Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Подрешетка

    Вакансии в катионной подрешетке. . .. ка- [c.35]

    Вакансии в анионной подрешетке. . .. Аа+ [c.35]

    Механизм образования дефектов и их влияние на свойства кристалла значительно сложнее у кристаллических сложных веществ. Рассмотрим в качестве примера бинарные соединения типа АВ, в частности один из оксидов титана Т10. Кристаллическую структуру этого вещества удобно представить в виде двух подрешеток, занятых атомами (ионами) титана и кислорода. Оксид титана имеет состав, отвечающий не только формуле Т10, но и набору различных составов от Т10о, до Т101,з. Для оксида точно стехиометрического состава (Т10) можно предположить, что обе подрешетки — титана и кислорода — заполнены одинаковым числом атомов, и если возникает вакансия в одной подрешетке, то одновременно должно происходить образование вакансии в другой подрешетке. [c.174]


    Нестехиометрия четвертого типа V обусловлена вакансиями в катионной подрешетке и повышением положительного заряда соседнего катиона. Такой дефект в решетке равносилен положительно заряженной дырке. Оксид железа FeO (вюстит) имеет недостаток ионов железа, причем на каждую вакансию Fe + приходится два иона Fe +. Аналогичная нестехиометрия характерна для СпгО, NiO, СоО, FeS и других кристаллических веществ. [c.176]

    Разупорядочение ионных кристаллов происходит преимущественно в той подрешетке, ионы которой обладают меньшим радиусом, более низкой валентностью и меньшей деформируемостью. Разные типы разупорядоченности иногда могут переходить один в другой при повышении или понижении температуры. Так, РЫа ввиду большой поляризуемости ионов I при низких температурах обладает катионной проводимостью, в то время как анионная проводимость становится значительной только в области более высоких температур. [c.38]

    В кристаллах с первым типом нестехиометрии I в анионной подрешетке образуется вакансия, которая вследствие действия правила электронейтральности занимается электроном. Примером кристаллических веществ с этим типом нестехиометрии могут служить галогениды щелочного металла с избытком атомов металла. Для уменьшения отклонения от стехиометрии катио- [c.175]

    На основании этих данных следует сделать вывод, что избыток кислорода вызван образованием вакансий в катионной подрешетке железа, а не в результате внедрения кислорода в междоузлия. Следовательно, вюстит характеризуется четвертым типом нестехиометрии. [c.177]

    Внедрение примесных ионов одновременно в катионную и анионную подрешетку структуры 3S в наибольшей степени способствует образованию различных типов дефектов, что, очевидно, может служить предпосылкой для разработки и рекомендации составов комплексных добавок. [c.239]

    В реальных кристаллах дефекты не являются независимыми и взаимодействуют друг с другом встречаются не только единичные дефекты, но и их ассоциаты ассоциаты вакансий, ассоциаты из вакансии в своей подрешетке и междоузельного атома в другой подрешетке и др. Взаимодействия между дефектами существенно влияют на свойства кристалла и учет их —важная задача современной теории дефектов. Рассмотрение независимых дефектов составляет первое, самое грубое приближение, сравнительно оправданное при очень малой концентрации дефектов. Это приближение в дальнейшем и будет обсуждаться, [c.190]

    При образовании дефекта по Френкелю ионы, испытывающие время от времени большие смещения под влиянием тепловых флуктуаций, покидают свои правильные положения в узлах и переходят в междоузлие, результатом чего является возникновение вакансии в решетке. Междоузельный ион и вакансия теряют связь друг с другом и свободно движутся в кристалле первый по междоузлиям, вторая по своей подрешетке. При встрече междоузельные ионы и вакансии могут рекомбинировать друг с другом. [c.191]


    Горизонтальные отрезки на схеме изображают поверхность катализатора. Электрон может перемещаться по катионной подрешетке (электронная проводимость) дырка — по апиониой подрешетке (дырочная проводимость). [c.453]

    Реакция хлорирования обеспечивает полное удаление карбидообразующего элемента из состава карбида. При этом, одновременно происходит перестройка углеродной подрешетки карбидов в новую углеродную структуру, содержащую в себе большое количество открытых ианопор с узким распределением по ширине. [c.37]

    В разупорядоченных кристаллах проводящие катионы не локализованы в определенных местах решетки, а непрерывно кочуют по вакантным пустотам. Катионная подрешетка таких кристаллов разрушена и находится в квазижидком состоянии. При этом понятия вакансии и межузлия нивелируются, число вакансий близко или даже превышает число самих ионов. Поэтому к разупорядоченным кристаллам неприменима теория Френкеля — Шоттки, в основе которой лежит предположение о незначительных нарушениях идеальной структуры кристалла. [c.99]

    Участки резкого изменения проводимости твердых электролитов с переходом их в состояние ионных сверхпроводников (см. рис. 32) можно рассматривать как следствие плавления катионной подрешетки. Часто, но не всегда плавление катионной подрешетки сопровождается фазовым переходом. Например, для Agi на участке резкого изменения V. наблюдается переход от вюрцитной структуры P-AgI к плотноупако-ванной объемно-центрированной кубической решетке а-Agi. Ионный сверхпроводник можно представить в виде ажурного жесткого анионного остова, пропитанного катионной жидкостью . Иногда жесткий остов оказывает меньшее сопротивление движению катионной жидкости, чем анионы в расплаве электролита. Поэтому при плавлении твердого электролита возможно даже уменьшение проводимости. Количественная теория проводимости ионных сверхпроводников находится в стадии разработки. Этот класс электролитов привлекает в настоящее время особое внимание в связи с возможностями его широкого практического применения. [c.99]

    Состав с недостатком кислорода, например Т10о,8, можно представить как кристалл, в котором подрешетка кислорода имеет вакансии (не хватает 20% атомов кислорода). Аналогичным образом можно подойти к обсуждению других составов. [c.174]

    Химические соединения с полупроводниковыми свойствами могут образовываться и при других сочетаниях элементов, например А > В (ZnSb), А BV (GeP), Аа " Вд (GaaSj) и т. п. Общим свойством подобных соединений является наличие ковалентных связей в подрешетке анионообразователя в соответствии с правилом октета (8 — №). [c.313]

    Во-первых, появляется возможность случайных нарушений дальнего порядка. Так, в а-Ад2Н5и (эта модификация устойчива при температуре выше 50,7 °С) атомы иода образуют кубическую плотно упакованную решетку, атомы же Ад и Нд случайным образом занимают часть ее пустот, т. е. дальний порядок в катионной подрешетке отсутствует. [c.29]

    В концентрированных растворах и солевых расплавах каждая область ближнего порядка—это, по сути дела, фрагмент бесконечно большого многоядорного иона, который наблюдается в ионном к )исталле. Конфигурация и размеры этих фрагментов разнообразны. Поэтому вместо перечня фрагментов, т. е. тех многоядср-ных комплексов, которые имеются в растворе или расплаве, разумнее использовать аппарат функций распределения, который позволит оценить как среднее значение, так и размазанность каждой характеристики таких комплексов молекулярной массы, линейных размеров и т. д. Размазанным окажется и воздействие окружения на отдельные структурные единицы, а следовательно, и свойства этих единиц. Правда, неидентичность структурных единиц может проявиться в кристаллической фазе тоже в описанном выше случае a-Ag2Hgl4 структурные единицы AgU] и [HgU] из-за отсутствия ближнего порядка в подрешетке катионов имеют несколько типов окружения. [c.30]

    С1 ) окружена восемью противоположно заряженными частицами (8С1- или ВС8+), расположенными по вершине куба. Подрешетки ионов Сз+ и С1 — простые кубические, а волная решетка кубическая объемно-центрированная. [c.144]

    Твердые растворы вычитания. Образуются на основе соединений при недостатке одного из компонентов в соответствующей подрешетке (в узлах кристаллической решетки). Типичный пример твердого раствора вычитания представляет собой фаза оксида титана, состав которой характеризуется Tio,77i-i,oOi.o-bO,7. Реально она существует в форме твердого раствора вычитания по титану Tio,77-n,oO и в форме твердого раствора вычитания по кислороду TiUi,o D,7. В первом случае вакантна часть узлов в подрешетке титана, во втором — часть узлов в подрешетке кислорода. [c.222]

    Влияние природы газовой среды при спекании в ряде случаев можно предугадать, исходя из элементарных химических предпосылок. Большое влияние могут оказывать примеси, образующие с основным веществом разнородные твердые растворы. Они могут как ускорять рассматриваемые процессы, так и тормозить их. Сток вакансий при залечивании пор может происходить в зависимости от природы основного вещества через катионную или через анионную подрешетку. Увеличение концентрации вакансий в той подрещетке, через которую идет сток, может быть достигнуто введением соответствующей гетеротипной примеси. [c.221]

    Внедрение различных ионов, модифицирующих структуру минерала, приводит к образованию дополнительных дефектов, концентрация которых определяется главным образом количеством, химической природой примесных ионов и способом образования твердого раствора. Как установлено, концентрация дислокаций в этом случае достигает 4,Ы0 м . Наибольшее количество дислокаций определено в образцах, содержащих TiOa, МпгОз, SO3, РегОз, СоО, NiO, ВаО, НагО и их комбинации. Наиболее эффективными являются добавки Ti02 и SO3, которые непосредственно деформируют анионную подрешетку структуры, а также железосодержащие добавки, приводящие к образованию значительного количества мелких ямок травления. Концентрация свободных носителей заряда в образцах изменяется в более широком интервале (в 10" раз). К числу наиболее дефектных следует отнести в первую очередь кристаллы, содержащие ионы Na+, Mg +, Mn +, Ва +, Ti"+, d2+. Содержание наведенных парамагнитных центров, локализованных на кислородных, кальциевых и кремниевых вакансиях, изменяется в узком концентрационном интервале (в 10 раз) при высокой их концентрации. [c.239]


    Наиболее прочные алкильные металлорганические соединения (МОС) [1] образуют Ве и Mg. Они, так же как гидриды, имеют полимерную структуру в отличие от ионной структуры алкильных МОС ЩЗЭ (крайне неустойчивых), где анионная подрешетка занята алкильными карбоанионами. [c.45]

    Так, в оксиде цинка имеется относительный избыток ионов кислорода, в оксиде меди (I) — недостаток ионов металла. По К. Ха-уффе, в ионных кристаллах стехиометрического состава возможна разупорядоченность как катионная, так и анионная (т.е. дефекты в подрешетках обоих типов ионов) в кристаллах нестехиометрического состава с недостатком металла всегда наблюдается преобладание катионной разупорядоченности, а в кристаллах с недостатком неметалла более вероятно возникновение анионной разу-порядоченности. [c.278]

    Обратимся к дефектам по Френкелю. Картина, показанная на рис. 57, б, является схематической. В действительности дефекты по Френкелю в решетках простых веществ вообще не возникают, так как в подобных решетках междоузлия слишком малы, чтобы без разрушения решетки в целом туда могла перейти частица. Дефекты по Френкелю характерны для решеток сложных веществ, содержащих частицы, заметно различающиеся по размерам. Обычно речь идет об объемистых анионах и сравнительно небольших катионах, которые занимают определение междоузлия в анионной подрешетке. Так, например, в оксидах и смешанных оксидах металлов катионы располагаются в междоузлиях плотно упакованной подрешеткн анионов кислорода. Как известно, при плотной упаковке сферических частиц в решетке появляются два типа междоузлий — с тетраэдрическим и октаэдрическим окружением. Для катионов каждого типа характерно заполнение междоузлий только одного типа. Образование дефекта по Френкелю в данном случае связано с перемещением катиона в нехарактерное для него междоузлие. Примером подобных систем могут служить решетки 2пО, РеО, различных шпинелей (смешанных оксидов). [c.275]


Смотреть страницы где упоминается термин Подрешетка: [c.239]    [c.263]    [c.37]    [c.37]    [c.38]    [c.454]    [c.75]    [c.177]    [c.237]    [c.363]    [c.98]    [c.175]    [c.313]    [c.313]    [c.143]    [c.236]    [c.238]    [c.342]    [c.342]    [c.190]    [c.190]    [c.270]    [c.275]   
Химические приложения топологии и теории графов (1987) -- [ c.0 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Подрешетка булева

Подрешетка динамическая

Подрешетки магнитные

Чередующиеся подрешетки



© 2025 chem21.info Реклама на сайте