Монокристаллы выращивание из раствора

Рис. 88. Схема установки для выращивания монокристалла из раствора (с движущимся кристаллом).

Жидкофазная эпитаксия. Метод выращивания эпитаксиальных иленок ферритов из жидкой фазы очень близок к методу выращивания объемных монокристаллов из раствора-расплава. Для этой цели используются близкие по составу или одни и те же растворители, области концентраций раствора и температуры. [c.170]

ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРОВ [c.334]

Выращивание монокристаллов из растворов-расплавов может осуществляться следующими методами [c.337]

ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА [c.448]

Выращивание монокристаллов из раствора [c.449]

Выращивание бездефектных монокристаллов из растворов или расплавов - большое искусство, требующее от экспериментатора ювелирного владения приборной техникой. Для этой цели есть много приборов, созданных в лабораториях и поставляемых фирмами. Ниже описана только небольшая часть приборов, конструирование которых доступно для большинства лабораторий. [c.400]

Рис. 217. Схемы приборов для выращивания монокристаллов из раствора в стакане с крышкой-холодильником (а), в эксикаторе (б) и в держателях (в). Тигельная (г) и чашечная (д) камеры растворения

Выберите хорошо сформированный кристалл квасцов, перевяжите его тонкой нитью и опустите в стакан с маточным раствором. Второй конец нити закрепите на стеклянной палочке, которую положите горизонтально на стакан и оставьте до следующего занятия для выращивания монокристалла хромокалиевых квасцов более крупного размера. [c.158]

В спектроскопии ЭПР очень важен характер исследуемых образцов. Этим методом можно изучать газы, растворы, замороженные растворы, монокристаллы, порошки. Имея в виду релаксационные процессы, обычно выбираются условия, при которых парамагнитные частицы или центры рассредоточены в диамагнитной матрице. Этим условиям удовлетворяют, например, такие парамагнитные образцы, как растворы или твердые тела, в которых парамагнитные центры генерируются при облучении. При изучении ионов переходных металлов часто используют технику выращивания монокристалла с изоморфно замещенной парамагнитным ионом решеткой диамагнитного вещества. Когда монокристалл вырастить не удается, исследуют порошки, содержащие парамагнитные ионы и получаемые соосаждением. [c.78]

Для выращивания монокристаллов используют различные технические приемы (выращивание по методу Чохральского, Вернейля и др.), сущность которых состоит в направленной кристаллизации вещества из расплава или раствора-расплава. При использовании, например, метода Чохральского направленная кристаллизация происходит при вытягивании затвердевающего монокристаллического блока с контролируемой скоростью из расплава, находящегося в тигле. [c.58]

Кристаллизацией называют процесс образования твердой фазы в виде кристаллов из раствора и расплавов, а также из газов и паров. Кристаллизация широко применяется в химической, нефтехимической, металлургической, медицинской, пищевой и других отраслях промышленности для решения следующих задач выделения кристаллической фазы из растворов и расплавов, разделения смесей при однократной или многократной частичной кристаллизации, глубокой очистки веществ от примесей, выращивания монокристаллов. Получение большого количества кристаллов в промышленном масштабе называют массовой кристаллизацией. В результате проведения массовой кристаллизации получают сыпучий продукт-кристаллы различного размера. [c.290]

Кристаллизация расплавов обладает рядом преимуществ по сравнению с рассмотренными выше методами разделения, например с ректификацией, экстракцией низкие расходы энергии, возможность разделения азеотропных и близкокипящих смесей, проведения процесса при низких температурах и др. Этот процесс все шире применяется в химической технологии (в производстве удобрений, щелочей и др.) в основном для отверждения и разделения расплавов на фракции и для выращивания монокристаллов. Отметим, что между процессами кристаллизации расплавов и из растворов нет принципиального термодинамического различия. Процесс разделения кристаллизацией расплавов часто называют фракционным плавлением. [c.309]

Методами кристаллизации осуществляются следующие процессы химической технологии 1) выделение твердых растворенных веществ из растворов 2) отверждение расплавов 3) разделение смесей веществ на фракции, обогащенные каким-либо компонентом, а иногда на практически чистые компоненты 4) глубокая очистка веществ от примесей 5) выращивание монокристаллов. Подчиненные общим закономерностям, эти процессы имеют ряд технологических особенностей и большей частью отличаются аппаратурным оформлением, поэтому они ниже будут рассмотрены отдельно. [c.679]

Рассмотрим некоторые особенности, играющие существенную роль в выращивании монокристаллов методом температурного перепада. Рост кристаллов кварца в гидротермальных условиях, как и рост кристаллов из растворов вообще, может быть описан уравнением вида [c.34]

Искусственные монокристаллы кварца и других минералов синтезируют из гидротермальных растворов методом температурного перепада, основанном на температурной зависимости растворимости получаемого минерала в водных растворах. Наибольшее применение при выращивании кварца нашли слабоконцентрированные содовые и щелочные растворы. Для выращивания кварца и его разновидностей, а также ряда других минералов могут также применяться фторидные, кислотные и некоторые другие растворы. В любом случае используемая рабочая среда должна обеспечивать достаточное абсолютное значение растворимости для выращивания минерала. [c.198]

При использовании в качестве источника углерода алмаза такое пересыщение равно нулю, а необходимая разность растворимостей обеспечивается, как и в случае выращивания из растворов других монокристаллов, размещением источника питающего вещества и затравки в зонах с неодинаковыми температурными условиями. Возникающее при этом пересыщение (рис. 134) можно назвать концентрационным (область Д), так как оно слабо зависит от абсолютных значений р-7-условий из области термодинамической стабильности, а определяется в основном перепадом температуры между зонами роста (где располагаются затравки) и растворения (где находится источник углерода). [c.382]

Особенности и границы применимости метода. Многие полупроводниковые материалы разлагаются до достижения температуры плавления, и поэтому монокристаллы тадих веществ не удается вырастить из стехиометрического расплава. Также трудно осуществимы процессы выращивания монокристаллов из расплава для полупроводниковых соединений, обладающих высоким-давлением пара при температуре плавления. Применение Метода выращивания монокристаллов из раствора снижает температуру в реакторе, а иногда и давление пара в системе. Поэтому выращивание из раствора позволяет в благоприятных условиях получать монокристаллы веществ, претерпевающих фазовый переход в твердом состоянии или обладающих значительной упругостью пара. [c.88]

Производство крупных монокристаллов требует специальной и четко разработаиной технологии. Имеются три основных метода выращивания монокристаллов из растворов, из расплавов и из паров. Недавно было составлено несколько обзоров по этому довольно специальному вопросу практической кристаллизации [23—25], поэтому здесь мы ограничимся только кратким изложением. [c.209]

Шефталь Н. Н. Статический метод выращивания монокристаллов из растворов (научные и практические итоги). Труды Института кристаллографии АН СССР. вып. 4, 1948, стр. 231—233. [c.287]

Выращивание монокристаллов из растворов во многом напоминает кристаллизацию из однокомпонентной жидкой фазы. Однако вследствие присутствия добавочного компонента — растворителя теоретический анализ в этом случае становится значительно сложнее. При росте кристаллов из растворов возможность образования зародыщей несколько больше, чем в одно-комионентной жидкой фазе. Ширина метастабильной области в этом случае зависит от природы и состава растворителя, кристаллизующегося вещества, его химического состава и строения, интенсивности перемешивания. [c.142]

Типы растворов-расплавов и их основные свойства. Растворы-расплавы, используемые для выращивания монокристаллов ( зерритов раствор-расплавным методом, подразделяют на две группы растворы-расплавы, содерлощие соединения свинца (свинцовые), и растворы-расплавы, содержащие соединения бария (бор-бариевые). [c.148]

Хотя при спонтанной кристаллизации из свинцовых растворов-расплавов получены монокристаллы ферритов с высокими магнитными характеристиками, этот метод выращивания не удовлетворяет в полной мере техническп.м требования.м к монокристаллам в основном из-за плохой воспроизводимости свойств. Особенно большие трудности возникают при получении монокристаллов твердых растворов ферритов, например иттрий-гал-лиевого, кальций-висмут-ванадиевого феррогранатов, с достаточно высокой однородностью их свойств по объему. Совершенствование метода спонтанной кристаллизации возможно при создании условий выращивания с ограниченным числом центров кристаллизации и их локализацией в определенном месте кристаллизатора. [c.156]

Давление паров мышьяка над расплавом стехиометрического состава, равное 0,976 ат, относительно высокая температура плавления GaAs и взаимодействие галлия с кварцем или графитом являются теми факторами, которые значительно усложняют технологию получения монокристаллов высокого качества. Для получения монокристаллов GaAs осуществляют выращивание монокристаллов из расплавов стехиометрического состава методами Бриджмена, Чохральского и бестигельной зонной плавки, выращивание монокристаллов из растворов-расплавов, содержащих избыток галлия, процессы переноса в паровой фазе. [c.473]

Плавление исходных материалов в печах осуществляется 1) для получения расплавов с целью последующего (внепечного) придания им заданных форм б) получения сплавов и твердых растворов заданного химического состава и физических свойств в) термического ликвационного рафинирования расплавленных металлов за счет выделения примесей вследствие уменьшения их растворимости в сплаве при понижении температуры и выплавления примесей из кристаллов сплава при нагревании г) направленной кристаллизации и зонной плавки для выращивания монокристаллов и глубокой очистки металлов, идущих на производство прецизионных сплявпа----- - [c.17]

Диоксид кремния 5Ю2 практически не растворяется в воде при комнатной температуре. В воде, нагретой под давлением выше 100 С, кварц заметно растворяется, и этим пользуются для выращивания болыиих (30 см и более) монокристаллов искусственного кварца. На кварц не действуют никакие кислоты, кроме фтороводородной [c.378]

Приборы, посуда и реактивы установка для выращивания кристаллов чашка Петри, пинцет кремний или германий, блочный или поликристаллический, марки КП (ГП) монокристалл кремния или германия 0,5 г (затравка), 3%-ный раствор Н2О2, раствор NaOH. [c.60]

Следует подчеркнуть, что данные о структурной химии гидроксидов очень неполные. Для изучения структуры необходимы кристаллические образцы, предпочтительно в виде монокристаллов, а некоторые гидроксиды легко разрушаются до оксидов даже прп кипячении в водном растворе (например, Си(ОН)г, Sn(0H)2, Т1(0Н)з). Неизвестны многие простые гидроксиды, например СиОН, AgOH, Hg(0H)2, Pb(0H)4. Хотя многие из высших оксидов не устойчивы при обычных условиях, тем не менее такие соединения, как Ni(0H)3, Мп(0Н)4, U(0H)4, Ru(0H)4 и др., описаны в литературе поэтому необходимы исследования с целью подтверждения их существования и расшифровки структуры. Некоторые из таких соединений не являются простыми гидроксидами например, Р[(ОН)4-2НгО на самом деле имеет формулу H2[Pt(0H)eJ. Кондуктометрическим титрованием и измерениями молекулярной массы было установлено, что аураты и получаемая из них ауровая кислота содержат ион Ли (ОН) 4- [8]. В литературе описано выращивание кристаллов РЬ(0Н)2 в состаренных гелях, но более поздние исследования показали, что такой гидроксид не существует [c.353]

Выращивание монокристаллов AgiO, химически очень чистых, гидротермальным способом из водного раствора при давлении 3300 бар в градиенте температур 71— 48 °С [4]. [c.1089]

Для выращивания монокристаллов 1 г MoN la растворяют в 25 мл PO la, при необходимости раствор фильтруют, помещают в холодильник н через несколько часов получают большие (до 2 мм) кристаллы. Их промывают небольшим количеством охлажденного H2 I2 и сушат в вакууме. [c.1652]

В раобте [155] описано выращивание монокристаллов цеолитов А и X размером 75 и 40 микроп соответственно при использовании карбопола в качестве геля. Чарнелл [156] получил монокристаллы цеолита А и X размером 100—140 мкм по реакции метасиликата натрия с алюминатом натрия в растворе вода — триэта-ноламин при 75—95 °С. Растворы алюлптната и силиката были тщательно отфильтрованы, кристаллизация цеолита X велась 3—5 недель, а цеолита А — 2—3 недели, [c.361]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология