Рекомбинация туннельная

Если приложить малое прямое смещение (рис. 189, б), то только часть возникающего электрического тока будет обусловлена диффузией и рекомбинацией, как это было описано выше. В дополнение к рекомбинационному току, возникающему вследствие диффузии, появляется ток, обусловленный туннельным эффектом (см. 2) при малом смеш,ении электроны могут туннелировать в незанятые состояния валентной зоны вырожденной р-области. [c.461]

Если, однако, приложенное смещение настолько велико, что энергетическая схема станет такой, как показано на рис. 189, в, туннельный ток должен прекратиться, поскольку в р-области отсутствуют энергетические уровни, куда электрон смог бы перейти. Если и дальше увеличивать прямое смещение, то ток опять начнет возрастать и будет целиком связан с обменными процессами рекомбинации неосновных носителей, описанными [c.461]

Примем, что электрон отрицательного иона А" стабилизирован в потенциальной яме (для простоты в одномерной и прямоугольной) глубиной I (энергия сродства к электрону) и находится в кулоновском поле положительного иона (рис. 2). Если потенциал ионизации больше, чем 7д, то туннельный переход электрона может привести к рекомбинации ионов (А" - - В — А 4- В). Действительно, в [6] показано, что предельные концентрации ионов, получаемые в рамках даже простой модели Гамова (при упомянутых выше расстояниях туннелирования) близки к экспериментально наблюдаемым величинам [/]пр — — 10 слГ . Это означает, что именно нри низкотемпературном твердофазном радиолизе разумно предпринять поиски эффектов туннельного переноса электронов, что подтвердилось первыми же аккуратно поставленными экспериментами такого рода [7]. [c.70]

Дальнейшая реакция, если она и произойдет, будет идти уже по гомолитическому механизму. Таким образом, обеспечивая протекание реакций между пространственно удаленными частицами в твердой фазе, туннельный эффект может изменить механизм реакции и даже образование конечных продуктов радиолиза. Оценки показывают возможность подобного перехвата электрона и разделения во времени зарядовой рекомбинации и дальнейшей химической реакции даже в вязких жидкостях. Вообще же в жидкой фазе туннельный эффект существенно ослабляет влияние электростатического взаимодействия между одноименно заряженными pea- [c.77]

Таким образом, рекомбинация радикалов может явиться не результатом простого пространственного перемещения частиц, обладающих свободной валентностью, а представлять собой более сложный процесс, например, перехода свободной валентности в неподвижных частицах, происходящего до тех пор, пока эти свободные валентности не встретятся и рекомбинируют. Такое перемещение может приводить к образованию изомерных форм и другим сложным превращениям. Механизм этих переходов не известен. Возможно, что в нем играют роль переходы протона или туннельный эффект. Однако прямых доказательств наличия таких процессов при рекомбинации радикалов пока не получено. [c.337]

В этих условиях при низких температурах появляется возможность непосредственного, туннельного перехода электронов из очень мелких ловушек к центрам свечения, минуя зону проводимости туннельная рекомбинация) [93]. Этот процесс может накладываться на обычную рекомбинационную люминесценцию. [c.219]

Аналогичный механизм, включающий неадиабатический переход мо ду отталкиватсльным и возбужденным стабильным электронным состояниями, был рассмотрен в [343] для радиационной рекомбинации атомов О и И при очень низких температурах. При этом вследствие сравнительно малой массы Н неадиабатический переход происходит туннельным образом. [c.122]

Таким образом, полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, чго рекомбинация стабшшзированных на поверхности радиационных дефектов представляет собой температурнозависимую туннельную реакцию переноса электрона на расстояние, превышавдее 8 А. [c.54]

С генерацией ионов в раствор. Отрицательно заряженная поверхность металла путем двух последовательных туннельных переходов заряжает и молекулу углеводорода, которая может находиться па расстоянии нескольких ангстремов от поверхности. Рекомбинация ионов с отрицательно заряженными молекулами приводит к гидрированию. Можно представить себе и цепное продолжение процессов с использованием однозаряженных или моногидрировапных молекул. Механизмы гетерогенного катализа, начинающиеся с электронных переходов, и образование ион-радикалов доказаны для ферментативного катализа и успешно используются в трактовке ферментативных реакций. В этих реакциях, происходящих в организме на сложных каталитических системах, широко представлено электрохимическое регулирование и корреляция донорных и акцепторных связей, осуществляющихся в разных частях этих систем путем далеких электрохимических переходов электронов. [c.510]

Аномально низкие значения к и Е, по-видимому, можно связать с туннельным эффектом [11, 231. Завышенные значения к ж Е обычно наблюдаются для диффузионно-контролируемых реакций в области расстекловывания, предплавления и т. п. (см. пп. 13, 18, 19 в таблице). Такие эффекты полуколичественно можно объяснить изменением истинного барьера реакции [22, 241. В работе 1221 экспериментально было показано, что зависимость gk — 1/Г для рекомбинации радикалов в бензоле в широком диапазоне температур не является линейной, наблюдаемые большие значения эфф отражают небольшие изменения истинной величины Е от 11 до 9 ккал1молъ. Пересчет к этим величинам Е дает разумную величину Ад (п. 20 в таблице). Качественно возможные аномалии в зависимости lg /с от 1/Г (и, следовательно, в экспериментальных значениях Е и кд) показаны на рис. 7. Таким образом, абсолютные величины к и Е для реакций в твердых телах следует интерпретировать с большой осторожностью. Однако приведенные в таблице константы можно считать элементарными в том смысле, что они не зависят от концентраций и описывают превращения, в которых нет устойчивых промежуточных образований (исключение составляют реакции 10—12, 17, см. таблицу). [c.91]

Гибель чзахваченных электронов, по мнению авторов, в щелочных стеклах происходит в результате рекомбинации с дырочными центрами. Полученные данные интерпретированы на основе туннельного механизма. Зависимость скорости самопроизвольной гибели захваченных электронов связана с глубиной захвата электронов в межмолекулярных ловушках. Аналогичные результаты получены теми же авторами для водно-спиртовых систем [258]. [c.64]

В работе [551] для описания радиофотолюминесцевщии замороженных органических веществ предложена модель, в которой рассмотрена конкуренция между туннельной рекомбинацией локализованных в матрице М электронов с положительными ионами [c.176]

Механизм образования кетильного радикала нельзя считать полностью выясненным. Возможно, что кетильный радикал образуется при рекомбинации анион-радикала бензофенона с катион-радикалом дифениламина. Во всех системах, содержащих амин и кетон, при осторожном нагревании стекла после УФ-освещения происходит уменьшение концентраций А и В и одновременно увеличение (или появление в случае ТМФД) концентрации ВН. По-видимому, рекомбинация зарядов приводит к образованию горячей молекулы бензофенона в триплетном состоянии, способной отщеплять атом водорода от молекулы спирта. Рекомбинация может происходить путем туннельного перехода электрона от В к молекуле А" , находящейся на близком расстоянии. [c.84]

Прежде всего обсудим соотношение между реакциями дегидрирования (диспропорционирования) и рекомбинации с точки зрения участия тринлет-пых состояний. Схему столкновения двух радикалов в дублетных состояниях можно описать на примере этильных радикалов El-, llo мере сближения двух Et-радикалов в возбужденном или основном состоянии образуется комплекс двух частиц, находящихся суммарно и возбужденном для них электронном состоянии, так как основных состояний с. Л может быть два — бутан (Л ц) или этан -)- этилен (оба в S0). Промежуточным состоянием системы [Et - --f- Et] может быть лишь триплет 1 170]. Нижний, триплет 1 с параллельными спинами будет вырожденным состоянием системы IEU-]. Это значит, по теореме Яна-Теллера, что двум вырожденным состояниям электронной системы должны соответствовать различные конфигурации ядер атомов, между которыми осуществляются туннельные переходи [71]. Одна конфигурация ядер вырожденного триплетного состояния (Et-)2 должна геометрически ближе соответствовать молекул бутана, а другая — ближе к молекулам этана и этилена. Такими конфигурациями могут быть для этильных радикалов конфигурации голова к голове (<< ис -бутан) и [ олова к хвосту — голова к хвосту ( щракс -этап и этилен) (рис. 3-3). Символично схему реакции можно записать так [c.99]

С другой стороны, увеличение длины цепи радикала и его массы приводит к уменьшению вероятности передачи энергии с триплета на тяжелый атом вследствие пространственных препятствий и уменьшения доли единственного валентного колебания, благоприятствующего рекомбинации, при увеличении числа и амплитуды других колебаний радикалов. Эти явления способствуют изомеризации или туннельному переходу в другую конфигурацию, например голова к хвосту , облегчая тем самым протекание реакции диспро-порционироватгая — реакции распада триплетного состояния. [c.100]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология