Скорость осаждения кристаллов

Гравитационные отстойники могут быть использованы для отделения мелкой соли. Они особенно эффективны при большой скорости осаждения кристаллов в маточном растворе. Если в процессе кристаллизации образуются крупные кристаллы, эти отстойники могут быть использованы почти для любого вещества. [c.224]

Сообщается , что для кристаллизации дифенилолпропана (в виде аддукта с фенолом) из реакционной массы, полученной на стадии синтеза и содержащей фенол, аддукт и побочные продукты, аппараты с циркулирующим раствором неприменимы. Вследствие того что различия в скорости осаждения кристаллов разного размера малы и плотность маточного раствора н кристаллов отличается незначительно, заметного осаждения кристаллов не происходит. Поэтому предложено использовать аппараты с циркуляцией суспензии. Для удаления из смеси избытка зародышей и мелких кристаллов часть раствора приходится выводить в так называемый нагревательный контур, где зародыши и кристаллы растворяются затем раствор снова поступает на охлаждение. [c.174]

Относительную скорость осаждения кристаллов представим в виде [c.226]

Модель с учетом скорости осаждения кристаллов [76]. Скорость осаждения кристаллов при постоянстве их размеров и концентрации раствора во всех точках горизонтальной плоскости представляется в виде [c.227]

Здесь Уг — скорость осаждения кристаллов относительно неподвижной оси координат. Высота взвешенного слоя определяется по формуле < [c.227]

Определим скорости роста кристалла в ячейке- трубе. К косвенным методам исследования роста кристалла относится определение скорости осаждения кристалла в неподвижном растворе в ячейке-трубе. [c.291]

Опишем методику экспериментального исследования кинетики роста кристалла в ячейке-трубе [92]. Данные об изменении скорости осаждения кристалла в процессе его роста или растворения содержат информацию о кинетике исследуемого процесса. Но саму кинетику изменения массы частиц конкретного вещества определяют условия проведения процесса. Поэтому для проведения кинетических исследований необходим аппарат, в каждой точке объема которого в любой момент времени известна концентрация раствора и его температура. Кроме того, аппарат должен допускать возможность измерения скорости движения исследуемого кристалла. [c.292]

При кристаллизации из растворов в аппаратах со взвешенным слоем в большинстве случаев значение Reo 200 и скорость осаждения кристаллов с достаточной точностью описывается уравнением (1.89"). Так как скорость сплошной фазы имеет максимальное значение в нижней части слоя, то на вы-грузку могут попасть кристаллы после достижения только определенного размера /в. При работе аппарата в стационарном режиме для элемента взвешенного слоя высотой dx и площадью S(x) масса твердой фазы может быть определена следующим образом [c.192]

Скорость раствора в классификаторе, необходимая для получения кристаллов заданного размера, определяется по скорости осаждения кристаллов. [c.268]

При проектировании некоторых типов кристаллизаторов скорость осаждения кристаллов в растворе, насыщенном при рабочей температуре, является важным фактором и влияет как на скорость циркуляции, так и на конструкцию кристаллизатора. При проектировании следует учитывать также повышение температуры кипения, удельную теплоемкость, вязкость, плотность насыщенных растворов и их pH. [c.16]

Понятно, что для любого аппарата, независимо от того, является он кристаллизатором с циркулирующей суспензией или с циркулирующим раствором, при увеличении скорости осаждения кристаллов (вследствие их высокой плотности или большого размера) должна быть увеличена и скорость движения раствора для поддержания кристаллов во взвешенном состоянии. Высокие скорости движения раствора, особенно при большой концентрации кристаллов в суспензии, приводят к увеличению степени турбулентности потока, что может вызвать округление вершин кристаллов вследствие их трения о стенки аппарата или друг о друга. В некоторых случаях происходит дробление кристаллов. [c.39]

По мере роста кристаллы осаждаются в разгрузочной камере, проходя через поток раствора, поднимающийся им навстречу. Верхняя часть кристаллизатора расширена для предупреждения уноса мелких кристаллов с маточным раствором. Описанный кристаллизатор обладает хорошими условиями для роста кристаллов они находятся во взвешенном состоянии, и все их грани непрерывно омываются пересыщенным раствором. Однако скорость движения раствора возле охлаждающей поверхности, исходя из принципа действия самого аппарата, мала (она не может превышать более чем в полтора раза скорость осаждения кристаллов, иначе они будут уноситься в слив), и, следовательно, имеется вероятность осаждения кристаллов на этих теплопередающих поверхностях. [c.61]

Такая схема возможна лишь для кристаллизации продукта с малой растворимостью в воде. В частности, растворимость бензойной кислоты составляет 4,5 г/100 г Н2О при температуре питающего раствора и 0,45 г/100 г Н2О — при 40° С. Размер образующихся кристаллов — от 0,1 до 0,2 мм. Интересно отметить, что несмотря на малую скорость осаждения кристаллов (плотность твердого вещества 1,04, а плотность раствора 1,01 г/сж ), их можно поддерживать во взвешенном состоянии с помощью очень слабой циркуляции раствора. [c.100]

Простым и надежным методом непрерывной выгрузки является сифон, который рассчитывается таким образом, чтобы скорость потока в его восходящей ветви была достаточно высокой для поддержания во взвешенном состоянии самых крупных кристаллов. Если скорость осаждения кристаллов высока, а скорость восходящего потока суспензии слишком мала, то наиболее крупные кристаллы не удаляются из аппарата, а продолжают в нем расти. Поэтому сифон более удобно использовать тогда, когда плотности кристаллов и маточного раствора почти не отличаются друг от друга. [c.215]

Верхняя часть кристаллорастителя служит зоной частичного осветления суспензии. Диаметр этой зоны выбирают, исходя из условия, что скорость восходящего потока в ней не превышает скорости осаждения кристаллов диаметром 50—100 мкм. Из отстойной зоны жидкость выводится через кольцевой перелив, расположенный у стенок аппарата. Как показал опыт работы аппаратов при нормальном режиме, содержание твердой фазы составляет 3—5 г/л жидкости. Частично осветленная жидкость и сгущенная суспензия из кристаллорастителя поступают во всасывающий трубопровод циркуляционного насоса следующей ступени или насоса для откачивания суспензии на сгуститель. Вакуум-кристаллизатор описанной конструкции представлен на рис. 71. [c.283]

Используя уравнения (51)—(53), уже нетрудно вычислить [31] скорость осаждения кристаллов в суспензиях. Вязкость и плотность раствора легко измерить, [c.87]

Весь раствор, упаренный в I корпусе, охлаждают в холодильнике 4 до 70—80 °С и подают в солеотделитель 12. Охлаждение необходимо для того, чтобы раствор не кипел в солеотделителе, так как его температура в Г корпусе равна 125—127 °С, а при атмосферном давлении 40%-ный раствор кипит при 115°С. Кроме того, в охлажденном растворе осаждение соли улучшается за счет укрупнения кристаллов и уменьшения конвекционных потоков в солеотделителе. С другой стороны, при охлаждении увеличивается вязкость раствора и уменьшается скорость осаждения кристаллов соли. Однако при 70—80 °С это сказывается незначительно. Крупные кристаллы соли оседают быстро, но очень мелкие кристаллы остаются взвешенными длительное время. На этой стадии процесса нет необходимости полного отделения кристаллов соли, так как при последующем выпаривании соль снова кристаллизуется. Присутствие мелких кристаллов даже несколько улучшает процесс они служат центрами образования новых крупных кристаллов, которые легче осаждаются. [c.130]

Скорость осаждения кристаллов сульфата подчиняется закону Стокса [c.120]

Скорость осаждения кристаллов зависит от соотношения ионов кальция и магния в рассоле. Большие скорости осаждения наблюдаются при отношениях a VMg , заключенных в пределах от 3 до 9. До известного предела на скорость осаждения примесей оказывает благоприятное влияние температура. С ее повышением ускоряется реакция ионного обмена и дегидратация, уменьшается [c.227]

Ведется ли выпарка до выпадения кристаллов и какое при этом соотнощение твердое жидкость, свойства пульпы (транспортабельность, скорость осаждения кристаллов). [c.82]

Скорость осаждения кристаллов зависит от скорости охлаждения топлива, интенсивности его перемешивания, сонцентрации парафиновых углеводородов в топливе, его вязкости и наличия в нем поверхностно-активных веществ [17]. Поверхностно-активные вещества (депрессорные присадки, серу- и кислородсодержащие соединения) препятствуют росту кристаллов парафиновых углеводородов и увеличивают разрыв между температурами начала кристаллизации и застывания. [c.31]

Кристаллы Na2SiPe отделяют от маточного раствора и геля кремневой кислоты отстаиванием в течение 30 мин. Скорость осаждения кристаллов NaaSiPe равна 3 м/ч, а геля кремневой кислоты — [c.353]

Кристаллы NaaSiFj отделяют от маточного раствора и геля кремниевой кислоты в гидроциклонах или отстаиванием в течение 30 мин. Скорость осаждения кристаллов NaaSlFg равна 3 м/ч, а геля кремниевой кислоты — 0,25—0,3 м/ч. Такая большая разница в скорости осаждения позволяет отделить NaaSiFg из загрязненного гелем раствора, благодаря чему и не требуется предварительной очистки гексафторкремниевой кислоты от кремнегеля. Это существенно также и потому, что предварительное отделение геля от кислоты влечет за собой значительные ее потери вследствие адсорбции шламом и трудности его отмывки. [c.200]

Скорость осаждения кристаллов Na SiFg равна 3 м/ч, а геля кремневой кислоты — 0,25—0,3 м/ч. Такая большая разница в скорости осаждения позволяет отделить NagSiFg из загрязненного гелем раствора, благодаря чему и не требуется предварительной очистки кремнефтористоводородной кислоты от кремнегеля. Это сзпщественно также и потому, что предварительное отделение геля от кислоты влечет за собой значительные ее потери вследствие адсорбции шламом и трудности отмывки. [c.361]

Кристаллы NagSiFg отделяются от маточного раствора и геля кремневой кислоты отстаиванием в течение 30 мин. Скорость осаждения кристаллов NagSiFg равна 3 м/час, а геля кремневой кислоты— 0,25—0,3 м/час. Такая большая разница в скорости осаждения [c.226]

Семен [7] описывает результаты влияния концентрации твердой фазы в суспензии на скорость осаждения кристаллов нитрата аммония (см. рис. 76, а). Джеремиссен приводит для суспензий, содержащих 20—25 объемн. % твердого вещества, данные о скорости свободного осаждения солей в кристаллизаторе типа В (рис. 76,6). Они совпадают с результатами других авторов линейные скорости восходящего потока составляют от 20 до 30% скорости свободного осаждения частиц. [c.160]

Кристаллы Na2SiFe отделяются от маточника и геля кремневой кислоты отстаиванием в течение 30 мин. Скорость осаждения кристаллов Na2SiFe равна 3 ж/час, а кремнегеля — 0,25—0,3 м час. Такая большая разница в скорости осаждения позволяет отделить NaaSiFe из загрязненного гелем раствора, вследствие чего и не требуется предварительная очистка кремнефтористоводородной кислоты от кремнегеля. [c.554]

Технологические схемы преципитирования определяются в основном концентрацией фосфорнокислых растворов. Наиболее разбавленные растворы получаются при солянокислотной переработке фосфатов, поэтому в данном случае осуществляется декантация преципитатной пульпы перед ее фильтрованием зз. о, 4в, 46, ee-ss Наилучшие показатели получены при осаждении преципитата суспензией известняка (с отношением Ж Т от 2 1 до 1 1). Преципитат, осажденный СаСОз, хорошо отстаивается, фильтруется и промывается. Скорость осаждения кристаллов составляет 0,33—0,36 м1час. Известняк дешевле извести, нет опасности введения избытка свободной СаО, при наличии которой возможны потери цитратнорастворимой РгОв, поэтому его применение имеет преимущество перед известковым молоком. [c.677]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология