Линия выделений вторичных

Переходим к нанесению промен уточных линий. Все сплавы от I до II дают после первичного выделения А вторичное (А С) линия вторичного выделения а Н идет от точки % до точки 1Г, лежащей на прямой а УН. У сплава II после первичного выделения А сразу следует третичная кристаллизация, так как точка II лежит на прямой АЕ. Сплавы от II до III имеют после первичной кристаллизации А вторичную (А + S), причем у самого сплава III первичная отсутствует. Это дает нам возможность провести на разрезе II Ei линию, отделяющую область первичного выделения А от области вторичного (А + S). Сплавы от III до IV после первичного выделения S имеют вторичное (S -f А), причем у самого сплава IV это вторичное выделение отсутствует поэтому проводим линию Е IV, отделяющую на разрезе область первичной кристаллизации S от области вторичной (S + А). Далее у сплавов от IV до VI после выделения В следует вторичное выделение (S -f- С). Напоминаем, что выделение одного S из сплавов V—VI происходит после первичного выделения В и инконгруэнтного процесса, в результате которого выделившийся компонент В нацело растворяется, и расплав оказывается в равновесии с одним S. В соответствии с определениями, приведенными выше, выделение S из сплавов V —VI следует называть первичным, хотя оно не является начальной стадией кристаллизации. Фигуративная точка, пройдя поле S, оказывается на линии вторичных выделений С -f S. Таким образом, на политермическом разрезе можно провести соответствующую линию IV VI. Эта линия оканчивается в точке VI и пересекается здесь с горизонтальной прямой VI B тройного перитектического процесса, так как у сплавов, точки которых лежат правее VI, имеет место нонвариантный перитектический процесс. [c.219]

Причины, вызывающие межкристаллическую коррозию основного металла в непосредственной близости от шва, еще не совсем ясны. Одной из них может быть негомогенность аустенита при нагревании до температур, близких к солидусу, с последующим выделением вторичных фаз по границам зерен. Коррозия такого вида распространяется по линии, отделяющей шов от основного металла, и называется ножевой. В этой зоне наиболее велика опасность коррозионного растрескивания, которое возникает вследствие одновременного действия коррозионной среды и внутренних напряжений, причем влияние обоих факторов одинаково. [c.101]

Эвтектические точки двойных систем А—В, В—С и А—С, входящих в состав тройной, можно назвать двойными эвтектическими точками, а отвечающие им сплавы — двойными эвтектическими сплавами. Под двойной эвтектикой следовало бы понимать двойную эвтектическую точку или двойной эвтектический сплав, однако часто этим термином обозначают смесь двух твердых фаз, выделяющихся при вторичной кристаллизации в тройной системе, так как эта смесь имеет некоторое сходство с двойным эвтектическим сплавом (об этом подробнее сказано ниже). Нельзя не признать, что такое употребление этого термина неправильно, так как смесь, кристаллизующаяся в тройной системе при вторичном выделении, отнюдь не является эвтектической, ибо кристаллизуется не нри постоянной температуре. Линии вторичных выделений называют нередко линиями вторичных эвтектик первое название более правильно. [c.185]

В системе железо — графит, характеризующей стабильное равновесие (пунктирные линии на рис. 1), вместо фазы цементит будет графит. Линия СО характеризует выделение первичного графита, линия 8 Е — предельную растворимость углерода в аустените и выделение вторичного графита. [c.142]

Рекомендации по автоматическому подбору режима работы прибора. Прибор ХТ-2М настраивают на автоматическую работу с продолжительностью цикла 6 мин (точнее 5 мин 57 сек). Цикл протекает следующим образом. Анализ начинается с того, что в командном аппарате контакт VII переключает золотники в положение разгонка , и емкость дозатора оказывается включенной в воздушную линию. Воздух-носитель вытесняет пробу анализируемого газа и наносит его на адсорбент в хроматографической колонке. После того как водород прошел колонку и зафиксирован чувствительным элементом в рабочей камере детектора, последовательным включением контактов I—IV командного аппарата изменяется напряжение на вторичной обмотке трансформатора, а следовательно, изменяется заданным образом тепловое поле колонки. После выделения последнего компонента нагрев выключается, включается вентилятор ВН (контакт V), золотники КЭП переключаются в положение отбор пробы . Таким образом, как указывалось ранее, режим анализа, определяющийся темпом и характером разогрева колонки и расходом воздуха через прибор, поддерживается автоматически. Однако оптимальный режим анализа не может быть выбран одинаковым для всех случаев практики для каждой аналитической задачи существует свой оптимальный режим. [c.159]

Для составов смесей, соответствующих данной линии, характерно постоянство отнощений компонентов Л и С. На участке линии ВС процесс кристаллизации начинается с выделения кристаллов компонента В. Линия k является началом вторичной кристаллизации компонентов 5 и С. На линии а п образуется тройная эвтектика. Линия ai соответствует первичной кристаллизации компонента С, а йгй — вторичной кристаллизации С и Л, а йс — вторичной кристаллизации В и С. [c.36]

Лампы ЛЮМ-1 для визуального определения флуориметры ФАС-1 или Анализ-1 , ЛЮМ-1 с первичными светофильтрами для выделения линии спектра, соответствующей длине волны 326 нм, и вторичными светофильтрами, выделяющими флуоресценцию бериллия кюветы с толщиной слоя 30 мм электроплитка весы технические [c.314]

Можно считать, что каждая из поверхностей, разграничивающих эти объемы, образована движением горизонтальной прямой таким образом, что один конец ее скользит по кривой вторичного выделения, а другой — по соответствующему ребру нашей призмы. Укажем еще, что каждая такая линейчатая поверхность ограничена следующими линиями частью ребра призмы, линией солидуса двойной системы, линией вторичного выделения и горизонтальной прямой, проходящей через точку тройной эвтектики и пересекающей ребро призмы. Легко получить на плоскости диаграммы состава проекцию этой горизонтальной прямой для этого достаточно соединить точку тройной эвтектики с соответствующей вершиной треугольника. На рис. XVI 1.4 показаны две такие проекции ЕА и ЕС. На этом рисунке имеется еще несколько не описанных пока построений о них будет сказано ниже. [c.190]

То же самое можно сказать о пространствах вторичных выделений. Далее, пространство, отвечаюш,ее жидкому состоянию, отличается иа две фазы от пространств, вторичных выделений, и они соприкасаются друг с другом лишь по линиям (кривые вторичных выделений) и точкам (эвтектики). Можно усмотреть одно исключение из этого правила, а именно пространствам вторичных выделений соответствует то же число фаз (три), что и пространству затвердевших фаз (т. е. пространству, лежаш,ему под плоскостью солидуса), однако они разделяются поверхностью — плоскостью солидуса. Таким образом, два трехфазных пространства соприкасаются но поверхности. Однако это противоречие мо5кет быть устранено путем некоторого обоб-ш,ения понятия о пространствах состояния. Для этой цели достаточно горизонтальную четырехфазную плоскость, разделяюш ую пространства, считать пространством с одним вырожденным, т. е. обраш,енным в нуль одним измерением. Как видно, правило о соприкасающихся полях, о котором говорилось в разделе VI.2, является частным случаем более общего правила. [c.201]

Если же в равновесии с расплавом находятся кристаллы двух. компонентов (состояние расплава представляется линиями вторичного выделения), то система трехфазна и условно одновариантна (Суол = 1). Вдоль этих линий можно независимо менять только концентрацию одного компонента или температуру. И, наконец, при равновесии расплава одновременно с кристаллами всех трех компонентов (тройная эвтектика) система состоит из четырех фаз (трех кристаллических и одной жидкой) и является условно безвариантной [c.350]

ЛВСО — начало затьсрдеванпн сплавов (линии ликвидус) ЛИЗЕСГ — конец затвердевания сплавов (линия солидус) <Сг5 — начало выделения феррита из аустенита 5— начало выделении цемснгмта (вторичного) Р8К — превращение аустенита в перлит PQ — выделение из феррита цементита (третичного) [c.6]

Наконец, все три поля, а также все три линии вторичных выделений пересекаются в одной точке , обладающей некоторыми замечательными свойствами во-первых, она является самой низкой точкой ликвидуса и поэтому отвечает самому низкоплавкому снлаву системы во-вторых, она изображает третичную кристаллизацию, так как лежит одновременно во всех трех нолях компонентов. Поэтому рассматриваемая точка, как отвечающая равновесию ншдкостн с тремя твердыми фазами, выражает некоторое условно-нонварнантное равновесие (см. раздел ХУ1.3). Отсюда следует, что во все время третичной кристаллизации до полного затвердевания температура системы и состав жидкой фазы должны оставаться постоянными, а твердые фазы должны выделяться количественно в тех же отношениях, в каких они присутствуют в жидкости. Таким образом, явления, происходящие при кристаллизации сплава, состав которого отвечает точке Е, аналогичны явлениям, происходящим при кристаллизации эвтектических сплавов двойных систем, вследствие чего точка Е носит название эвтектической, а соответствующие ей сплав и температура называются эвтектическими. Однако так как здесь мы имеем дело с эвтектикой тройной системы, то применяют термины тройная эвтектика, тройная эвтектическая точка, тройной эвтектический сплав эвтектическую точку и эвтектический сплав называют также одним словом — эвтектика. [c.185]

В данном случае поверхность ликвидуса состоит из трех поверхностей АЕ ЕЕ2, соответствует первичному выделению Л ВЕ1ЕЕ2 — выделению В СЕ ЕЕ — выделению С. При взаимном пересечении этих поверхностей образуются три линии вторичных выделений Е Е, Е2Е и Е Е, из которых Е Е показывает изменение положения точек двойных эвтектик А- -В под влиянием компонента С Е Е — изменение точек двойных эвтектик -б+С под влиянием компонента Л Е Е — под влиянием компонента В. Эти три линии пересекаются в точке тройной эвтектики Е, самой низкой точки поверхности ликвидуса, соответствующей самому низкоплавкому расплаву данной системы. В точке Е поверхность ликвидуса системы касается поверхности солидуса, представляющей собой горизонтальную плоскость А"В С". [c.33]

При охлаждении от точки С, до Оз состав твердой фазы изменяется по линии Л1Л3, а состав сопряженной жидкой фазы — по линии 61К до достижения кривой вторичного выделения Е Е (точка К). После этого из жидкой фазы совместно выделяются кристаллы компонентов Л и В, а ее состав изменяется по линии КЕ ди достижения тройной эвтектической точки. Кристаллизация такой эвтектической смеси протекает так же, как и кристаллизация двойной эвтектики. [c.34]

Фигуративные точки компонентов называются иногда полюсами соответствующих полей. Термин этот, однако, сравнительно малоупотребителен, и иногда ему придают несколько иной смысл (см. ниже). Легко видеть, что эти поля имеют самые высокие точки на ребрах призмы, т. е. в точках плавления компонентов, и идут, понижаясь к средним частям поверхности ликвидуса. В самом деле, рассмотрим детально, например, поле компонента А. Системы, при охлаждении которых этот компонент начинает выделяться первым, можно считать растворами двух других компонентов В и С в А. Чем богаче наш раствор компонентами В и С, тем при более низкой температуре должна начинаться кристаллизация А и, с другой стороны, тем дальше лежит его фигуративная точка от ребра призмы АА. Отсюда следует, что поверхность его первичного выделения имеет наивысшую точку на ребре А А — это точка плавления чистого А чем дальше точки поверхности находятся от этого ребра, тем они расположены ниже. Ясно, что то же самое можно сказать и о нолях соединений В и С. На рис. XVII.1 изображены эти три поля А е Е е — поле А В е Е е — поле В и Се Е е — поле С. Кроме того, поля должны пересекаться попарно. Линии этих пересечений отвечают вторичным выделениям. На рис. XVII.1 эти линии обозначены следующим образом Е — линия вторичного выделения А В е Е — А + С е Е — В + С. Линии вторичных выделений начинаются на гранях призмы в эвтектических точках двойных систем и, понижаясь, отходят от них внутрь призмы. [c.184]

Так как линии вторичных выделений являются пересечением отдельных частей поверхности ликвидуса и отделяют, таким образом, поля друг от друга, то их называют пограничными кривыми. Пограничная кривая называется срединной, если точки ее являются фигуративными точками жидкости, находящейся в равновесии с двумя такими твердыми фазами, которые обе вместе содержат все три компонента, что может быть в системах с кристаллизацией соединений или твердых растворов (см. раздел XVIII. 1, а также гл. XIX). Пограничная кривая называется боковой, если точки ее яв- [c.184]

Прежде всего составим себе представление о поверхностях, разделяющих все эти объемы. На рис. XVII.4 изображена часть призмы см. рис. XVII.3), прилегающая к боковой грани АСС е А. На ней А е. С — линия ликвидуса двойной системы А—С, прямая Ахв С — линия ее солидуса. Кривая е Е, выходящая из эвтектики е системы А—С и доходящая до тройной эвтектики Е, является линией вторичного выделения А -1- С наконец, треугольник АВС — нижнее основание призмы, т. е. диаграмма состава. [c.190]

Через любую точку линии вторичного выделения 62 Е проведем по две горизонтальные прямые так, чтобы одна из них пересекалась с ребром призмы АА, а другая — с ребром СС. На рис. XVII.4 видны четыре пары таких линий три из них выходят из точек 1,2,3 кривой вторичного выделения, а четвертая из конца ее, т. е. из тройной эвтектической точки. Эта четвертая пара — Е А" и Е С" — лежит в горизонтальной плоскости, проходящей через тройную эвтектическую точку, другими словами — в поверхности солидуса. Совокупность всех пар таких прямых дает пару линейчатых поверхностей Ахе< Е А" и Су е Е С". [c.190]

На рис. XVII.5 показано, как к ребру А А примыкают две линейчатые поверхности одна, только что описанная, получается скольжением прямой по ребру А А и кривой вторичного выделения А С и вторая, еще не упоминавшаяся, А е Е А", образуемая скольжением прямой по тому же ребру и кривой вторичных выделений А -1- В. Горизонтальная линия А- е — часть линии солидуса двойной системы А—С, линия А е — аналогичная часть солидуса системы А—В Е А — упоминавшаяся горизонтальная прямая, соединяющая тройную эвтектику с ребром АА. [c.190]

Покажем, как построить те же политермические сечения и но кривым охлаждения. Отметим на разрезе (см. рис. XVII.7,а) девять фигуративных точек, включая точки пересечения разреза со сторонами треугольника (/n/Z). Допустим, что среди них находятся также точки пересечения (разрез ас) с прямыми, соединяющими две вершины треугольника с точкой тройной эвтектики — точки III (/) и VII (g), и с линией вторичного выделения — точка V (е ). Кроме того, даны точки, лежащие между только что указанными (точки II, IV и VIII). На рис. XVII.7,б справа изображены кривые охлаждения для сплавов I—V (кривые охлаждения для сплавов VI—IX не показаны, так как они аналогичны соответствующим кривым для сплавов I—IV). Будем переносить температуру в этих кривых па сечение при помощи показанных на фигуре горизонтальных пунктирных прямых. [c.194]

Перейдем к той части нашего сечепия, которая лежит между кривой а е с и прямой а с . Возьмем сплав IH так как он лежит на прямой АЕ (см. рис. XVII.7,а), то у него после первичной кристаллизации следует третичная. Состояние, отвечающее третичной кристаллизации этого сплава, изображается точкой Аналогично для сплава VII получим точку g. Далее возьмем сплав II. У него при первичной кристаллизации происходит выделение А, а при вторичной — совместное выделение А и В. Отметим на вертикали II (см. рис. XVII.7,б) температуру начала этого вторичного выделения, соединим полученную точку непрерывной линией с точками и / и получим кривую a f, отделяющую на пашем сечении область первичной кристаллизации компонента А от области вторичной кристаллизации компонентов А и В. Аналогичным образом при помощи сплавов IV, VI и VIH построим кривые / е , g и g i, отделяющие области первичных и вторичных выделений. При построении таких разрезов следует при помощи правила фаз (см. раздел XVI.3) проверить наклон вычерченных линий, помня, что нонвариантное равновесие протекает при постоянной температуре и поэтому ему обязательно соответствует горизонтальная прямая. [c.195]

Наконец, у сплава, фигуративная точка которого лежит как раз над /, вторичное выделение отсутствует. Поэтому линии, отделяющие площадь первичной кристаллизации С от площади вторичной, на правой половине нашего разреза пойдут так ба / онускается оте к/, / )(поднимается от/ к1>1 это должно быть именно так, потому что здесь наш разрез пересекает две линейчатые поверхности. [c.197]

Экспериментально исследуются политермические сечения, отвечающие линиям аЪжс(1 на треугольной диаграмме (рис. XVII.12). Эти сечения отделяют на ней углы, соответствующие компонентам А и В. Метод основан на том, что составы, фигуративные точки которых лежат на некоторой части аЬ, примыкающей к точке а, имеют кривую вторичных выделений, общую с составами, отвечающими прямой ей в ее части, примыкающей к с. На чертеже располагают политермические сечения так, как на рис. XVII.13, чтобы точки я и с находились рядом и чтобы на обоих сечениях одинаковым [c.198]

Линии вторичных выделений и Е е , на рис. XVIII.1 сливаются в одну линию Е Еч с максимальной точкой 65. Если же химическому соединению S в системе А—В отвечает сингулярная точка, то эти линии в точке вд образуют друг с другом некоторый угол (подробно см. раздел XVIH.2). Стрелки на пограничных линиях и на сторонах треугольников указывают направление падения температуры. Обращаем внимание читателя на то, что треугольники AS С и BS , отвечающие вторичным системам, не равносторонние таким образом, при сложении двух диаграмм для получения первичной они подвергаются некоторой деформации, аналогично тому, что имеет место при сложении диаграмм двойных систем (см. раздел IV.6). Разделение треугольной диаграммы первичной системы на диаграммы вторичных тройных систем называется триангуляцией (Н. С. Курнаков). [c.204]

Скажем еще несколько слов по поводу точки — эвтектики двойной системы 8—С, общей для обеих вторичных тройных систем А—8—С и В—8—С. На рис. XVIII.2,а дано изображение этой точки в пространстве вместе с четырьмя сходящимися в ней линиями Се — ветвь ликвидуса системы 8—С, отвечающая кристаллизации С — ветвь ликвидуса той же системы, отвечающая кристаллизации 8 65 1 и е Е2, — две ветви кривой выделения С и 8. Составим себе представление о форме поверхности ликвидуса в окрестности точки е . По линии Се З поверхность поднимается в двух противоположных направлениях, а по линии Е Е , пересекающейся с линией Свс,3, поверхность опускается тоже в двух противоположных направлениях. Такие точки, представляющие собой пересечение двух лежащих на некоторой поверхности линий, причем на одной из этих линий эти точки являются самыми высокими, а на другой — самыми низкими, называются перевальными (седловинными) точками (по сходству их с перевальными или седловинными точками горных хребтов), или точками Ван Рейна. На плоской диаграмме эти точки изображают схематично так, как показано на рис. XVIII.2,6. [c.205]

Смотреть страницы где упоминается термин Линия выделений вторичных: [c.708] [c.101] [c.108] [c.32] [c.128] [c.255] [c.260] [c.357] [c.234] [c.152] [c.193] [c.108] [c.184] [c.185] [c.186] [c.194] [c.195] [c.196] [c.196] [c.197] [c.200] [c.201] [c.204] [c.220]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология