Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Слоевая линия

    Наличие сдвиговых нарушений в жидком кристалле приводит к уширению дифракционных рефлексов и ослаблению их интенсивности с возрастанием номера слоевой линии рентгенограммы. Наконец, возможны нарушения в расположении молекул в плоскости ХУ, описываемые функцией Они возникают в результате тепло- [c.257]

    Наличие по крайней мере двух слоевых линий [c.85]


    Схема рентгеносъемки по методу вращения кристалла, наглядно иллюстрирующая формирование слоевых линий на рентгенограммах, приведена на рис. VI.3, а, а на рис. VI.3, б показана рентгенограмма вращения монокристалла кварца вокруг оси с. [c.115]

    Каждая слоевая линия на рентгенограмме вращения представляет собой отображение плоскости обратной решетки кристалла, перпендикулярной к оси вращения, на цилиндрическую поверхность. В соответствии с симметрией кристалла ряд селективных максимумов па рентгенограмме вращения может налагаться друг [c.115]

    По расстоянию между слоевыми линиями на рентгенограммах вращения или качания можно определить период решетки кристалла по направлению оси вращения  [c.116]

    Первоначальные схемы рентгеносъемок по методу Вайсенберга предполагали строго фиксированное расположение первичного пучка по отношению к оси вращения кристалла и составлявшее угол 90°. В результате этого при рентгеносъемке ненулевой слоевой линии с большими значениями п существует слепая область, точки которой не отображаются на рентгенограмме. [c.117]

    Дальнейшее увеличение времени отпуска при 650° до 250, 500, 750 и 1000 ч приводит к изменению вида дифракционных картин в местах рентгенограммы, отвечаюш их основным отражениям твердого раствора. Вместо сателлитов вблизи отражений (101) и (211), располагающихся на первой слоевой линии, наблюдаются группы из шести рефлексов (см. рис. УП1.14, б). Они располагаются на трех горизонталях, которым соответствуют периоды идентичности, равные 2,870, 2,890 и 2,918 А. Более подробный анализ расположения рефлексов в отражении (220) показал, что [c.169]

    Существование геометрической периодичности вдоль осей макромолекул — периода идентичности — проявляется в присутствии на текстур-рентгенограммах слоевых линий. Слоевыми линиями называют воображаемые линии, мысленно проведенные через рефлексы, находящиеся на одном и том же расстоянии от экватора (см. рис V. 16). [c.179]

    На рентгенограмме ориентированного полимера определяют линии меридиана, экватора и слоевые линии (см. рис. VI. 16). [c.192]

    Измеряют расстояние 21 между симметричными рефлексами, расположенными на слоевых линиях с одним и тем же номером. Рассчитывают с использованием уравнения (VI. 8) межплоскостные расстояния. Полученные данные вносят в таблицу. [c.192]

    Период идентичности по оси макромолекулы с определяют из расстояния между слоевыми линиями  [c.193]

    Пятна на рентгеновской пленке, помещенной в цилиндрическую кассету, располагаются на параллельных окружностях, а на распрямленной после проявления пленке —на параллельных прямых (слоевые линии). [c.204]


    Средняя по высоте линия отвечает развернутому конусу (р = 0, Ф1=90°), симметрично по отношению к ней располагаются слоевые линии с р = 1, р = 2 и т. д. [c.204]

    Если внутрь камеры вставить экранирующий металлический цилиндр с прорезью для пропускания лучей одной (заданной) слоевой линии, а кассету с пленкой перемещать вдоль оси х синхронно с вращением кристалла, то пятна этой слоевой линии окажутся развернутыми по всей плоскости пленки. Геометрия дифракционной картины используется для определения периодичности решетки и пространственной группы симметрии, интенсивность дифракционных лучей — для расчета координат атомов. [c.204]

    Пятна на рентгеновской пленке, помещенной в цилиндрическую кассету, расположатся на параллельных окружностях, а на распрямленной после проявления пленке— на параллельных прямых (слоевых линиях). Средняя по высоте слоевая линия отвечает развернутому конусу (р = 0, ф1 = 90°) симметрично по отношению к ней размещаются слоевые линии с р = 1 и р= — 1, р=2 и р=—2 и т. д. [c.57]

    Если внутрь камеры вставить экранирующий металлический цилиндр с прорезью для пропускания лучей одной (заданной) слоевой линии (рис. 26, б), а кассету с пленкой перемещать вдоль оси X синхронно с вращением кристалла, то пятна этой слоевой линии окажутся развернутыми по всей плоскости пленки. Координата х каждого пятна будет характеризовать угол т — отклонение соответствующего дифракционного луча от плоскости, проведенной через первичный пучок и ось вращения (рис. 26, в). Другая координата 2 — величина смещения самой кассеты в процессе поворота кристалла — определит угол [c.57]

    Наиболее простой метод решения задачи состоит в оценке параметра по слоевым линиям рентгенограммы [c.66]

    Естественно, что возможна и промежуточная схема — поворота и кристалла, и детектора. В частности, можно имитировать схему обычного дифрактометра, работающего по методу перпендикулярного пучка (см. рис. 34) кристалл вращается вокруг оси, перпендикулярной первичному пучку, а детектор наклоняется по дуге для регистрации лучей заданной слоевой линии (и остается неподвижным в процессе регистрации всех лучей этой линии). [c.77]

    Второй метод ускорения эксперимента — замена последовательного измерения отражений в обычных дифрактометрах одновременным измерением многих дифракционных пучков с помощью специальных устройств. В настоящее время разработаны так называемые многоканальные дифрактометры, оснащенные системой из нескольких (трех или пяти) параллельно перемещаемых счетчиков, которые регистрируют дифракционные лучи, возникающие одновременно (или почти одновременно) на разных слоевых линиях в процессе вращения кристалла. Эти приборы предназначены специально для кристаллов с большими периодами повторяемости, т. е. [c.79]

    Слоевая линия, проходящая через первичный пучок, называется нулевой Слоевой линией, следующая — первой слоевой линией и т д. [c.100]

    Наиболее простой метод решения задачи состоит в оценке параметра по слоевым линиям рентгенограммы вращения (см. гл. II, 8). Положение слоевых линий на рентгенограмме определяет растворы дифракционных конусов, коаксиальных оси вращения кристалла, а следовательно (через соответствующее условие Лауэ), [c.82]

    Здесь гиг — координаты атома в прямом и обратном пространствах. Числовые значения г определяются соотношением г = Не = 1с, где с — период идентичности вдоль оси 2, / — номер слоевой линии. Функция р(гг) дает наиболее полную информацию о строении объекта, так как для ее построения используется распределение интенсивности по всей рентгенограмме. [c.260]

    Одномерная цилиндрическая функция р(/-, 0) (рис. 10.11), вычисленная для той же мезофазы по значениям интенсивности нулевой слоевой линии (г = 0), представляется чередующимися максимумами и минимумами. Первый максимум [c.264]

    Когда ужин был подан, я попытался перевести разговор на число цепей ДНК, доказывая, что мы можем сразу напасть на правильный след, если измерим расположение ближайшего к центру рефлекса на первой и второй слоевых линиях. Но Морис ничего мне толком не ответил, и я так и не понял, то ли в Кингз-колледже никто не измерял положения нужных рефлексов, то ли он хочет съесть свой ужин, пока тот не остыл. Я ел без всякого удовольствия и прикидывал, не удастся ли мне узнать еще что-нибудь после кофе, если я провожу его до дома. Однако бутылка шабли ослабила мое стремление к точным фактам, и по дороге из Сохо через Оксфорд-стрит Морис говорил только о своих планах подыскать менее мрачную квартиру и в более спокойном месте. [c.97]

    Методы и схемы съемки рентгенограмм. Методы съемки с фотографической регистрацией. Существуют три принципиально различных метода рентгенографического анализа с фотографической регистрацией рентгеновского излучения, в двух из которых — методе порошка поликристаллического вещества и методе вращения монокристалла — используется монохроматическое, а в третьем — методе Лауэ — полихроматическое излучение. К разновидности метода вращения относится метод колебания или качания монокристалла. Кроме того, метод вращения и качания можно подразделить на два вида, в одном из которых съемка осуществляется на неподвижную, а в другом — на перемещающуюся пленку (метод развертки слоевых линий или рентгеногониометрический метод). [c.78]


    Метод развертки слоевых линий. Разновидностью метода вращения илп колебания монокристалла является метод развертки слоевых линий (рентгеногониометрический метод), заключающийся в съемке на движущуюся пленку лишь одной слоевой линии, пятна которой разворачиваются на всю плоскость пленки. Осуществление этого метода требует введения в конструкцию рентгеновской камеры дополнительных приспособлений для перемещения пленки и для выделения из рентгеновских лучей только одного дифракционного конуса (для последней цели используются ширмы [c.79]

    Высокотемпературная рентгеновская камера для съемки монокристаллов РКВТ-400 представляет собой модернизацию рентгеновской камеры вращения тина РКВ-86А, приспособленную для исследований монокристаллов и поликристаллических веществ в температурном интервале от 20 до 400 °С. Она обеспечивает получение нулевых слоевых линий рентгенограмм вращения и качаний монокристалла и дебаеграмм поликристаллов. Рентгеносъемка проводится на воздухе на фотопленку, помещенную в цилиндрическую кассету с расчетным диаметром 114,59 мм. Кристалл, установленный на гониометрической головке, нагревается е помощью термостатнрующего устройства, обеспечивающего вдоль оси камеры постоянную температуру. Кассета с пленкой крепится вне термостата, что позволяет производить замену пленки без нарушения теплового режима образца. Измерение температуры производится термопарой хромель-капель , а ее стабилизация достигается с помощью специальной электрической схемы, обеспечивающей точность не хуже +013°- [c.140]

    Основным методом исследования структуры хорошо ограниченного кристалла являются методы вращения, колебания и развертки слоевых линий. Полные рентгенограммы вращения позволяют определить для веществ со сравнительно небольпюй элементарной ячейкой пространственную группу симметрии. С помощью этого метода можно индицировать рентгенограммы и определять параметры решетки. Рентгенографическое исследование монокристаллов— основной метод расшифровки их атомной структуры, т. е. определения координат атомов в пространстве. [c.82]

    Непосредственным развитием метода вращения кристалла является рентгеногониометрическая развертка слоевой линии по методу Вайсенберга [3, 6]. Как было показано выше, в методе [c.116]

    Существуют и другие схемы получения рентгеногониометрических разверток слоевых линий, реализованные в конструкциях различных рентгеновских камер и дифрактометров с достаточно сложной кинематикой. [c.117]

    Рентгеновская камера РКВ-86А, показанная на рис. VII.4, б, обладает существенно большими возможностями для экспериментального рентгеновского изучения монокристаллов но сравнению с рентгеновскойГкамерой РКСО-2. Наряду с плоскими лауэграм-мами и эпиграммами, получаемыми в кассетах 1 и 2, камера РКВ-86А позволяет получать лауэграммы на цилиндрической пленке, установленной в специальной кассете 3. Наличие в камере РКВ-86А специального механизма обеспечивает получение рентгенограмм вращения и качания. Цилиндрическая кассета дает возможность регистрировать дифракционную картину по нулевой слоевой линии в интервале углов от 4 до 84°, а сами слоевые линии регистрируются по углам от —48 до - -48°. Качание образца можно производить в угловых интервалах 3, 6, 10 или 15°, причем переход от одного положения к другому и смена интервала качаний возможны в процессе рентгеносъемки. [c.129]

Рис. VI. 16. Схематическбе изображение peнtгeнo-граммы ориентированного полимера (00 — экватор, или нулевая слоевая линия, ММ — меридиан, 11 — первая слоевая линия, 22 — вторая слоевая линия, стрелкой указано направление ориентаций в образ Це). Рис. VI. 16. Схематическбе изображение peнtгeнo-граммы <a href="/info/957258">ориентированного полимера</a> (00 — экватор, или <a href="/info/1646461">нулевая слоевая линия</a>, ММ — меридиан, 11 — первая <a href="/info/189520">слоевая линия</a>, 22 — вторая <a href="/info/189520">слоевая линия</a>, стрелкой указано направление ориентаций в образ Це).
    В настоящее время широкое применение нашли приборы, в которых дифракционные лучи фиксируются счетчиком элементарных частиц. При этом вращение кристалла производится скачками от одного дифракционного положения к другому с одновременным изменением позиции счетчика. Имеются трехкружные дифрактометры, которые аналогичны камере вращения кристалл вращается вокруг одной из своих кристаллографических осей, а счетчик перемещается вдоль выбранной слоевой линии. В современных четырехкружных дифрактометрах необходимость в предварительном совмещении кристаллографической оси с осью вращения отпадает. Путем поворота кристалла вокруг трех пересекающихся осей любое дифракционное направление выводят в экваториальную плоскость прибора, а счетчик смещают на это направление поворотом держателя счетчика вокруг вертикальной оси. [c.204]

    При съемке кристаллов белков, нуклеиновых кислот и других объектов с очень большими параметрами решетки, когда общее число отражений достигает нескольких десятков или сотен тысяч, а также при съемке кристаллов, нестабильных во времени или разлагающихся под действием рентгеновского излучения, возникает необходимость ускорения рентгеновского эксперимента. Один из естественных методов ускорения — повышение мощности рентгеновских трубок, в частности использование трубки с вращающимся анодом или переход к другим источникам мощного у-излучения. Второй метод — замена последовательного измерения отражений в обычных дифрактометрах одновременным измерением многих дифракционных пучков с помощью специальных устройств. В настоящее время разработаны так называемые многоканальные дифрактометры, оснащенные системой из нескольких (трех или пяти) параллельно перемещаемых счетчиков, которые регистрируют дифракционные лучи, возникающие одновременно (или почти одновременно) на разных слоевых линиях в процессе вращения кристалла. Эти приборы предназначены специально для кристаллов с большими периодами. В стадии технического совершенствования находятся в принципе более перспективные координатные детекторы, как олтномерные, так и двумерные. Одномерный координатный детектор позволяет измерять интенсивность всех дифракционных лучей одной слоевой линии (в том числе возникающие одновременно) с регистрацией угловой координаты (а следовательно, и индексов) каждого луча. Аналогичным образом двумерный координатный детектор позволяет регистрировать дифракционные лучи всех слоевых линий. [c.64]

    Дифрактометрическая аппаратура. На рис. 34 изображен трехкружный дифрактометр — простейщий аналог камеры вращения. Кристалл вращается вокруг одной из своих кристаллографических осей (на рис. 34 эта ось расположена вертикально), а детектор рентгеновских лучей перемещается вдоль выбранной слоевой линии (т. е. его ось вращения тоже вертикальна, но независима от оси вращения кристалла). Но, кроме того, у счетчика имеется вторая степень свободы — перемещение его по дуге, необходимое для того, чтобы вывести его на нужную слоевую линию. Таким образом, этот прибор имеет три вращательные степени свободы одна относится к кристаллу и две — к детектору. Отсюда и название — трехкружный дифрактометр. [c.72]

    Иногда в поликристаллическом образце кристаллиты расположены не беспорядочно, а ориентированы по определенным НН правлениям В этом случае говорят, что образец обладает текстурой Для полимеров наибольший интерес представляет С1учай, когда одна и та же ось у всех кристаллитов ориентирована по определенному направлению, а повороты вокруг этой оси произвольны. Такой тип ориентации называется аксиальной текстурой Совокупность ориентаций кристаллитов в случае аксиальнои текст ры б>дет такой же, как и при вращении монокристалла вокруг оси Поэтому рентгенограмма аксиальной текстуры (рис 26) аналогична рентгенограмме вращения (см рис 23) На рентгенограмме аксиальной Структуры, так же как и на рентгенограмме вращения, рефлексы располагаются по слоевым линиям Различие между тексту рренг гепограммой и рентгенограммой вра- [c.101]


Смотреть страницы где упоминается термин Слоевая линия: [c.78]    [c.119]    [c.115]    [c.116]    [c.116]    [c.117]    [c.193]    [c.67]    [c.77]    [c.80]    [c.83]   
Кристаллохимия (1971) -- [ c.110 ]

Кристаллохимия Издание 2 (1960) -- [ c.125 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте