Гексагональная и обратная гексагональная структуры

Рис. 4. Изменение структурных параметров сополимера С-Б 35 в зависимости от концентрации растворителя для гексагональной и обратной гексагональной структур.

Рис. 2, Схематическое представление гексагональ-ной и обратной гексагональной структур.

Гексагональная и обратная гексагональная структуры [c.218]

Гексагональная и обратная гексагональная структуры дают однотипные рентгенограммы, характеризующиеся системой четких линий с брэгговскими межплоскостными расстояниями в отношении 1, уз, У4, У7, У9,.... [c.218]

Гексагональная и обратная гексагональная структуры. Влияние концентрации растворителя на геометрические параметры гексагональной и обратной гексагональной структур иллюстрировано на рис. 11 и 12. На этих графиках представлено изменение структурных параметров сополимеров Б-С-Б 373 и Б-С-Б 421 в зависимости от степени набухания полистирольного блока. [c.225]

Мы ВИДИМ, ЧТО как для гексагональной, так и для обратной гексагональной структур расстояние О между осями двух соседних цилиндров и удельная поверхность 5 возрастают с увеличением количества растворителя. Изменение диаметра цилиндров для двух структур различно. Диаметр 27 цилиндров, заполненных нерастворимыми полибутадиеновыми блоками, в случае гексагональной структуры уменьшается (рис. 11), а диаметр 2/ цилиндров, запол- [c.226]

Рис. 12, Изменение параметров обратной гексагональной структуры в зависимости от степени набухания растворимого блока (система сополимер Б-С-Б 421 — стирол).

Рис. 16. Изменение параметров обратной гексагональной структуры в процессе полимеризации растворителя.

При использовании метода электронной микроскопии в Орлеане получены очень хорошие результаты. В табл. 4—6 проиллюстрировано согласие между величинами структурных параметров, определенных рентгенографически и электронной микроскопией в случае трех структур ламеллярной, гексагональной и обратной гексагональной. [c.217]

В растворе (в растворителе для другого блока) или в сухом виде, гексагональная структура характеризуется гексагональным расположением черных пятен на белом фоне (рис. 6), а обратная гексагональная структура — гексагональным расположением белых пятен в черной матрице (рис. 7). Соответствующее расположение блоков и растворителя для двух типов гексагональных структур представлено на рис. 2. [c.219]

К первому классу относятся сополимеры, тип структуры которых не изменяется с концентрацией растворителя, т. е. сополимеры, в которых структура сохраняется вплоть до концентраций растворителя порядка 40—45%. При таких разбавлениях жидкокристаллическая структура исчезает. К этому классу относятся сополимеры С-Б, Б-С-Б, С-Б-С, С-И, С-И-С, Б-МС и Б-ВН. Для сополимера в растворе в растворителе для блока А, когда содержание блока В в них увеличивается, наблюдаются следующие структуры кубическая, гексагональная, ламеллярная, обратная гексагональная и обратная кубическая (табл. 8). Если в растворителе набухают блоки обоих типов (например, сополимеры С-И и С-И-С в толуоле), то нельзя провести различие между гексаго- [c.222]

Рис. 7. Пример электронной микрофотографии, полученной для сополимеров обратной гексагональной структуры (С-Б 36, набухший в 30% полимеризующегося метилметакрилата).

Наноструктуры были получены из коллоидных кластеров кобальта с размерами 5,8 нм, синтезированных с помощью метода обратных мицелл. Двумерная гексагональная структура была получена на графитовой подложке. Ранее уже был отмечен сдвиг суперпарамагнитной температуры блокования (Гв = 63 К) гексагональной структуры по сравнению с коллоидным раствором (Тв = 85 К). Увеличение температуры блокования для коллоидной структуры связано с увеличением энергетического барьера КУ за счет межкластерного взаимодействия в нанокристаллах. Измерение намагниченности насыщения у нанокристаллической системы показало уменьщение величины Мз = 80 эме/г, что значительно меньше намагниченности массивных образцов Со, составляющей Мз = 162 эме/г. Уменьшение Мз связывается с действием стабилизирующей коллоидные кластеры лигандной оболочки, включающей такие электронные доноры, как пиридин. Такие лиганды фактически убивают вклад в магнитный момент от атомов металла на поверхности кластера и чем меньше кластер, тем больше вклад химически связанных атомов металла, которые не дают магнитного отклика на приложенное внешнее магнитное поле. Таким образом, уменьшение размера кластера, как отмечалось ранее в пунктах о безлигандных газовых кластерах, приводит к возрастанию магнитного момента на атом и, следовательно, к возрастанию намагниченности насыщения, в то время как для молекулярных или коллоидных кластеров, стабилизированных лигандами, эта зависимость будет обратной. На рис. 16.12 представлены кривые намагниченности для коллоидной наноструктуры и коллоидного раствора кобальта. [c.539]

Эксперимент показывает, что двойной блок-сополимер в низкомолекулярном растворителе, растворяющем лишь одну из цепей, образует кубическую, гексагональную ламеллярную, обратную гексагональную и обратную кубическую жидкокристаллические структуры. Области существования различных лиотропных жидкокристаллических структур в растворах блок-сополимера в низкомолекулярном растворителе, растворяющем одну Из цепей, показаны на рис. 4.18, где приведены данные по определению жидкокристаллической структуры растворов двухблочных сополимеров полиме-тилметакрилата-полигексилметакрилата в ацетонитриле (который используется как растворитель для блоков полиметилметакрилата) в зависимости от содержания низкомолекулярного растворителя в растворе при различных соотношениях длин двух цепей в блок-сополимере. [c.90]

Сополимеры с двумя или тремя аморфными блоками могут проявлять пять типов структур ламеллярную, гексагональную и обратную гексагональную, кубическую и обратную кубическую. Геометрические параметры d, йк и d-в для ламеллярной структуры (рис. ), D vi2R для двух типов гексагональных структур (рис. 2) и параметры для различных кубических структур (рис. 3) могут быть непосредственно рассчитаны по электронным микрофотографиям или по брэгговским межплоскостным расстояниям на рентгенограммах с помощью формул, приведенных в табл. 3. Напомним кратко основные черты рентгенограмм и электронных микрофотографий таких сополимеров. [c.217]

Изучение систем-хополимер — растворитель с различными концентрациями растворителя в зависимости от температуры, выполненное методами ДСК (с непроницаемой для растворителя ячейкой) и малоугловой дифракции рентгеновских лучей, показало, что блок-сополимеры С-Б, Б-С-Б, С-Б-С, Б-МС и Б-ВН обнаруживают только один тип жидкокристаллической структуры. В зависимости от состава сополимера наблюдаются объемноцентрированная кубическая, гексагональная, ламеллярная, обратная гексагональная или обратная объемноцентрированная кубическая структуры. На рис. 17 приведен пример такой фазовой диаграммы для сополимера Б-С-Б 372. [c.230]

Выше было показано, что сополимеры с двумя и тремя аморфными блоками могут обнаруживать пять типов структур кубическую, гаксагональную, ламеллярную, обратную гексагональную и обратную кубическую. Напротив, сополимеры с кристаллизующимся блоком или полипептидным блоком обнаруживают только ламеллярные структуры кристаллизация цепей или их спиральная конформация препятствует образованию кубической и гексагональной упаковок, возможно, потому, что искривленные поверхности раздела несовместимы с хорошо развитой организацией макромолекулярных цепей. Другим сходством между этими сополимерами является способность как у кристаллизующихся, так и у полипептидных цепей образовывать складки. Таким образом, конформация макромолекулярных цепей в значительной степени определяет тип жидкокристаллической организации, которую образует сополимер. [c.249]

Графит составлен из сложных сеток с шестиугольными ячейками, а в парах находятся длинные прямолинейные молекулы. Отрывание каждой такой молекулы от кристалла требует не только разрыва многих межатомных связей, но и перестройки в расположении атомов и изменений характера связей. Обратный процесс конденсации линейчатой молекулы на поверхности графита опять-таки должен сопровождаться сложной перестройкой и приспособлением прямолинейной молекулярной структуры к новому порядку гексагональной сетки. Этот процесс приспособления или аккомодации требует соблюдения многих статистических условий и совершается далеко не при каждом столкновении газообразной молекулы с поверхностью кристалла. Тагам образом, установление равновесия, зависящего от равенства числа испаряющихся и числа ко нденсирующихся за единицу -времени молекул, невозможно вычислить, учитывая лишь число молекул, ударяющихся о единицу поверхности в единицу времени, и число молекул, имеющих энергию колебаний, достаточную для выхода из кристаллической структуры. Недостаточно и знания соответствующих энергий активации элементарных актов. В результате обычно мы наблюдаем при данной температуре не давление пара, отвечающее истинному равновесию агрегатных состояний, а некоторое давление, меньшее по величине и зависящее от скорости процессов аккомодации. [c.320]

Однако более поздние исследования показали, что процентное содержание ромбоэдрической структуры в образцах графита не является постоянным 38—40]. Хорошо закристаллизованный графит содзржит меньше ромбоэдрической структуры, чем менее совершенный графит [38]. Высокотемпературная обработка графита приводит к превращению ромбоэдрической модификации в гексагональную модификацию графита [40—43]. Заметим, что образованию гексагональной структуры предшествует возникновение ряда промежуточных форм, в чередовании слоев которых нет или почти нет закономерности. Период повторяемости слоев у промежуточных структур уменьшается по мере увеличения совершенства форм от бесконечности (турбострат-ная структура) до трех меж-слоевых расстояний (ромбоэдрическая структура) и, наконец, до двух межслоевых расстояний у гексагональной структуры графита. Заметим также, что возможен и обратный переход. [c.26]

Смотреть страницы где упоминается термин Гексагональная и обратная гексагональная структуры: [c.210] [c.212] [c.216] [c.227] [c.233] [c.240] [c.210] [c.212] [c.216] [c.227] [c.233] [c.240] [c.81] [c.81] [c.214] [c.223] [c.230] [c.85] [c.214]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология