Большие интегральные схемы

ВИС — большие интегральные схемы [c.5]

Микропроцессоры. С развитием технологии цифровых интегральных схем появилась возможность создания достаточно сложных и в то же время недорогих устройств обработки цифровой информации в виде весьма компактных микросхем. Однако увеличение сложности реализуемых в них алгоритмов обработки сужает область их применения и приводит к необходимости выпуска большой номенклатуры микросхем. Устранить противоречие между сложностью больших интегральных схем (БИС) и их универсальностью удалось за счет создания программируемых БИС, позволяющих изменять режим работы путем подачи определенных командных сигналов. Основным типом таких БИС являются микропроцессоры - программно-управляемые устройства обработки информации, выполненные в виде одной или нескольких микросхем. [c.51]

Из П. и его сплавов изготовляют мед. инструменты, детали кардиостимуляторов, зубные протезы, оправки, нек-рые лек. ср-ва. В электронике используют, в частности, палладиевые пасты для произ-ва больших интегральных схем, в электротехнике-электрич. контакты из П. для этих целей выпускают пружинящие контакты из П. с добавками Сг и Zr, а также сплавы Pd-Ag и Pd- u. Способность П. растворять Hj используют для тонкой очистки Н , каталитич. гидрирования и дегидрирования и др. Обычно для зтого используют сплавы с Ag, Rh и др. металлами, а также палладиевую чернь. С сер. 70-х гг. 20 в. П. в виде сплавов с Pt стали использовать в катализаторах дожигания выхлопных газов автомобилей. В стекольной пром-сти сплавы П. применяют в тиглях для варки стекла, в фильерах для получения искусств, шелка и вискозной нити. [c.441]

Монокристаллический кремний получают вытягиванием монокристалла из его расплава (метод Чохральского). В полупроводниковой промышленности чистый кремний необходим как основа для изготовления полупроводниковых диодов, триодов, тиристоров, солнечных фотоэлементов, микропроцессоров, больших интегральных схем и т. д. [c.149]

Чтобы проиллюстрировать взаимозависимость многих инженерно-технических факторов, рассмотрим простой модельный пример пусть имеются две модели одинаковых по установочным габаритам и производительности центрифуг, но одна из них может работать десять лет, а другая — не менее тридцати. Очевидно, что амортизационные расходы на первую будут втрое больше, чем на вторую, но это далеко не все. Центрифуги первого типа нужно разместить так, чтобы иметь возможность заменять их новыми, по мере исчерпания ресурса каждого блока или агрегата, а центрифуги второго типа можно расположить как электронные элементы в большой интегральной схеме, без всякой возможности извлечь что-то по частям, но зато гораздо компактнее. Таким образом, в интегральную оценку экономичности центрифуг их гарантированная долговечность может войти двояко и как прямые расходы на замену оборудования, и как фактор различного размещения оборудования разной долговечности. [c.187]

Прогресс в области микроэлектроники в начале 70-х годов привел к появлению микропроцессоров, представляющих собой функционально законченные устройства обработки цифровой информации, управляемые хранимой в памяти программой и конструктивно выполненные в виде одной или нескольких больших интегральных схем [28]. Достижения микроэлектроники позволили создавать интегральные микросхемы, обладающие приемлемыми экономическими показателями и содержащие от тысяч до десятков тысяч элементов типа транзисторов на одном кристалле площадью несколько квадратных миллиметров. Такие микросхемы получили название больших интегральных схем (БИС). Уже созданы БИС, содержащие на одном кристалле более 30 ООО элементов. На основе БИС и создаются микропроцессоры. Свое название микропроцессоры получили в связи с тем, что по выполняемым функциям и структуре они похожи на упрощенный процессор обычных ЭВМ. Микропроцессор производит обработку информации малыми порциями (словами) от 2 до 16 двоичных разрядов в зависимости от [c.137]

Фторсодержащие соединения в технологии изготовления больших интегральных схем [c.232]

На рис. 3.91 представлено изменение по годам стандартной шири ны линии больших интегральных схем (БИС). Точки на рисунке соот ветствуют ширине линий ва момент публикации для запоминающих устройств с произвольной выборкой (ЗУ ПВ) [34]. Почти двукратное увеличение за год степени интеграции основывалось на увеличении площади кристалла, улучшении схемотехники элемента и интегральной техно логии. [c.232]

Для того чтобы понять, каким образом осуществляется произ водство больших интегральных схем, следует обратиться к рис. 3.92, на котором изображен типовой процесс изготовления БИС на МОП структурах (на рисунке кружком обведены процессы, в которых в том или ином виде используются соединения фтора). [c.232]

Такой же процесс можно наблюдать и у современных интеграторов, используемых в газовой хроматографии. При этом изменения происходят как количественные, так и качественные. Прежде всего интеграторы почти полностью вытесняются специализированными мини-ЭВМ на больших интегральных схемах, размеры которых остаются такими же, как у интеграторов. Эти ЭВМ работают в он-лайн режиме с газовым хроматографом, и информация обрабатывается по мере поступления. Превращение интеграторов в специализированные ЭВМ отражается и в их названии вычислительный интегратор, интегратор с выходной записью данных (рапорт-интегратор), процессор для газового хроматографа и т. д. Развитие обработки и автоматизации газохроматографической информации характеризуется данными, приведенными на схеме [9]. [c.29]

Запоминающие устройства (ЗУ) строятся на различных элементах (ферритовых сердечниках, тонких магнитных лентах, БИС, феррита сложных форм и т. п.) и носителях (дисках, магнитных лентах) и имеют большой диапазон емкостей, скоростей, а также стоимости. Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) по большей части выполнены на ферритовых сердечниках. Изготовляемые обычно в виде модулей (например, на 4096 слов) такие ОЗУ имеют время цикла до 0,5 мкс и снабжены сердечниками диаметром около 0,5 мм. Общая емкость ОЗУ может достигать 4—6 млн. байт (байт — 8 двоичных разрядов). ЗУ яа магнитных пленках уже достигли достаточной для применения в машинах емкости (до нескольких тысяч слов), и, хотя по стоимости они выше, чем ЗУ на сердечниках, считают, что более высокое быстродействие сделает их в ближайшее время серьезными соперниками последних. Начаты промышленное производство и использование оперативных и сверхоперативных ЗУ на больших интегральных схемах. Такие ЗУ имеют очень высокое быстродействие (до 10—25 не), легко сопрягаются с остальными устройствами машины по сигналам и конструкции, так как выполнены из тех же полупроводниковых элементов, что и логические узлы машины. [c.137]

В качестве элементной базы таких ЭВМ, как было указано выше, могут выступать большие, интегральные схемы (БИС), содержащие в своем составе более сотни простых интегральных элементов. Указанное выше быстродействие ЭВМ четвертого поколения в 10 млн. оп/с и "более требует принципиально новых системотехнических и технических методов построения ЭВМ. При этом, исходя из разумной допустимой стоимости больших ЭВМ —до 15 млн. руб., необходимо обеспечить такую технологию производства БИС, при которой стоимость одного вентиля не превышала бы нескольких копеек. [c.299]

Принципиальным вопросом элементной базы является также надежность БИС, от которой в значительной степени будет зависеть надежность ЭВМ и АСУ в целом. Исходя из этого, надежность больших интегральных схем может быть определена интенсивностью отказов порядка 1/10 в час. [c.299]

Фотополимеризация используется для нанесения полимерных покрытий непрерывным способом на металл, дерево, керамику, световоды, в стоматологии для отверждения композиций зубных пломб. Особенно следует отметить применение фотополимеризации в фотолитографии, с помощью которой изготавливают большие интегральные схемы в микроэлектронике, а также печатные платы (матрицы) в современной технологии фотонабора, позволяющей исключить использование свинца. [c.188]

К четвертому поколению (с середины 70-х годов) относятся ЭВМ, у которых основной элементно-технологической базой служат большие интегральные схемы (БИС) с высокой степенью интеграции. Большая степень интеграции способствует дальнейшему снижению стоимости, уменьшению габаритов, повышению надежности и быстродействия. Эти машины, как правило, многопроцессорные, они обеспечивают широкое использование параллельной обработки и мультипрограммирования [c.115]

Микро-ЭВМ создаются на основе больших интегральных схем — БИС, содержащих тысячи элементов в одном полупроводниковом кристалле площадью в несколько квадратных миллиметров, которые позволяют создавать схемы оперативной, постоянной и полу постоя иной памяти, представляющие собой функционально законченные модули, а также схемы, осуществляющие функции управления, преобразования, связи с периферийными устройствами и т. п. [c.37]

В настоящее время ведутся большие работы по созданию новых технических средств, особенно в области вычислительной техники. Появление микропроцессоров и микрома-шин, построенных на больших интегральных схемах, делает перспективным переход к так называемым децентрализованным системам управления. В этих системах средства вычислительной техники могут быть приближены к объекту управления, встроены в технологическое оборудование, пульты технолога-оператора. Это позволит создавать качественно новые, более эффективные АСУ ТП. [c.347]

В истории развития ЭВМ принято выделять четыре поколения, которые характеризуются преимущественным использованием определенных физических элементов (электронных ламп,,, полупроводниковых ламп, полупроводниковых приборов, интегральных схем и больших интегральных схем), определенным уровнем конструирования и технологии изготовления машин.. Современные ЭВМ, относящиеся к третьему поколению, созданы благодаря успехам в области молекулярной электроники.. Применение интегральных схем позволило значительно улуч- [c.227]

Лазерное иэлучеиие иссюльзуют для стимулирования р-ций в твердых телах, в частности при создании больших интегральных схем в микроэлектронике. Соответствующие р-1Ши м. б. и чисто тепловыми, и фотохимическими. Решающий фактор-возможность острой фокусировки лазерного излучения и гибкого управления им. [c.566]

Термическое О. обычио осуществляют при нагр. изделий в атмосфере, содержащей Oj или водяной пар. Напр., термическое О. железа и низколегир. сталей, называемое воронением, проводят в печах, нагретых до 300-350 °С, или при непосредств. нагревании изделий иа воздухе, добиваясь необходимого цвета обрабатываемой пов-сти. Легир. стали термически оксидируют при более высокой т-ре (400-700 °Q в течение 50-60 мин. Магнитные железоникелевые сплавы (пермаллои) оксидируют при 400-800 °С в течение 30-90 мин. Термическое О.-одна из важнейших операций пм-нарной технологии создаваемые диэлектрич. пленки защищают готовые полупроводниковые структуры от внеш. воздействий, изолируют активные области дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Наиб, часто термическое О. применяют при изготовлении кремниевых структур. При этом Si окисляется на глубину ок. 1 мкм при 700-1200 С. С нач. 80-х гг. в произ-ве кремниевых больших интегральных схем О. проводят при повышенном (до Ю Па) давлении О2 или водяного пара (термокомпрессионное О.). [c.352]

Экпериментально определяют стандартное отклонение конкретного элемента рельефа во время процесса [148], эта зависимость и является мерой стабильности всего литографического процесса. Требования к воспроизводимости элементов повышаются в связи с ростом точности совмещения и увеличением плотности схем на кристалле в производстве больших интегральных схем. [c.65]

Микропроцессор (МП) - программноуправляемое устройство, предназначенное для обработки цифровой информации и управления процессом этой обработки, выполненное в виде одной (или нескольких) большой интегральной схемы (БИС). Возможности однокристальных микропроцессоров определяются уровнем развития микроэлектронной технологии. Для увеличения производительности процессоров, иногда используют секционные многокристальные микропроцессоры. Многокристальные МП получаются в том случае, когда производится разделение логической схемы процессора на отдельные функционально законченные части, каждая из которых реализуется в виде отдельной интегральной схемы. [c.142]

Для склеивания на воздухе и в воде металлических и стеклопластиковых поверхностей, устранение вмятин, трещин, раковин при ремонте металлических и стеклопластнковых судовых конструкций при температуре 0—30 °С Для пропитки и наклейки слоев стеклоткани на поврежденные места металлических и стекло-пластпковых судовых конструкций по влажной поверхности и в воде при температуре О—30 °С Двухкомпонентные пастообразные композиции с токопроводящим наполнителем для крепления (с обеспечением заземления) диодных полупроводниковых больших интегральных схем [c.166]

ЭВМ удобны в случаях одновременного контроля и учета многих параметров Функционально-законченный программно-уп-равляемый малоразрядный блок, выполненный в виде одной или нескольких больших интегральных схем, называют микропроцессором (выполняет до нескольких миллионов операций в секунду) Его используют для управления ферментационными процессами Микропроцессоры можно устанавливать непосредственно на обслуживаемых аппаратах [c.282]

Создание и производство новых и значительное усовершенствование существующих приборов за счет применения новой элементной базы, а именно решеток неклассического типа, включая голографические приемников излучения, в том числе многоканальных специальных и больших интегральных схем для электронных устройств приборов лазеров для возбуждения спектров комбинационного рассеяния (КР) и люминесценции. Новые элементы позволяют создать приборы со значительно более высокими параметрами точности и чувствительности измерений, боль-1ПИМ временным разрешением, увеличенной производительностью и существенным расширением областей применения. [c.10]

Полученное в результате фотолитографии рельефное изображение шаблона в слое резиста (негативное или позитивное), нанесенного на слой диоксида или нитрида кремния, находящийся на кремнии, служит защитной маской при вытравливании этих диэлектриков до кремния в эти окна при последующих операциях идет диффузия примесей в кремний. При этОлМ получают требуемые характеристики отдельных транзисторов и схемы в целом. Большая интегральная схема содержит десятки тысяч транзисторных элементов, соединенных проводниками алюминием или поли-кристаллическим кремнием с высоким содержанием примесей. Для образования сложной интегральной схемы литографический процесс надо проводить несколько раз, при этом каждый элемент схемы должен быть воспроизведен с требуемой точностью [4]. [c.11]

В настоящее время в эксплуатации находятся средства измерений четырех поколений. Приборы первого и второго поколений построены соответственно на электровакуумных и полупроводниковых (транзисторы, диоды) элементах в них применена аналоговая обработка сигналов. В приборах третьего поколения наряду с полупроводниковыми элементами используются интегральные микросхемы малой и средней степени интеграции. При этом имеет место как аналоговая, так и цифровая обработка сигналов на основе жесткой логики. Средства измерений четвертого поколения характеризуются использованием микропроцессорных систем (МПС) и больших интегральных схем с программно-управляемой цифровой обработкой измерительной информации. Применение больших интегральных схем приводит к резкому соращению числа используемых в приборе элементов. Однако эта тенденция существенно нивелируется и даже перекрывается ростом функциональной сложности измерительной техники. Объективными причинами ее усложнения являются увеличение объема измерительных задач, решаемых одним средством измерений, повышение уровня автоматизации, введение интерфейсных функций и др. Усложнение измерительной техники, повышение ее точности, высокий уровень [c.151]

С технической точки зрения различие между машинами третьего и четвертого поколений состоит в большей степени интеграции последних и использовании в них больших интегральных схем. Как уже упоминалось, под БИС понимается интегральная схема, содержащая в одном кристалле кремния более 100 или 1000 элементарных электронных схем, таких, как логические элементы или триггеры. Поскольку размеры кристалла БИС невелики (<1 см ), легко представ1ить себе, какая гигантская дистанция отделяет электронную технологию первых ЭВМ, когда объем одной элементарной электронной схемы составлял приблизительно 1 дм , от технологии машин четвертого поколения. [c.138]

Особо следует отметить эффективность использования микросхем, разрабатываемых сневд1ально для рещения конкретных задач-специализированных больших интегральных схем. Вычислительные и управляющие устройства, построенные на таких схемах, имеют значительно меньшие габариты, потребляют меньше энергии, они надежнее аналогичных систем, созданных на серийных схемах вычислительной техники. Однако приборы, построенные с использованием микропроцессорной техники, могут реализовывать ограниченное число задач. Поэтому в ряде случаев оправдано использование полярографов в комплекте с микроЭВМ. Выпускаемые ЭВМ по стоимости, габаритам и надежности достигли уровня, вполне приемлемого для комплектации универсальных лабораторных полярографов. В нашей стране создан значительный парк микроЭВМ, предназначенный для работы с различными устройствами в автоматизированном режиме. [c.138]

Для планарной (плоскостной) технологии характерно, что на пластинке германия или кремния выращивают тысячи одинаковых диодов или триодов, прибегая к микроскопическим приемам работы. Следующим крупным шагом явилось создание интегральных схем при тех же приемах на общей пластинке изготовляют комплекты разных полупроводниковых приборов и соединений между ними. Диоды и триоды могут иметь разные размеры, неодинаковое количество активных примесей, различные электрические характеристики. Дальнейшее уменьшение массы и габаритов достигается путем изготовления на одной пластине разных интегральных схем и их соединений. Это составляет большую интегральную схему (БИС). К ней примыкает функциональная схема, которая, как и БИС, способна выполнять функции множества приборов. Эти кристаллы — подлинные агрегаты, где сотни активных элементов — диодов и триодов, а также пассивных элементов в виде резисторов (сопротивлений), емкостей и индуктивностей с высокой точностью распределены в трех пространственных измерениях. Они заменяют блоки прежней радиоэлектронной аппаратуры, на них работают ЭВМ третьего поко- [c.171]

Успехи атомной физики, физики полупроводников и химии полимеров затмили на некоторое время казавшиеся скромными и академическими исследования жидких кристаллов. Вплоть до 60-х годов ими занимаются только энтузиасты-одиночки. А тем временем бурно развивается электроника. Идет процесс микроминиатюризации приборов от электронных ламп к транзисторам, затем к интегральным схемам, и, наконец, к большим интегральным схемам (БИСам). Уменьшаются потребляемые мощности, уменьшаются источники питания. И вдруг оказывается, что есть все, кроме экономичного малогабаритного устройства, способного передать информацию от электронной схемы к человеку. Дело в том, что телевизионная трубка слишком громоздка, полупроводниковые диоды, излучающие свет, потребляют большие токи и т. д. [c.8]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология