Поверхность эвтектики двойной

Перейдем теперь к изучению политермических разрезов, ограничиваясь двумя такими разрезами по линиям Ае и С1 (см. рис. XXI.3). Разрез по линии Ае , проходящий через фигуративную точку компонента А и эвтектику двойной системы В—С, изображен на рис. XXI.5, а. Пересечение поверхности ликвидуса состоит из следующих четырех частей A i — пересечение части ликвидуса, отвечающего выделению А из жидкого слоя Ж , i g — то же из двух жидких слоев Ж + Жа, g m — выделение С из двух жидких слоев Ж Н- Жа и m a — выделение С из жидкого слоя Жа. Пересечение поверхности солидуса, т. е. плоскости тройной эвтектики, — горизонтальная прямая линия А ое . Кроме того, на разрезе имеется целый ряд линий, разграничивающих области того или иного выделения. У сплавов отрезка Ai (см. рис. [c.275]

Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используют для описания закономерностей в однофазных системах, для однофазных участков сложных систем или если изучаемое свойство определяется только одной фазой. Попытки использовать метод симплексных решеток для построения зависимостей свойств от состава целиком во всей многофазной системе часто оказываются неудачными. Точки симплекс-решетчатого плана могут не совпадать с критическими точками диаграммы, и аналитическое описание не улавливает участки скачкообразного изменения свойств. Например, попытки построения зависимости температуры начала кристаллизации целиком для всей системы эвтектического типа РЬ - d - Bi не привели к успеху, хотя были построены полиномы от второй до четвертой степени включительно (рис. 66, а и 6). При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации можно выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 66, в). Образовавшиеся новые треугольники I, II и III рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой [c.285]

При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается [38] аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации молено выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 51, в). Образовавшиеся новые треугольники I, П и П1 рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой системы РЬ—Сс1—В1 внутри каждого треугольника был реализован неполно кубический симплекс-решетчатый план (табл. 68). [c.268]

Для примера на рис. 4 изображена проекция поверхности ликвидуса Т. с. А—В—С, компоненты к-рой А, В, С в жидком состоянии неограниченно растворимы друг в друге, а в твердом состоянии взаимно нерастворимы химич. соединеиия отсутствуют. Стороны АВ, АС и ВС соответствуют двойным системам А—В, А—С и В—С, точки Е , Вг, Е — эвтектики двойных систем (двойные эвтектики), а точка Е — эвтектика тройной системы (тройная эвтектика) кривые E E, ЕгЕ и ВдЕ — пограничные кривые, нередко неправильно наз. эвтектич. линиями АЕ,ЕЕ — поле кристаллизации компонента А, ВЕ ЕЕг— компонента В и СЕ ЕЕ — компонента С. Стрелками показано направление понижающейся темп-ры. Тонкими линиями проведены изотермы поверхности ликвидуса. [c.143]

Сечения объемной диаграммы горизонтальными плоскостями представляют собой изотермические разрезы тройных систем. Например, сечение при Т (рис. .12) представляет треугольник (рис. У.13), где криволинейная область хуС ограничивает двухфазное равновесие— кристаллы С и тройной расплав. Для удобства объемную диаграмму можно представить в виде проекции на плоскость концентрационного треугольника (рис. У.14). Линии е Е, е Е и е . Е суть проекции кривых кристаллизации двойных эвтектик в[Е, в2Е и е ,Е (см. рис. У.12). Области А е Е е А, В е Е е В и С е Е е С — проекции трех поверхностей ликвидуса. Линии, образующиеся при изотермических сечениях поверхностей ликвидуса. [c.97]

Рассматриваемая пространственная диаграмма может быть представлена в виде диаграммы на плоскости, если использовать ее проекцию на концентрационный треугольник Л В С (рис. VИ.17). Линии е Е, е. Е и е Е есть проекции линий кристаллизации двойных эвтектик е,Е, в2Е и е Е (рис. VII.15), а области А е[Е е. А, В е[Е е В и С —проекции поверхностей кристаллизации [c.184]

Па этом рисунке геометрическое место точек, выражающих равновесие расплавов с их соответствующими твердыми фазами, образует многочисленные кривые поверхности, которые при пересечении образуют долины и впадины. Долины представляют собой моновариантные состояния или двойные эвтектики, а впадины представляют нонвариантные состояния или тройные эвтектики. На рис. 5 представлены проекции этих долин на основании модели. Более крупными буквами обозначены составы различных твердых фаз, существующих в состоянии равновесия в нескольких [c.294]

Пересечение линий двойных эвтектик дает две точки тройных эвтектик Е и 2, через которые проходят плоские поверхности солидуса, параллельные основанию диаграммы. При этом в точке 1 наблюдается выделение тройной эвтектики Л + С +5, а в точке 2 — тройной эвтектики [c.41]

Можно считать, что каждая из поверхностей, разграничивающих эти объемы, образована движением горизонтальной прямой таким образом, что один конец ее скользит по кривой вторичного выделения, а другой — по соответствующему ребру нашей призмы. Укажем еще, что каждая такая линейчатая поверхность ограничена следующими линиями частью ребра призмы, линией солидуса двойной системы, линией вторичного выделения и горизонтальной прямой, проходящей через точку тройной эвтектики и пересекающей ребро призмы. Легко получить на плоскости диаграммы состава проекцию этой горизонтальной прямой для этого достаточно соединить точку тройной эвтектики с соответствующей вершиной треугольника. На рис. XVI 1.4 показаны две такие проекции ЕА и ЕС. На этом рисунке имеется еще несколько не описанных пока построений о них будет сказано ниже. [c.190]

XXI.1, б — внешний вид пространственной диаграммы (на ней некоторые линии не нанесены). Понятно, что эта диаграмма не может быть получена путем наложения политермической бинодальной поверхности на диаграмму состояния тройной системы с простой эвтектикой, но это наложение должно сопровождаться еш,е некоторым изменением поверхности ликвидуса. Таким образом, на рис. XXI. 1,а в поле компонента А попадает область расслаивания с пограничной кривой Ъкс. Сопряженные точки V и с (см. рис. XXI.1, б), как принадлежащие двойной системе А—В, лежат на одной высоте (см. раздел XII.1). Однако линия Ъ к с не может располагаться в горизонтальной, т. е. изотермической, плоскости. В самом деле, область диаграммы, ограниченная этой кривой, отвечает монотектическому трехфазному процессу (см. гл. XII), т. е. процессу, в котором участвуют две жидкие и одна твердая фазы [c.269]

Часто поверхности вторичной кристаллизации называют поверхностями двойных эвтектик, а линии третичной кристаллизации —. линиями тройных эвтектик, что вряд ли целесообразно (см. гл. ХУП). [c.319]

Положение такой поверхности зависит от температуры, и при понижении последней она отходит от фигуративной точки соответствующего компонента, увеличивая, таким образом, пространство неоднородного состояния. При достаточном понижении температуры такие поверхности начнут возникать и около фигуративных точек других компонентов, создавая пространства неоднородных состояний. Само собой разумеется, что эти поверхности пересекаются с гранями тетраэдра по изотермическим сечениям тройных систем, отвечающих соответствующим граням тетраэдра. При понижении температуры они двигаются в тетраэдре, удаляясь от его вершины внутрь его, т. е. навстречу друг другу. Наконец, пара их пересечется в точке, лежащей на ребре тетраэдра и являющейся эвтектикой соответствующей двойной системы. То же будет происходить и с остальными поверхностями все они рано или поздно пересекутся попарно друг с другом. При понижении температуры ниже эвтектической точки соответствующей двойной системы эти поверхности, пересекаясь по две, дают линии, которые образуют поверхности вторичной кристаллизации. Затем следует тройное пересечение в точках тройных эвтектик, и далее эти поверхности, пересекаясь по три, дают точки пересечения, которые образуют линии третичных кристаллизаций. В конце концов все эти поверхности (их всего четыре по числу компонентов системы) уменьшают свои площади до полного исчезновения в точке четверной эвтектики. Аналогичным образом ведут себя изотермы (изотермические линии) в тройных системах. [c.320]

Напомним еще об одном термине, с которым мы уже встречались,— это звезды . Звездой называется совокупность элементов, имеющих одну общую точку,— ее вершину. Например, три поля кристаллизации вместе с тремя пограничными кривыми, по которым они попарно пересекаются, и с принадлежащей им тройной эвтектической точкой как раз образуют звезду, причем вершиной ее будет указанная эвтектическая точка. Размерность равна размерности полей для двойной системы этой звезды. Можно мыслить себе звезды более высокой и более низкой размерности. Так, совокупность нескольких линий, пересекающихся в одной точке, образует одномерную звезду. Совокупность четырех объемов кристаллизации вместе с шестью разграничивающими их поверхностями вторичных выделений, четырьмя соответствующими линиями третичных выделений и четверной эвтектикой образует трехмерную звезду, причем эвтектика будет ее вершиной — нульмерная звезда — это просто точка. Звезда — комплекс незамкнутый, так как в нее не входят элементы, отделяющие объемы, плоскости и линии диаграммы от пространства, в котором они находятся. Принимаются во внимание только элементы, сходящиеся в вершине. Как и о фазовом комплексе, о звезде говорят, что она взаимна данному комплексу. [c.459]

Скажем еще несколько слов по поводу точки — эвтектики двойной системы 8—С, общей для обеих вторичных тройных систем А—8—С и В—8—С. На рис. XVIII.2,а дано изображение этой точки в пространстве вместе с четырьмя сходящимися в ней линиями Се — ветвь ликвидуса системы 8—С, отвечающая кристаллизации С — ветвь ликвидуса той же системы, отвечающая кристаллизации 8 65 1 и е Е2, — две ветви кривой выделения С и 8. Составим себе представление о форме поверхности ликвидуса в окрестности точки е . По линии Се З поверхность поднимается в двух противоположных направлениях, а по линии Е Е , пересекающейся с линией Свс,3, поверхность опускается тоже в двух противоположных направлениях. Такие точки, представляющие собой пересечение двух лежащих на некоторой поверхности линий, причем на одной из этих линий эти точки являются самыми высокими, а на другой — самыми низкими, называются перевальными (седловинными) точками (по сходству их с перевальными или седловинными точками горных хребтов), или точками Ван Рейна. На плоской диаграмме эти точки изображают схематично так, как показано на рис. XVIII.2,6. [c.205]

Рассмотрим теперь схему проекции тетраэдрической диаграммы AB D на грань АВС для системы с простой эвтектикой (рис. XXIII.И). Получаются проекции эвтектик двойных систем е , е , е , е , е , эвтектик тройных систем Еу, Е ,, Е , Е , четверной эвтектики Е, проекции линий вторичных выделений в тройных системах Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е вц, Ецву, Ефд, 465, и проекции поверхностей вторичных выделений в четверной системе EE- e-Ji , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , EE,eJi . [c.322]

Поверхность ликвидуса (рис. 152) представляет поле кристаллизации тройных твердых растворов, которое вблизи системы Т1С1 — ТЦ расщепляется на два поля ограниченных тройных твердых растворов. Кривая совместной кристаллизации двух родов ограниченных тройных твердых растворов начинается в эвтектике двойной системы Т1С1—Ти при 309° и обрывается внутри системы. [c.135]

На рис. 27 показана пространственная диаграмма простейшей трехкомпонентной системы с одной тройной эвтектикой. На сторонах АВ, ВС и ЛС построены двухкомпонентные диаграммы состояния со своими двойными эвтектиками Ей 2 и 3. При добавлении к каждой из двойных эвтектик третьего компонента температуры плавления смесей начнут снижаться, а от точек Е , Е2 и Е будут исходить линии плавкости смесей, направленные внутрь диаграммы и в сторону понижения температуры. Эти линии называются эвтектическими или пограничными. Точка пересечения их Е( является точкой тройной эвтектики. Если задан состав, точка которого лежит на боковой грани призмы, то при добавлении третьего компонента температура ликвидуса также понижается. Образуется поверхность ликвидуса, характеризующая плавкость тройных [c.71]

Точки ь Ег и 3 соответствуют составам двойных эвтектик, а точка Е — составу тройной эвтектики. Направление падения температур на пограничных кривых показывают стрелками. Температуры плавления эвтектических и других инвариантных смесей системы, а также химических соединений указывают цифрами против определенных точек. Область АЕ1ЕЕ2 образуется при проектировании на основание призмы участка поверхности ликвидуса, по которой идет кристаллизация компонента А. Такая область носит [c.72]

На сторону АВ проектируются уже не две двойные эвтектики, а одна эвтектика и перитектика и. В системе образуется только одна тройная эвтектика Е. Точка О не является эвтектической, так как температуры по линии СЕ падают по направлению к Е (температурный максимум расположен в точке пересечения соединительной прямой АтВп—С и продолжения линии СЕ), и в точке С сходятся лишь две стрелки. Но поскольку в точке О находятся в равновесии с жидкостью три кристаллические фазы, поля кристаллизации которых примыкают к ней, т. е. фазы А, С и АтВп, то эта точка, так же как и Е, будет инвариантной. Она носит название точки двойного подъема (если в эту точку на поверхности ликвидуса поставить наблюдателя, то он увидит две поднимающиеся и одну опу скающуюся пограничные кривые). Как и эвтектика, точка двойно го подъема относится к так называемым тройным точкам системы, где в равновесии сосуществуют три твердые фазы. [c.78]

Соли АХ, ВХ и СХ откладываются на левой боковой грани призмы, а соли АУ, ВУ и СУ — на правой боковой грани. Нижняя грань отвечает тройной взаимной системе с составляющими солями ВХ, СХ, ВУ, СУ и т. д. На девяти ребрах призмы видно девять двойных эвтектик. Восемь тройных эвтектик обозначены 1—бв, а три четверные эвтектики буквами Ех—Е . Объем призмы разделяется на шесть объемов, каждый из которых соответствует кристаллизации одной соли. На поверхностях раздела объемов раствор существует в равновесии с двумя, а на линиях, идущих внутрь призмы, с тремя твердыми солями. Так, на линии е Ех раствор находится в равновесии с кристаллами солей СХ, ВХ и СУ, а на линии вхЕу — в равновесии с кристаллами АХ, ВХ, СХ. В точке пересечения этих линий, т. е. в четверной эвтектике, совместно с раствором сосуществуют все эти соли. В этой точке, следовательно, система пятифазна кристаллы АХ, ВХ, СХ, СУ и раствор. [c.163]

Диаграммы состояния трехкомпонентных систем нельзя изобразить на плоскости, так как еще один параметр — температуру (при условии постоянства давления) — следует откладывать по осям, перпендикулярным плоскости концентрационного треугольника. Такая объемная диаграм.ма для простейшего случая неограниченной растворимости в жидком состоянии и полного отсутствия растворимости в твердом состоянии представлена на рис. У.12. Каждая из трех вертикальных плоскостей представляет диаграмму состояния бинарных смесей А—В, А—С и Б—С. Три криволинейные поверхности ликвидуса Ав1Ее2, Ве Ев , и Се Ее представляют геометрические места точек, где при определенных составах и температурах кристаллизуются чистые компоненты А, В и С. Пунктирные кривые в Е, егБ и е Е принадлежат одновременно двум поверхностям ликвидуса, т. е. отвечают одновременной кристаллизации двух компонентов. Так, кривая ехЕ показывает изменение состава тройного расплава в зависимости от температуры при кристаллизации А и В или, что то же самое, описывает понижение температуры плавления двойной эвтектики А—В нри прибавлении компонента С. Три кривые б1Е, е Е и пересекаются в точке равновесия Е между кристаллами А, В и С и расплавом, состав которого отвечает тройной эвтектике. Система при этом не имеет степеней свободы (С=3+1—4 = 0). [c.96]

При изучении металлов и сплавов очень часто пользуются наблюдением их образцов под микроскопом. Для таких исследований, составляющих предмет металлографии, поверхность образца предварительно подвергают соответствующей обработке шлифовке, полировке, протравливанию кислотами и т. д. Наблюдаемые под микроскопом картины, вообще говоря, весьма различны (рис. XI-10). Для индивидуальных металлов характерна поверхность шлифа, состоянхая из собрания кристаллитов , т. е. сравнительно круп-и ы X неправильно разросшихся кристаллов. Существование между ними видимых на шлифе границ обусловленно разной ориентировкой самих кристаллитов и выделением при кристаллизации металла части имеющихся в ней примесей. Совершенно другой характер имеет поверхность шлифа в случае эвтектики она состоит из смеси чрезвычайно мелких кристалликов обоих компонентов. При затвердевании двойных сплавов промежуточного состава на шлифе видны одновременно и эвтектика и кристаллиты одного из компонентов, что соответствует, в частности, областям IV и V рис. XI-9. [c.360]

В данном случае поверхность ликвидуса состоит из трех поверхностей АЕ ЕЕ2, соответствует первичному выделению Л ВЕ1ЕЕ2 — выделению В СЕ ЕЕ — выделению С. При взаимном пересечении этих поверхностей образуются три линии вторичных выделений Е Е, Е2Е и Е Е, из которых Е Е показывает изменение положения точек двойных эвтектик А- -В под влиянием компонента С Е Е — изменение точек двойных эвтектик -б+С под влиянием компонента Л Е Е — под влиянием компонента В. Эти три линии пересекаются в точке тройной эвтектики Е, самой низкой точки поверхности ликвидуса, соответствующей самому низкоплавкому расплаву данной системы. В точке Е поверхность ликвидуса системы касается поверхности солидуса, представляющей собой горизонтальную плоскость А"В С". [c.33]

Прежде всего составим себе представление о поверхностях, разделяющих все эти объемы. На рис. XVII.4 изображена часть призмы см. рис. XVII.3), прилегающая к боковой грани АСС е А. На ней А е. С — линия ликвидуса двойной системы А—С, прямая Ахв С — линия ее солидуса. Кривая е Е, выходящая из эвтектики е системы А—С и доходящая до тройной эвтектики Е, является линией вторичного выделения А -1- С наконец, треугольник АВС — нижнее основание призмы, т. е. диаграмма состава. [c.190]

На рис. XVII.5 показано, как к ребру А А примыкают две линейчатые поверхности одна, только что описанная, получается скольжением прямой по ребру А А и кривой вторичного выделения А С и вторая, еще не упоминавшаяся, А е Е А", образуемая скольжением прямой по тому же ребру и кривой вторичных выделений А -1- В. Горизонтальная линия А- е — часть линии солидуса двойной системы А—С, линия А е — аналогичная часть солидуса системы А—В Е А — упоминавшаяся горизонтальная прямая, соединяющая тройную эвтектику с ребром АА. [c.190]

Пусть дана система А—В—С, причем компонент А имеет две модификации А , устойчивую при более высокой температуре, и А , устойчивзго при более низкой точку превращения обозначим Рассмотрим диаграммы, отвечающие различному положению этой точки по отношению к эвтектическим температурам двойных систем А—В и А—С. На рис. ХУП. 14,а изображена диаграмма системы для того случая, когда выше обеих эвтектических температур. Кривая превращения простирается от одной стороны треугольника АС до другой АВ, и поверхность выделения компонента А распадается на два поля Ар р , — поле модификации А1 и р р е Еед — поле модификации Ад. Если точка превращения ниже эвтектической температуры одной из двойных систем, например системы А—С, то кривая превращения пересечет пограничную кривую и получим диаграмму, изображенную на рис. ХУП. 14,6. Пограничная кривая р Р является изотермой, точка Р переходная, условно-нонвариантная. Если температура превращения ниже температур эвтектик двух двойных систем А—В и А—С, то кривая превращения пересекает обе пограничные кривые Ее и Ее , и мы получим диаграмму, изображенную на рис. ХУП.15. Пограничная кривая Р Р , являющаяся кривой превращения,— изотерма. [c.203]

Сравнивая эту диаграмму с диаграммой аналогичной системы, но с образованием конгруэнтно плавящегося тройного соединения (см. рис. XVIII.8), замечаем, что число элементов каждого рода в них одинаково полей — по четыре, пограничных кривых — по шесть, тройных нонвариантных точек — по три, эвтектик краевых двойных систем — по три. Но расположены эти элементы на обеих диаграммах по-разному, что существенным образом изменяет характер диаграммы в целом. Процессы, происходящие при затвердевании любой жидкой фазы этой системы, понятны и дальше на пой останавливаться не будем. Укажем только, что более детальное изучение этой диаграммы (см. рис. XVIII.25) приводит к заключению, что на ней соединению S отвечает скрытый максимум поверхности его выделения, лежащий на продолжении в неустойчивую область, т. е. на продолжении ноля Е Е Р под нолем АвуЕуРе компонента А. [c.229]

В Ь , С с х, С сч- а , Й2 — предельные концентрации твердых растворов на основе А в двойных системах А—В, А—С — то же на основе В в системах А—В и В—С Су, Сз — то же на основе С в системах В—С и А—С. Точки обсуждаемых трех частей поверхности солидуса дают предельные составы твердых растворов а, , у при разных температурах. На рис. XIX.28, а эти части изобрансены как A a-ya xa , В Ъ х хЪ , С с у ус2 (%, i, 7 — концентрации а-, -, у-твердых растворов в тройной эвтектике). [c.252]

Точки Г и // соединяются линией/ //, которая является частью сечения поверхности солидуса, соответствующей сплавам, затвердевающим в смесь а и Р (сплавы отрезка /—//). Сплавы отрезка FO затвердевают в смесь а р поэтому часть сечепия поверхяости солидуса F D" соединяет точки F и Д", причем высота точки Л" определяется температурой кристаллизации эвтектики в двойном системе В—С. У сплавов отрезка I—III за первичным выделением сс следует вторичное вьщеление а + Р поэтому точки Г и ПГ следует соединить. пинией ГПГ. Область первичного выделения Ж + р отделяется на разрезе от областей вторичных Ж + а + р и Ж + р + 7 кривыми/// /У и Z) 7F эти вторичные выделения происходят у сплавов отрезков I IV lilV D", поэтому следует соедипить точку/ с точкой IF линией III IV и точку IV с D"—линией IVD". Линия, отделяющая на сечении область Ж -f Р (зт области Ж + 6 + у, должна оканчиваться в точке D", так как в двойной системе B-j- это вторичное выделение является эвтектической кристаллизацией и происходит при постоянной температуре. Построение завершается разделением области затвердевших сплавов. [c.256]

Разрез FD, параллельный стороне АВ треугольника АВС, изображен на рис. XIX.32, е. Пересечение поверхности ликвидуса состоит из частей F lII и D lir, соответствующих первая — выделению а, вторая — выделенивз р. Пересечение поверхности солидуса состоит из трех частей часть I V расположена между точками / и F нашего разреза и представляет собой прямолинейный горизонтальный отрезок, так как сплавы этой части разреза заканчивают свое застывание кристаллизацией тройной эвтектики. Сплавы частей разреза FI и VD закапчивают затвердевание вторичной кристаллизацией, поэтому соответствующие части сечения поверхности солидуса — линии F"I и D"V заканчиваются в точках F" и D", высоты которых определяются температурами кристаллизации эвтектик в двойных системах А—С и В—С. У сплавов отрезка FII после первичного выделения а следует вторичное выделение а и у. Поэтому на разрезе должна быть линия Р"1Г, раз-деляюп],ая эти области. Точка F" лежит на эвтектической прямой двойной си стемы —С точка II — па прямой I V, так как она находится на прямой Q ZI (см, рис. XIX.32, а), а у отвечающего ей сплава пос.пе первичной кристаллизации наступает непосредственно третичная. По совершенно аналогичным соображениям соединяем точки IV и D" кривой IVD". Сплавы части разреза II IV после первичного выделения а или р претерпевают вторичное (а -)- Р) но сплав III не имеет первичного выделения, а дает сразу вторичное. Поэтому следует соединить точку ПГ с точками II и IV линиями П НГ и IV Iir, которые и отделяют области первичных выде,пений ос или Р от области вторичного выделения а + р. [c.256]

Рассмотрим кратко, какое усложнение вносит в описанную диаграмму четверной системы образование одной парой компонентов (например, А и В) двойного соединения (например, АВ). При этом будем иметь уже не четыре, а пять пространств первичного выделения прибавится пространство первичного выделения химического соединения АВ. Равным образом окажется девять поверхностей вторичного выделения, семь кривых третичного выделения и две нонвариантные точки. Если химическое соединение плавится конгруэнтпо, то можно тетраэдрическую диаграмму (рис. XXIII.13) разделить плоскостью, проходящей через фигуративную точку соединения S и через ребро, соединяющее вершины, отвечающие компонентам, не участвующим в образовании соединения (в пашем случае это будет ребро D), на два тетраэдра, отвечающие двум четверным системам с простыми эвтектиками. Эти тетраэдры, конечно, уже не будут правильными, подобно тому, как при триангуляции тройной системы получаются неравносторонние треугольники. Операция разделения тетраэдрической диаграммы первичной четверной системы на диаграммы вторичных четверных систем носит название тетраэдрации она аналогична триангуляции тройных систем. [c.322]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология