Теллурид мышьяка

В стеклообразное состояние склонны переходить вещества, способные образовать полимеры как простые по структуре (сера, селен, окись бора , сульфиды, селениды и теллуриды мышьяка и др.), так и содержащие сложные анионы цепочечной и слоистой структуры (силикаты, бораты, фосфаты и др.). [c.155]

Некоторые селениды и теллуриды мышьяка, сурьмы и висмута интенсивно изучались как полупроводники. [c.347]

Стекла с высокими массами катионов и анионов (сульфиды, селениды, теллуриды мышьяка, германия и других тяжелых элементов сочетания сульфидов с ЗЬгОз й др.). [c.24]

Следует отметить, что характер поведения теллура в двух-и трехкомпонентных системах существенно различается. В то время как в бинарных теллуридах мышьяка металлизация химических связей проявляется в сильной степени, затрудняя стеклообразование, в трехкомпонентных системах с участием теллура мышьяк—селен—теллур, мышьяк—германий—теллур, мышьяк—кремний—теллур [8] и других — получены сравнительно большие области стеклообразования. К сожалению, мы не располагаем в настоящее время надежными методами количественной оценки ковалентной и ионной составляющих химических связей, а также степени металлизации ковалентных связей и вынуждены ограничиваться лишь качественными сопоставлениями. [c.14]

В табл. 83 проведено сопоставление концентраций щелочи, в которых с соизмеримой скоростью происходит растворение стекол бинарных систем As—S, As—Se и As—Те, а также энергии активации растворения этих стекол. В соответствии с изменением характера химической связи в этих системах изменяется и химическая стойкость стеклообразных сплавов 120]. Из таблицы видно, что по мере увеличения степени металлизации химических связей в ряду S- -Se-)-Te химическая стойкость стекол по отношению к растворам щелочей резко увеличивается, о чем свидетельствуют повышающиеся значения энергий активации растворения при переходе от сульфидов к теллуридам мышьяка, а также увеличение концентрации щелочи, в которой происходит растворение стекол. Если сульфиды мышьяка раст- [c.213]

При расчете структуры зон весьма важную роль играют, как известно, свойства симметрии кристаллов. Чем ниже симметрия кристалла, тем сложнее проведение расчетов структуры зон. Этим, по-видимому, объясняется тот факт, что для таких кристаллов, как сульфид, селенид и теллурид мышьяка, кристаллизующихся в моноклинной решетке [1], до сих пор отсутствуют какие-либо расчеты структуры зон. Что же касается веществ с нарушенным дальним порядком в расположении атомов, к которым относятся, в частности, стеклообразные полупроводники, то для них экспериментальные и теоретические исследования энергетического спектра еще более сложны, чем для кристаллов с низкой симметрией. Не случайно принципиальный вопрос о возможности наличия запрещенных зон у стеклообразных полупроводников теоретически был решен сравнительно недавно [2], а приведенные в литературе экспериментальные исследования подобных веществ относятся в основном только к области энергии, близкой Eg [3]. [c.339]

В предыдущих работах нами уже приводились результаты исследования спектров отражения кристаллов и стекол сульфида, селенида и теллурида мышьяка в области Egэнергетического спектра электронов в стеклообразных полупроводниках [4]. [c.340]

Спектры отражения в области энергий 5< <12,5 эв исследовались при комнатной температуре с помощью вакуумного монохроматора типа ВМР-2. Измерение отражения производилось от сколов монокристаллов сульфида и селенида мышьяка и от механически полированного поликристалла теллурида мышьяка. Отражение измерялось также от поверхности стеклообразных сплавов, полученной в результате их синтеза. [c.340]

При измерении отражения от монокристаллов селенида мышьяка в той же области энергий обнаруживаются всего три размытых максимума при 1350, 1950, 220 А. Наконец, спектры отражения поликристаллов теллурида мышьяка представляют в исследуемой области энергий всего два довольно широких пика при 1400 и 1900 А. Начиная от 2100 А наблюдается рост коэффициента отражения, который, как явствует из работы [4], продолжается до 4000 А. [c.340]

Исследованы спектры отражения кристаллических и стеклообразных образцов сульфида, селенида и теллурида мышьяка при комнатной температуре в области вакуумного ультрафиолета (100—250 нм). Обнаружена сложная структура спектров кристаллов и стекол, свидетельствующая о сложности энергетической структуры этих веществ. Определены величины прямых междузонных переходов. Установлено, что [c.367]

Поскольку при переходе из стеклообразного состояния в кристал-лическое не происходит изменения структуры ближнего порядка, скачкообразные изменения электрических свойств можно объяснить различной ролью примесей в стеклах и кристаллах. Хорошо кристаллизующиеся сплавы из арсенида и теллурида мышьяка подвер- [c.264]

Вторым фактором, затрудняющим стеклообразование в халькогенидных системах, является металлизация химических связей, увеличивающаяся сверху вниз в группах периодической системы. Металлизация проявляется, в частности, в делокализа-ции связей, строго направленных в случае ковалентных связей. Делокализация связей в пространстве сопровождается размыванием волновых функций, вследствие чего облегчается перераспределение компонентов стекла в критической области температур и увеличивается способность расплавов к кристаллизации. Так, в бинарных системах мышьяк—сера и мышьяк—селен, для которых получены большие области, стеклообразования, степень металлизации химических связей невелика. Резкое изменение характера связи наблюдается при переходе к теллу-ридам мышьяка. Вследствие нарастающей делокализации связей способность теллуридов мышьяка к стеклообразованию резко снижается. В системе мышьяк—теллур лишь в режиме жесткой закалки в стеклообразном состоянии получены сплавы двух составов — АзТе и ЛзТео.з и при самой жесткой закалке — АзгТез [18]. При замещении мышьяка на Сурьму и висмут в стеклообразном сплаве Аз Зез, применяя жесткую закалку расплавов, можно получить стекло состава АзЗЬЗез. Замена более 50 ат. % мышьяка на сурьму сопровождается кристаллизацией стекла. На висмут в стеклообразном сплаве АзгЗез мышьяк можно заместить лишь на 5 ат. % [19]. [c.12]

Указание на сублимацию теллурида мышьяка содержится в работе Андриевского и др. [200]. Авторам удавалось получать пленки АзаТез вакуумным испарением стехиометрического соединения. При этом, однако, было замечено, что при понижении скорости испарения разделение компонентов усиливается — сначала испаряется мышьяк, а затем теллур. Это указывает на то, что в условиях, близких к равновесию, должна наблюдаться диссоциация АззТед. [c.40]

Состав пара АзаТвд исследовался масс-спектрометрически [201 ] при 473—600° К. Основными молекулами в паре были Аза и Аз4. Количество молекул АзгТба незначительно и с ростом температуры снижается. В исследованном температурном интервале парциальное давление Аз Де а примерно на два порядка ниже парциального давления А34. По этим данным, основной процесс диссоциации теллурида мышьяка в указанном диапазоне температур оцисывается реакцией [c.40]

В работе Устюгова и Вигдоровича [55 ] была сделана успешная попытка описать фазовое равновесие системы теллур—мышьяк в жидком состоянии, используя общие закономерности теории растворов с последующей экспериментальной проверкой полученных результатов. Давление над жидким AsjTeg измерялось мембранным кварцевым манометром. При расчете принималось, что испарение теллурида мышьяка сопровождается полной диссоциацией на элементы, а для теплоты образования AsaTeg исрользовалась оценочная величина АЯ з = —1680 кал/моль. Результаты расчета давления насыщенного пара для стехиометрического состава приведены в табл. 163. Эти данные также хорошо согласуются с вышеприведенными результатами. [c.96]

Халькогениды мышьяка. ks, Sз и АзгЗез при кристаллизации из расплавов склонны к стеклообразованию, что совсем не характерно для АзаТез. Ширина запрещенной зоны кристаллических образцов АззЗз и АзгЗез соответственно равна 2,5 и 2,1 эв. У сульфида мышьяка возрастает фотопроводимость от длинноволновой границы в сторону коротких волн. Теллурид мышьяка является полупроводником п-типа с энергетическим зазором между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости в 1 зв. [c.195]

У обычных стекол ток проводится исключительно ионами, но оказалось возможным создать дополнительную электронную проводимость. К примеру, в стекло можно ввести оксиды металлов переменной валентности, в первую очередь металлов переходных групп (железо, марганец, ванадий). Другая группа стекол с электронной проводимостью - это халькоге-нидные стекла, содержащие чаще всего сульфиды, селениды и теллуриды мышьяка, сурьмы, кремния и германия. Электрическое поведение этих полупроводящих стекол очень необычно с увеличением силы поля или с ростом температуры их электрическое сопротивление меняется скачкообразно. Благодаря такой-специфической зависимости силы тока от напряжения эти стекла оказались пригодны для производства коммутационных и аккумулирующих элементов. Очень маленькие и [c.132]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология