Метод вращения кристалла для

Рис. 15. Рентгенограмма, снятая по методу вращения кристалла

При прохождении света через узкую щель происходит дифракция световых лучей, при которой они способны интерферировать, т. е. усиливать или поглощать друг друга. При этом между длиной волны излучения, углом падения лучей и постоянной дифракционной решетки существуют простые соотношения, вытекающие из волновой теории света. Именно эти закономерности и лежат в основе так называемых дифракционных методов изучения структуры кристаллов. В настоящее время применяют два основных метода получения дифракционных рентгенограмм кристаллов порошковый и метод вращения кристалла. И в том и в другом методе используют монохроматическое рентгеновское излучение. Анализ получаемых рентгенограмм не всегда прост, тем не менее удается определить не только размеры и форму элементарной ячейки, но и число частиц, входящих в ее состав. Так, ориентируя кристалл определенным образом, можно установить постоянные решетки,а следовательно, и размеры элементарной ячейки. Зная плотность кристалла, можно рассчитать массу эле- [c.91]

Для установления структуры кристаллов используются различные методы [3—6], к которым относятся метод Лауэ, метод вращения кристалла, метод Дебая — Шерера (метод порошка ). [c.38]

Рис. 129. Схематическое изображение камеры для получения рентгенограмм по методу вращения кристалла

Метод вращения кристалла [c.115]

В методе вращения кристалла используется монохроматическое излучение с фиксированной длиной волны X и кристалл, вращающийся вокруг одной из своих осей. Регистрация дифракционной картины в этом случае производится, как правило, на цилиндрическую фотопленку, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. [c.115]

В методе вращения кристалла пользуются монохроматическими рентгеновскими лучами (т. е. с определенной длиной волн). Монохроматический луч падает на плоскость кристалла, вращаю- [c.57]

В гл. I было показано, что использование представления об обратной решетке и сфере отражений значительно облегчает решение дифракционных задач. Метод вращения кристалла в этом случае представляет собой вращение обратной решетки исследуемого [c.115]

Схема рентгеносъемки по методу вращения кристалла, наглядно иллюстрирующая формирование слоевых линий на рентгенограммах, приведена на рис. VI.3, а, а на рис. VI.3, б показана рентгенограмма вращения монокристалла кварца вокруг оси с. [c.115]

В методе вращения кристалла внутрь цилиндрической камеры. помещают для регистрации полной дифракционной картины широкую пленку. В промышленных рентгеновских спектрометрах [c.124]

Наиболее широко используется для определения структуры метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, а в качестве исследуемого образца [c.170]

При съемке рентгенограмм методом вращения кристалл вращается или покачивается вокруг оси, совпадающей с определенным кристаллографическим направлением [муш]. Параллельный пучок лучей монохроматического спектра направлен перпендикулярно оси вращения. При вращении кристалла вокруг направления [uvw его ОР вращается в том же направлении вокруг оси, параллельной [uvw, но проходящей через начало координат ОР. [c.220]

Если пользоваться монохроматическим пучком лучей, дифракционные условия Лауэ удовлетворяются лишь при определенных ориентациях кристалла. При съемке по методу вращения кристалл проходит через различные такие положения, последовательно возбуждая вторичные лучи с различными дифракционными индексами. После каждого оборота на 360° ситуация повторяется. Пятна рентгенограммы возникают в результате попадания в одни и те же точки пленки большого числа повторных порций дифрагированных лучей. Поскольку вращение кристалла во время съемки производится вокруг одной определенной оси, кристалл проходит не через все возможные для него дифракционные положения. Следовательно, дифракционная картина, получаемая на одной рентгенограмме вращения, в принципе не может быть полной. [c.195]

МЕТОДЫ ВРАЩЕНИЯ КРИСТАЛЛА [c.239]

Рис. 70. Метод вращения кристалла. а — дифракция б — регистрация на цилиндрической пленке.

Осуществить это можно, применяя методы вращения кристалла или получая снимки с кристаллов в определенных кристаллографических направлениях. [c.15]

Метод вращения кристалла. Общая схема этого метода представлена на рис. 5. Рентгеновские лучи, проходя через свинцовую диафрагму, падают на плоскость кристалла К, вращаемого на гониометре. В тот момент, когда угол скольжения б принимает значение, удовлетворяющее формуле п =2d sin 6, возникает отраженный рентгеновский луч, улавливаемый особой камерой, наполненной газом, легко подвергающимся ионизации. В момент отражения газ ионизируется и возникающий ионизационный ток регистрируется гальванометром. [c.15]

Метод вращения кристалла (рис. 10). Рентгеновские лучи, проходя через свинцовую диафрагму, падают на плоскость кристалла /С, вращаемого на гониометре. В тот момент, когда угол скольжения 0 принимает значение, удовлетворяющее формуле пХ = 2d [c.46]

При другом способе (метод вращения кристалла) пользуются монохроматическими рентгеновскими лучами (т. е. лучами с определенной длиной волны). Монохроматический луч падает на [c.58]

Метод вращения кристалла. В этом случае монокристалл вращается вокруг какой-либо оси в монохроматическом пучке рентгеновских лучей или нейтронов (рис. 2.3). [c.47]

Непосредственным развитием метода вращения кристалла является рентгеногониометрическая развертка слоевой линии по методу Вайсенберга [3, 6]. Как было показано выше, в методе [c.116]

Для исследования монокристаллов, а также ориентированных волокон и пленок используют метод вращения кристалла или тек-стуррентгенограммы (рис. 28,11). Образец устанавливают таким образом, что его главная кристаллографическая ось направлена [c.122]

Наиболее широко для определения структз ры используется метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеио1вское излучение, а в качестве исследуемого образца — монокристалл. Так как монокристаллы получены отнюдь не для всех полимеров, а размеры полученных монокристаллов слишком малы, то при исследовании полимеров используются ориентироваи-ные, максимально закристаллизованные полимерные пленки или волокна. При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи, направленные перпендикулярно к этой оси, в определенный момент времени оказываются по отношению к некоторым кристаллографическим плоскостям в положении, при котором выполняется формула Вульфа — Брэгга. В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч, который приводит к появлению рефлекса (пятна) на цилиндрической фотопленке, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. На цилиндрической фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям, перпендикулярным к оси вращения. Слоевая линия, проходящая через след от первичного пучка рентгеновских лучей, называется нулевой. Расположение остальных слоевых линий ясно нз рнс. 12. Расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами, расположенными вдоль оси вращения кристалла. Период идентичности / в этом направлении определяется формулой [c.39]

Drehaufnahme / 1. фотографирование методом вращения (кристалла) 2. снимок, полученный методом вращения (кристалла). [c.125]

DreMiagramm п снимок, полученный методом вращения (кристалла). [c.125]

При наличии отдельных монокристаллов размером не М0нее 0,3—2 мм можно определить межплоскостные расстояния в кристаллах любой кристаллографической системы и более детально описать все подробности строения пространственной решетки данного вещества. Осуществить это можно, применяя методы вращения кристалла или получая снимки с кристаллов в определенных кристаллографических направлениях. [c.46]

Рис. 2.3. Схема метода вращения кристалла 1 — источник излучения 2 — коллиматоры 3— образец 4 — дифрагированный цучок в направлении к фотопластинке или счетчику 5— кристалл-монохроматор 6— не отклоненный пучок

Основным методом исследования структуры хорошо ограниченного кристалла являются методы вращения, колебания и развертки слоевых линий. Полные рентгенограммы вращения позволяют определить для веществ со сравнительно небольпюй элементарной ячейкой пространственную группу симметрии. С помощью этого метода можно индицировать рентгенограммы и определять параметры решетки. Рентгенографическое исследование монокристаллов— основной метод расшифровки их атомной структуры, т. е. определения координат атомов в пространстве. [c.82]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология