремятся переместиться внедренные в межузлиях атомы. Атомы примесей могут при этом образовать целые облака или атмосферы Котрелла , которые в случае перемещения дислокации (например, при пластической дефор-, мации) следуют за ней как хвост. На этом, в частности, основан один из прямых методов наблюдения дислокаций — метод декорирования , заключающийся в том, что примеси, диффундируя в кристалл, селективно конденсируются на дислокационных линиях. Другой метод — травления — позволяет выявить выход дислокации на поверхность кристалла. Для этого необходимо использовать какой-нибудь травитель, который бы селективно воздействовал на ядро дислокации, создавая ямки Б местах ее выхода. Оба метода существенно дополняют друг друга. [c.92]

Коттрелл [101], рассматривая распределение электронного заряда, приходит к выводу, что в случае неоднородной деформации решетки электроны перемещаются из сжатой области в растянутую. Так, например, по Кот-Т1реллу часть электронов перемещается из сжатой области дислокаций к растянутой, в результате чего сжатые области заряжаются положительно, а растянутые—отрицательно. [c.45]

Из рис. XIV-6, в и г следует, что тот же сдвиг в том же направлении может возникнуть, если дислокация движется в противоположном направлении. Существенно при этом, JчTo теперь растянутой окажется область над дислокацией. Эти типы дислокаций отличают по знаку. Первую считают положительной, а вторую — отрицательной. Очевидно, что энергия, необходимая для создания двух дислокаций, не будет аддитивно складываться из энергий, требующихся для создания каждой их них, т. е. дислокации между собой взаимодействуют. Дисло сации одного знака взаимно отталкиваются, а разного притягиваются, так как в последнем случае рядом с растянутой областью, отвечающей одной дислокации, Ъкажется сжатая, отвечающая другой. [c.278]

Случаи, когда катион движется наружу. Когда пленка растет благодаря движению через нее катионов, занимаюш,их положение на наружной поверхности, то преобладают различные факторы. Кроме напряжений, возникаю-ш,их (по соображениям, рассмотренным выше) в тончайших пленках, веш,е-ство пленки должно быть почти свободным от напряжений, и причины разрушения, упомянутые выше, йе будут действовать. Но катионы, движу-ш,иеся через металл, оставляют вакансии у основания пленки, и, хотя некоторые из них могут быть адсорбированы дислокациями, другие соединятся вместе, образуя полости, и рано или поздно они будут местами свободно соприкасаться с металлом. Такая слабая опора пленки, вероятно, является причиной разрушения там, где металл подвергся некоторой поверхностной обработке, которая оставила сложную систему внутренних напряжений, отчасти растягивающих и отчасти сжимающих, находящихся в равновесии (см. стр. 105), В том месте, где градиент напряжения высок, переход металла в пленку будет нарушать это равновесие, и если к пленке, где она очень тонка и не имеет опоры, будет приложено очень маленькое результирующее напряжение, то она вероятно сломается. Предположим, например (фиг. 27, стр. 105), что металл до окисления был растянут вблизи поверхности и сжат ниже. После образования пленки растянутый слой частично исчезает, замещаясь пустотой. Очевидно, металл теперь преимущественно сжат, и в своем стремлении расшириться он будет растягивать неподдерживаемую пленку, которая разорвется. Образуется новая пленка, которая разорвется в свою очередь, если остаются достаточные внутренние напряжения. Надо ожидать, что этот процесс залечивания трещин будет продолжаться до тех пор, пока внутренние напряжения не исчерпаются в достаточной мере. Экспериментальные доказательства для залечивания трещин приведены на стр. 165. [c.782]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология