Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Энергия образования поверхности

    Общее изменение свободной энергии системы при образовании фазы состоит из двух частей 1) энергии образования поверхности раздела и 2) изменения объемной свободной энергии. При сферической форме областей новой фазы радиусом г изменение свободной энергии системы можно выразить уравнением [c.220]


    Необходимым общим условием стабильного существования поверхности раздела между двумя фазами является положительное значение свободной энергии образования поверхности раздела будь она отрицательной или нулевой, случайные флуктуации вызывали бы непрерывное расширение поверхности и в конце концов привели бы к полному диспергированию одного материала в другом. Примерами поверхностей раздела, свободная энергия которых в расчете на единицу площади такова, что диспергирующим силам не оказывается какого-либо противодействия, являются поверхности раздела между двумя разреженными газами, двумя смешивающимися жидкостями или твердыми телами. Даже в случае двух несмешивающихся жидкостей присутствие соответствующего третьего компонента может так влиять на свободную энергию межфазной поверхности, что происходит самопроизвольное эмульгирование (см. разд. ХП-5). [c.9]

    При внесении в ртуть тонко измельченных порошков, совершенно несмачиваемых ртутью, Паркс наблюдал поглощение тепла, отвечающее энергии образования поверхности ртути около поверхности порошка (см. уравнения 71 и 73). [c.193]

    Грамм-атомная поверхностная энергия Е . Величина — энергия образования поверхности, содержащей один грамм-атом вещества, распределенного в монослой, с расстояниями между частицами, равными соответствующим расстояниям на грани рассматриваемого кристалла. Эта величина бывает в определенных случаях полезной. Площадь одного грамм-атома вещества, распределенного в монослой при плотности атомов на 1 равна [c.82]

    Скорость зародышеобразования лимитируется определенным кинетическим барьером, связанным со свободной энергией образования поверхности новой фазы. Существование переохлаждения определяется этим кинетическим барьером. [c.43]

    Как легко убедиться, она составляет одну треть от энергии образования поверхности критического зародыша  [c.247]

    Первое слагаемое ДС1 представляет собой свободную энергию образования поверхности раздела и в него входит свободная энергия поверхности (положительная величина) и свободная энергия образования двойного слоя (эта величина отрицательна, так как двойной спой образуется самопроизвольно). Выражение для ДС1 бьшо выведено ранее в рамках приближения Дебая - Хюккеля в предположении, что расстояния между глобулами велики [19]  [c.443]

    IV зависят от размера трещины. Экстремальное значение свободной энергии тела Г=А—Ж соответствует некоторой критической длине трещины а,ф. Таким образом, энергетический подход Гриффита предполагает, что развитие трещины происходит, когда длина трещины а превышает критическое значение йкр. Отсюда вытекает [34, т. 2, с. 85], что если удельная энергия образования поверхности материала и размер трещины известны, то из критерия разрушения можно получить неравенства, определяющие наименьшую нагрузку, необходимую для разрушения. Например, для случая растяжения образца напряжением а, перпендикулярным плоскости трещины, критерий Гриффита дает неравенство [c.48]


    Г. М. Бартенев показал, что физический смысл величины у заключается в том, что она определяет объем а, в котором осуществляется элементарный акт перехода потенциальной механической энергии в энергию образования поверхности и в тепловую энергию [17] (у= Р, где Р — коэ( ициент концентрации напряжений). [c.239]

    Физический смысл этой величины, по-видимому, заключается в том, что она определяет объем, в котором осуществляется элементарный акт перехода потенциальной механической энергии в энергию образования поверхности и в тепловую энергию. В соответствии с приведенной формулой процесс разрушения происходит вследствие флуктуации энергии теплового движения. Приложенное напряжение только способствует этому процессу, снижая потенциальный барьер перехода от состояния до разрушения к состоянию после разрушения. [c.237]

    Значение 0 по порядку величины оказалось близким к периоду собственных колебаний атомов. Активационный барьер процесса разрушения i/g в отсутствие напряжения для металлов равен энергии сублимации. Коэффициент у, характеризующий скорость уменьшения барьера с напряжением и имеющий размерность объема, существенно зависит от структуры материала и, вероятно , связан с перенапряжением на дефектах в реальных твердых телах. По физическому смыслу эта величина представляет собой объем, в котором осуществляется элементарный акт перехода потенциальной механической энергии в энергию образования поверхности и в тепловую энергию. [c.160]

    При сближении двух тел до расстояний, сопоставимых с дальностью действия межмолекулярных сил, между ними возникают поверхностные силы взаимодействия, которые действуют лишь в сфере молекулярного поля и на расстояниях от поверхности раздела, превышающих радиус этой сферы, равны нулю. Эти силы, являющиеся следствием ненасыщенности межмолекулярных сил на поверхности фаз и зависящие от природы когезионных сил в фазах, всегда выступают как силы притяжения. Ненасыщен-ность межмолекулярного взаимодействия на внешней поверхности частицы приводит к образованию избыточной поверхностной энергии между фазами. Наличие определенного избытка свободной энергии, сосредоточенной в поверхностньге слоях на границе раздела фаз и пропорциональной этой поверхности, обусловливает стремление любых дисперсных систем занять минимальную поверхность раздела фаз. Следствием такого свойства дисперсных систем является стремление в изотермических условиях жидких частиц к коалесценции и твердых частиц к агрегированию, сопровождающихся понижением свободной поверхностной энергии пропорционально убыли поверхности. Термодинамически поверхностную энергию можно характеризовать через уравнение для внутренней энергии и=Р+Тз. Применительно к процессу образования новой поверхности и есть поверхностная энергия, Р - свободная энергия образования поверхности и Тз - тепловой эффект процесса, где 8 = с1Р МТ - температурный коэффициент свободной энергии образования поверхности. Известно, что внутренняя энергия системы является результатом взаимодействия частиц и их кинетической энергии. В изотермических процессах определяемая температурой кинетическая энергия частиц остается постоянной, поэтому все изменения внутренней [c.93]

    Бакнелл сопоставил значения энергии образования поверхности разрушения и сопротивления удару на примере полистирола. Он показал, что сопротивление удару по Изоду (с надрезом) равное 0,645 кгс-см/ем, эквивалентно 1,02-10 эрг для стандартного образца толщиной 6,3 мм, т. е. 8,5 10 эрг/см. Это сравнимо со значением (3,0 0,25) 10 эрг/см , полученным в работах Бенбоу и Рэслера — Берри. Близость приведенных значений указывает на то что основная. часть энергии при испытании на стойкость к удару диссипирует в процессе разрушения аналогично тому, как это происходит в опытах по раскалыванию, где условия испытания идентифицированы более точно. [c.332]

    ДС - свободная энергия образования поверхности раздела между двойным слоем гпобулы и непрерывной фазой  [c.461]

    С этой точки зрения, твердость Я прежде всего хрупких тел находится в прямой связи с удельной поверхностной энергией тела Zfiki> т. е. энергией образования единицы поверхности, обычно выраженной в эрг/см . П. А. Ребиндер отмечал, что фактически затрачиваемая энергия — энергия диспергирования (дробления) dAldF больше поверхностной энергии образованной поверхности, поскольку [c.388]

    При взаимодействии частичных дислокаций образуются дефекты упаковки и двойники, представляющие собой двумерные поверхностные дефекты. Энергия образования поверхностей, связанных с дефектами упаковки и двойниками, на 1...3 порядка ниже энергий образования поверхности, разделяющей отдельные зерна кристаллов. В напряженном состоянии кристалла при реализации пластических деформаций могут образоваться дефекты с более высокими энергиями, в частности точечные, на образование которых необходимо затратить энергию 10 ..10 Дж. Изменение структуры вещества при измельчении бывает, как правило, достаточно сложным и обычно анализируется различными методами рентгеноструктурньш анализом, электронной микроскопией и ядерной гамма-резонансной спектроскопией (ЯГРС) [34] и др. [c.141]


    Из этих данных видно, что энергия образования поверхностей, связанных с дефектами упаковки и двойниками, на 1—3 порядка ниже энергий образования поверхности и на один порядок нияж энергии образования поверхности, разделяющей отдельные зерна кристаллов. Поэтому в услоиияк пластической деформации идет насыщение кристаллов дефектами упаковки и двойииками. [c.28]


Смотреть страницы где упоминается термин Энергия образования поверхности: [c.389]    [c.92]    [c.343]    [c.48]   
Кинетика и механизм кристаллизации (1971) -- [ c.0 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Поверхность энергия

Потенциальная энергия образования новых поверхностей

Свободная энергия образования поверхности

Энергия образования

Энергия образования единицы новой поверхности

Энергия образования поверхности жидкости

Энергия образования поверхности кристалла



© 2025 chem21.info Реклама на сайте