Монокристаллы размеры

Метод вращения монокристалла. При этом методе объектом съемки в монохроматическом рентгеновском излучении является образец в виде монокристалла размером обычно 0,2— [c.78]

Чем больше их размеры. Идеальному случаю соответствует бесконечно большой монокристалл. При кристаллизации расплавов низкомолекулярных веществ размеры кристаллов обычно определяются просто числом зародышей кристаллической фазы, растущих в единице объема. Рост каждого кристалла прекращается при вступлении его в контакт с соседними кристаллами. Поэтому, чем меньше кристаллов растет в единице объема расплава, тем большего объема они успевают достичь до наступления контактного торможения процесса роста. В условиях, обеспечивающих минимум центров зарождения кристаллической фазы, из расплавов низкомолекулярных веществ удается выращивать крупные монокристаллы размером в несколько миллиметров и более. [c.185]

Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при прохождении через слой в несколько микронов рентгеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрач- [c.172]

Получение монокристаллов размером до 1 мм описано в, работе [.И]. [c.1185]

Метод спонтанной кристаллизации алмаза в условиях его термодинамической стабильности в системе металл — графит является наиболее распространенным при производстве абразивных алмазных порошков и монокристаллов размером до (1—2) 10 м. В качестве металлической компоненты системы применяется шихта, состоящая из переходных металлов группы железа или их сплавов. Источником углерода при кристаллизации алмаза, как правило, служит синтетический поликристаллический графит марок МГ, ГМЗ и др. [c.368]

Затравочные кристаллы представляли собой плоскогранные монокристаллы размером от 5-10" до 10 м, полученные спонтанным методом. Расположение кристаллов в реакционном объеме фиксировалось до и после опыта, поскольку их смещение от исходного положения за счет деформации контейнера при сжатии может быть значительным. Величина наросшего и растворенного слоя измерялась с использованием окулярного микрометра МОВ 1-15 с ошибкой 5-10 м. [c.383]

Рассмотрим основные из этих результатов. На основе данных по изучению процессов кристаллизации алмаза в присутствии различных примесей были получены образцы легированных монокристаллов. Размеры кристаллов, состояние поверхности и совершенство внутреннего строения обеспечивают возможность изучения комплекса их электрофизических свойств в связи с условиями роста, Оценить перспективу использования алмаза в электронной технике. [c.455]

Определение структуры кристалла всегда основано на сопоставлении методом проб и ошибок наблюдаемых и расчетных интенсивностей дифракционных максимумов. Чтобы получить полный набор максимумов на рентгенограмме, необходимо изучать монокристалл размером не менее 20—50 мкм. На рентгенограммах порошков многие дифракционные максимумы не наблюдаются из-за их перекрывания или из-за того, что их интенсивность не превышает уровень фона. Это создает значительные трудности в определении рентгенографическим методом пространственной группы симметрии. При изучении мелкокристаллических цеолитов методом дифракции электронов легко детектировать дополнительные слабые отражения, но появление большого числа отражений затрудняет расшифровку. Изучение морденита, эрионита и цеолита Ь доказало ценность этого метода, однако для изучения многих других мелкокристаллических цеолитов дифракция электронов пока не применялась. [c.32]

Если необходимо получить монокристаллы размерами приблизительно 0,1—0,5 мм, какие требуются для рентгенографических структурных исследований, то г юж-но применить транспортную систему при простом нагреве без перепада температуры (эффект минерализации). Однако в больщинстве случаев удобнее первичную твердую фазу подвергнуть транспорту в градиенте температур. Таким путем были получены оксихлориды, показанные на рис. 26—30. Как раз с оксихлоридами проведены многочисленные эксперименты, как это явствует из следующих уравнений реакций [c.108]

Козырев [686] разработал два способа выращивания монокристаллов селена из парообразной фазы и из расплава. Получены монокристаллы размерами 15 X 7 X 6 мм. Показано, что скорость роста монокристаллов под давлением выше, чем при обычных условиях. Кристаллизация селена протекает очень медленно, что объясняется медленным переходом замкнутой цепочечной структуры селена в линейную для ускорения процесса рекомендуется применять давление. Алиев [687] показал, что кристаллизация селена ускоряется в результате добавки к нему иода (до 1,7%) при 60—80°. Добавка иода способствует возрастанию диэлектрической постоянной селена [688]. [c.420]

Первичные частицы — мельчайшие составные части пигмента. С физической точки зрения они состоят из идеальных или реальных кристаллитов (монокристаллов). Размер их определяется по характеру линий рентгеновского спектра. [c.79]

При наличии отдельных монокристаллов, размером не менее [c.14]

Метод ЯМР также приложим далеко не ко всем кристаллам. Нужно, чтобы число ядерных спинов было достаточно велико, а это условие налагает определенные требования на размеры монокристаллов. Если спектры ЭПР можно изучать на монокристаллах размером в 2—3 мм , то для исследования спектров ЯМР нужны кристаллы размерами 1 см . [c.7]

Главная задача настоящей книги состоит в том, чтобы рассмотреть и обсудить способы выращивания монокристаллов. Трудно дать точное определение того, что надо разуметь под монокристаллом, но обычно под этим понимают кристаллит, либо найденный в природном поликристаллическом образовании и выделенный из него, либо специально выращенный. Такой кристаллит должен иметь достаточные размеры, чтобы представлять эстетическую, техническую или научную ценность. Нас же здесь интересуют специально выращенные монокристаллы размером не менее I мм , поскольку такая величина есть нижний предел, устанавливаемый практическими возможностями работы с ним и проведения больщинства измерений. [c.19]

Обычно до сих пор размеры получаемых монокристаллов полимеров не превышали нескольких микрон и поэтому их существование обнаруживается при рассмотрении таких кристаллических образований в электронном микроскопе. Правда, известен случай получения более крупных монокристаллов, размеры которых, доходящие до 100 мк, позволяют обнаруживать такие кристаллы [c.196]

Мешалка предназначена для предупреждения отложения кристаллов на охлаждающей поверхности, поддержания кристаллов во взвешенном состоянии и для перемещения кристаллов к разгрузочному концу кристаллизатора. Вращением мешалки (0,5—1,0 рад сек) обеспечивается слабое перемешивание раствора и создаются благоприятные условия для роста кристаллов. В результате можно предупредить образование агрегатов и включение маточного раствора в кристаллы, которые имеют вид совершенных монокристаллов размером от самых мелких до крупных (1,0 мм). [c.56]

Кристаллы 39 7411 Монокристаллы размером от 0,6 до 4 мм 39 7412 Монокристаллы крупнее 4 мм [c.284]

Л1. Для полупроводниковой техники и современного приборостроения задача выращивания монокристаллов является одной из важнейших. Созданы специальные методы, аппаратура для выращивания монокристаллов и т. п. Монокристаллы размерами в десятки сантиметров выращиваются искусственно на заводах. [c.20]

Т[ . Так [2, стр. 134—136], возгонкой порошка сульфида цинка при Гз = НТО—1200° были выращены монокристаллы размером 5 X 3 X X 3 мм. Скорость роста составляла 5 мг в день. Для достижения даже столь ничтожной скорости пришлось понизить до 1070—1120°. [c.456]

Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при про.хождении через слой в несколько микронов ренггеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрачной для электронов подложке. При этом, как правило, возникает не монокристальная, а поликристалличе-ская пленка. Для структурного анализа, однако, важно, чтобы кристаллики пленки имели в ней некоторую преимущественную ориентацию. Добиться кристаллизации такой текстурированной пленки удается не всегда. [c.128]

Рентгеновские лучи рассеиваются в результате взаимодействия с электронными оболочками атомов в-ва, нейтроны — с ядрами и маш. моментами атомов, электроны — с электростатич. потенциалом, создаваемым электронами и ядрами. Отношения интенсивностей рассеянного и падающего излучения для рентгеновских лучей и для нейтронов соотв. в W и 10 раз меньше, чем для электронов. Слабо рассеивающиеся рентгеновские лучи и нейтроны использ. в осн. для изучения монокристаллов размером 0,1—1 мм, электронные пучки — для изучения молекул в газовой фазе, поликристаллич., жидких и аморфных пленок толщиной 10 —10" см, монокристаллов размером ок. 0,1 мкм, а также поверхностей кристаллич. в-в. Дифракц. картина от монокристаллов — это система четких максимумов интенсивности, что позволяет рассчитать координаты атомов. Для аморфных в-в, к-рые, как и газы, дают размытую дифракц. картину в виде концентрич. колец, определяют лишь ближ-нии порядок атомов (расстояния между ближайшими атомами и координац. число Дифракция электронов на относительно простых молекулах газа (пара) позволяет определять межатомные расстояния в молекуле. [c.186]

Методами ireiiij OHTiOH спектроскопии измеряют на поли-крнсталлич. образцах спектр тепловых колебаний атомов (фононный спектр), а на монокристаллах размером ок. [c.371]

Природные цеолиты встречаются в изверженных породах в виде хорошо выраженных монокристаллов размером до нескольких миллиметров (рис. 5.1). Кристаллы этого типа изучены одними из первых. В некоторых случаях в изверженных породах цеолиты образуют плотные полнкристаллические агрегаты напрпмер, [c.388]

Монокристаллы жадеита в природных условиях встречаются весьма редко. Известны находки отдельных монокристаллов размером в поперечнике 2 мм (Калифорния), 8 мм (Прибалхашье), а также в виде мегаблас-тов < 15 Мм в эклогитовых сланцах (Западные Альпы). [c.247]

РЕНТГЕНОВСКИЙ СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ, дифракционный метод исследования атомно-молекулярного строения в-в, гл. обр. кристаллов, основанный на изучении дифракции рентгеновских лучей с длиной волны ок. 0,1 нм. Нек-рые задачи, вапр. определение положения части атомов в кристаллах относительно простого строения, можно решать с применением поликристаллич. образцов, однако по.чное определение структуры проводят на монокристаллах размером 0,1—0,5 мм. Использование полихроматич. излучения (метод Лауэ) позволяет получать сведения о симметрии кристалла и ориентировать его правильным образом. Для полного изучения структуры измеряют интенсивность максимально возможного числа рентгеновских дифракц. отражений с использованием монохроматич. излучения чем больше таких отражений, тем больше разрешение пра определении положения атомов. Обработка результатов измерений осуществляется на больших ЭВМ. По интенсивностям отра- [c.506]

Нами изучалась взаимная диффузия в КС1 — КВг и Na l — КС . Обе пары образуют непрерывный ряд твердых растворов с понижающейся линией ликвидуса. Изучаемые пары в виде монокристаллов размером 15X15X3 мм раздельно нагревались до заданной температуры, приводились в контакт и отжигались при постоянной температуре в течение 2— 10 ч. Постоянство температуры поддерживалось с точностью 1,5—5° С. [c.190]

Мы получили выражение для интенсивности рентгеновского луча, рассеиваемого в заданном направлении пруппой атомов, которая предполагается неподвижной относительно падающего луча. Конечно, для того, чтобы получить заметную интенсивность рассеянного луча и убедиться в справедливости этого выражения, надо взять объект, состоящий из огромного числа атомов. Таким объектом мог бы быть монокристалл размерами порядка миллиметра. Но в таком случае подход к этой проблеме был бы иным, так как учет периодичности приводит к более простой формуле. [c.36]

Удобнее с щелью возможно более полного и всестороннего кристаллооптического изучения, в противоположность часто предпочитаемым в микрохимическом анализе скелетным, дендритным формам и сферолитам, иметь по возможности ограненные монокристаллы, размеры которых позволяли бы провести их коноскопическое изучение. Последнее удается с хорошо центрирующимся микроскопом даже при величине кристалла в 5—7 мк в поперечнике. [c.10]

Гриффитс и Грукок [98] провели систематическое исследование разложения чистого хорошо состаренного а-азида свинца по методу непосредственного измерения скорости разложения между 262 и 297°. Применявшийся азид состоял из монокристаллов размером 45х 35х 35 мк и был того же типа, что и изучавшийся нозже Янгом [100]. Скорость разложения была исключительно высокой. В основном периоде ускорения, как показал анализ кривых [c.243]

В результате образовывались небольшие монокристаллы размерами 1—3 мм, что позволило изучить их кристаллическую структуру. Для защиты кристаллов от влаги при исследовании их покрывали изолирующей пленкой. Флао [6], изучая структуру Al Sg, установил, что соединение кристаллизуется в трех модификациях. Стабильной при комнатной температуре является модификация a-AljSg, кристаллизирующаяся в гексагональной ячейке со следующими периодами а — 6,423 0,003 A и с == = 17,83 0,021. [c.25]

Пластинчатые (ламеляр-ные) монокристаллы. Монокристаллы полимеров обычно получают кристаллизацией полимера из разбавленных (менее 1%) растворов при медленном охлаждении или изотермической выдержке при температурах ниже равновесной температуры растворения. Внешний вид монокристалла (размеры, форма, регулярность строения) зависит от химического строения цепи и условий кристаллизации (температуры, концентрации раствора, приррды растворителя, скорости охлаждения и т. п.). Простейшие монокристаллы полимеров представляют собой монослойные плоские пластины (ламели) часто ромбовидной формы (рис. 3.6, см. вклейку) толщиной 100 А и размером сторон пластины до 1 мкм. Оси а я Ь кристаллографической ячейки соответствуют длинной и короткой диагоналям ромба, а ось с, вдоль которой направлены макромолекулярные цепи, перпендикулярна плоскости кристалла (рис. 3.7). [c.86]

При наличии отдельных монокристаллов размером не М0нее 0,3—2 мм можно определить межплоскостные расстояния в кристаллах любой кристаллографической системы и более детально описать все подробности строения пространственной решетки данного вещества. Осуществить это можно, применяя методы вращения кристалла или получая снимки с кристаллов в определенных кристаллографических направлениях. [c.46]

Описанный метод, предложенный Лауэ, применим только к монокристаллам размером в несколько кубических миллиметров. Мелкокристаллические вещества также можно исследовать по диффракции рентгеновских лучей, пользуясь методом Дебая и Шерера. Для этого узкий пучок монохроматических лучей направляют на микпокристаллический агрегат или кристаллический порошок. Среди большого количества мелких кристалликов всегда найдутся отдельные кристаллики, расположенные таким образом, что угол <ро, образованный между одной из плоскостей, в которой расположены центры диффракции, и падающим лучом будет удовлетворять условию, при котором разность хода вторичных лучей выразится целым числом волн. Такой кристаллик даст под углом с(л узкий диффрагированный луч, лежащий в плоскости, проходящей через падающий луч и через нормаль к плоскости центров рассеяния. Другие кристаллики, для которых соблюдается условие получения диффракции того же порядка, т. е. расположение под тем же углом к падающему лучу, могут быть повернуты на любой угол относительно первого кристаллика, так как все ориентации кристалликов равновероятны. При этом диффрагиро-ванные лучи от них будут располагаться в конусе (рис. 50), осью которого [c.153]

Выращивание монокристаллов из вещества некоторого определенного исходного состава в запаянной ампуле, находящейся в однозонной печи постоянной температуры Тг, причем существует ничтожный градиент температуры в зоне роста Т и в ее пределах от Т1 до Т1". Так 12], стр. 134—136 возгонкой порошка сульфида цинка при Тг= = 1170—1200° были выращены монокристаллы размером 5хЗХ хЗ мм. Скорость роста составляла Ъ мг в день. Для достижения даже столь ничтожной скорости пришлось понизить Т1 до 1070—1120°. [c.624]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология