Пороги на дислокациях

Механизм, посредством которого дислокации могут играть роль источника (или ловушки) вакансии, был детально рассмотрен Зейтцем [43]. В частности, Зейтц показал, что порог краевой дислокации является очень хорошим источником вакансий, так как перемещение порога (например, в результате местного нагревания) приводит к образованию вакансии. [c.63]

Уровень стационарной дефектности зависит от интенсивности перемешивания суспензии. При перемешивании со скоростью, меньшей порога обмена, дефектов возникает мало, так как большая часть соударений не приводит к перемеш,ению дислокаций. При перемешивании со скоростью, большей порога раскалывания, дислокаций и вакансий образуется так много, что их коагуляция вблизи межблочных границ приводит к межкристаллитному раскалыванию [c.169]

Как уже указывалось, важной особенностью дислокаций является наличие ненасыщенных связей. Можно ожидать, что в силу этого дислокации будут стремиться к захвату электронов. Однако поскольку такие связи расположены рядом друг с другом, то перекрытие волновых функций должно привести к образованию энергетической зоны. Это означает, что захваченный электрон будет перемещаться вдоль дислокации. Однако на ней могут быть и особые места, на которых электрон застревает, локализуется. Ими являются собственные и примесные точечные дефекты, непосредственно связанные с дислокацией. Наличие ненасыщенных связей и областей сжатия и растяжения приводит к повышенной подвижности атомов, которые могут присоединяться к краю лишней полуплоскости или отделяться от нее. Это вызывает образование собственных дефектов— вакансий или междоузельных атомов, мигрирующих от дислокации в глубь регулярной решетки, или, наоборот, слияние этих дефектов с дислокацией. В обоих случаях может происходить переползание дислокации в целом или образование на ней порогов (ступенек) (рис. 61), которые обнаруживаются по прерывистому характеру линий, образуемых выделяющейся на дислокациях примесью при декорировании, вследствие избирательного притяжения инородных атомов порогами. Последние возникают и в тех случаях, когда перемещающиеся дислокации пересекают друг друга [22]. На каждой из них при этом образуется порог в направлении вектора сдвига второй дислокации. Очевидно, пороги и могут служить местами локализации электронов. Чаще всего они являются центрами [c.130]

Так, деформация кристаллов германия, увеличивающая плотность линейных и поверхностных дефектов, приводит к появлению инфракрасного излучения с энергией квантов около 0,5 эв. Предполагается, что оно обусловлено рекомбинацией дырок (через уровень возбуждения) с электронами, захваченными на дислокационных порогах [52]. С дислокациями, которые, как это вытекает из вышеизложенного, могут генерировать вакансии, связывают и краевую люминесценцию сульфидов цинка и кадмия [106]. У монокристаллов dS с малой плотностью линейных и поверхностных дефектов зеленая краевая люминесценция иногда совершенно не наблюдается. Вместе с тем у порошков, при [c.131]

Рис. 61. Схема образования порога на дислокации в результате присоединения атомов к краю лишней полуплоскости

Таким образом, действие сильно адсорбционно-активного расплава на более тугоплавкий твердый металл выражается, с одной стороны, в резком понижении уровня разрывных напряжений, и, с другой стороны, в более или менее значительном смещении порога хладноломкости в область повышенных температур. Детальный анализ зависимости между этими двумя эффектами требует тщательного учета характера взаимодействия атомов расплава с дислокациями в решетке деформируемого металла. Наблюдаемые эффекты схематически изображены на рис. 109, где по оси абсцисс отложена температура, а по оси ординат — выраженные в произвольных относительных единицах характеристики прочности (либо деформируемости) при переходе от хрупкости к пластичности. [c.215]

Обнаруженное пластифицирующее действие, оказываемое сильно адсорбционно-активным металлическим расплавом при температурах, лежащих выше порога вынужденной хладноломкости, подобно аналогичному действию органических адсорбционно-активных сред (см. гл. I, 2) и обусловливается взаимодействием дислокаций со свободной поверхностью кристалла [113, 117] оно может быть названо [c.223]

ТОПОХИМИЧЕСКИЕ РЕАКЦИИ — химич. реакции, происходящие в твердой фазе, при к-рых процесс локализован на границе раздела твердое исходное вещество — твердый продукт реакции. Примеры Т. р. представ,ияют дегидратация кристаллогидратов (твердые фазы — кристаллогидрат и обезвоженный продукт), окисление металлов (твердые фазы — металл и окисел металла) и т. д. Название топохимические было предложено в 1918 Кольшут-тером и в буквальном переводе означает реакции, протекание к-рых связано с определенным местом в кристалле (от греч. тояое — место). Основные черты Т. р. в значительной мере определяются том, что реагирующие атомы, молекулы или ионы, образующие кристалл, жестко закреплены в узлах кристаллич. решетки и лишены той подвижности, к-рой они обладают в газовой и жидкой фазах. Реакционная способность атомов или ионов в сильной степени зависит от того, в каком месте кристалла они находятся (в объеме, на поверхности грани, на ребре кристалла, на его вершине нли на пороге дислокации). В связи [c.109]

Р И С. 3. Краевая дислокация с одним порогом. На рисунке показано только семейство пло-скостей, которые нормальны к вектору Бургерса положение ЯТ0М08 показано только в той плоскости, которая является неполной. Если атом, заключенный в квадрат, перемещается путем диффузии, порог передвига ется на одно положение вправо-Этот процесс и процесс обратный ему, являются элементарными Процессами при пepeпoлзaнIiн [c.19]

Пороги получаются не только при переползании, но также при скольжении когда движущаяся скольжением дислокация проходит через винтовую дислокацию, которая пересекает ее плоскость скольжения, части ее, проходящие справа и слева от винтовой дислокации, оказываются теперь на разных уровнях. Таким образом, на ней образуется порог при переходе. Дальнейшее движение путем скольжения этой дислокации при некоторых обстоятельствах эффективно инъектирует вакансии или дислоцированные атомы в кристалл. Концентрация этих несовершенств поэтому, как правило, далека от равновесия в процессе пластической деформации и непосредственно после нее. Этот вопрос был подробно рассмотрен Зейтцем [10]. [c.20]

Рассмотренное явление может служить одной из причин того, что часто при пластической деформации кристаллов имеет место скольжение по плоскостям в этом случае растяжение, которое понижает энергию в определенных кристаллографических плоскостях, заставляет присутствующие дислокации располагаться предпочтительно в таких ориентациях кроме того, следует ожидать, что движение дислокации путем скольжения происходит легче, если она растянута. Для нас в данном случае наиболее важным фактом является то, что пороги обладают более высокой энергией в растянутых дислокациях. Следовательно, в условиях приближения к тепловому равновесию пороги будут реже и эти дислокации будут менее эффективнььми источниками выравнивания концентрации вакансий в кристалле. [c.31]

Активационный спектр скольжения дислокаций в алмазе аналогичен трехступенчатому спектру Дорна [214]. Скольжение 60-градусных дислокаций характеризуется минимальным активационным порогом составляющим около 2,6 эВ/ат [201]. Консервативное скольжение других типов дислокаций осуществляется при значениях 11, лежащих в пределах < < и < [214], где — энергия активации пекопсервативного скольжения (активируемого вблизи тройной точки). Величина по данным [310], сравнима с энергией связи атомов углерода в решетке алмаза. [c.58]

На рис. 4.20 представлены экспериментальные данные для начального этапа роста двойника и теоретическая йр ая, построенная по (4.19) (В 10" Пз, Ь 10" см, 10 Н/см ). Параметр Фо определялся по значению равновесной длины (соотношение (3.26)) при известных параметрах теории и оказался равным 5 Н/см. Рис. 4.20 показывает, что, за исключением точки, соответствущей оценке скорости движения двойника по первому кадру, последующие значения скоростей движения сравнительно невь "оки и находятся вблизи порога, отделяющего термоактивируемое движение дислокаций от вязкого. В этих условиях (.4.19) работает не очень хорошо. Ниже будет показанс, что в области повышенных температур согласие теории с экспериментом гораздо лучше. [c.122]

Эксперименты с воздухом [182] показали, что если отношение горизонтальных размеров прямоугольной полости лежит в пределах от 0,5 до 1, то возможна фазовая турбулентность, связанная со скольжением дислокаций. Этот процесс возникает при значениях К, примерно соответствующих порогу косоварикозной неустойчивости (см. п. 6.3.1), которая Ифает важную роль в ха-отизации картины. [c.110]

Очевидно, дислокация стационарна, когда /рк = О, т. е. соответствующее волновое число (к) = к равно волновому числу кр, минимизирующему F следовательно, к соответствует, кроме того, порогу зигзаговой неустойчивости [239] [c.152]

АВ — линия дислокации до образования порога ЕОСВ — то же после образования порога [c.131]

Для приближенных количественных оценок, связанных с анализом температурного порога вынужденной хладноломкости у амальгамированных монокристаллов цинка, можно воспользоваться простейшей дислокационной моделью неоднородного сдвига — моделью скопления краевых дислокаций одного знака, генерируемых одним и тем же источником и затормаживаемых достаточно прочными препятствиями в общей плоскости скольжения (см. гл. IV, 2). Ограничимся при этом рассмотрением монокристаллов со средними ориентировками Хо 45°, для которых имеем при хрупком разрыве Тс Рс ( ГсРо) [c.203]

Действительно, при электронномикро-скоиическом исследовании процесса пересечения дислокаций не наблюдается заметного их торможения за счет образования на них порогов [71]. [c.273]

В процессе пластической деформации и рекристаллизации включения выполняют сложную функцию. С одной стороны, включения повышают температурный порог рекристаллизации (для особо чистых металлов Тп.р.=0,25-0,3 Тпл.). С другой стороны, за счет повышенной плотности дислокаций в процессе деформаций в зонах предразрушения, в которых формируются центры рекристаллизации, создается большой запас накопленной энергии и температура начала рекристаллизации понижается. [c.22]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология