Кристаллы сегнетоэлектрические

Магнитные переходы второго рода, обусловлены протеканием процессов магнитного упорядочения с образованием ферромагнетика ниже температуры Кюри или антиферромагнетика при прохождении точки Нееля. Электрические переходы второго рода связаны с образованием или исчезновением сегнетоэлектрических и антисегнетоэлектрических состояний кристалла. [c.130]

Сегнетоэлектрические кристаллы находят в науке и технике разнообразное применение не только благодаря тому, что они обладают значительным пьезоэффектом. Рассмотрим ряд приборов, в которых используются различные проявления сегнетоэлектричества. [c.511]

Принцип действия сегнетоэлектрического приемника, обладающего заметным пироэлектрическим эффектом, заключается в следующем. Лучистая энергия, падая на зачерненную поверхность сегнетоэлектрического кристалла, нагревает его. При этом изменяется спонтанная поляризация, т. е. происходит изменение заряда, которое регистрируется с помощью электронной схемы.-Использование пироэлектрических кристаллов в качестве датчиков температуры дает возможность регистрировать температурные изменения порядка 10" —10" при чувствительности [c.512]

Спай различных металлов с черненой полоской в качестве абсорбера Проволочное сопротивление или стружка термистора с черненой полоской Черненая мембрана или газовая камера Сегнетоэлектрический кристалл с постоянной электрической поляризацией [c.176]

Пироэлектрики — это кристаллические диэлектрики, обладающие спонтанной поляризацией, т.е. поляризацией в отсутствие электрического поля и др. внешних воздействий. Кристаллы первых 10 из перечисленных для пьезоэлектриков классов относятся к пироэлектрикам, т.е. в них возникает поляризация при отсутствии внешних воздействий. Обычно наблюдается не сама спонтанная поляризация, а ее изменение при быстром изменении температуры (пироэлектрический эффект). Типичный пироэлектрик — турмалин. В нем при изменении температуры на 1 С возникает электрическое поле -400 В/см. Все пироэлектрики являются пьезоэлектриками, но не наоборот. Некоторые пироэлектрики обладают сегнетоэлектрическими свойствами [95]. [c.260]

Дефекты упаковки, синтаксические срастания политипов. Сталкиваться с этими дефектами при выращивании кристаллов из растворов приходится сравнительно редко. Все же мы включили их в рассмотрение, поскольку они характерны для такой перспективной группы сегнетоэлектрических кристаллов, как желтая кровяная соль и ее аналоги (Р1, Ки, Оз-соли и дейтерированные соли). [c.131]

В физике твердого тела для различных классов кристаллов наблюдаются сверхсостояния (сверхпроводимость, ферромагнетизм и сверхпластичность для металлов, сегнетоэлектрическое состояние для диэлектриков), для квантовой жидкости (гелия) наблюдается сверхтекучесть. Полимеры обладают своим сверхсостоянием, которое называется высокоэластнческим состоянием. Высокоэластическое состояние объясняется не только структурой полимерных молекул или макромолекул, но и свойством внутреннего вращения, известным для простых молекул в молекулярной физике. Теория высокой эластичности основывается на применении конформ анионной статистики макромолекул, которая является развитием статистической физики в физике полимеров. Аморфные полимеры по структуре сложнее, чем низкомолекулярные вещества, но в их ближнем порядке примыкают к строению жидкостей. Релаксационные и тепловые свойства расплавов полимеров и жидкостей во многом аналогичны (процесс стеклования, реология). Кристаллические полимеры по своему строению похожи на твердые тела, но сложнее в том отношении, что наряду с кристаллической фазой имеют в объеме и аморфную фазу с межфазными слоями. По электрическим свойствам полимеры — диэлектрики и для них характерно электретное состояние, по магнитным свойствам полимеры — диамагнетики, а по оптическим свойствам они характеризуются ярко выраженным двойным лучепреломлением при молекулярной ориентации. При этом все полимеры обладают уникальными механиче- [c.9]

Большое практическое значение имеют смешанные сегнетоэлектрические кристаллы, отличающиеся малым tg б и высоким удельным сопротивлением. Смешение двух сходных сегнетоэлектриков дает обычно сегнето-электрик с точкой Кюри, расположенной между точками Кюри компонентов, а смешение сегнетоэлектрика [c.334]

Инфракрасные спектры поглощения сегнетоэлектрических кристаллов типа перовскит. [c.210]

Оптическая активность и сегнетоэлектрические свойства жидких кристаллов [c.93]

Рис. 10.5. Температурная зависимость теплоемкости Сд короткозамкнутого кристалла триглицинсульфата (ЫН2СН2С00Н)з Н2504 вблизи сегнетоэлектрического перехода [40].

При исследовании зависимости Ито от Т ставились опыты по отражению в дальней инфракрасной области [19а], по комбинационному рассеянию света [88а], по рассеянию нейтронов. Сильный энгармонизм колебания снижает точность измерений. Тем не менее экспериментальные данные показывают, что соотношение (11.1) приближенно выполняется для тех сегнето-электрических кристаллов, сегнетоэлектрические свойства которых обусловлены относительным смещением подрешеток анионов и катионов, например ВаТЮз и ЫЬЫОз [215] ). [c.327]

Рис. Vni.5. Элементарные ячейки кристалла KDP до и после перехода в сегнетоэлектрическое состояние (а) (/ — / 4d2, II--Fdd2, полярная

Кристаллоструктурные задачи. Стереохимические исследования важны главным образом для сложных по составу соединений, чаще всего включающих фрагменты (лиганды, радикалы, молекулы) органической природы. Но существуют и такие классы соединений, как инт ермё-таллические и ионные кристаллы, где дальний порядок, т. е. не стереохимический, а упаковочный (кристаллоструктурный) аспект строения, более существен, чем стереохимический. Это связано с тем, что именно строение кристалла Б целом, а не конфигурации отдельных структурных кирпичей определяют анизотропию кристаллического вещества и такие физические свойства, как твердость, упругость, а также сегнетоэлектрические, пироэлектрические и другие характеристики твердых соединений, используемые в современной технике. Кроме того, большое значение имеет изучение общих закономерностей кристалла в целом (дальнего порядка) в семействах родственных по составу соединений. Примером может слу- [c.134]

Кристаллоструктурные задачи. Стереохимические исследования важны главным образом для сложных по составу соединений, чаще всего включающих фрагменты (лиганды, радикалы, молекулы) органической природы. Но существуют и такие классы соединений, как интерметаллические и ионные кристаллы, где дальний порядок, т. е. не стереохимический, а упаковочный (кристаллоструктурный) аспект строения, более существен, чем стереохимический. Это связано с тем, что именно строение кристалла в целом, а не конфигурации отдельных структурных кирпичей определяют анизотропию кристаллического вещества и такие физические свойства, как твердость, упругость, а также сегнетоэлектрические, пироэлектрические и другие характеристики [c.178]

Проявление этих свойств у сегнетоэлектриков обнаруживается только при температуре ниже некоторой предельной, зависящей от рода вещества. Выше нее изменяется структура, и сегнетоэлектрические свойства исчезают, s резко уменьшается. Эта температура называется точкой Кюри, как и для ферромагнетиков. Когда ниже точки Кюри возникает поляризация в кристалле сегнетоэлектрика при наложении внешнего поля, то ей сопутствует и деформация (пьезоэф-фект, гл. XI, 4). Сегнетоэлектрики применяются для изготовления нелинейных конденсаторов — варикондов, используемых в запоминающих и других устройствах. [c.331]

Частным случаем пироэлектриков являются сегнетоэлектрики (от названия кристаллов сегнетовой соли МаКС4Н40в НгО у которой это явление впервые было обнаружено). В нпх также самопроизвольно возникает поляризация, но лишь в некотором интервале температур. Чтобы описать наиболее существенные особенности явления сегнетоэлектричества, введем [19] модель гипотетического двумерного сегнетоэлектрического кристалла с химической формулой АВ (рис. 118, а). Ионы А, заряд которых мы предполагаем отрицательным, расположены в узлах простой квадратной решетки. Ионы В, имеющие положительный заряд, расположены на горизонтальных линиях, соединяющих ионы А. Предположим теперь, что при данной температуре Т все ионы В расположены ближе к ионам А, находящимся слева. Мы можем рассматривать каждую группу АВ как диполь. При этом структура может быть схематически представлена ансамблем диполей, направленных в одну сторону (упорядоченное состояние), как показано в верхней части рис. 118, б. В этом случае говорят, что кристалл спонтанно поляризован. [c.275]

В качестве материалов для пироприемников можно использовать различные сегнетоэлектрические кристаллы триглицинсуль-фат, сегнетову соль, а также сегнетокерамические материалы. [c.513]

Точка Кюри у обоих дигидроортофосфатов заметно понижается в присутствии ряда примесей (щелочные металлы, таллий, барий и др.). В последние годы было проведено большое число исследований сегнетоэлектрических свойств дигпдроортофосфатов калия, рубидия и цезия в связи с возможным их использованием при изготовлении небольших конденсаторов высокой мощности. Дигидроортофосфаты рубидия и цезия можно применять также в качестве пьезоэлектрических материалов, в которых электрический ток или полярность возбуждается давлением [318]. По механическим и пьезоэлектрическим свойствам дигидроортофосфаты находятся между кварцем и тартратом калия—натрия. По сравнению с кварцем их пьезоэлектрический эффект примерно в семь раз больше в отличие от тартратов они более устойчивы по отношению к влаге. Не менее важным представляется использование дигидроортофосфатов рубидия и цезия в качестве электрооптиче-ских модуляторов. Если требуется осуществить быстрый поворот пучка световых лучей под действием электрического тока, то кристаллы дигидроортофосфатов следует предпочесть обычной ячейке Керра. [c.129]

Висмут уксуснокислый (молекулярная масса 386,115) представляет собой блестящие, бесцветные пластинчатые кристаллы плотностью 2,79 г см [211] (по данным работы [222], 2,58 г см ). Он используется при синтезе сверхпроводящих и сегнетоэлектрических материалов, для получения висмутсодержащих оксидных пленок методом газофазного напыления, а также в качестве исходного соединения при синтезе других карбоксилатов висмута или производных цис-толоъ и транс-толоъ из алкенов [203, 227]. [c.189]

Сегнетоэлектрики (или ферроэлектрики, в англоязычной литературе, далее эти термины будут использоваться как равнозначные) — это кристаллические диэлектрики, обладающие в определенном интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, которая сушественно изменяется под влиянием внешних воздействий. Сегнетоэлектрические свойства были впервые обнаружены у кристаллов сег-нетовой соли KNa 4H406 4H20 в 1920 г., а затем у дигидрофосфата калия КН2РО4. Сейчас известно несколько сотен сегнетоэлектриков. [c.259]

Мессбауэрография на основе данных об интенсивности дифракционных максимумов и поляризации излучения позволяет получать ценнейшую информацию о структуре и симметрии градиентов внутрикристаллических полей. Это имеет значение для изучения природы ряда явлений, в частности, для исследования фазовых переходов, например, сегнетоэлектрических, которые сопровождаются малыми искажениями элементарной ячейки кристалла и трудно детектируются другими дифракционными методами. [c.208]

Термо- и электростимулированная экзоэлектронная эмиссии достаточно хорошо исследованы на образцах сегнетоэлектрического кристалла триглицин-сульфата (ТГС), как чистого, так и с при- [c.662]

Наличие сегнетоэлектрических эффектов в жидких кристаллах, с одной стороны, и аномалии в диэлектрическом поведении углеводородных растворов мыл, для которых характерно при высоких температурах образование ме-зофаз, с другой стороны, указывает на необходимость совместного изучения диэлектрических и сегнетоэлектрических свойств этих систем. [c.301]

Изотопный эффект при дейтерировании. Уббелоде с сотрудниками проделали большую работу по исследованию влияния дейтерирования на структуру кристаллов с Н-связями [1729, 2067, 1728, 1727, 2071, 521, 739, 2068]. Обзор полученных ими результатов дан в статье [2068]. В большинстве кристаллов О-связь имеет несколько большую длину, чем Н-связь. Дейтерирование кристаллов, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, ведет к росту температуры сегнетоэлектрического перехода (верхней точки Кюри). Некоторые из результатов, собранных в работе Уббелоде и Гэллафера, приведены в табл. 100, а соответствующие более детальные [c.251]

В некоторых кристаллах наблюдается спонтанная, даже без наличия внешнего поля, поляризация, направление которой меняется лишь под действием внешнего поля. По аналогии с ферромагнетиками такие кристаллы называют ферроэлектриками. Сегнетоэлектрики отличаются от обычных диэлектриков тем, что у них поляризация с изменением поля меняется нелинейно. Их спонтанная поляризация (при температуре ниже так называемой температуры Кюри ) обусловлена упорядоченными смещениями ионной решетки. К числу типичных сегнетоэлектриков относится сегнетова соль (тартрат натрия-калия) и титанат бария. В ВаТ10з, например, ионы и Ва " смещены относительно ионов кислорода. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов зависят от структуры и наличия в решетке определенных функциональных групп или определенного ионного окружения проявление подобных свойств возможно лишь при некоторых типах симметрии решетки. [c.76]

Однако достоинства книги имеют и оборотную сторону. Слишком много интересных эффектов, причем имеющих важное практическое значение, осталось за оортом или отмечено лишь краткими примечаниями Правда, это обусловлено не только позицией автора, о которой говорилось выше, но и тед1 обстоятельством, что никакая книга не успеет за такими стремительными темпами, какими развиваются работы по исследованию жидких кристаллов. И хотя во 2-е издание 1975 г., с которым сверен перевод, де Жен внес много дополнений (наиболее существенное — о сегнетоэлектрических хиральных смектиках), при редактировании мы вынуждены были добавить целый ряд литературных ссылок на наиболее важные из последних работ. [c.7]

Бурне [17] исследовал температурную зависимость e Qq в этих соединениях с целью связать изменения сегнетоэлек-трических свойств в точке Кюри и констант квадрупольного взаимодействия. Однако во всех изученных соединениях e Qq изменялись с температурой очень незначительно. Исключение составляет Li[N.2H5]S04, в котором параметр асимметрии градиента электрического поля увеличивается от 10 до 40% при нагревании от —196 до Н-23 °С. Сегнетоэлектрический фазовый переход в этих соединениях, видимо, не связан с большими изменениями градиента поля в месте на ождения ядра лития. Расчет градиентов электрических полей в ионных кристаллах и сравнение с экспериментальными значениями e Qq дает очень важную информацию о структуре кристалла. Основной вклад в градиент электрического поля на рассматриваемом я ре в ионных кристаллах дают заряды окружающих ионов и индуцированные диполи. Поэтому расчеты градиентов производятся в большинстве случаев по электростатической модели точечных зарядов и диполей [25]. [c.183]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология