Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Сегнетоэлектричество

    Сегнетоэлектрические кристаллы находят в науке и технике разнообразное применение не только благодаря тому, что они обладают значительным пьезоэффектом. Рассмотрим ряд приборов, в которых используются различные проявления сегнетоэлектричества. [c.511]

    Снова предполагая, что сегнетоэлектричества нет, мы видим, что элементами симметрии смектика С являются ось второго порядка у) и перпендикулярная к ней плоскость xz), что соответствует точечной группе . [c.29]


    Что касается симметрии, мы упростим обсуждение, постулировав, что в неискаженном смектике направления z и —z эквивалентны, т. е. сегнетоэлектричество отсутствует. Это оказывается верным во всех рассматриваемых случаях. При этих предположениях мы приходим к следующему виду для F [22]  [c.341]

    В настоящее время случаи сегнетоэлектричества в ахиральных смектиках С неизвестны. [c.367]

    Сегнетоэлектричество ). Мейер отметил, что локальная симметрия хиральных смектиков приводит к некоторой параллельности электрических дипольных моментов в пределах одного слоя [c.374]

    Кручение и сегнетоэлектричество. Мы видели, что каждый слой сегнетоэлектрический, с поляризацией, параллельной слоям и перпендикулярной С-директору. Обычно С-директор вращается в пространстве, и, таким образом, поляризация поворачивается от слоя к слою. Чтобы получить отличную от нуля среднюю поляризацию, нужно устранить кручение слоев. Этого можно достичь с помощью электрических или магнитных полей [56] или с помощью определенных течений с градиентом скорости ). Особенно интересно поведение спирали в статическом электрическом поле Е, параллельном плоскостям смектика ). Шаг спирали увеличи- [c.375]

    Спонтанная поляризация и сегнетоэлектричество [c.119]

    Для проявления сегнетоэлектричества необходимы два условия 1) отсутствие в кристалле центра симметрии, что допускает образование электрического диполя, и 2) наличие двух равновесных состояний диполя, разделенных энергетическим барьером, т. е. возможность для атома в кристалле занимать два положения и переходить из одного в другое под действием электрического поля. [c.168]

    Частным случаем пироэлектриков являются сегнетоэлектрики (от названия кристаллов сегнетовой соли МаКС4Н40в НгО у которой это явление впервые было обнаружено). В нпх также самопроизвольно возникает поляризация, но лишь в некотором интервале температур. Чтобы описать наиболее существенные особенности явления сегнетоэлектричества, введем [19] модель гипотетического двумерного сегнетоэлектрического кристалла с химической формулой АВ (рис. 118, а). Ионы А, заряд которых мы предполагаем отрицательным, расположены в узлах простой квадратной решетки. Ионы В, имеющие положительный заряд, расположены на горизонтальных линиях, соединяющих ионы А. Предположим теперь, что при данной температуре Т все ионы В расположены ближе к ионам А, находящимся слева. Мы можем рассматривать каждую группу АВ как диполь. При этом структура может быть схематически представлена ансамблем диполей, направленных в одну сторону (упорядоченное состояние), как показано в верхней части рис. 118, б. В этом случае говорят, что кристалл спонтанно поляризован. [c.275]

    В последнее годы обнаружены сегнетоэлектрики, в которых наблюдалось упорядочение магнитных моментов (см. гл. VI). Вещества, в которых одновременно существует упорядочение магнитных и электрических моментов, получили название сегнетоферро-магнетиков. В них могут сосуществовать различные виды магнитного и электрического упорядочения сегнетоэлектричество с ферро-, [c.278]


    В заключение отметим, что существующие микроскопические теории антисегнетоэлектричества основываются на таких же предпосылках (общей динамической теории кристаллической решетки, учитывающей ангармонизм), как и теория сегнетоэлектричества. Теория сегнетоэлектричества и антисегнетоэлектричества представляет одну из общих и очень сложных задач физики твердого тела. Разработана она менее полно, чем теория ферромагнетизма и антиферромагнетизма (с м. гл. VI). [c.278]

    Перспективными материалами, способными преобразовывать различные виды энергии и использоваться в качестве носителей информации, являются кристаллические и стеклокристаллические материалы и композиты на основе нецентросимметричных кристаллических фаз (НЦФ), в частности, на основе кристаллов семейства стилвеллита LaBGeOs. Наличие сегнетоэлектричества у стилвеллита, благоприятное сочетание его диэлек- [c.27]

    Установление связи между взаимодействием молекул, строением и свойствами вещества (в том числе электрическими) является фундаментальной задачей молекулярной физики. Она относительно успешно решается методами статистической механики при небольших концентрациях молекул (частиц) и центральном характере их взаимодействия. Центральные силы— это силы, не зависящие от ориентации молекул. Диполь-дипольное взаимодействие к их числу не относится, и поэтому такие эффекты, как превращение полярного вещества в сегнетоэлектрик и другие явления в полярных веществах, пока еще не нашли исчерпывающего объяснения современной физикой. Родственная проблема — объяснение ферромагнетизма веществ — существовала в физике магнитных явлений. На атомно-электронном уровне она нашла решение [17] благодаря открытию специфического обменного взаимодействия спинов непарных электронов незаполнен-ньос внутренних электронных оболочек некоторых атомов (Ре, Со, N1 и др.). Это взаимодействие выстраивает спины непарных электронов параллельно, что и исчерпывает проблему. В мире электрических явлений такого аналога нет, и поэтому при решении задачи описания электрических свойств полярных веществ можно использовать только классические кулоновские силы (включая дипольные). Разумеется, что они не сводятся к сегнетоэлектричеству. [c.653]

    Внедрению метода кристаллизации из растворов в расплавах способствовал успешно разработанный Ремейкой способ выращивания одного из наиболее важных для развития современной теории сегнетоэлектричества и развития радиотехники вещества ВаНОз. В качестве растворителя Ремейка использовал КР. Этот растворитель оказался лучше других, поскольку, во-первых, он не очень сильно взаимодействует с Р1 во-вторых, плотность ВаЛОз больше плотности КР, в-третьих, КР легко выщелачивается водой. [c.372]

    В этой области особенно важный результат получился при изучении кристаллов сегнетовой соли. В ее кристаллах, обладающих исключительно большими диэлектрическими свойствами, было обнаружено совершенно новое явление, представляющее собою полную аналогию с ферромагнетизмом в области магнитных явлений. Подобно тому как явление ферромагнетизма получило название по названию представителя этой группы — железа, так и это явление мы называем сегнетоэлектричеством, потому что впервые оно наблюдалось именно на кристаллах сегнетовой соли. [c.293]

    За последние два года появились новые сведения о жидких кристаллах, и они включены в настоящее издание. Речь идет об открытии бифениловых мезогенов, предсказании и реализации сегнетоэлектричества в хиральных смектиках С, о наблюдении поверхностных дисклинаций и зонтиков и обнаружении эффектов поперечного давления в пуазейлевом течении нематиков. Я вкратце суммировал эти новые результаты и изменил изложение некоторых проблем, когда новые эксперименты давали возможность лучше понять их суть. Например, измерения величины Г р, проведенные Кентской школой, значительно прояснили природу ядер-ной релаксации в нематиках. [c.12]

    Читатель моя ет возразить против названия сегнетоэлектрический смектик С по СоЛедующим причинам а) каждый слой скорее пироэлектрический, а не сегнетоэлектрический ) б) более серьезно то, что, как мы помним, в нулевом поле структура обычно винтовая, и пространственное среднее Р по многим слоям исчезает, что отличается от традиционного определения сегнетоэлектричества. Однако эти возражения в основном формальны. В частности, в смесях право- и левовинтовых веществ, не являющихся зеркальным отражением друг друга, должна существовать возможность найти температуру, при которой кручение исчезает, а Р остается отличным от нуля. При этой конкретной температуре систему можно приготовить в виде одного сегнетоэлектрического домена. Наиболее интересное различие между этой ситуацией и твердым сегнетоэлектриком — это различие разрешенных ориентаций Р. В твердом теле эти ориентации образуют дискретное множество осей легкой поляризации ). Но в смектике С существует плоскость легкой поляризации с бесконечным вырождением. Поэтому здесь не возникают доменные стенки ). [c.376]

    Специальный случай этого типа структурных фазовых переходов представляют собой псевдо-ян-теллеровскне сегнетоэлектрические фазовые переходы. Их происхождение становится понятным, если вспомнить, что в случае псевдоэффекта Яна—Теллера (для систем с центром инверсии) и эффекта Яна—Теллера в Г — г-задаче для систем без центра инверсии искажения системы в минимумах могут оказаться дипольными (стр. 223 и 287). Очевидно, что корреляция (упорядочение) этих искажений в кристалле (кооперативный псевдоэффект Яна—Теллера или кооперативный эффект Яна —Теллера в Г — г-системах без центра инверсии) приводит к спонтанно-поляризованному состоянию кристалла, а структурный фазовый переход в неупорядоченное состояние есть сегнетоэлект-рический переход в парафазу. Различные классы сегнетоэлектриче-ских кристаллов были исследованы с точки зрения их псевдо-ян-теллеровского происхождения [291, 292, 424—426, 431]. Общие вопросы сегнетоэлектричества см. в монографии [432]. [c.293]


    Коллективные факторы весьма актуальны в специальном случае квазивырождения. Ранее (раздел IV. 5) было показано, что при наличии квазивырождения, определяемого условием (IV. 35), искажения системы в минимумах могут оказаться дипольными, т. е. соответствовать образованию дипольного момента у соединения. Коллективный эффект таких дипольных искажений в кристалле есть не что иное как его спонтанная поляризация. Именно это обстоятельство позволило подойти к вопросу о происхождении спонтанной поляризации кристаллов и сегнетоэлектричества в них с точки зрения локальных электронных свойств. [c.196]

    B. X. Козловский) было выполнено исследование многочисленных твердых растворов титанатов, цирконатов, станнатов, ниобатов и танталатов, обладающих сегнетоэлектрическими и пьезоэлектрическими свойствами. Теоретические работы чл.-корр. АН СССР Г. А. Смоленского привели к установлению критерия существования сегнетоэлектричества в окисных соединениях (критерий Смоленского—Маттиаса). [c.9]

    Титанат бария. Метатитанат бария в виде его кубической модификации известен с 1942 г. [80] как интересный диэлектрический материал ). Потребность в больших кристаллах кубической модификации этого соединения для исследований сегнетоэлектричества послужила стимулом в развитии работ по выращиванию таких кристаллов. Согласно Мертцу [81], соответствующие фазовые превращения таковы  [c.321]

    В области строения простых систем, таких как октаэдрические молекулы и комплексы, одним из самых интересных является вопрос о их конфигурационной нестабильности вследствие эффекта Яна — Теллера. Широкие теоретические и экспериментальные исследования последнего времени, в частности методом ЭПР (Альтшулер, Козырев, 1971), внесли достаточную ясность в вопрос об искажении различных систем при наличии электронного вырождения, описываемого так называемым эффектом Яна — Теллера первого порядка. Наряду с этим эффект Яна — Теллера второго порядка (или псевдоэффект Яна — Теллера) остается слабо изученным в экспериментальном отношении. Основной результат теоретического рассмотрения сводится к тому, что во втором порядке теории возмущений оказываются конфигурационно нестабильными даже диамагнитные системы, в частности октаэдрические молекулы и ионы. С псевдоэффектом Яна — Теллера связывают такие важные явления, как, например, сегнетоэлектричество (Версукер, 1971). [c.4]


Библиография для Сегнетоэлектричество: [c.242]    [c.252]    [c.243]    [c.296]   
Смотреть страницы где упоминается термин Сегнетоэлектричество: [c.248]    [c.111]    [c.184]    [c.73]    [c.244]    [c.247]    [c.431]    [c.431]    [c.103]   
Электронное строение и свойства координационных соединений Издание 2 (1976) -- [ c.293 ]

Строение и свойства координационных соединений (1971) -- [ c.119 ]

Кристаллография (1976) -- [ c.167 , c.176 , c.204 , c.208 , c.209 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.376 ]

Структура и симметрия кристаллов (0) -- [ c.179 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Группа С. Вид симметрии и пироэлектричество. Вид симметрии и сегнетоэлектричество



© 2025 chem21.info Реклама на сайте