Заряд на разрыве контакта

Возникновение статического электричества в твердых телах имеет свои особенности. Упрощенная схема электризации показана на рис. 13.2. В месте контакта образуется двойной электрический слой. При разделении материалов происходит механический разрыв зарядов двойного слоя, образуется разность потенциалов AU, и заряды начинают перемещаться в точку контакта А. [c.169]

Значительная поверхностная плотность зарядов (после отрыва первой обкладки) создает напряженность поля порядка 15 кВ/см. В первый момент времени после отрыва фольги, когда разряд в промежутке между образцом и фольгой еще не произошел, напряженность поля, по-видимому, еще более высокая. Разрыв контакта образец — фольга с противоположной стороны образца [c.31]

На энергетический спектр поверхностных уровней локализации электронов в полимере влияют такие явления, как окисление, сорбция. Было найдено, что адсорбция кислорода увеличивает работу выхода, а адсорбция влаги снижает ее. Особую роль играет трение. Его можно рассматривать как последовательное многократное установление и разрыв контакта между трущимися поверхностями. При трении может происходить процесс передачи заряда в местах контакта, возникающих и вследствие абразивного разрушения. [c.10]

Значительная поверхностная плотность зарядов (после отрыва первой обкладки) создает напряженность поля примерно 15 кВ/см. В первый момент времени после отрыва фольги, когда разряд в промежутке между образцом и фольгой еще не произошел, напряженность поля, по-видимому, еще более высокая. Таким образом, разрыв контакта образец—фольга с противоположной стороны образца происходит в электрическом поле со значительной напряженностью. Вследствие воздействия поля направление переме- [c.17]

Механизм возникновения электродного потенциала. При контакте металлической пластинки с водой расположенные на поверхности катионы металла гидратируются полярными молекулами воды (рис. 11.13, а). Выделяющаяся при этом энергия гидратации Ет идет на разрыв связи ионов с кристаллической решеткой металла Ем- Вследствие этого расположенные на поверхности катионы переходят в водную фазу. Металлическая пластинка при этом приобретает отрицательный заряд, а близлежащий слой воды — положительный. Таким образом, на границе. раздела металл — вода возникает двойной электрический слой (рис. 11.13,6). [c.469]

Разрыв контакта между диэлектриком и металлом или между диэлектриком и диэлектриком сопровождается резким возрастанием поверхностных потенциалов, что приводит к электрическим разрядам в промежутке между заряженными поверхностями. Оставшийся заряд зависит от скорости разрыва контакта (с увеличением скорости он увеличивается) и от окружающих условий по закону Пашена (см. гл. IV). После разрыва контакта Заряд на конденсаторе, представляющем собой две заряженные поверхности или одну заряженную поверхность и землю, теоретически должен уменьшаться по экспоненциальной зависимости Q = = Qoexp(—i/т) [где т — время релаксации заряда, равное x = R R — сопротивление С — емкость)]. [c.13]

Как видно на рис. 2а, ттри одном перегибе зашкаленного пика каретка самописца дважды включает один и тот же микропереключатель. При первом включении происходит перегиб пика, а при втором включении схема должна вернуться в исходное состояние, т.е. переключатель должен обеспечить включение и выключе-ние-коммутационного реле одной кнопкой. Такой схемой является триггер со счетным входом. На рис. 2в изображена схема такого триггера, выполненная на реле. В исходном состоянии через микропереключатель МП конденсатор С] заряжается от выпрямителя на диоде Дх до амплитудного значения питающего напряжения со знаком минус . При первом включении микропереключателя МП конденсатор С, разря>хается через поляризованное реле Рь Поляризованное реле включено таким образом, что его контактами Р реле оказывается подключенным к источнику питания и само-блокируется контактами 2Рг. При этом контактами 2 конденсатор С1 оказывается подключенным на зарядку, но уже со знаком плюс . Повторное включение микропереключателя МП вновь вызовет разрядку конденсатора через реле Рь Так как знак заряда на конденсаторе сменился на противоположный, контакты поляризованного реле 1Р1 оказываются замкнутыми в противоположную сторону и реле Рг обесточивается. Схема возвращается в исходное состояние. Таким образом, эта схема позволяет включать и выключать реле Рг при помощи одного микропереключателя. [c.287]

Объяснение. В момент, когда острие иглы касается поверхности ртутной капли, возникает гальваническая цепь Нд Н28041Ре. При этом железо является положительным электродом (анодом), а ртуть — отрицательным (катодом). Адсорбированные на поверхности капли ионы ртути (П) восстанавливаются при работе образовавшегося гальванического элемента. Снижение заряда на поверхности ртутной капли приводит, в свою очередь, к- увеличению поверхностного натяжения ртути, в результате чего капля ртути сожмется, причем обязательно происходит разрыв ее контакта с металличе- [c.189]

На схематичном изображении реакции химического выветривания анортита (рис. 3.5) показан край кристалла анортита, находящийся в контакте с Н2СО3 из раствора, являющегося агентом выветривания. Природные поверхности кристаллов имеют участки с избытком электрического заряда, что вызвано дефектами кристаллической решетки (ряды атомов, немного смещенные со своих позиций) или ее повреждениями (разрыв связей). Области с избыточным зарядом преимущественно атакуются почвенными кислотами, в результате чего возникают выемки на поверхности минерала (рис. 3.6). Водородные ионы, образующиеся при диссоциации Н2СО3, гидратируют поверхность силиката. Ионные связи между Са и тетраэдрами 8104 легко разрываются, высвобождая Са в раствор. В результате образуются гидратированный силикат с дефицитом металла и раствор бикарбоната кальция (Са + + 2НСОз"). В ходе дальнейшей реакции в пределах тетраэдрической сетки могут разорваться связи, близкие к ковалентным. Тетраэдрическая сетка является особенно непрочной там, где алюминий заместил кремний, поскольку связь кислород—алюминий имеет скорее ионный характер. Продукт реакции, высвобождаемый в раствор — это [c.90]

При одновременном растворении Ь1гО и РеаОз в эквивалентных количествах иа каждый с пониженным зарядом приходится Ре " с повышенным зарядом, которые взаимно компенсируются, поэтому электропроводность не изменяется. В то же время химическая адсорбция СО иа таком контакте не имеет места. Дополнительное растворение окисн железа сверх эквивалентного содержанию Ь1гО, снижающее электропроводность и концентрацию N1 +, восстанавливает частично адсорбционную способность по отношению к СО. Это подтверждает предположение, что основное влияние на Е аде оказывают катионы с аномальным зарядом. Для этой модели активной поверхности распределение активных центров будет изменяться с температурой. Чем ниже температура, тем больше N 3+ находится в катионных узлах, ближайших к Ь1+, так как при таком расположении система обладает минимальной энергией. С ростом температуры связь с N1 + может быть ослаблена вследствие передвижения его на более удаленные катионные узлы. Чем дальше удален N 3+ от Ь1+, тем меньше взаимодействие между ними, тем выше концентрация активных центров адсорбции для газов — доноров и акцепторов электронов. Освобождение Ы+ от N1 + создает не один, а набор активных центров адсорбции кислорода, отличающихся энергиями активации. Функция распределения активных центров определяется равновесным распределением катионов и N1 + на поверхности при данной температуре. Если — тепло, требующееся на разрыв связи, то количество разъединенных катионов и+ — N1 + зависит от температуры согласно уравнению [c.75]

Поляризационные явления ЫРз-электрода изучены недостаточно. В одной из работ [202] исследованы процессы переноса заряда в мембране LaFs при ее поляризации. Авторы пришли к заключению, что для мембраны из кристаллического ЬаРз, находя-ш,ейся в контакте с раствором NaF, при наложении напряжения характерны две реакции переход иона F через границу фаз мембрана — раствор (без заметного перенапряжения этого перехода) разрыв связей в решетке ионного кристалла с отводом ионов F с поверхности в толщу мембраны и переходом ионов La + с поверхности мембраны в раствор. Существенным выводом из работы [202] является утверждение о нечувствительности ЬаРз-мембраны к иону La +, что объясняется чрезвычайно низкой скоростью растворения кристалла LaFs при нулевом токе из-за малой плотности тока обмена ионов La + между раствором и поверхностью мембраны. В работе [203] стандартная плотность тока обмена найдена равной 10-5 А/см2. [c.97]

ПЭГ) —хорошо растворимый в воде полимер (К- Као, М. Mi -hayluk, 1974). Поверхность клеток и протопластов заряжена отрицательно и окружена водным слоем. Эти факторы препятствуют контакту и слиянию мембран. Действие ПЭГ сводится к тому, что он, по-видимому, снижает поверхностный заряд протопластов и отбирает у них воду. Тем самым создаются условия для тесного контакта и слипания мембран. В местах слипания происходит разрыв мембран и содержимое двух соседних протопластов объединяется. Образующиеся структуры сохраняют способность к восстановлению клеточной стенки. В результате появляются гибридные клетки. [c.127]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология