Кристаллы паром

Рис. 2.2. Термодинамические функции для системы кристалл — пар при постоянных температуре и давлении.

Уравнения (105.11) и (105.12) выражают зависимость давления насыщенного пара вещества, равновесного с жидкостью, от температуры. Для равновесия кристаллы пар зависимость давления насыщенного пара вещества, равновесного с кристаллами, от температуры выражается аналогичным уравнением [c.328]

Линия а а х характеризует моновариантное равновесие кристалл — пар и называется кривой возгонки или сублимации. Она показывает влияние внешнего давления на температуру возгонки вещества. Вместе с тем она характеризует температурную зависимость давления насыщенного пара над твердым веществом. [c.266]

Применение уравнения Клаузиуса-Клапейрона для равновесий ,крис-тал ш] жидкость жидкость - пар кристаллы пар. [c.53]

Выпадающие при охлаждении кристаллы пара-ксилола выносятся в виде суспензий в сборник циркулирующей смеси, откуда часть суспензии отбирается на вакуум-фильтрацию, где выделяется пара-ксилол 80—85%-ной чистоты. [c.309]

I — кривая плавления (равновесие кристалл —расплав) 2 —кривая испарения (равновесие расплав — пар) 3 —кривая сублимации (равновесие кристалл — пар) А — тройная точка (равновесие кристалл — расплав — пар) [c.129]

Дигидрат щавелевой кислоты (10,00 г) + вода (23 мл) +1 (80 °С) -> раствор + карбонат калия (12,00—14,00 г, порциями. До pH 8--9, Инд фенолфталеин) —> раствор, газ раствор +1 —> горячий раствор, отфильтровать через складчатый фильтр фильтрат + 1 (упарива-нйе, удаление воды до начала кристаллизации продукта) - I (на воздухе, до комнатной температуры) -> суспензия (кристаллы, маточный раствор) вакуумное фильтрование - кристаллы, маточный раствор кристаллы — пары воды (сушка на воздухе) -> сухой продукт. [c.250]

Перенасыщение (недонасыщение) р/рсо при равновесии кристалл — пар или кристалл — раствор, согласно Эрдей-Грузу и Фольмеру , для электрода металл/ионы металла должно входить в выражение перенапряжения следующим образом [c.345]

ОА — равновесие жидкость — пмр ( каждой точке ОП — равнооесие кристалл — пар(6 = ) ОС — ряпнопе-сие кристалл — жидкость (Сг = 0 ) /Д — равновесие раствор—пар О — [c.159]

Возможность сублимации примеси азота в первую очередь определяется диаграммой фазового равновесия кристалл — пар для азото-водородной смеси при различных давлениях (рис. И). Как видно из диаграммы, при низких температурах изобары пересекаются друг с другом, что свидетельствует о большом отклонении от идеальности. При температуре ниже точки пересечения изобар может сублимироваться лишь небольшая часть твердого азота, так как в этом случае равновесное содержание азота в сжатом водороде превышает равновесное содержание азота в расширенном водороде. При температуре выше точки пересечения изобар имеющаяся между потоками разность температур не должна превосходить предельного значения, определяемого из диаграммы разностью абсцисс двух изобар при одинаковой концентрации. Эта лимитирующая разность температур повышается по мере увеличения давления прямого потока, но при этом возрастает и температура точки пересечения изобар. [c.115]

Если фазовое равновесие кристалл — пар представить для обоих потоков уравнениями вида [c.117]

Таким образом, работа образования зародышей равна одной трети межфазной энергии границы раздела кристалл— расплав или поверхностной энергии кристалл — пар. [c.290]

Условие равновесия, по Гиббсу и Вульфу, вытекает из требования минимального значения общей свободной энергии. Если учесть объемное и поверхностное слагаемые общей свободной энергии, то нз всех возможных кристаллических форм равновесной является та, которая обладает наименьшей свободной поверхностной или межфазной энергией. Так как основу наших рассуждений составляет случай равновесия кристалл — пар, границу фаз будем рассматривать как поверхность см. 12.1) и, следовательно, нужно учитывать только поверхностную энергию кристалл —пар. Таким образом, можно определить условие минимальности для равновесного многогранника [c.319]

Значения г " и на линии равновесия кристалл -пар и кристалл - жидкость. [c.17]

Сирс повторил их эксперимент в 1955 г. в более тщательной постановке, а именно нри точном контроле температуры попадающих на кристалл паров ртути, независимо от их давления. При определенных [c.157]

Для того, чтобы конкретизировать процессы, составляющие основу глубокой очистки неэлектролитов, рассмотрим диаграмму (рисунок), на которой в виде круговых циклов изображены классические гетерогенные процессы на основе фазового равновесия жидкость — пар — жидкость, жидкость— кристалл — жидкость и более сложные жидкость — кристалл— пар — кристалл — жидкость с использованием полного цикла либо его части. Здесь же показаны процессы, которые могут использоваться для глубокой очистки в гомогенной фазе при создании неоднородных полей потенциалов (температурные, электрические, магнитные и т. п.). [c.19]

Из вышеизложенного следует, что теория взаимодействия молекул в кристалле позволяет объяснить все основные экспериментальные данные о свойствах границы раздела кристалл — пар. Это дает возможность распространить эмпирические выводы о молекулярно-гладкой и шероховатой границе раздела, о специфических свойствах слоев 5 и 4 и слабом изменении свойств более глубоких слоев на большое число объектов, экспериментально не исследованных. [c.65]

Типы Ф.р. В однокомпонентной системе (при наличии полиморфных превращений) возможны 4 вида двухфазных равновесий жидкость - пар, кристалл - пар, кристалл - жидкость и кристалл - кристалл 4 вида трехфазных равновесий кристалл - жидкость - пар, кристалл - кристалл - жидкость, кристалл - кристалл - пар и кристалл - кристалл - кристалл при этом не учитывается возможность образования жидких кристаллов. В двойных системах (компоненты А и В) возможны те же виды двухфазных равновесий, но число возможных видов трехфазных равновесий достигает 26 вследствие [c.54]

ПИРИМИДИН (л-диазин, миазин) С4Н4Ыа — бесцветные кристаллы, пары П. обладают наркотическими свойства- [c.190]

ОА — равновесие жидкость — пар (в каждой точке (3 = С ) ОО — равсювесие кристалл — пар ((3 = Сг ) ОС — равновесие кристалл — жидкость = С ) с1В — равноиесие раствор — пар (СР = (3 ) О — равновесие кристалл — жидкость — пар (С = 0 — 0 ) — равновесие кристалл — раствор — пар (С = сР = [c.167]

Из формулы следует, что при одинаковых условиях кристаллизации скорость роста кристаллов парафина прямо пропорцио- альна их концентрации и обратно пропорциональна вязкости среды. Влияние последней обычно проявляется в большей мере и потому в высоковязком топливе даже при наличии большого количества кристаллов выделившегося парафина в результате меньшей скорости их диффузии размеры кристаллов пара 1)ина будут значительно меньше, чем в маловязком топливе. Это в равной мере относится как к высококипящим топливам (дизельные топлива ДЛ и ДС, соляровое масло), обладающим высокой вязкостью при температурах от О до —15- —20 X, так и к Солее ни.чкокичящим дизельным топливам ДЗ и ДА, имеющим высокую вязкость при —ЗО г- —45 °С, а также и к реактивным топливам (Т-1 и в меньшей мере ТС-1), вязкость которых достигает высоких значений при температурах ниже —50- —60 С. [c.38]

В процессе кристаллизации при прочих равных условиях решающую роль играет концентрация пара иода в ампуле. При л л 0,5—1,5 мг/см происходит рост объемных кристаллов с ровными зеркальными гранями, при 3—4 мг/см вследствие везрастаю-щей скорости переноса в образующихся кристаллах наблюдаются пустоты и раковины, при более высокой концентрации носителя происходит растравливание кристаллов парами иода. Наиболее благоприятные условия, приводящие к образованию достаточно крупных кристаллов, = 1 мг/см , /3 = 920— 930° С, — 900—910° С. При этом общее давление газообразных компонентов системы не превышает 3 атм (верхний предел давлений диффузионной области). В закрытом процессе перенос определяется диффузией при постоянном градиенте конце)1траций. Скорость переноса при диффузионном контроле обратно пропорциональна интегральному давлению в системе. Поскольку в данном синтезе давление сравнительно велико, то время процесса должно быть достаточно большим (не менее 6 ч) для получения кристаллов приемлемых размеров. По окончании процесса печь охлаждают таким образом, чтобы весь иод сконденсировался в области источника. После полного охлаждения ампулы ее извлекают из печи, вскрывают под тягой, полученные кристаллы отмывают спиртом от возможных следов иода. [c.82]

Застывание масла многие авторы [ 1] объясняют образованием кристаллической сетки парафина в момент застывания. Исходя из этого, следует, что прибавление присадок, понижающие температуру застыванхш масел, вызывает разрушение кристаллической сетки или препятствует ее созданию. Рамайя [2] объясняет высокие точки застывания парафинистых масел образованием геля л считает, что твердая фаза системы гелей состоит из мелких кристаллов пара-, фина, а не из образовавшейся сетки кристаллов. [c.155]

Если подвергать деалюминированные цеолиты термопаровой обработке при повышенных до 900 °С температурах, то внутри кристаллов цеолита образуется вторичная регулярная мезопористость с очень узким распределением мезопор по размерам. Образование внутри-кристаллической вторичной пористости обусловлено перераспределением кремнекислородных комплексов деалюминированного цеолита равномерно по всему объему кристалла Пары воды при высокой температуре гидролизуют 51—О—81-связи и после недалекой миграции частиц кремнегидроксокомплексов происходит их конденсация в структурных вакансиях решетки с выделением реакционной воды. Такой процесс сопровождается образованием регулярно чередующихся пустот с размерами, равными удвоенному параметру элементарной ячейки и кристаллической фазы цеолита материнской структуры, но чисто кремнеземного состава. Удельный объем обра- [c.43]

Обезмасливание парафинов с помощью избирательных растворителей основано на растворении гача в растворителе, охлаждении полученной смеси до температуры, цри которой параджно-вые углеводороды кристаллизуются, и последующем отделении фильтрованием образовавшихся кристаллов пара нов от охлагс-денной смеси. [c.3]

Значения о и р на линии равновесия кристалл —пар и кристалл — жидкость. 2) по [U51 погрешность изменяется от 0,5 % при Р=0 до I % при P—W МПа. Расчетные значения Х1461 погрешность от 0.5 Н при Р=0 до 5 5i при Р=2000 МПа. По [1431, погрешность <0,5 %. [c.73]

После аддитивного окрашивания щелочно-галоидных фосфоров, активированных оловом, в их спектрах поглошения обнаруживаются такие л<е изл4енения (рис. 98), какие возникают после их фотохимического окрашивания с помощью рентгеновых лучей 12801 поглощение в коротковолновой группе полос падает, ее структура исчезает и одновременно увеличивается поглощение в спектральной области, в которой расположена длинноволновая группа максимумов. Такой параллелизм, конечно, не является случайным и свидетельствует о том, что в основе этих явлений в обоих случаях лежат одинаковые причины. По литературным данным известно, что аддитивное окрашивание в парах щелочного металла обусловлено диффузией в кристалл извне электронов, образующихся на границе кристалл-пар металла. В случае чистых кристаллов щелочно-галоидных соединений проникшие извне электроны, локализуясь у пустых узлов ионов галоида, образуют f-центры. В случае же активированных щелочно-галоидных фосфоров указанные электроны могут быть захвачены также ионами активатора, о чем свидетельствуют наблюдающиеся изменения в спектрах поглощения аддитивно окрашенных фосфоров. Но так как при аддитивном окрашивании и при облучении фосфоров рентгеновыми лучами возникают совершенно одинаковые изменения в их спектрах поглощения, то в обоих случаях они обусловлены одной и той же причиной, а именно захватом добавочных электронов некоторой частью ионов активатора. [c.208]

Из рентгеноструктурных данных, приведенных в табл. 4.2, ВИДНО, что при взаимодействии производных гуанина и цитозина В кристаллах образуется пара в соответствии с предложенной Полингом структурой. Структура образующейся в кристаллах пары аденин урацил (точнее, производных этих оснований) никогда не отвечает структуре Уотсона и Крика и соответствует либо модели Хугстина, либо модели Хашемейера (в зависимости от заместителей в ядрах взаимодействующих оснований). [c.223]

Свободная поверхностная или межфазная энергия связана с уже известными нам термодинамическимп функциями состояния, следующими из первого закона термодинамики. Нахождение числовых значений а и у можно провести с учетом координационных соотношений в кристалле, в расплаве и в паре, включая также число связей, которые должны быть разорваны при увеличении поверхности. Для этого рассматривают кристалл в равновесии с его расплавом и паром. Таким образом, учитываются две поверхностные энергии и две межфазные энергии Окр/пар(кристалл-пар), <Тж/пар(расплав—пар) [c.254]

Мутафчиев [151], пользуясь методом Брэгга — Вильямса, исследовал поверхностную шероховатость границ кристалл —пар и кристалл — жидкость. Однако он рассматривал в явном виде поверхностную шероховатость ( автоадсорбцию ) в зависимости от степени отклонения системы от равновесия или пересыщения. [c.436]

Граница кристалл — пар. Применение методов автоионной микроскопии и дифракции заряженных частиц показало, что основное изменение свойств при переходе от кристалла к пару происходит в области протяженностью в один-два монослоя. При невысоких температурах на границе раздела можно выделить приповерхностный моноатомный (мономолекулярный) однородный слой криста.т1ла [c.62]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология