Методы просвечивания

Рис. 101. Градуировочная кривая для измерения толстых слоев по методу просвечивания при помощи излучения препарата кобальта-60.

Метод просвечивания газожидкостного слоя у-лучами позволяет проследить изменение фг по высоте слоя [139, 371]. Метод прост, может быть применен в промышленных условиях. [c.67]

Правильность монтажа деталей в период эксплуатации в собранных агрегатах проверяют только методами просвечивания. [c.486]

В отличие от методов просвечивания, помещение внутрь кипящего слоя емкостного датчика, как и любого другого предмета, вызывает определенные нарушения локальной структуры слоя как [c.81]

Газосодержание и плотность слоя определяют на основе измерений Ло и Лп, просвечиванием 7-лучами [61, 62], а также статистической обработкой фотографий барботажного слоя [60, 63, 64]. Метод просвечивания позволяет установить изменение ф по высоте слоя [61]. [c.519]

Ультразвуковой метод обнаружения скрытых дефектов основан на свойстве ультразвука проходить через металлические изделия и отражаться от границы раздела двух сред, в том числе и от дефекта. В зависимости от способа приема сигнала от дефекта различают два метода ультразвуковой дефектоскопии - метод просвечивания и импульсный метод. [c.97]

Метод просвечивания с помощью рентгеновских лучей, предложенный в [3], можно использовать только для наблюдения медленных процессов, протекающих на межфазной границе. Все названные методы фиксируют изменение либо краевого угла, либо площади растекания. Возможное изменение величины межфазного натяжения в процессе смачивания не фиксируется. Одновременное измерение как величины краевого угла, так и межфазного натяжения в ходе смачивания возможно, если помимо отмеченных геометрических характеристик — площади растекания или краевого угла, непрерывно регистрировать непосредственно силу смачивания. [c.72]

Были испытаны и некоторые другие пригодные для регулирования ориентации пленок методы, из которых наиболее интересным оказался метод ориентированного выращивания или эпитаксии [25]. Если пар конденсируется иа кристаллическом субстрате, то кристаллическая структура пленки ориентируется по от-нощению к грани субстрата. Структура металлической нленки идентична структуре массивного металла, за исключением короткого отрезка у границы раздела, однако кристалл ориентируют так, чтобы на ней было возможно меньшее число несовпадений. Существует мало доказательств в пользу более старых представлений [26] о том, что субстрат навязывает собственные расстояния в кристалле отлагающемуся слою с изменениями в плоскости кристалла, перпендикулярной поверхности (псевдоморфизм базисной плоскости). Так, монослой свинца на грани (111) серебра имеет межатомные расстояния всего лишь на 2% меньше, чем в массивном металле, тогда как межатомные расстояния в серебре короче на 19% [27, 28]. Электронография на отражение (дающая среднее для площади около 0,1 млг) и электронномикроскопический метод просвечивания (который дает значительно большее разрешение, в частности, когда используются муаровые изображения) приводят к хорошему соот- [c.190]

Применение методов просвечивания ионизирующими излучениями зависит лишь от способности материала поглощать данное излучение и от толщины материала. [c.75]

Условия контроля. Большинство методов (магнитный, капиллярный, токовихревой, ультразвуковой) могут быть применены для контроля при доступе к детали с одной стороны. Методы просвечивания ионизирующими излучениями требуют доступа к детали с обеих сторон, при этом с одной стороны находится источник излучения, с другой — детектор. [c.75]

Рис. 100. Установка для измерения толстых слоев по методу просвечивания при помощи у-излучения.

Метод просвечивания основан на появлении звуковой тени за дефектом, В этом случае излучатель ультразвуковых колебаний нахо- [c.97]

Рис. 94. Градуировочная кривая для измерения толщин тонкой алюминиевой фольги по методу просвечивания при помощи Р-излучателя — таллия-204.

Метод просвечивания можно применять только при контроле деталей небольшой толщины, имеющих двухсторонний доступ к контролируемым поверхностям. [c.98]

Измерения локальной порозности емкостным методом или методом просвечивания у-лучами слоев в узких трубах показали, что слой у стенок более плотный, чем в центре. При малых числах псевдоожижения и малой начальной высоте слоя получается несколько зон с такой структурой [1, 2]. [c.62]

В нижеследующих работах приведены некоторые примеры измерения толщин по методу просвечивания и обратного рассеяния. Для измерения излучения в этих примерах используется сцинтилляционное устройство, по-возможности с интегрирующим отсчетом. [c.172]

Определение толщины тонкой алюминиевой фольги по методу просвечивания при помощи Р-излучения [c.172]

Как видно из раб. 4.2 и 10.3, обратное рассеяние -излучения возникает в тех случаях, когда последнее направлено на материал (в известной степени при этом образуется и рентгеновское излучение, которое также направлено в обратную сторону). Поскольку интенсивность обратного рассеяния Р-излучения изотопа одним и тем же материалом зависит только от его толщины, эффект обратного рассеяния может быть использован для определения толщины слоев. При этом предполагается, что слои не слишком тонки (в случае очень тонких слоев обратным рассеянием можно пренебречь), но их толщина не лежит в области насыщения по отношению к обратному рассеянию. Область толщины слоев, в которой может применяться метод обратного рассеяния Р-излучения, составляет около одной четверти области, в которой может применяться метод просвечивания. Так, например, при помощи препарата ТР° можно измерять толщины только до 30 мг/см . Чувствительность этого метода также ниже по сравнению с методом просвечивания. В то же время он в ряде случаев обладает преимуществами, в частности когда препарат находится на подложке (см. раб. 15.3) и недоступен измерению с обеих сторон. [c.174]

ПО методу обратного рассеяния имеет по сравнению с методом просвечивания 7-лучами то преимущество, что интенсивность обратного рассеяния возрастает приблизительно пропорционально толщине слоя для толстых слоев этот рост замедляется, так как увеличивается поглощение падающих и рассеянных лучей. Например, контроль толщины стальных труб и листов проводят по этому методу. Конструкция установки несколько усложняется тем, что источник излучения должен быть полностью отделен свинцовым экраном от сцинтилляционного кристалла, чтобы на последний не падали прямые лучи. [c.183]

Работа 16.1 Измерение толстых слоев методом просвечивания у учами [c.183]

Используя метод -просвечивания, можно определять истинное паросодержание смеси, не вводя в поток каких-либо измерительных приборов при этом толщины ограждений в практических пределах их изменения не влияют на точность измерения. [c.100]

Метод (-просвечивания может быть применен для промышленных испытаний. [c.100]

Р и с. 34. Электронно-микроскопический снимок напыленной никелевой пленки, полученный методом просвечивания. Диаметр кристаллитов никеля составляет 200—1000 А (X 200 ООО) [44]. [c.142]

Рис. 35. Электронно-микроскопический снимок ( X 200 ООО), полученный методом просвечивания пленки, изображенной на рис. 34, после прогревания се при 670° К р течение 60 л ми. Снимок показывает присутствие дефектов упаковки.

Для рентгенографического исследования кристаллической структуры целлюлозы I использовали высокоориентированные образцы целлюлозы - целлюлозу рами и хлопковую и метод просвечивания целого волокна. На основании полученных результатов измерений заключили, что ячейка целлюлозы, в соответствии с принятой в кристаллографии классификацией ячеек, является моноклинной. Моноклинная ячейка - один из простейших типов ячеек (рис. 9.6, а). У кубической ячейки ребра равны между собой <3 = Ь = с и все углы между ними (а, Р, у) равны 90°. У ромбической ячейки а Ь Ф с, но все углы составляют по 90 . У моноклинной ячейки аФЬ СК угол моноклинности у Ф 90° (у > 90°). [c.247]

Методом просвечивания с помощью рентгеновских и гамма-лучей можно обнаруживать трещины, имеющие достаточные размеры (ширину и глубину) узкие трещины небольшой глубины при просвечивании могут остаться невыявленными. Для обнаруживания самых мелких дефектов в последнее время начинают применяться магнитные и ультразвуковые дефектоскопы. [c.607]

Растущая доступность методов -просвечивания позволяет полагать, что они также найдут себе применение для указываемых здесь целей. [c.101]

В течение последних двух десятилетий экспериментаторами опробован ряд методов определения объемного паросодержания в потоке, но только метод просвечивания гамма- или рентгеновскими лучами [4, 51 получил широкое распространение в исследовательской практике. Большинство зарубежных и отечественных данных по истинному объемному паросодержанию при кипении с недогрёвом получены этим методом. Однако следует отметить, что, поскольку гамма-метод при измерении малых величин истинного паросодержания (<р < 0.05) не обеспечивает требуемой точности, область неразвитого поверхностного кипения остается менее изученной. [c.81]

После расшифровки рентгенограммы или дифрактограммы определяют брег-говские углы (01, 02,. ..), а затем по закону Вульфа - Брегга рассчитывают постоянные решетки соответствующих систем плоскостей ( / , 2, /3. ..) н параметры элементарной ячейки, после чего строят модель ячейки данного полимера. С этой целью по распределению электронной плотности устанавливают координаты всех атомов с учетом конфигурации и конформации макромолекулы. При невозможности применения расчетного метода используют шаровые модели Стюарта - Бриглеба и метод проб и ошибок . Для построения моделей ячеек применяют метод просвечивания одноосно ориентированных образцов, тогда как порошковый метод используют главным образом для качественной характеристики полимеров, а также лля определения размеров кристаллитов и степени кристалличности (рентгенофазовый анализ). [c.146]

В работе [1383) приводится пример, к каким катастрофическим результатам можио прийти при ультразвуковом контроле стальных отливок, если проводить его как для деформированного материала с учетом только амплитуды эхо-импульсов от дефектов и ие учитывать ослабление эхо-импульса от. задней стенкн. В отличие от теневого метода при этом могут быть обнаружены только 7—30 % дефектов (в зависимости от их типа). Напротив, в других работах [242, 426], где дефекты оценивались преимущественно по затенению эхо-импульса от задней стенки, было получено хорошее совпадение результатов ультразвукового контроля и кмтроля по методу просвечивания. Следует однако отметить, что завьппеин ге требования к однородности литого материала делают невозможным пркйенение литья в техническом и экономическом отношениях. [c.510]

Экспериментальная проверка найденных зависимостей, проведенная методом просвечивания слоя гамма-лучами, подтвердила корректность предложенных зависимостей для расчета неограниченных газовых струй в псевдоожиженно л слое [З], [c.30]

Для швов сварных штуцеров, люков и др. с выступом их внутрь сосуда более 10 мм применение метода просвечивания неэффек- [c.235]

Если интенсивность излучения настолько велика, что последнее проникает через измеряемый слой, не поглощаясь полностью, то метод называется методом просвечивания, или методом поглощения. При определении толщины слоя по отраженным материалом р-частицам метод носит название рефлексионного, или метода отражения. В случае измерения поглощения подбирают Р-излучатель с хорошей абсорбционной способностью, но в то же время поглощение не должно быть настолько сильным, чтобы остаточное число регистрируемых частиц было бы крайне мало и появлялась бы необходимость применения особенно сильных радиоактивных препаратов. [c.171]

Например, на снимке (рис. 34), полученном методом просвечивания, видны небольшие кристаллы никеля шириной порядка 200—1000 А, между которыми имеются пустоты. (Никелевая пленка была напылена при 273 А К, и хотя считалось, что пленка могла образовываться на стеклянной подложке, методом локальной дифракции электронов было доказано, что пленка выросла на подложке из закиси никеля [44].) На рис. 35 показана подобная (полученная на просвет) микрофотография, после того как никелевую пленку нагревали в вакууме при 670° К в течение 60 мин. Увеличение ширины кристаллов, уменьшение размеров пустот, а такн е появление дефектов упа ковки со всей очевидностью показывают, что при нагревании произошел интенсивный рост кристаллов (см., нанример, работу [485]). Углеродная реплика с платиновым иодтенением (см. рис. 36), снятая с этой новерхности после нагревания, ясно показывает исчезновение поверхностных шероховатостей и образование сравнительно гладкой поверхности. [c.143]

Одним из важнейших факторов, обеспечивающих надежность газовых сетей, является качество сварных соединений газопроводов. В связи с этим особое значение приобретают физические методы неразрушающего контроля гамма- и рентгенографирование, магнитографирование, ультразвуковая дефектоскопия и др. Строительно-монтажные организации, ведущие строительство распределительных газопроводов в городах и сельской местности, осуществляют контроль сварных стыков в основном методом просвечивания гамма-излучением. [c.125]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология