Охлаждение кристаллов, скорость

Увеличение скорости охлаждения раствора позволяет упростить конструкцию охлаждающей аппаратуры, однако при чрезмерно быстром охлаждении образуются мелкие кристаллы парафина и церезина, плохо поддающиеся фильтрованию. Обычно охлаждение раствора ведут в две стадии — сначала быстро охлаждают до температуры, на несколько градусов превышающей температуру кристаллизации выделяемых углеводородов, а затем проводят окончательное охлаждение со скоростью не более 60—80 °С в час, что создает благоприятные условия для роста твердых кристаллов. Процесс депарафинизации всегда завершается фильтрованием или центрифугированием раствора (с целью отделения образовавшихся кристаллов), отгонкой растворителя от масла и регенерацией растворителя. [c.129]

При быстром и интенсивном охлаждении ПГС скорость образования центров кристаллизации намного выше, чем скорость роста кристаллов, поэтому в этом случае образуется большое количество мелких кристаллов. При принятых линейных скоростях они могут уноситься газами, не успев осесть. При медленном же охлаждении скорость роста кристаллов будет опережать рост центров кристаллообразования. Эффективность улавливания дисперсной фазы будет намного выше. [c.9]

При малой кратности растворителя к сырью, при малой концентрации углеводородов и ш зкой скорости охлаждения кристаллы парафина имеют небольшие размеры. При большой кратности разбавителя снижается концентрация твердых углеводородов в растворе. [c.11]

Вязкость парафинистых мазутов, определяемая при низких температурах, зависит от той термической обработки, которой мазут был ранее подвергнут. Минимальную вязкость имеет мазут, предварительно нагретый до 100° С и охлажденный со скоростью, приводящей к получению наиболее крупных кристаллов парафина. [c.45]

Раствор подают в корыто вблизи его верхнего конца медленно протекая по корыту, он охлаждается вследствие потери тепла в окружаюш ую среду и частичного испарения. При медленном движении и охлаждении раствора скорость образования зародышей снижается. Кристаллы растут медленно, получаются крупными, размером от 3—-5 до 10—25 мм.. Механическое истирание кристаллов при перемешивании, почти устранено [c.639]

На стадии роста частиц кристаллической фазы происходит увеличение размеров первичных зародышей. Каждый зародыш может инициировать образование кристалла. Скорость роста кристаллов и образуемых ими более сложных надмолекулярных структур (Шк), как и скорость зарождения, сильно зависит от степени пере охлаждения. Температурная зависимость ы>к также имеет макси мум, лежащий между Т л и Тс (рис. VI. 21, кривая 2). [c.189]

Охлаждение кристаллизующихся П.м. сопровождается образованием кристаллов, скорость роста, размеры и структура к-рых зависят от интенсивности охлаждения материала. Регулируя степень кристалличности и морфологию кристаллов, можно направленно изменять эксплуатац. характеристики изделия. [c.6]

Заключительным этапом приготовления мыльных и углеводородных смазок является стадия охлаждения и кристаллизации. Скорость охлаждения раствора загустителя в жидкой основе в значительной степени определяет структуру и свойства смазок. Размеры и форма волокон загустителя зависят от максимальной температуры, с которой начинается охлаждение, и скорости его осуществления - быстрое, медленное или изотермическая кристаллизация. Медленное охлаждение приводит к образованию крупных кристаллов, быстрое - способствует формированию мелких волокон мыльного загустителя. Изотермическая кристаллизация (постоянная высокая температура 100-150°С) приводит к образованию однородных по форме и размерам волокон, что способствует получению смазки с наиболее упорядоченной и стабильной структурой. [c.46]

Настоящее исследование ставило своей целью экспериментальное изучение основных закономерностей процесса кристаллизации в циркулирующей суспензии влияния интенсивности охлаждения раствора, скорости его движения и содержания кристаллов на гранулометрический состав получаемого продукта. Одновременно решено было изучить влияние указанных факторов на образование инкрустаций в аппарате. [c.215]

По достижении заданной температуры частично закристаллизовавшаяся смесь выдерживается некоторое время для дости->кения равномерного распределения температуры во всем объеме охлаждаемой смеси. Для получения крупных кристаллов скорость охлаждения смеси должна быть 1—3 °С/ч, поэтому кристаллизация обычно продолжается несколько часов. [c.161]

Некоторые качественные закономерности выявляются из рассмотрения физической природы процесса кристаллизации и анализа имеющихся опытных данных. Так, увеличение интенсивности перемешивания при кристаллизации повышает ее скорость за счет возрастания коэффициента массоотдачи и способствует равномерному росту кристаллов, но они получаются более мелкими. К увеличению скорости процесса приводит повышение температуры, поскольку уменьшается вязкость жидкой фазы, С увеличением движущей силы процесса (степени пересыщения х — %) за счет более быстрого выпаривания растворителя или более быстрого охлаждения суспензии скорость кристаллизации повышается в связи с быстрым возрастанием числа зародышей, но частицы твердой фазы получаются более мелкими. Кроме того, при быстрой кристаллизации ухудшается однородность кристаллов — в них может защемляться маточный раствор. [c.483]

В аппаратах с псевдоожиженным слоем кристаллов (рис. 8.15) и охлаждением раствора предусмотрено регулирование размеров выгружаемых кристаллов путем изменения скорости циркуляционного движения раствора. Крупные кристаллы, скорость осаждения (см. гл. 2) которых превышает скорость восходящего движения раствора в аппарате, осаждаются в нижнюю часть рабочего объема и выгружаются в качестве готового продукта. Мелкие кристаллы выносятся в циркуляционный контур и получают возможность [c.504]

Аналогичные процессы образования вакантных узлов решетки и при том в еще более значительных концентрациях происходят также под действием термической обработки. Интересно в связи с этим отметить наблюдающийся параллелизм между явлениями лю минесценции и ионной проводимости в термически обработанных кристаллах. Как и в случае люминесценции, ионная проводимость резко возрастает после прогревания кристалла каменной соли при высоких температурах [206, 207] и зависит от скорости охлаждения кристалла после прогрева, увеличиваясь при увеличении скорости охлаждения [208]. [c.111]

С момента появления первых кристаллов скорость охлаждения уменьшается вследствие выделения теплоты кристаллизации. С образованием кристаллов одного компонента концентрация другого компонента в растворе увеличивается температура кристаллизации понижается. Падение температуры будет происходить до тех пор, пока не начнут выпадать кристаллы обоих компонентов одновременно. Смесь кристаллов компонентов, выпадающих при одной постоянной те.мперату- [c.139]

Скорость кристаллизации зависит от ряда факторов степени пересыщения раствора , интенсивности перемешивания, наличия примесей и других причин. Кристаллизация начинается с возникновения зародышей, или центров кристаллизации, вокруг которых происходит рост кристаллов. Скорость образования зародышей зависит от температуры, механических воздействий (перемешивание, встряхивание), степени шероховатости стенок и др. Скорость кристаллизации не является постоянной величиной вначале она увеличивается, а затем падает. С повышением температуры скорость роста кристаллов увеличивается, поскольку при этом ускоряется диффузия, облегчается подход из раствора новых молекул вещества, из которых складывается структура кристалла. На свойства получаемых кристаллов влияют условия, при которых происходит процесс кристаллизации (скорость охлаждения, перемешивание и др.). [c.147]

Потеря подвижности может быть вызвана либо повышением вязкости нефтепродукта, либо образованием множества кристаллов парафина и церезина и загустеванием всей системы. В парафинистых тяжелых нефтепродуктах по мере понижения температуры кристаллы образуют сетку — кристаллический каркас. Не застывшая часть нефтепродукта находится внутри сетки и таким образом делается неподвижной. Форма выделяющихся кристаллов зависит от химического состава углеводородной среды, скорость их роста — от вязкости среды, содержания и растворимости парафиновых углеводородов при данной температуре и скорости охлаждения системы. Скорость роста кристаллов прямо пропорциональна концентрации [c.82]

Неравновесные собственные дефекты. На основании имеющихся данных можно считать, что концентрации собственных дефектов при высокой температуре близки к равновесным, особенно в порошкообразных люминофорах (см. гл. X). Однако в процессе охлаждения кристаллов диффузия дефектов быстро замедляется, и в охлажденном образце концентрация их всегда значительно выше той, которая отвечает комнатной температуре. Отсюда ясно, что она зависит от скорости охлаждения, изменяя которую можно проследить за влиянием собственных дефектов на люминесценцию и другие структурно-чувствительные свойства кристаллов. При этом, конечно, нужно учитывать и те связанные с примесями и интеркристаллическими реакциями явления, которые будут рассмотрены в последующих главах. [c.95]

Центрифуги используют в процессах депарафинизации, когда применение фильтрования затруднено или невозможно вследствие недостаточных размеров кристаллов, низкой скорости фильтрования и быстрого засорения фильтрующей ткани мелкими кристаллами (депарафинизация с использованием в качестве растворителей нафты и смеси дихлорэтана с бензолом). Эти процессы применяют при обработке остаточного сырья, в результате при охлаждении образуются мелкие кристаллы, скорость отделения твердой фазы от жидкой невелика, а в нетролатуме содержится много масла. Депарафинизация в этих.растворителях относится к устаревшим процессам, поэтому центрифуги на современных установках не используют. [c.166]

В сплавах системы РеВ ио мере увеличения скорости охлаждения происходит переход от кооперативного роста к гомогенному зарождению и раздельному росту фаз, образующих эвтектику [13]. При охлаждении со скоростью более 10 °С/с эвтектика состоит из кристаллов а-Ре и моноборида РеВ, который заменяет в структуре равновесную фазу РегВ. Наблюдаемое изменение в строении эвтектики связывают с особенностями ближнего порядка в жидком расплаве. [c.67]

Быстрое охлаждение, перемещивание р-ра, высокая т-ра и небольпия мол. масса растворенного в-ва способствуют образованию зародышей и получ. мелких кристаллов. При возрастании скорости охлаждения расплава скорость ооразования зародьпней вначале растет, а затем падает поэтому при очень быстром охлаждении расплавов можно избежать зародышеобразовання и получить в-во в стеклообразном состоянии. Выращивание крупных монокристаллов производят из метастабильных р-ров и расплавов, ввода в них затравочные кристаллы и предотвращая самопроизвольную массовую К. (см. Монокристаллов выращивание). [c.286]

Успех эксиерименга зависит от возможности получения атомио-чистой поверхности алмаза. Дифракционная характеристика решетки типа алмаза была получена после сравнительно мягкой термической обработки [18] (прокаливание при 300°), хотя предварительные опыты с германием и кремнием показали, что такая обработка не обеспечивает подходящих условий для получения чистой поверхности. Дальнейшая очистка с помощью термической дегазации или ионной бомбардировки и прогрева не имела успеха. Было найдено, что после нагревания кристалла в вакууме при температуре выше 450° на его поверхности происходит фазовый переход от алмаза к аморфному углероду, что вызывает ослабление дифракционного рассеяния. Аморфный углерод можно удалить путем окисления или нагревания в атмосфере водорода при соответствующих давлении и температуре. Предполагают, что о таких условиях углерод в виде углеводорода удаляется с той же скоростью, с какой он образуется. После охлаждения кристалла в атмосфере водорода поверхность, как полагают, становится чистой, поскольку интенсивносль дифракционных потоков целочисленных порядков увеличивается в 20 раз, и появляются очень слабые потоки половинных порядков по тем же осям, что и в случае плоскостей (100) и (111) германия и кремния. Эти результаты показывают, что на алмазе также происходит смещение поверхностных атомоп, ио на меньшую величину, чем на германии и кремнии. [c.328]

В зоне выпадения кристаллов скорость абсорбции СО2 и интенсивность охлаждения раствора должны регулироваться с расчетом поддержания на определенном уровне пересыщения раствора углекислотой скорость карбонизации должна, стало быть, соответствовать допустимой скорости кристаллизации НаНСОз при заданной температуре и при уже имеющемся в растворе наличии взвешенных кристаллов НаНСОз. В конечной стадии процесса скорость абсорбции СО2 уже не оказывает влияния на качество кристаллов НаНСОз . [c.268]

На размеры некоторых кристаллов отечественных церезинов задгетно влияет скорость охлаждения медленное охлаждение приводит к образованию крупных кристаллов, а охлаждение со скоростью десятков градусов в минуту (застывание расплава на твердо углекислоте) приводит к мелкокристаллической структуре. [c.111]

Хотя смазки на оксистеарате лития химически сравнительно просты [102], важное промышленное значение и универсальность побудили провести обширные исследования методов их производства. Разработаны условия их производства при низкой, средней и высокой температурах. Ниже 166 °С (максимальная температура при паровом обогреве и минимальная — для первого фазового превращения) хорошее влияние оказывают введение эстолида и медленное добавление масляной основы [80] в сочетании с медленной подачей пара под повышенным давлением во время омыления [34] или эффективной гомогенизацией [339]. В случае производства этих смазок при 166 — 196 °С, когда кристаллы мыла менее прочны и, не растворяясь, диспергируются с образованием гелеобразной структуры, благоприятное влияние оказывает быстрое охлаждение с 193 до 166— 182 °С, после чего следует проводить гомогенизацию в условиях высоких напряжений сдвига [155] или ноддерживать высокое соотношение масло мыло в концентрате во время омыления [125]. Приготовлению смазки при высокой температуре благоприятствует охлаждение со скоростью более 2 °С в минуту от температуры плавления примерно до 150 X [18, 232] или рециркуляция части консистентной смазки при охлаждении холодным маслом [ПО]. Замена 12-оксистеариновой кислоты (вырабатываемой из импортируемого в США касторового масла) жирными кислотами местного производства, например, получаемыми из олеиновой кислоты (окисление до диоксистеариновой кислоты [83], этоксилирование и гидрирование [54] или только этоксилирование [78]) неизбежно сопровождается снижением выхода смазки или температуры ее плавления или ухудшением других свойств. [c.137]

Возрастая во всех случаях термической обработки, интенсивность и световая сумма свечения при прочих равных условиях зависят от скорости, с которой производится охлаждение кристалла после его прогрева при высокой температуре. На рис. 43 представлены кривые термического высвечивания в видимой области во втором интервале температур для двух образцов Na l, прогретых в одинаковых условиях и охлажденных с небольшой, но различной для обоих образцов скоростью 6° в минуту (кривая 1) и 11° в минуту (кривая 2). [c.105]

В таблице 13 приведены данные для одной серии кристаллов каменной соли, которые были прогреты в течение 5 часов при 725после чего охлаждались с раз.личной скоростью, начиная от 0,25° до 206° в минуту. Из таблицы видно, что чем больше скорость охлаждения кристалла, тем больше световая сумма термовысвечивания. [c.106]

Влияние скорости охлаждения кристалла каменной соли после термической обработки при 725Х на световую сумму термовысвечивания в ультрафиолетовой области. [c.108]

Такие представления об Л -иентрах и о связанных с ними неглубоких электронных уровнях согласуются с данными о влиянии термической обработки и скорости охлаждения на интенсивность свечения в первом интервале температур ( 14). Как было отмечено, третий пик ультрафиолетового свечения становится наиболее интенсивным после термической обработки кристаллов каменной соли, тогда как относительная интенсивность двух предшествующих пиков, и особенно первого из них, при этом убывает. С увеличением скорости охлаждения кристалла падение относительной интенсивности свечения в указанных пиках возрастает. Подобное явление несомненно вызвано тем, что при высоких температурах вблизи точки плавления относительная равновесная концентрация сложных центров захвата типа Л-центров мала, так как они распадаются на изолированные или парные анионные и катионные вакансии. При охлаждении кристалла из последних вследствие коагуляции опять образуются более сложные агрегаты. Однако, если охлаждение происходит быстро, то анионные и катионные вакансии не успевают коагулировать, в кристалле замораживаются неравновесно большие концентрации мелких микродефектов, а относительная концентрация более крупных микродефектоб убывает. [c.129]

Если в процессах кристаллизации на охлажденных поверхностях скорость процесса кристаллизации характеризуется скоростью движения фрота кристаллизации (скорость движения фронта раздела фаз), то в массовой кристаллизации скорость процесса определяется двумя факторами скоростью зарождения кристаллов и скоростью их роста. [c.302]

I, кривые 5 ж 6 — рост ядер типа П. Можно заметить, что скорость роста ядер данного типа в конце концов достигает характерного для этого типа значения. Пока неясно, как можно объяснить быстрый рост небольших ядер. Авторы работы [114] считают, что поскольку при дегидратации наблюдается охлаждение" кристаллов, причем температура становится постоянной примерно> к тому моменту, когда поверхность кристалла полностью покрывается продуктом, то ядра, образовавшиеся первыми, вполне-могут расти быстрее, когда они еще малы. Такое объяснение может быть отчасти правильным однако оно не совместимо с характером кривой 6 (рис. 3.5). Другое альтернативное объяснение состоит в том, что ядра, растущие сначала быстрее, образуются в области дислокаций кристаллической решетки, благодаря чему можно ожидать, что на них дегидратация начинается раньше. В то же время ядра типа I, образующиеся позже, медленно вырастают из небольших зародышей (см., однако, работу Акока ш [c.119]

Исследованные нолистирольные структуры типа шиш-кебаб [93] были выращены при температурах 25 и 100 °С из 0,5 вес.%-ного раствора в мезитилене. При быстром нагревании до температуры 210 °С образцы лишь немного подплавлялись, а выше этой температуры плавление резко прогрессировало. Полное плавление наблюдалось при температуре 241 °С, если времени для плавления оказывалось достаточно. При скорости нагрева 40 град/мин перегрев доходил до 20 °С. При отжиге в течение примерно 1 ч при температурах 150, 170, 190 и 210 °С на термограммах появляется новый небольшой низкотемпературный пик плавления, температура которого возрастает. Такой же эффект наблюдается и для полистирола, закристаллизованного из расплава. Наличие этого эффекта авторы объяснили плавлением возрастающей доли полимера с нарушенной стереорегулярностью в дефектных кристаллах. Отжиг при 230 °С сначала сопровождается сильным понижением степени кристалличности, которая затем возрастает. Если судить по результатам термического анализа, то совершенство рекристаллизованного полимера со временем возрастало подобно тому, как это наблюдается в полиэтилене. Отжиг выше температуры плавления в течение 6 мин с последующим охлаждением со скоростью 20 град/мин до температуры 120 °С, после которого проводили обычные измерения в режиме нагревания, свидетельствует об образовании при низких температурах кристаллов с низкой степенью кристалличности и низкой степенью совершенства (температура плавления 221°С). Плавление остающихся фрагментов структуры типа шиш-кебаб проявляется в виде маленького высокотемпературного пика (температура плавления при скорости нагрева 5 град/мин составляла 243 °С), Как только последние фрагменты этой структуры полностью плавятся, рекристаллизация при низких температурах исчезает и образец остается аморфным, как и можно было ожидать для не содержащего зародышей кристаллизации расплава полистирола при данных условиях. [c.496]

Данные попучены методом дифференциального термического анапиза при использовании небольших образцов. Кристаллы выращены из 1 вес, °1о-ного раствора в глицерине при охлаждении со скоростью 8 град/шн от 138 до 130°С, = 38 ООО, Мц, = 82 ООО. Смешанная дендритная и памеляоная морфология кристаллов. Толщина ламелей 50 — 60 А [c.226]

Окончание осернения определяют анализом. Если количество сульфосоли в растворе постоянно, то процесс считают за-. конченным и приступают к охлажденрш массы. Охлаждение должно улучшить кристаллизацию сульфовольфрамата, при этом необходимо, однако, следить за скоростью охлаждения, так как при слишком быстром охлаждении кристаллы получаются очень мелкими и их выделение становится затруднительным. [c.168]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология