Изотермы адсорбции ксенона

На рис. 11,2 приведены изотермы адсорбции ксенона на таком расщепленном графите [51]. Обращение начала изотермы выпуклостью к оси давления пара р ксенона и резкий подъем изотермы адсорбции в средней части свидетельствуют о значительной однородности этого образца. Аналогичные кривые получены на графите [52]. Однако в области завершения плотного монослоя наблюдается еще вторая небольшая ступень, появление которой было объяснено кристаллизацией двухмерного конденсата на поверхности адсорбента [51, 52]. Возможно, однако, что вторая ступень вызывается адсорбцией на оставшихся призматических гранях, расположенных но периметру листочков или частиц графита. [c.41]

Поверхность базисной грани с кристаллографическим индексом (0001) адсорбентов со слоистой решеткой типа МХа заселена ионами одного типа, например ионами хлора. Наряду с гранью (0001) на поверхность таких кристаллов выходят и другие грани, которые содержат ионы и С1 . Из рис. 1,6, где приведены изотермы адсорбции ксенона на образцах №С1а [304], видно существенное влияние недостаточно откачанной воды на форму изотермы. Изотерма адсорбции имеет несколько ступеней благодаря выходу на поверхность кристаллов нескольких граней. В случае же образца, из которого длительной откачкой удалена вода, в области преимущественного заполнения монослоя на всей поверхности адсорбента наблюдается двухступенчатая изотерма адсорбции. Такой вид изотермы связан с адсорбцией па двух кристаллографических гранях этой соли базисной с индексом (0001), поверхность которой состоит из плотно упакованных ионов хлора, и грани, содержащей и С1". [c.64]

Рис. 5. Сканирующие изотермы адсорбции ксенона на пористом стекле 1—7) (о) и сравнение расчетных прямые линии) ш экспериментальных точки) данных (б).

Рис. 21. Изотермы адсорбции ксенона кристаллами цеолитов Ь1Х (а) и КаХ б) при разных температурах и зависимости изостерической теплоты адсорбции ксенона от заполнения для цеолитов Ь1Х (й) и КаХ (г)

Гелий, являвшийся газом-носителем, осушался с помощью колонок, наполненных цеолитом типа СаХ. Кроме этого, на том же цеолите при температурах 0° 25° и 50°, начиная с самых малых заполнений, были изучены обратимые изотермы адсорбции ксенона статическим методом дополнительно к измеренным ранее в работе [4] при —90° —75° —60° —45° и -30°. [c.62]

Рис. 5. Изотермы адсорбции ксенона (по уравнению Фрейндлиха).

Рис. 2. Изотермы адсорбции ксенона на LiX, NaX и КХ при температуре -78° С.

Для повыщения емкости подобных адсорбентов на адсорбент-носитель с большой удельной поверхностью (силохром) наносили хлориды никеля, кобальта и бария. Между этими хлоридами и поверхностными гидроксильными группами силохрома происходят химические реакции, что приводит к образованию качественно новой поверхности. В отличие от изотерм адсорбции ксенона на чистых солях изотермы адсорбции на модифицированных хлоридами сило-хромах имеют, как правило, один вертикальный скачок [69]. Это, по всей вероятности, свидетельствует о том, что в результате модифицирования на поверхности силохрома образовался однородный участок. Следует отметить, что этот участок образуется также при обработке силохрома хлоридом бария, т. е. хлоридом с неслоистой структурой. Поэтому можно предполагать, что при модифицировании силохрома хлоридами металлов однородные участки поверхности образованы ионами С1-. [c.51]

Изотермы адсорбции ксенона [c.77]

Рис. 12.6. Изотермы адсорбции ксенона на цеолите HLiNaX при разных температурах. Кривые рассчитаны по уравнению (12.7) точки — экспериментальные данные черные точки — десорбция

На рис. 12.6 представлены изотермы адсорбции ксенона цеолитом HLiNaX при разных температурах, обработанные по уравнению [c.230]

На рис. 1,66 приведена изотерма адсорбции ксенона при —190 °С на физически неоднородной поверхности силохрома С-80 (кривая 1). При нанесении на силохром 3,6 вес.% N1012 значительная часть поверхности становится однородной, причем на поверхности находятся преимущественно грани одного индекса. Изотерма адсорбции ксенона на такой поверхности имеет ярко выраженную одну ступень (кривая 2). [c.28]

Рис. 11,28. Изотермы адсорбции ксенона цеолитом HLiNaX при разных температурах (числа на кривых).

В табл. IV,3 приведены примеры результатов аналогичных анализов экспериментальных изотерм адсорбции ксенона на некоторых цеолитах [43, 69]. По отношению к неспецифической адсорбции ксенона цеолиты ведут себя как довольно однородные адсорбенты (значение р велико, особенно для системы Хе — НЫ1ЧаХ-1). По отношению же к специфически адсорбирующейся цеолитом двуокиси углерода этот метод позволяет сделать заключение лишь о степени неоднородности цеолита. [c.176]

По отношению к неспецифически адсорбирующимся молекулам группы А поверхность каналов цеолитов довольно однородна. Особенно однородна поверхность каналов кристаллов Ь1Х, поскольку маленькие катионы легко внедряются в зазоры между атомами кислорода каркаса и благодаря своей небольшой поляризуемости вносят малый вклад в потенциал дисперсионных сил в каналах цеолита. Благодаря высокой однородности поверхности полостей цеолита ЫХ в этом случае отчетливо проявляется взаимодействие адсорбат — адсорбат, так что изотермы адсорбции молекул группы А и зависимости тенлот их адсорбции от заполнения для молекул группы А напоминают таковые для адсорбции на графитированной саже. Действительно, при адсорбции ксенона [25, 115 и пропана [116] отмечено, что теплоты адсорбции цеолитом ЫХ растут с увеличением заполнения, а изотермы адсорбции обращены вначале выпуклостью к оси давления пара, а затем проходят точку перегиба. На рис. 21 приведены изотермы адсорбции ксенона кристаллами цеолитов ЫХ и NaX при различных температурах. Как и при адсорбции на графитированной саже (рис. 2), эти экспериментальные данные можно удовлетворительно описать уравнением (11,1), приближенно учитывающим зависимость адсорбции мономолекулярным слоем от давления р и температуры Т. Поэтому при малых заполнениях и высоких температурах, характерных для газохроматографических опытов, на изотермах имеется отчетливый линейный участок ( область Генри ), благодаря чему хроматографические пики оказываются симметричными. [c.50]

Изотерма адсорбции ксенона при 78К в области образования плотного монослоя на всей поверхности образца хлорида никеля, предварительно откачанного при 250 °С в течение 4 ч (5 = 48мУг), имеет четыре вертикальных разрыва при постоянных давлениях [68—70]. При этих давлениях на близких к однородным участках поверхности хлорида никеля происходят фазовые переходы двухмерного пара ксенона в двухмерный его конденсат. Таким образом, поверхность N 012 в целом неоднородна, и чем более она неоднородна, тем больше вертикальных скачков на изотерме адсорбции ксенона при 78К. В работах [68—70] изучались условия обработки солей, после которой число вертикальных участков на изотерме адсорбции ксенона уменьшалось до минимального, т. е. получались образцы с поверхностью, наиболее близкой к однородной. [c.50]

Как видно из рис. 3.17, а, изотерма адсорбции ксенона на возо-гнанном и откачанном при 110°С исходном СоСЬ имеет семь вертикальных участков, т. е. поверхность этого образца очень неоднородна. По-видимому, это связано с присутствием в нем различных форм воды, не удаляющихся откачиванием при 110°С, с наличием разных граней кристаллов, а также с дефектами этих граней. При термообработке СоСЬ в вакууме число вертикальных участков на изотерме адсорбции ксенона уменьшается и после откачивания при 300—325 °С остается только два вертикальных участка (рис. 3.17,6), т, е. поверхность кристаллов СоСЬ становится более однородной, что подтверждается также и электронномикроскопическими исследованиями. Изотермы адсорбции ксенона на Ы1С1г и СоСЬ, откачанных при оптимальных режимах термообработки (250 и 325°С соответственно), имеют только два вертикальных скачка. Это, вероятно, связано с двухмерной конденсацией ксенона на разных гранях кристаллов [c.50]

N1012 И СоСЬ — на грани, образованной ионами СЬ и М.2+, и на базисной грани, образованной только ионами С1-. Первый вертикальный скачок на изотерме адсорбции ксенона, по-видимому, соответствует двухмерной конденсации ксенона на более сильно адсорбирующей, грани, содержащей М , а второй скачок — на базисной грани. [c.51]

Микропористые адсорбенты. На рис. 1, б кривая 1 — изотерма адсорбции ксенона на угле СКТ по данным [3] при —41° ( точками показаны значения, вычисленные по изотерме при —107°. Относительная погрешность вычисления адсорбции А=(азыч—Яизм)/ изм не превышает - -5%. Кривая 2 — изотерма адсорбции H2S на цеолите NaX при 40° [4]. Точки — результат вычисления по изотерме при 25°. В изученном интервале А - -(2—5)%. Кривая 5 — изотерма для системы gHg — цеолит NaX 14], 2=40°, ii=25° С, А < -f3%. [c.100]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология