Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Кристаллы осаждение

    Дендритный рост. При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверх-ностл растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно — Б вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Этот процесс назван механизмом затора в движении [47]. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный йодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации. [c.170]


    При нормальной работе карбонизационной колонны достигаются высокая производительность аппарата, высокая степень использования рассола и аммиака и хорошее качество кристаллов осажденного гидрокарбоната натрия. При этом стремятся подавать в колонну карбонизации минимально необходимое количество диоксида углерода и охлаждающей воды. [c.132]

    Для отделения осадка от раствора фильтрованием размер зерна осадка должен превыщать размеры пор фильтра. Для получения крупных кристаллов осаждение проводят с определенной скоростью. Например, сульфат бария при быстром осаждении из нейтральных растворов выпадает в виде очень мелких кристаллов, которые проходят даже через мелкопористый фильтр. При медленном осаждении из кислого и горячего раствора сульфат бария образуется в форме более крупных кристаллов. Крупнокристаллический осадок предпочтителен еще и потому, что он имеет меньшую общую поверхность и поэтому посторонние вещества адсорбируются мало и их легче отмыть при промывании осадка. [c.209]

    Степень совершенства кристаллической решетки в продуктах гетерогенной кристаллизации при всех температурах прокаливания больше, чем в продуктах гомогенной кристаллизации, на что указывает расположение соответствующих кривых 002-Отсюда следует сравнительно большая скорость процесса ликвидации поворотных дефектов в кристаллах, осажденных из газовой фазы, что, по-видимому, связано с отложением углерода на внутренней поверхности пор в виде блестящего углерода. [c.275]

    Исследование ряда растворов определенного состава, каждый из которых содержал один компонент сточной воды, показало значительное различие добавок в ингибирующем действии на кристаллизацию карбоната кальция. На рис. 3.4 показано содержание Кристаллического карбоната кальция (в % от теоретического выхода кристаллов), осажденного из насыщенных растворов с различными добавками через 1 день после их внесения. В контрольных опытах, при которых испытуемые вещества не добавляли в пересыщенный раствор, получали около 90% кристаллического карбоната кальция после 24 ч. Фосфатированный инозит, встречающийся в природе органический фосфат, почти не оказывал действия на рост кристаллов карбо- [c.33]

    Блескообразователи представляют собой следовые добавки органических соединений в солевые растворы, которые используются в ваннах, предназначенных для электроосаждения металлов (см.) [в гальванопластике и гальваностегии (см.)] или их электролитической очистки (см.). Эти соединения влияют, главным образом за счет адсорбционных процессов, на рост кристаллов осажденного металла. Блескообразователи способствуют а) превращению крупнокристаллического осадка в микрокристаллический, б) уменьшению образования бугристых осадков, в) изменению структуры осадка, г) усилению блеска покрытия, д) изменению состава покрытий из сплава и е) увеличению твердости электролитического осадка. [c.29]


    Поместить кристаллы оксиацетата бериллия в пробирку и нагреть их в пламени горелки. Что происходит Каков состав вещества, оседающего на стенках пробирки Посмотреть под микроскопом кристаллы осажденного и возогнанного оксиацетата бериллия. [c.171]

    Выход кристаллов представляет собой только количество чистых кристаллов, осажденных из раствора, однако действительный выход твердого материала может быть несколько выше расчетного, поскольку кристаллическая фаза включает некоторое количество маточного раствора даже после фильтрации. После того как кристаллы высыхают, они покрываются слоем материала более низкого качества, чем основная масса кристалла. В результате недостаточного удаления маточного раствора сухие кристаллы, выпускаемые промышленностью, очень часто содержат примеси. [c.50]

    Сульфат бария имеет склонность к образованию мелкокристаллического осадка, способного проходить через поры фильтра. Поэтому при осаждении создают условия для образования сравнительно крупных кристаллов осаждение ведут в среде горячей разбавленной соляной кислоты, осади-тель прибавляют по каплям. При охлаждении кристаллы выпадают из пересыщенного раствора. [c.85]

    Для получения более крупных кристаллов осаждение ведут следующим образом. Раствор хлорида кальция подкисляют соляной кислотой, приливают к нему раствор ш ав евой кислоты и лько после этого нейтрализуют свободную кислоту аммиаком. [c.155]

    Степень стереорегулярности полинрониленов зависит от размера кристалла осажденного катализатора [58]. Если осажденный катализатор, приготовленный из триэтилалюминия и четыреххлористого титана, профильтровать, то крупно кристаллическая фракция катализатора, задержанная на фильтре, дает большее относительное содержание изотактического полипропилена, чем коллоидная фракция, перешедшая в фильтрат. Стереорегулярность полимера можно уменьшить применением катализаторов, легче растворяющихся в углеводородном растворителе процесса, например катализаторов, приготовленных из алкоксипроизводных титана. Стереорегулярность можно уменьшить также применением алкилалюминиевого компонента катализатора с алкильными группами, содержащими более трех углеродных атомов. [c.289]

    Требования к технологическому режиму отделения карбонизации должны обеспечить высокую степень использования Na - рассола (l/Na). хорошее качество кристаллов осажденного NaH Oa, высокую степень использования диоксида углерода и аммиака ), высокую производительность карбонизационных колонн. Для вьшолнения этих требований установлены нормы технологического режима, основные из которых приводятся ниже. [c.138]

    Считают, что при росте кристалла осаждение растворенного вещества на гранях кристалла идет по особым активным местам граней, часто по ступеням на гранях [13]. Источники образования таких активных центров самые разнообразные, но тот факт, что в обмене кристалла с раствором частицами вещества участвует не вся поверхность грани кристалла, приводит к определенным последствиям. Если процесс диффузионного переноса частиц вещества от раствора к кристаллу и наоборот совершается через очень тонкую пленку при небольших пересыщениях или недосыщениях раствора, то на скорость процесса роста кристалла или его растворения начинает заметно влиять количество активных центров на поверхности грани. Грань (ПО), например, можно представить состоящей из граней (100), образующих ступеньки. Из рис. 2, показывающего изменение скорости растворения при плавном переходе от грани куба (100) к грани ромбического додекаэдра (110), видно, что наибольшая скорость соответствует направлению (110). В направлении (ПО) число ступенек, образованных гранями (100) на единицу длины грани, наибольшее. Для грани октаэдра (111) такой ясной закономерности нет. [c.183]

    Условия осаждения заметно влияют на физические характеристики осадка сульфата бария. Например, частицы осадка из относительно разбавленного раствора являются более совершенными кристаллами, чем те, которые образуются из более концентрированных растворов. Кристаллы, осажденные при более иизком значении pH, меньше, но более совершенны, чем те, которые получены при высоком pH. На размер кристаллов сульфата бария может влиять даже такой, казалось бы, (несущественный фактор, как то, является ли раствор хлорида бария, применяемый для осаждения сульфат-иона, свежеприготовленным или старым. [c.246]

    Наиболее прочное сцепление покрытия получается в тех случаях, когда кристаллы осажденного металла представляют собой как бы продолжение роста кристаллов основного металла. На рис. 174, а показано продолжение структуры основного металла меди в медном покрытии, элек-троосажденном из кислого раствора при 75 а/м на рис. 174, б показано, как в тех же условиях структура пок])ытия не продолжается, если внести про.межуточный тонкий слой никеля. [c.336]


    Требования к технологическому режиму отделения карбонизации должны обеспечить 1) высокую степень использования Na+ рассола (I/Na), 2) хорошее качество кристаллов осажденного NaH Oa, 3) высокую степень использования углекислоты ( сог ) и аммиака (i/nh, ), [c.166]

    Зависимость размеров кристаллов осажденной соли Са (N03)2 4НгО от скорости охлаждения раствора представлена в табл. 48. [c.694]

    При поддержании технологического режима отделения карбонизации обеспечивается высокая степень использования натрия из рассола С/на, хорошее качество кристаллов осажденного NaH Og, высокая степень использования двуокиси углерода С/со, и аммиака /nh. и высокая производительность карбонизационных колонн. [c.105]

    Особенно это сказывается на работе фильтров, так как их производительность и выход депарафиниро11анного масла определяются в основном формой кристаллов осажденных твердых углеводородов. [c.146]

    При таких же условиях из нейтральных растворов выпадает осадок Ba aOi-rtHgO, кристаллизующийся в виде снонов и розеток из игл. Иной вид имеют кристаллы, осажденные крупинкой оксалата аммония. В таких случаях оксалат бария представляет собой ветвящиеся кристаллы и параллелограммы (рис. 180), обладающие прямым погасанием н слабо выраженными интерференционными окрасками. [c.143]

    В конечном счете возможно образование новой фазы. Следует ожидать, что при этом вследствие уменьшения общего количества примесных атомов в кристалле (осаждение может происходить внутри кристалла, например на дислокациях) будут изменяться многие свойства, в том числе и проводимость. Это явление обсуждалось Лидьяром [67]. Когда MgBfg присутствует в системе в виде второй фазы, реакцию внедрения — осаждения можно записать следующим образом  [c.469]

    Адсорбированные ионы в свою очередь свяжут часть находящихся в растворе противоположно-заряженных ионов в количестве, достаточном для нейтрализации избыточного заряда, — таким образом, кристаллы осажденного соединения адсорбирают молекулы электролитов из раствора в виде мономолекулярного слоя. [c.110]


Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы осаждение: [c.302]    [c.38]    [c.284]    [c.315]    [c.89]    [c.53]    [c.284]    [c.148]    [c.52]    [c.105]    [c.304]   
Экспериментальные методы в неорганической химии (1965) -- [ c.601 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Влияние условий осаждения на форму кристаллов сульфата кальция

Зависимость скорости роста кристаллов от других условий кристаллизаКинетика осаждения

Кристаллы смешанные, осаждение

Межклеточная самосборка, в результате которой образуются ткани, походит на осаждение кристаллов из раствора

Осаждение кристаллов из раствора

Осаждение с образованием смешанных кристаллов

Осаждение следов веществ в виде смешанных кристаллов

Скорость осаждения кристаллов

Ультразвуковые устройства для предотвращения осаждения кристаллов на поверхности теплообмена

Форма кристаллов условий осаждения



© 2025 chem21.info Реклама на сайте