Поверхность ликвидуса

Необходимо иметь в виду, что полную диаграмму состояния трех компонентной системы соль—соль—вода, т. е. полную поверхность ликвидуса, в 2 очень многих случаях по- [c.432]

При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается [38] аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации молено выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 51, в). Образовавшиеся новые треугольники I, П и П1 рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой системы РЬ—Сс1—В1 внутри каждого треугольника был реализован неполно кубический симплекс-решетчатый план (табл. 68). [c.268]

На диаграмме область, располагающаяся выше поверхности ликвидуса, определяет гомогенный расплав веществ Л, В и С (f=3—1- -1=3). Кривые солидуса (Гл г, Е Тс, ТсЕ и другие) определяют двухфазное состояние системы, то есть, например, кристаллы вещества Л и расплав смеси веществ Л и С область [c.184]

В работе [15] определены диаграммы состояния системы жидкость — твердое вещество для антрацена — фенантрена — карбазола. На рис. 73 представлена проекция поверхности ликвидуса этой системы. Отмечено существование эвтектики и нескольких перитектик, включая перитектику Р ,2,з. кристаллизующуюся при 98—100°С и содержащую 13—15% антрацена, 75—73% фенантрена и 11—12% карбазола, а также перитектику кристаллизующуюся при [c.301]

Третий параметр — температура — откладывается по вертикалям. Для построения пространственной диаграммы состав — температура на треугольнике концентраций наносят точки составов и из этих точек восстанавливают перпендикуляры к плоскости треугольника, откладывая на них температуры ликвидуса, солидуса и других фазовых превращений. Концы перпендикуляров образуют поверхность ликвидуса. [c.71]

Возьмем расплав состава т. Точка его располагается в иоле кристаллизации компонента А между изотермами и /г- Это означает, что при охлаждении расплава поверхность ликвидуса будет достигнута при температуре, лежащей между и С этого момента начнется кристаллизация расплава с выделением компонента А. Другими словами, температура начала кристаллизации соответствует той изотерме, на которую проектируется точка заданного состава. [c.73]

На рис. 9.14 изображена диаграмма плавкости трех не вступающих в химическое соединение взаимно нерастворимых в твердом состоянии компонентов. В жидком состоянии эти компоненты неограниченно растворимы друг в друге. Диаграмма построена следующим образом. Б основании диаграммы лежит треугольник концентраций, а перпендикулярно его плоскости откладывают температуры начала и конца кристаллизации расплавленных смесей различного состава. В результате такого построения на диаграмме образуется сложная, состоящая из нескольких частей поверхность ликвидуса и проходящая через точку Е перпендикулярно оси температур плоскость солидуса (на рисунке не показана). Из рис. 9.14 видно, что на стороны треугольника концентраций опираются плоские диаграммы плавкости бинарных систем с простой эвтектикой. Движение фигуративной точки от сторон внутрь треугольника концентраций означает, что к бинарной системе добавляется третий компонент. Температура начала кристаллизации при этом понижается. Это аналогично понижению температуры начала кристаллизации при добавлении к одному из веществ бинарной системы второго компонента. [c.174]

Кривые кристаллизации бинарных систем делят поверхность насыщения поверхность ликвидуса) на поля кристаллизации А, В и С (соответственно аЕ ЕЕз, ЬЕ ЕЕ и сЕ ЕЕз), над которыми нахо- [c.318]

Всле,а,ствие неудобства пользования перспективными изображениями пространственных диаграмм, обычно пользуются проекцией этой диаграммы на плоскость концентрационного треугольника. Так, на рис. 13.12,6 представлена проекция поверхности ликвидуса — эвтектических линий (e E, егЕ, езЕ) и эвтектической точки Е на плоскости концентрационного треугольника. Для более полной характеристики поверхности ликвидуса изотермы, т. е. линии одинаковых температур начала кристаллизации, могут быть спроектированы на концентрационный треугольник. [c.276]

Диаграмма состояния тройной системы с тройной эвтектикой а — объемная диаграмма б — проекция поверхности ликвидуса системы с тройной эвтектикой на треугольник состава [c.277]

Диаграмма состояния тройной системы с непрерывными рядами твердых растворов а — объемная диаграмма б — изотермы поверхности ликвидуса тройной системы Рё—Аи—Ае [c.277]

Часто в трехкомпонентных системах образуются твердые растворы. Тогда на объемной диаграмме под поверхностью ликвидуса [c.144]

Сечения объемной диаграммы горизонтальными плоскостями представляют собой изотермические разрезы тройных систем. Например, сечение при Т (рис. .12) представляет треугольник (рис. У.13), где криволинейная область хуС ограничивает двухфазное равновесие— кристаллы С и тройной расплав. Для удобства объемную диаграмму можно представить в виде проекции на плоскость концентрационного треугольника (рис. У.14). Линии е Е, е Е и е . Е суть проекции кривых кристаллизации двойных эвтектик в[Е, в2Е и е ,Е (см. рис. У.12). Области А е Е е А, В е Е е В и С е Е е С — проекции трех поверхностей ликвидуса. Линии, образующиеся при изотермических сечениях поверхностей ликвидуса. [c.97]

Для построения изобарических диаграмм фазового равновесия тройных систем обычно применяют трехгранную призму, основанием которой служит треугольник составов. По высоте же призмы откладывают температуру. При этом используют кривые охлаждения расплавов различной концентрации. Найденные по этим кривым температуры начала и конца фазовых превращений откладывают на перпендикулярах, восстановленных в фигуративных точках рассматриваемых расплавов. Совокупность полученных точек в пространстве образует поверхности ликвидуса, солидуса и других фазовых превращений. [c.33]

Точки Ей Е2 и Ез определяют эвтектику для двухкомпонентной смеси затвердевших веществ (/=3—3+1 = 1). Точка Е определяет эвтектику из кристаллов трех веществ А, В и С, находящихся в равновесии с расплавом этих же веществ (/ = = 3—4+1=0). Изотермические сечения объемной диаграммы позволяют выделить свойства смеси веществ при данной температуре. Линии пересечения плоскости с поверхностями ликвидуса называют изолиниями, которые проектируют на треугольное основание диаграммы и получают плоскую диаграмму для трехкомпонентной смеси веществ типа состав — свойство. [c.185]

Рис. 73. Проекция поверхности ликвидуса системы аитрацеи — фенантрен — карбазол

На рис. 27 показана пространственная диаграмма простейшей трехкомпонентной системы с одной тройной эвтектикой. На сторонах АВ, ВС и ЛС построены двухкомпонентные диаграммы состояния со своими двойными эвтектиками Ей 2 и 3. При добавлении к каждой из двойных эвтектик третьего компонента температуры плавления смесей начнут снижаться, а от точек Е , Е2 и Е будут исходить линии плавкости смесей, направленные внутрь диаграммы и в сторону понижения температуры. Эти линии называются эвтектическими или пограничными. Точка пересечения их Е( является точкой тройной эвтектики. Если задан состав, точка которого лежит на боковой грани призмы, то при добавлении третьего компонента температура ликвидуса также понижается. Образуется поверхность ликвидуса, характеризующая плавкость тройных [c.71]

По линиям ликвидуса двойных систем, исходящих из одной вершины, кристаллизуется при охлаждении один и тот же компонент по линиям 1аЕх И / я-Ё г — компонент Л по линиям 1ьЕ и ь з — компонент В и т. д. Соответственно и по поверхности ликвидуса, примыкающей к вершине (а. кристаллизуется компонент А, а по поверхности, примыкающей к вершине 1а.,— компонент В. Пограничные линии Е Еи Е Еь и разделяют участки поверхностей ликвидуса, по которым кристаллизуется один компонент, и одновременно принадлежат двум соседним пересекающимся поверхностям. По этим линиям идет совместная кристаллизация двух компонентов, которые находятся в равновесии с жидкостью на пересекающихся поверхностях. [c.72]

Пользоваться такой пространственной диаграммой очень неудобно, поэтому для практических целей строят упрощенную проекционную диаграмму. Для этого на основание призмы проектируют все пограничные линии и инвариантные точки, находящиеся на поверхности ликвидуса, а также изотермы, получающиеся при пересечении поверхности ликвидуса изотермическими плоскостями, и наносят точки составов двойных и тройных соединений. Полученная таким образом проекционная диаграмма трехкомпонентной системы показана на рис. 28. [c.72]

Точки ь Ег и 3 соответствуют составам двойных эвтектик, а точка Е — составу тройной эвтектики. Направление падения температур на пограничных кривых показывают стрелками. Температуры плавления эвтектических и других инвариантных смесей системы, а также химических соединений указывают цифрами против определенных точек. Область АЕ1ЕЕ2 образуется при проектировании на основание призмы участка поверхности ликвидуса, по которой идет кристаллизация компонента А. Такая область носит [c.72]

На сторону АВ проектируются уже не две двойные эвтектики, а одна эвтектика и перитектика и. В системе образуется только одна тройная эвтектика Е. Точка О не является эвтектической, так как температуры по линии СЕ падают по направлению к Е (температурный максимум расположен в точке пересечения соединительной прямой АтВп—С и продолжения линии СЕ), и в точке С сходятся лишь две стрелки. Но поскольку в точке О находятся в равновесии с жидкостью три кристаллические фазы, поля кристаллизации которых примыкают к ней, т. е. фазы А, С и АтВп, то эта точка, так же как и Е, будет инвариантной. Она носит название точки двойного подъема (если в эту точку на поверхности ликвидуса поставить наблюдателя, то он увидит две поднимающиеся и одну опу скающуюся пограничные кривые). Как и эвтектика, точка двойно го подъема относится к так называемым тройным точкам системы, где в равновесии сосуществуют три твердые фазы. [c.78]

Так как на проекционной диаграмме тройной системы изображаются только те процессы, которые проявляются на поверхности ликвидуса, то на диаграмму состояния наносятся лишь изотермы полиморфных превращений, протекающих в присутствии жидкой фазы. Поэтому показанные на диаграмме (рис. 35) полиморфные превращения компонента Л относятся к надсолидусной области. [c.83]

На проекционной диаграмме изображается только линия пересечения куполом ликвации поверхности ликвидуса — линия сКЬ,— соответствующая изотерме. Она ограничивает ту область трехкомпонентных составов, которые расслаиваются в жидком состоянии, и называется бинодальной кривой. Составы сосуществующих жидких фаз определяются точками пересечения коннод с бинодальной кривой. Но в отличие от двухкомпонентных систем положение коннод в области ликвации трехкомпонентной системы устанавливает- [c.84]

На рис. 40 показана пространственная диаграмма системы, у которой компоненты А и С неограниченно растворимы друг в друге в твердом состоянии. На поверхности ликвидуса имеется единственная пограничная кривая ЕуЕд, которая проектируется на основание призмы (рис. 41). [c.88]

При температуре, отвечающей точке /, система представляет собой одну жидкую фазу. Если затем этот расплав охлаждается, то фигуративная точка, характеризующая суммарный состав системы, смещается по вертикали I—2. При температуре, отвечающей точке /, лежащей на поверхности ликвидуса, начинается выпадение кристаллов компонента А. При дальнейшем понижении температуры этот процесс продолжается до тех пор, пока состав остающейся жидкости не будет отвечать точке /С, лежащей на линии пересечения двух смежных участков поверхности ликвидуса. При этом начинают выпадать кристаллы двух компонентов А и В. При дальнейшем охлаждении состав жидкости меняется по линии КЕ. Точка Е является тройной эвтектикой. Как только состав жидкости будет отвечать точке Е, начнется выпадение кристаллов всех трех компонентов. При построении отдельных участков кривой охлаждения следует учесть правило фаз, которое для трехкомпонентной системы записыва- [c.174]

Г Квадрат состава является основанием призмы, представляющей политермическую диаграмму плавкости тройной взаимной системы солей. На перпендикулярах, восстановленных из точек квадрата, откладывают температуры плавления, множество которых является поверхностью ликвидуса системы. Такая пространственная диаграмма для системы КаС —MgS04 показана на рис. 5.47. Она аналогична поЛитермической диаграмме простой трехкомпонентной системы (рис. 5.18), но в основании ее находится не треугольник, а квадрат. Ортогональным проектированием фигуративных точек [c.170]

Полная взаимная растворимость компонентов в жидком состоянии и полная нерастворимость в твердом. На рис. 13.12, а изображена пространственная диаграмма состояний этого типа. На гранях призмы изображены соответствующие бинарные диаграммы. Эвтектические точки бинарных систем являются источниками эвтектических линий в пространственной диаграмме, опускающихся к тройной эвтектической, точке в средней части диаграммы. Выделению компонентов в тройной пространственной диаграмме отвечают поля поверхности ликвидуса (А е1Еез, В е Еег-С егЕе (см. рис. 13.12, а). [c.276]

Полная взаимная растворимость компонентов как в жидком, так и в твердом состоянии. Этот случай представлен на рис. 13.13, а. Он гораздо проще, чем предыдущий, так как в трехгранной призме мы имеем две поверхности — ликвидус и солидус, отвечающие началу и концу кристаллизации всякого тройного твердого раствора. На гранях изображены двойные диаграммы непрерывных твердых растворов, образованных компонентами. Линии ликвидус и солидус этих диаграмм являются границами пересечения поверхностей ликвидус и солидус с гранями призмы. На концентрационный треугольник могут быть спроектированы изотермы поверхности ликвидус или солидус, или линии одннако- [c.276]

Диаграммы состояния трехкомпонентных систем нельзя изобразить на плоскости, так как еще один параметр — температуру (при условии постоянства давления) — следует откладывать по осям, перпендикулярным плоскости концентрационного треугольника. Такая объемная диаграм.ма для простейшего случая неограниченной растворимости в жидком состоянии и полного отсутствия растворимости в твердом состоянии представлена на рис. У.12. Каждая из трех вертикальных плоскостей представляет диаграмму состояния бинарных смесей А—В, А—С и Б—С. Три криволинейные поверхности ликвидуса Ав1Ее2, Ве Ев , и Се Ее представляют геометрические места точек, где при определенных составах и температурах кристаллизуются чистые компоненты А, В и С. Пунктирные кривые в Е, егБ и е Е принадлежат одновременно двум поверхностям ликвидуса, т. е. отвечают одновременной кристаллизации двух компонентов. Так, кривая ехЕ показывает изменение состава тройного расплава в зависимости от температуры при кристаллизации А и В или, что то же самое, описывает понижение температуры плавления двойной эвтектики А—В нри прибавлении компонента С. Три кривые б1Е, е Е и пересекаются в точке равновесия Е между кристаллами А, В и С и расплавом, состав которого отвечает тройной эвтектике. Система при этом не имеет степеней свободы (С=3+1—4 = 0). [c.96]

Объемная диаграмма трехкомпонентной системы, в которой все три составляющие ее двойные системы характеризуются неограниченной растворимостью в твердом и жидком состоянии, представлена на рис. VII. 18. Она состоит всего из двух поверхностей. Верхняя поверхность — ликвидус— проходит по линиям ликвидус двойных систем и как бы накрывает их. Нижняя поверхность — солидус — также проходит ПО линиям солидус двойных систем и закрывает их снизу. По такой диграмме для сплава любого состава, например определяемого точкой а, можно найти температуры начала и окончания его кристаллизации (или плавления) по точкам пересечения вертикали с плоскостями ликвидус и солидус (см. рис. VI 1.18). [c.185]

Метод термографического исследования описан ранее [ ]. При исследовании тройной системы, как и при исследовании бинарных, содержащих СгС1з1 ], наблюдаются большие переохлаждения, в связи с чем поверхность ликвидуса выявлялась нами по кривым нагревания. Результаты исследования тройной системы и ее бинарных разрезов представлены в табл. 1 — 3 и на рис. 1—5. При построении рис. 1 использованы данные для двой ных систем, полученные в работах [ > [c.140]

В работе выполнено повторное исследование поверхности ликвидуса системы Na l—K I— r lg, показавшее возможность приложения положений термодинамической теории азеотропных систем в целях критического анализа данных для систем эвтектических. Суш ествующ,ие для исследованной системы данные дополнены и исправлены. [c.146]

Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используют для описания закономерностей в однофазных системах, для однофазных участков сложных систем или если изучаемое свойство определяется только одной фазой. Попытки использовать метод симплексных решеток для построения зависимостей свойств от состава целиком во всей многофазной системе часто оказываются неудачными. Точки симплекс-решетчатого плана могут не совпадать с критическими точками диаграммы, и аналитическое описание не улавливает участки скачкообразного изменения свойств. Например, попытки построения зависимости температуры начала кристаллизации целиком для всей системы эвтектического типа РЬ - d - Bi не привели к успеху, хотя были построены полиномы от второй до четвертой степени включительно (рис. 66, а и 6). При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации можно выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 66, в). Образовавшиеся новые треугольники I, II и III рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой [c.285]

В данном случае поверхность ликвидуса состоит из трех поверхностей АЕ ЕЕ2, соответствует первичному выделению Л ВЕ1ЕЕ2 — выделению В СЕ ЕЕ — выделению С. При взаимном пересечении этих поверхностей образуются три линии вторичных выделений Е Е, Е2Е и Е Е, из которых Е Е показывает изменение положения точек двойных эвтектик А- -В под влиянием компонента С Е Е — изменение точек двойных эвтектик -б+С под влиянием компонента Л Е Е — под влиянием компонента В. Эти три линии пересекаются в точке тройной эвтектики Е, самой низкой точки поверхности ликвидуса, соответствующей самому низкоплавкому расплаву данной системы. В точке Е поверхность ликвидуса системы касается поверхности солидуса, представляющей собой горизонтальную плоскость А"В С". [c.33]