Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Кристалл определение ориентации

    По степени распространенности среди твердых тел основным является кристаллическое состояние, характеризующееся строго определенной ориентацией частиц друг относительно друга. Это определяет и внешнюю форму вещества в виде кристалла. В идеальных случаях кристалл ограничен плоскими гранями, сходящимися в точечных вершинах и прямолинейных ребрах. Одиночные кристаллы (монокристаллы) иногда встречаются в природе в большом количестве их получают искусственно. Однако чаще всего кристаллические тела представляют собой поликристаллические образования — сростки большого [c.132]


    Основной недостаток полихроматического метода связан с тем, что все дифрагируемые кристаллом лучи рдг имеют разную длину волны, а это означает, что интенсивности дифракционных лучей в этом методе зависят не только от структуры кристалла, но и от распределения интенсивности по X в спектре первичного пучка. Последнее к тому же зависит от режима работы рентгеновской трубки. Эта и ряд других особенностей полихроматического метода резко сужают его возможности Б структурном анализе. Фактически он используется в основном для решения одной из побочных (предварительных) задач рентгеноструктурного анализа —для определения ориентации кристаллографических осей в исследуемом монокристалле. Такая задача возникает, во-первых, в тех случаях, когда исследуется обломок кристалла, не имеющий правильного габитуса, и, во-вторых, в тех случаях, когда для повышения прецизионности исследования кристаллу путем обкатки придается сферическая форма (см. гл. IV, 1 и гл. V, 4). Именно неподвижное положение исследуемого образца в камере Лауэ и делает полихроматический метод незаменимым для решения этой задачи. Ориентация кристаллографических осей находится по определенным правилам на основе расположения дифракционных пятен на пленке .  [c.68]

    Методы структурного анализа моно- и поликристаллов широко используются для решения различных прикладных вопросов установление фазового состава, определение ориентации кристаллов и кристаллических срезов, определение истинных коэффициентов теплового расширения кристаллических веществ, измерение деформаций решетки и внутренних напряжений, анализ дисперсности, определение текстур, контроль процессов отжига и рекристаллизации и т. д.). [c.15]

    Твердое состояние вещества. Кристаллическое состояние вещества характеризуется строго определенной ориентацией частиц относительно друг друга и анизотропией (векториальностью) свойств, когда свойства кристалла (теплопроводность, прочность на разрыв и др.) неодинаковы в разных направлениях. [c.129]

    Схемы съемки монокристаллов. При съемке монокристаллов можно выделить три схемы съемка монокристалла с вращением или колебанием съемка неподвижного кристалла на просвет (прямая съемка) в случае, если он прозрачен для рентгеновских лучей съемка неподвижного кристалла на отражение (обратная съемка) в случае непрозрачного массивного образца. Особенностью схем съемки монокристаллов является необходимость определенной ориентации кристалла относительно направления первичного пучка рентгеновских лучей и определенной ориентации пленки относительно образца. [c.81]


    Наконец, говоря о структуре, не следует забывать о взаимном относительном расположении кристаллов. Определенная ориентация кристаллов в поликристаллическом осадке называется текстурой [5]. В упрощенной форме разницу между текстурированным и не-текстурированным металлом можно представить с помощью рис. 48. [c.130]

    Наконец, говоря о структуре, не следует забывать о взаимном относительном расположении кристаллов. Определенная ориентация кристаллов в поликристаллическом осадке называется тексту- [c.118]

    При малой скорости осаждения металла на монокристалле ориентирующее влияние структуры его поверхности может продолжаться до толщины слоя примерно 40 ООО А ( 4 мкм). На поли-кристаллической поверхности с определенной ориентацией кристаллов структура воспроизводилась лишь в очень тонких (0,1—0,2 мкм) осадках при условии, что покрытие и основание [c.339]

    Беспорядочное движение молекул жидкости приводит к непрерывному изменению расстояний между ними. Это можно выразить словами структура жидкости носит статистический характер. В этом состоит существенное отличие жидкости от кристаллов. Статистический характер упорядоченного расположения молекул жидкости приводит к флюктуациям — непрерывно происходящим отклонениям не только от средней плотности, но и от средней ориентации, так как молекулы жидкости способны образовать группы, в которых преобладает определенная ориентация. Чем меньше величина этих отклонений, тем чаще они встречаются. [c.279]

    В кристаллах, элементарная ячейка которых отличается от кубической, почти во всех молекулах ядра находятся в неоднородном электрическом поле. Соответствующий градиент поля задается второй производной потенциала по пространственным координатам. Наибольшая компонента градиента поля, которая совпадает с направлением химической связи, равна ед у Ъ г. В таком неоднородном электрическом поле квадрупольное ядро может принимать несколько определенных ориентаций относительно градиентов поля, каждой из которых соответствует дискретное значение энергии. Положение уровня энергии определяется как 0(1 и является произведением квадрупольного момента eQ и градиента поля это произведение непосредственно измеряется в эксперименте. [c.34]

    Наблюдение картин каналирования электронов полезно для идентификации выделений в кристаллах, определения плоскостей габитуса, изучения взаимной кристаллографической ориентации выделившихся фаз и матрицы, при изучении механизма двойни-кования, дефектов кристаллической структуры и ориентации зерен. Впервые каналирование электронов было установлено при изучении монокристаллов кремния, германия и арсенида галлия. [c.210]

    В случае эффекта теней центрами испускания быстрых заряженных частиц (протонов, дейтронов, тяжелых ионов) являются сами атомы кристалла. Этого достигают, вводя в решетку а-радио-активные ядра, либо возбуждая ядерные реакции в атомах решетки подходящим облучением. Вылетающие частицы отклоняются от заселенных атомами плоскостей и осевых направлений. Поэтому угловое распределение вылетающих из кристалла частиц имеет резкие минимумы ( тени ) вдоль выходов кристаллографических плоскостей и осей с низкими индексами. Эффект теней можно использовать для определения ориентации кристаллов и тонких монокристаллических пленок и изучения дефектов решетки. [c.210]

    Другое осложнение состоит в том, что внешнее поле может вызвать наряду с ориентацией макромолекул или их частей еще более сложные процессы, такие, как кристаллизация. Поэтому, чтобы разобраться в явлении ориентации, необходимо вначале выяснить, что именно ориентируется — звенья, молекулы, кристаллы или более сложные частицы. Кроме того, следует отметить, что очень важно изыскать надежные способы для определения ориентации и методы, позволяющие отличить ориентированные полимеры от истинно кристаллических, так как и кристаллические и ориентированные тела анизотропны, а скорость дезориентации у полимеров иногда ничтожно мала. [c.460]

    Некоторые авторы [1, 2] исследовали анизотропию скорости травления кристаллов, растворяя в кислотах металлические сферические кристаллы и вырезанные с учетом определенной ориентации цилиндры. Для определения анизотропии скорости растворения кристаллов нами был использован тот же принцип растворения цилиндрических поверхностей, но с изменением, дающим ряд крупных преимуществ. [c.180]

    В отношении акцепторного субстрата реакции некоторые сведения могло бы дать изучение пуромицина и его аналогов. Так, известна конформация пуромицина в кристалле, определенная рентгеноструктурным анализом (рис. 104). Она подтверждается исследованиями пуромицина в растворе. Так как пуромицин — хороший акцепторный субстрат в реакции транспептидации, знание его структуры может навести на некоторые суждения о стереохимии аминоацильного и аденозинЬвого остатков в пептидилтрансферазном центре. Далее, известно, что аналог с более фиксированной конформацией, типа изображенного на рис. 105, тоже может служить в качестве акцепторного субстрата в реакции транспептидации, и даже более активен, чем пуромицин. Здесь фиксирована ориентация пуринового кольца относительно рибозы (так называемая анти -ориентация), и это позволяет думать, что именно она [c.191]


    Можно определить тип решетки кристаллов или небольших частиц, исследуя образец в поляризованном свете при помощи скрещенных призм Николя. Через изотропные кристаллы (обычно кристаллизующиеся в кубической системе) свет проходит практически одинаково при любой ориентации. Анизотропные кристаллы при определенной ориентации не пропускают падающий пучок света- Если погашение наступает тогда, когда анизотропный кристалл ориентирован параллельно плоскости поляризации одного из скрещенных николей, говорят, что кристалл обладает параллельным погашением. Кристалл, для которого погашение наступает в положении, когда он не параллелен по отношению к поляризатору или анализатору, обладает косым погашением. [c.243]

    Мы не можем закончить обсуждение этого вопроса однозначным выводом. С одной стороны, ИК-спектры ориентированных образцов в поляризованном свете, несомненно, полезны при отождествлении колебательных полос и при грубом определении ориентации групп в молекулах. С другой стороны, имеется достаточно оснований, чтобы соблюдать осторожность при детальной количественной интерпретации результатов. Даже в случае нафталина, когда взаимодействие между молекулами в кристалле относительно мало, наблюдаются отклонения от модели ориентированного газа [1636]. В кристаллах с Н-связью межмолекулярные взаимодействия гораздо сильнее, а коэффициент поглощения ИК-полос испытывает анизотропные возмущения за счет Н-связи, поэтому такие отклонения должны быть еще больше. Как отметили Хаггинс и Пиментел [979], дихроизм полос валентных колебаний определяет ориентацию связи только в случае линейной Н-связи, когда интенсивность полосы валентного колебания усилена за счет индуцированного дипольного момента, направленного вдоль связи А — Н. В тех же случаях, когда линейность Н-связи не доказана, необходимо иметь в виду, что приращение дипольного момента может быть параллельно связи [c.106]

    Переходим теперь к обсуждению процесса кристаллизации полимеров при различных физических воздействиях, не останавливаясь больше на проблеме роли первичной структуры макромолекулы. Прежде всего заметим, что кристаллизацию по механизму образования кристаллов пакетного типа легче всего представить себе протекающей в условиях ориентации макромолекул. Рассмотрим изолированную макромолекулу, обладающую определенной ориентацией в вертикальном направлении, как это показано на рис. П1.46, а. [c.205]

    При введении полярного модификатора в малых концентрациях его молекулы адсорбируются полярной частью на кристаллах с ориентацией углеводородных радикалов в дисперсионную среду. Заряд частиц снижается, и при определенной концентрации модификатора имеет место межэлектродная циркуляция. Одновременно с адсорбцией модификатора на кристаллах происходит взаимодействие его молекул с молекулами смол, содержащихся в дисперсионной среде. Дальнейшее увеличение концентрации модификатора приводит к укрупнению кристаллов за счет образования нового слоя с обратной ориентацией молекул модификатора. Кристаллы при этом приобретают положительный заряд и осаждаются на катоде. В области малых концентраций присадок (0,001-0,01%) частицы дисперсной фазы крупные и разобщенные и имеют мицеллярный характер. При добавлении модификатора в больших концентрациях происходит сжатие диффузионного слоя, уменьшение размера частиц и переход системы в изоэлектрическое состояние, что подтверждается отсутствием электрофореза. В области еще больших концентраций полярного модификатора в зависимости от его природы на поверхности крупных частиц могут возникать как положительные, так и отрицательные заряды. При таких концентрациях размеры частиц дисперсной фазы увеличиваются за счет развития их сольватных оболочек. [c.97]

    В гидрометаллургии и особенно в гальванотехиике стремятся получить мелкокристаллические, компактные, беспористые, иногда блестящие отложения металлов. Размеры кристаллов,, образующих осадки, зависят от многих факторов, и прежде всего, от природы электролита, и поляризации, сопровождающей выделение металла. Электролитический осадок металла, как всякое поликристаллическое тело, характеризуется размером и формой (огранением) кристаллов, а также взаимной ориентированностью кристаллов — их текстурой. Текстурой поликристаллического тела называется совокупиость всех имеющихся ориентаций отдельных кристаллов. В зависимости от того, преобладает лп какая-либо определенная ориентация кристаллов или же кристаллы не ориентированы и расположены беспорядочно, судят [c.367]

    Вторым источником этой теории являются успехи в области изучения адсорбции и прежде всего известные закономерности, обнаруженные Лэнгмюром (см. стр. 142) 1) действие химических сил между поверхностью и адсорбированным веществом возможно лишь при непосредственном соприкосновении атомов адсорбента и адсорбата 2) адсорбция органических молекул протекает с определенной ориентацией к поверхности 3) сильная адсорбция любых молекул является практически необратимой и ведет к отравлению катализатора и т. д. Сюда же относятся работы Адкинса [11] и Берка [13], в которых выдвинуты условия разрыхления исходных связей реагента в зависимости от межатомных расстояний в кристалле катализатора. [c.298]

    Под влиянием этих факторов наряду с размерами кристаллов могут изменяться также форма и ориентация кристаллов, т. е. их взаимное относительное расположение. Преобладание определенной ориентации кристаллов в осадке, т. е. такое расположение кристаллов, когда одно или два кристаллографических направлений оказываются преобладающими, обычно называют текстурой. Чем больше кристаллов, имеющих данное направление роста по отношению к общему числу кристаллов, тем выше степень ориентации, или степень совершенства текстуры. В некоторых случаях текстура, так же как и размер кристаллов, является существенным фактором, определяющим те или иные свойства электролитических осадков (блеск, твердость и др.). Закономерности форм роста кристаллов подробно изучены К. М. Горбуновой [3] и И. А. Пангаровым [5]. [c.338]

    В методе порошка, или дсбаеграмм, используют монохроматическое рентгеновское излучение. Поликристаллический образец помещают на пути узкого рентгеновского луча (рис. 5.7, а). Поскольку в порошке имеются кристаллы любой ориентации по отношению к лучу, всегда найдутся такие кристаллы, положение которых отвечает условию Вульфа — Брегга. В конечном итоге все те кристаллики в порошке, которые имеют соответствуюище межплоскостные расстояния ( 1, 2, 3,. ..,d , попадают по отношению к падающему лучу в отражающее (но не гасящее) положение. Отраженные лучи образуют конус со строго определенным углом расхождения. [c.118]

    Метод Лауэ получил наибольшее распространение для определения ориентации монокристаллов, изучения их симметрии и степени совершенства их кристаллического строения, однако с его помощью успешно решаются и другие задачи структурной кристаллографии. В гл. VIII показано, как с помощью лауэграмм определяется симметрия кристаллов. [c.114]

    Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при про.хождении через слой в несколько микронов ренггеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрачной для электронов подложке. При этом, как правило, возникает не монокристальная, а поликристалличе-ская пленка. Для структурного анализа, однако, важно, чтобы кристаллики пленки имели в ней некоторую преимущественную ориентацию. Добиться кристаллизации такой текстурированной пленки удается не всегда. [c.128]

    В сильных полях, кроме осцилля-циониых эффектов, можно наблюдать ориентационные. Так, меняя ориентацию кристалла и измеряя различные компоненты тензора сопротивления, можно обнаружить открытые траектории движения электронов (см. рис. 141) по сильному увеличению поперечного магнетосопротивления при некоторых определенных ориентациях поля. [c.342]

    Призма, состоящая из двух кристаллов кальцита, определенным образом разрезанных и затем склеенных, обладает свойством пропускать только один из лучей второй луч отклоняется в сторону и поглощается зачерненной стороной призмы. Такую призму (называемую призмой Николя) можно использовать для получения пучка плоскопо-ляризованного света, а также для определения ориентации плоскости поляризации. В приборе, называемом поляриметром (рис. 6.3), первая призма создает такой поляризованный пучок света. Если между двумя призмами нет ничего, что могло бы вращать плоскость поляризации, то [c.134]

    Для спектров ЯМР существенно, что молекулы растворенного вещества, помещенного в нематическую фазу, сами принимают определенную ориентацию в жидком кристалле. Однако положение молекул растворенного вещества не жестко фиксировано, и они могут двигаться поступательно и вращательно. Впрочем, эти движения не полностью свободны, как в обычной изотропной жидкости, но ограничены структурой жидкого кристалла. Степень упорядоченности растворенного вещества относительно мала, но она достаточна для того, чтобы вызвать появление прямых диполь-дипольных констант между протонами при измерении спектров ЯМР соединений в подобном анизо- [c.360]

    Наряду с кристаллическими известно большое количество аморфных и частично кристаллических переходных форм углерода. Их структура может быть классифицирована на три основные фуппы турбостратная структура, аморфный углерод и надатомные образования высшего порядка. Основой турбосфатной структуры являются базисные плоскости, образующие пакеты, в которых, однако, отсутствует определенная ориентация. Пакеты представляют собой двухмерные кристаллы. В ядерной части структуры пакетов атомы углерода имеют зр"- и 5р-гибридизацию. Кристаллические пакеты и аморфные фракции углерода химически связаны между собой и образуют полимерные структуры высшего порядка. [c.9]

    При рассмотрении сферолитов в поляризованном свете виден темный крест, а так как наблюдаемая картина зависит от ориентации полимерных цепей по отношению к радиусу сферолита, она будет различной для кольцевых и радиальных сферолитов На моиокристаллических подложках (например, кристалл Na l) можно получить полимерные кристаллы с определенной ориентацией — [c.440]

    В то время как кристаллы при исследовании их реит1еповски-мп лучами дают резко выраженные диффракционные диаграммы, свидетельствующие об определенной ориентации атомов или молекул, аморфнрле тела, напротив, подобно жидкостям, дают диаграммы с неопределенными очертаниями, что говорит о неориентированном беспорядочном расположении, хотя в некоторых случаях и имеются указания (см. стр. 154) на частично ориентирован- [c.281]

    Вопросы эпитаксии также имеют непосредственное отношение к затронутой проблеме. Эпитаксия — ориентированное нарастание слоев — известна давно. В частности, этим вопросом еще в XIX веке занимался Франкенгейм. Обширная библиография по эпитаксии приведена в работах [40, 346—348]. Свойства эпитаксиальных слоев различных материалов, главным образом полупроводников, интенсивно исследуются. Обнаружена зависимость от типа подложки не только структуры, но и прочностных, электрических и магнитных характеристик вакуумных конденсатов различных полупроводниковых материалов [346—348]. Впервые эпитаксиальный рост полимерных кристаллов на поверхности твердого тела описан в работах [349, 350], затем этот эффект был подробно изучен [245—249, 340, 351—359]. В частности, было обнаружено, что аминокислоты и олигопептиды образуют ориентированные наросты на минералах [345]. Свежеобразованные сколы галогенидов металлов (Na l, K I, KI, LiF), а также кварц оказывают ориентирующее влияние на расположение кристаллов полиметиленоксида, полипропиленоксида, полиэтилена, полиэти-лентерефталата, полиакрилонитрила, полиуретана, полиамидов. Эпитаксиальные явления в подобных системах могут быть следствием [354] ориентирующего влияния ионов подложки, расположенных в определенной последовательности. Кроме того, дислокации, образующиеся при расщеплении галогенидов металлов, также могут оказывать влияние на зародышеобразование, так как они имеют определенную ориентацию и сообщают поверхности повышенную энергию. В работе [359] указывается на эффект своеобразного фракционирования полимеров, заключающийся в том, что при определенных условиях склонность к эпитаксиальной кристаллизации обнаруживают самые большие макромолекулы [359]. [c.140]

    Д )угое свойство, присущее нематическим жидким кристаллам и отличающее. их от обычных изотропных жидкостей, - это специфические коэффициенты вязкости, так называемые коэффициенты кручения в градиенте скорости. В ламинарном потоке с градиентом скорости (типа куэттовского или пу йлева течения) направление директора составляет конечный угол с направлением течения. Такая картина регулярного течения с определенной ориентацией директора имеет место только при определенных соотиойениях между коэффициентами кручения. При нарушении этого соотношения картина меняется и наблюдается хаотическое движение директора. Специфические (зойства нематических лиотропных жидких кристаллов будут рассмотрены ниже в этой главе. [c.41]

    Линейные цианидные комплексы [Ад(СМ)2] , [Аи(СМ)21" и Нд(СМ)2 были недавно подробно исследованы Джонсом [96, 97, 99, 101—103, 106]. В некоторых из этих работ использованы измерения дихроизма поглощения в инфракрасной области для определения ориентации комплексных ионов в кристалле. При этом подтверждена ориентация линейных ионов [МСАдСМ]" относительно кристаллографических осей кристалла калиевой соли, известная ранее из рентгеноструктурного исследования, и определена ориентация линейного иона в К[Аи(СМ)2]. [c.309]

    Вермикулит (г). На рисунке рельефно выделяются микрокристаллы вермикулита (размер 2—5 л) с хорошо выраженной спайностью. Микростроение характеризуется агрегатностью. Агрегаты имеют удлиненную форму и определенную ориентацию в плоскости наблюдаемой поверхности. Межагрегатная пористость невысокая. Ёидна микрослоистость. Пористость агрегатов по микрофотографий не устанавливается. Поверхность, кристаллов имеет гладкий микрорельеф и в достаточной степени однородна. [c.29]

    Определенная ориентация относительно световых лучей необходима при измерении показателей преломления анизотропных кристаллов. Поэтому способ полусферы щироко используется в различных моделях так называемых кристалл-рефрактометров, служащих для минералогических и кристаллографи- [c.139]

    Существенным для успеха всей операции является образование отдельного зародыша. Нижний конец трубки снабжают тонко оттянутым капилляром [74], поскольку среди образующихся зародышей кристаллов только те получают дальнейшее развитие, для которых ось трубки приблизительно совпадает с направлением наибольшей скорости роста. Тонкий капилляр обусловливает даль-нейшеее развитие лишь одному кристаллу из многих [75]. Определенной ориентации растущего кристалла можно достигнуть вытягиванием трубки под определенным углом или можно поместить на нижний конец трубки кристалл-зародыш и температуру регулировать так, чтобы при нагревании хотя бы часть кристаллика не расплавилась. / [c.207]


Смотреть страницы где упоминается термин Кристалл определение ориентации: [c.24]    [c.348]    [c.367]    [c.127]    [c.223]    [c.418]    [c.74]    [c.65]    [c.596]    [c.203]   
Новейшие методы исследования полимеров (1966) -- [ c.137 , c.140 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Определение ориентации

Определение ориентации кристалла и параметров элементарной ячейки

Определение ориентации кристаллов по рентгенографическим данным

Ориентация кристалли Гов

Ориентация кристаллов

Ориентация кристаллов, определение по рентгено



© 2025 chem21.info Реклама на сайте