Зона резонансных явлений

Интегральный метод вынужденных колебаний имеет различные способы реализации. Например, акустико-топографический метод, в котором регистрируется распределение амплитуд упругих колебаний на поверхности контролируемого объекта или его большом участке с помощью наносимого на поверхность липнущего порошка. Дефектная зона отличается увеличением амплитуды изгибных колебаний в результате резонансных явлений, вследствие чего оседание порошка на ней меньше. [c.166]

Для контроля качества клеевых соединений применяются главным образом методы, основанные на возбуждении в исследуемом изделии упругих колебаний звукового или ультразвукового диапазона. К этим методам относятся вакуумный [31], метод свободных колебаний [32], сквозного прозвучивания [77], многократных отражений [32—34 и [33, 35—38], ультразвуковой резонансный. метод, основанный на использовании резонансных явлений, наблюдаемых в контролируемом изделии при возбуждении в нем продольных упругих волн. Дефект склеивания в этом случае отмечается либо по изменению (уменьшению) фиксируемой прибором общей толщины проверяемого изделия в зоне нарушения соединения, либо по резкому изменению амплитуд резонансных пиков на экране дефектоскопа, обусловленному влиянием дефекта на коэффициент отражения упругих волн от границы раздела соединяемых элементов конструкции. [c.489]

Доклады, зачитанные на следующих секциях зонная теория рекомбинация и примесные центры поверхностные явления, дислокации и экситоны общие свойства перенос электронов оптические свойства электронные явления в ионных кристаллах магнето-оптические явления термоэлектрические и термомагнитные явления экситоны и фотоны полупроводниковые соединения полупроводники с большой шириной запрещенной зоны резонансные явления гальвано-магнитные явления. [c.6]

В большинстве случаев принимают = 1,6. .. 2,7. Величина Шс представляет собой, по суш,еству, круговую частоту собственных колебаний следящего привода с внешней нагрузкой. Она важна для оценки зоны возможного резонансного явления при периодическом входном воздействии. [c.220]

Известно [48], что пузыри газа, попадая в зоны колебаний, распадаются на более мелкие пузыри, размеры которых зависят от режима колебаний. При определенных режимах течения, определяемых скоростью, амплитудой пульсации и т. д., возникает явление параметрического резонанса, при котором дробление газовых пузырей наиболее интенсивно. Изучение влияния вынужденных колебаний сопла на дисперсность эмульсии [52] показало, что и на распад струи, и на размеры образующихся при этом пузырей решающее влияние оказывают те колебания, частота которых совпадает с частотой собственных колебаний струи. Установлено, что существует несколько резонансных частот, при которых происходит образование монодисперс-ной эмульсии. [c.78]

В зоне небольших избыточных давлений влияющим параметром ударной волны является импульс (режим квазистатического нагружения). И для изучения опасности резонансных явлений необходимо выявить граничные значения импульса, при которых возможен резонанс, а также влияние характеристик самого аппарата (геометрических параметров, массы, материала). [c.14]

Резонансное взаимодействие, определяющее миграцию энергии, подобно экситонному взаимодействию в молекулярных кристаллах, исследованному Давыдовым (см. стр. 286). Различие этих двух явлений имеет количественный характер. Миграция энергии происходит при большой энергии взаимодействия, сильно превышающей ширину электронно-колебательной зоны. В этом случае сильного взаимодействия передача энергии происходит весьма быстро, и можно не учитывать влияния колебаний. Соответственно, в отличие от экситонных спектров молекулярных кристаллов, возникающих при слабом взаимодействии (энергия взаимодействия значительно меньше ширины зоны, но много больше ширины отдельного колебательного подуровня), в спектрах резонансно взаимодействующих молекул не наблюдается колебательная структура. [c.323]

Коэффициент у зависит только от соотношения частоты ф вынужденных колебаний и собственной частоты Уд. Эта зависимость представлена на рис. 3,13. В области значений а>1 со , близких к единице, деформации пружины и ее воздействие на опоры многократно превышают величины, характерные для статической нагрузки а при значениях Сй = 60 система вступает в резонанс, когда деформации и воздействие на опоры стремятся к бесконечности. Резонансная частота колебаний представляет серьезную опасность для машины, поэтому работа в режиме резонанса считается недопустимой. Зависимость коэффициента динамического усиления от соотношения со показывает, что для конструкции опасны режимы работы в зоне частот, близких к резонансной (она называется критической зоной вращения вала). Работа машины в зоне этих частот крайне нежелательна. Проведем анализ критических явлений в быстровращающихся роторах, [c.125]

В проведенных нами экспериментах пучность в зоне резания, т. е. резонансная амплитуда, поддерживалась с помощью автоматической подстройки частоты генератора в резонанс акустической системе, в результате чего описанное выше явление в наших опытах не имело места. [c.416]

Мысль о важности такого явления в работе центральной нервной системы высказывалась в таком виде, что в линейньк зонах мозга существует еще один важный механизм, использующей резонансные явления, и что входной элемент может установить функциональную связь с требуемым выходным элементом, если частота его возбуждений близка к резонансной частоте последнего. [c.75]

Резонансное поглощение. Вследствие пространственного расширения возбужденной плазмы и существующего в ней градиента температур внутри плазмы может происходить обратное поглощение спектральных линий (закон инверсии испускания и поглощения Кирхгофа). Это явление самопогло-щения наблюдается преимущественно для резонансных линий и искажает связь между интенсивностью и числом частиц. Так как во внешних более холодных зонах плазмы допплеровское уширение меньше, чем в более горячей центральной зоне, то поглощаются преимущественно центры линий. В предельном случае интенсивность центра линий становится пренебрежимо малой по сравнению с интенсивностью обоих крыльев линии (самообраш -ние линий). Линии, отличающиеся склонностью к самопоглощению и само-обращению, в спектральных атласах приводят с индексом R (от reversal — обратный ход). Наблюдая резонансное поглощение в сложном спектре, можно найти, какие линии соответствуют переходам на основной уровень. Резонансное поглощение наблюдается также в случае прохождения резонансной линии от внешнего источника излучения через диссоциированный до атомов пар соответствующего простого вещества. Интенсивность первичного светового потока ослабляется при этом соответственно уравнению [c.186]

Самопоглощение. Кванты исщ скаемого возбужденными атомами излучения, выходя из области наиболее горячей плазмы, проходят через ее внешнюю зону, где температура ниже и, следовательно, много атомов того яе элемента в невоабуаденном состоянии. Происходит резонансное поглощение ими характеристического излучения, - явление самопоглощения. Оно вызывает уширение спектрадь- [c.13]

Воспользуемся представлением об узельной потенциальной яме типа изображенной на рис. 65. Пренебрегая слабым квантовым туннелированием, рассмотрим дефектон локализованным в одной из таких ям. Поскольку эта яма достаточно глубокая, то в ней будет существовать некоторое конечное число дискретных уровней энергии дефектона е (л = 1, 2, 3,. ..), где e +i — е /гщ. В силу трансляционной симметрии кристалла подобные же уровни энергии должны существовать в других узельных ямах (рис. 70). Включение эффекта туннелирования создает на всех системах резонансных уровней узкие энергетические зоны, внутри которых энергия свободного движения дефектона зависит от квазиволнового вектора к и определяется выражением типа (10.1). Квантовое явление над-барьерного отражения в периодической структуре обусловливает появление также некоторых энергетических полос дефектона в области классического непрерывного neKtpa энергий (одна из таких полос отмечена на рис. 70 буквой S). При Т — О квантовое туннелирование происходит на основном уровне, и в силу зонного характера движения дефектона время туннелирования i a/v й/Ае. [c.200]

Для катодолюминесценции характерна высокая концентрация возбуждённых СОСТОЯНИЙ в люминофоре, вызванная как мощностью возбуждения, так и поверхностным характером поглощения энергии бомбардирующих электронов. В области широко используемых ускоряющих напряжений (до 20 кУ) глубина проникновения электронов в толщу люминофора меньше короткого ультрафиолета (резонансная линия ртути 2537 А).Преимущественное рассеяние энергии в сильно нарушенных поверхностных зонах кристалла накладывает глубокий отпечаток на ход люминесцентного процесса. Вся сумма наблюдений позволяет рассматривать люминесценцию как одно из явлений, наиболее чувствительных к структурньш изменениям материала, особенно на его поверхности. Хорошо известно увеличение отдачи с ростом элементарного кристаллика люминофора и улучшением его структуры в процессе термической обработки. Обратный эффект имеет место при измельчении люминофоров. Падение отдачи вызвано здесь не только изменением оптических свойств среды, но и прямым нарушением люминесцентной способности. Для силикатов характерно, например, очень резкое падение светоотдачи при уменьшении размеров зерна до долей микрона, когда поперечник кристалла совпадает или становится меньше глубины проникновения электронов выданный материал [190]. Только путём специальных методов синтеза, которые гарантируют более совершенную перекристаллизацию, можно получить виллемит с хорошей люминесцентной способностью при размерах кристалла порядка 0,1—0,2 х. При переходе к более глубоко про-1шкающему возбуждению предельная величина светящихся кристаллов соответственно растёт. По наблюдениям свечения, при возбуждении ультрафиолетом максимум яркости для виллемита падает на размер зёрен 4—5 ц [86, стр. 573]. Дальнейшее измельчение понижает интенсивность свечения, и частицы меньше 1,5 л при наблюдении под [c.330]

Теория горения твердых ракетных топлив. В предыдущих параграфах, которые имели главным образом описательный характер, была дана качественная картина процесса горения, из которой могут быть получены нолезные обобщения. Однако желательно иметь теорию, которая связала бы скорость горения и основные параметры процесса — состав, давление и начальную температуру — более фундаментальным образом. Удачная теория дала бы детальную модель, из которой могли бы быть определены свойства зоны реакции, недоступные для непосредственных экспериментальных измерений, и которая позволила бы рационально объяснить такие явления, как грубое горение, эрозия и резонансное горение, до настоящего времени рассмотренные только умозрительно. [c.461]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология