достраивание

Таким образом, в результате реакций к поверхности оксида алюминия присоединяются атомы титана, входившие в состав низкомолекулярного хлорида атомы кислорода поставляются молекулами воды при гидролизе. Результатом осуществления каждого цикла реакций является достраивание решетки алюминия монослоем титан-кислородных структурных единиц. [c.157]

Для систем ФР определенной конструкции вводится вычислительный процесс, в основе которого лежит выбор ФР, управляющих затем дальнейшими вычислениями. В языке KRL в основе такого процесса лежит сопоставление с образцом для выбора ФР и дальнейшее сопоставление выбранных фреймов с исходными данными и уже построенными ФР-примерами, в ходе которого осуществляется достраивание модели конкретной ситуации. Задача сопоставления в процессе вычислений разбивается на подзадачи в соответствии со структурой ФР, участвующих в сопоставлении осуществляется иерархическое планирование решения этих подзадач с использованием критерия ограниченности ресурсов, расширяемых пользователем сигнальных таблиц и вывода процедур, присоединенных к слотам ФР. Основные операции такого процесса — копирование ФР и отождествление переменных и объектов. При выполнении этих операций в соответствии со структурой участвующих в них ФР может потребоваться выполнение новых операций копирования и отождествления, и т. д. [c.132]

Выравнивание потенциалов происходит за счет перехода из раствора в твердую фазу и достраивания кристаллической решетки Мд(0Н)2. Процесс этот продолжается до установления электрохимического равновесия [c.51]

При переходе к элементам главных групп, расположенных в правой части таблицы, наблюдается резкое усиление металлоидных свойств, а также увеличение потенциалов ионизации. Это связано с тем, что заряд ядер сильно увеличивается, а новые электронные оболочки не появились, так как происходит достраивание внешней и даже внутренних оболочек. [c.46]

Можно привести много примеров систем, обладающих парамагнетизмом. Это атомы, молекулы, ионы и радикалы с нечетным числом электронов или с незамкнутыми электронными оболочками, а также переходные элементы, у которых при достраивании внутренних электронных оболочек появляется нескомпенсированный спин. Парамагнетизм присущ также некоторым твердым телам при наличии в них примесей. [c.102]

Следовательно, при заполнении ячеек вначале в каждой из них размещается один электрон, после чего происходит достраивание оставшимися электронами, но так, чтобы образовались [c.36]

Следовательно, при заполнении ячеек вначале в каждой из них размещается один электрон, после чего происходит достраивание оставшимися электронами, но так, чтобы образовались парные электроны с противоположными спинами. Два электрона с противоположными спинами, находящимися в одном энергетическом состоянии, называются спаренными, а одиночные — неспаренными [c.43]

В рассмотренном выше примере ионной адсорбции на поверхности кристаллов Agi адсорбируются ионы, входящие в состав кристаллической решетки, т. е. идет как бы ее достраивание. В принципе, абсорбироваться могут и другие ионы, находящиеся в растворе, в особенности если эти ионы изоморфны ионам кристаллической решетки. Например, с ионом 1 изоморфны ионы С1" и Вг- и они также могут адсорбироваться на кристалле иодида серебра. [c.173]

Наличие в кристаллах точечных дефектов по Шоттки и Френкелю оказывает существенное влияние на многие свойства кристаллических тел. В частности, их присутствие в кристалле и способность к миграции обусловливают ионную электрическую проводимость и процессы массопереноса (диффузии) в кристаллической решетке (в бездефектном идеальном кристалле процесс массопереноса практически невозможен). В связи с этим присутствие точечных дефектов сильно ускоряет такие важные в технологии силикатов и тугоплавких неметаллических материалов процессы, как твердофазовые реакции, спекание, рекристаллизацию и т. д., скорость которых определяется скоростью диффузии материальных частиц. Образование дефектов по Шоттки приводит к возрастанию объема кристалла (кристалл как бы распухает за счет достраивания с поверхности атомами, удаляющимися из узлов решетки) и понижению его плотности (образование дефектов по Френкелю во всяком случае в первом приближении не приводит к изменению плотности). [c.87]

Нет принципиальных отличий и в механизме роста кристаллов из газовой фазы и, например, из раствора. Атомы, достраивающие кристалл, адсорбируются на его поверхности и быстро диффундируют по поверхности кристалла на большие расстояния до того, как они вновь испарятся или будут захвачены ступенями роста в том месте, где они образуют наибольшее число связей с кристаллом. Многократное повторение таких захватов адсорбированных атомов ступенями роста приводит к тому, что ступень роста за счет этого достраивания движется по поверхности кристалла до тех пор, пока она не достигнет грани кристалла. Когда это произойдет, ступень роста как таковая исчезает и, чтобы рост кристалла продолжался, необходимо образование новой ступени. Ее образование начинается с адсорбции или хемосорбции одиночного атома на поверхности и развивается присоединением к нему соседних атомов. Средний радиус зародыша г, с достижением которого такой островок начинает разрастаться, можно найти из условия, что вероятность присоединения атома равна вероятности его отрыва [c.375]

В приложении 5 приведена последовательность достраивания матриц ПФЭ от 2 до 2 . [c.220]

Композиционное планирование — планирование, основанное на последовательном достраивании матриц с переходом к планам более высокого порядка. [c.263]

Рис. 22 иллюстрирует принцип заполнения электронами энергетических уровней (от первого до седьмого) и достраивание подуровня для атомов всех известных элементов (от водорода до элемента 109). Стрелки, соединяющие символы элементов, показывают последовательность заполнения уровней и подуровней. Поскольку энергетические различия между подуровнями на высоких уровнях невелики, возможны отклонения от указанного порядка заполнения. В Приложении 2 показаны реальные электронные конфигурации атомов элементов (отклонения от порядка заполнения отмечены особо). [c.103]

Рис. 30-20. Использование терминальной трансферазы для достраивания концов ДНК с целью обеспечения фрагментов ДНК комплементарными липкими концами.

Введение в нитрованные масла дополнительно высокомолекулярных кислородсодержащих соединений типа эфирокислот, окисленного петролатума, СЖК, а также их кальциевых, алюминиевых и свинцовых мыл способствует упрочению этой пленки, очевидно, за счет достраивания ее структуры последующими слоями согласно схеме Д. С. Великовского 32]. [c.100]

В шестом и седьмом периодах имеет место достраивание не только с -, но и /-подуровня (более глубокого, третьего от внешнего энергетического уровня), на котором могут разме- [c.112]

Концентрация нитрата серебра больще концентрации иодида калия. При этом в системе, помимо нерастворимого комплекса Agi, имеются ионы Ag+, К+ и NO3-. В процессе роста ядра коллоидной мицеллы достраивание рещетки Agi идет только за счет ионов Ag+, которые прочно входят в его структуру, сообщают ему электрический заряд и потому называются потенциалопределяющими. Полученный в результате адсорбции ионов Ag+ электрический заряд определяет термодинамический потенциал. [c.319]

У элементов с 2 = 39, 40, 43 на внешнем уровне по 2 электрона. В атоме палладия происходит двойной провал , т. е. у него на внешнем уровне число электронов равно 0. Это единственное исключение подобного провала во всей системе. Итак, в периоде после рубидия и стронция (5х и 55 ) далее следует десять элементов (от иттрия до кадмия), у которых заполняются -подуровни четвертого уровня. После кадмия следует шесть элементов (индий, олово, сурьма, теллур, иод, ксенон), у которых происходит достраивание р-подуровней внешнего уровня (от 5р до 5р ) и период заканчивается благородным газом — ксеноном (55 5р ). У этих элементов на предвнешнем уровне по 18 электронов (4s 4p 4 ). Снова период завершен, но недостроенными остаются не только пятая, но и четвертая электронные оболочки. В шестом периоде после цезия и бария (б5 и б5 ) следует только один элемент — лантан, у которого заполняется 5 -пoдypoвeнь. После лантана у элементов с 2 = 58 71 (лантаноиды) идет заполнение /-подуровня четвертого уровня от 4/ у церия до 4/ у лютеция. После лютеция завершается заполнение 5 -пoдypoвня от гафния до ртути. От таллия к радону происходит заполнение бр-подуровня. Период вновь заканчивается благородным газом (бх бр ). [c.46]

Как уже было сказано, ряд фагов (фХ174, 04, М13 и др.) имеют однонитевой кольцевой геном. Вскоре после попадания такого генома в клетку он превращается в кольцевой ковалентно-непрерывный дуплекс (или, как говорят, в репликативную форму). Эго превращение включает ряд стадий 1) образование затравки 2) элонгацию комплементарной цепи, осуществляе.мую клеточной ДНК-полнмеразой П1 3) удаление РНК-затравки, которое производится, по-видимому, за счет 5 -экзонуклеазной активности клеточной ДНК-полимеразы I 4) достраивание комплементарной цепи 5) лигирование концов комплементарной цепи ДНК-лигазой и 6) внесение сверхспиральных витков в ковалентно-непрерывный дуплекс прн помощи гиразы. Обратим внимание, что все Арменты, обеспечивающие перевод родительского генома в репликативную форму, имеют клеточное происхождение. [c.272]

На заключительной стадии из конкатемеров образуются полноценные мономерные геномы. Схематически это созревание можно представить следующим образом. Во внутренний участок конка-темерной молекулы — в районе, соответствующем концу генома,— вносится ступенчатый разрыв. При этом возникают мономерные дуплексы, у которых цепи имеют нехватку, но на этот раз на 3 -концах. Особых проблем с достраиванием таких концов не возникает. Можно отметить, что созревание геномов фага Т7 происходит сопряженно с их упаковкой в головку. [c.278]

Фиксацию фосфатов на глинистых частицах приписывают так анионному обмену с вхождением в обменный комплекс высок гидратированного комплексного аниона. Это может происходи путем замещения экспонированных гидроокислов фосфат-иона (Мак-Аулиф и др.) достраивания кристаллической решетки фос тами, геометрически и по размерам подобными тетраэдричесю компонентам кремнекислородных слоев алюмосиликатов [26] уд живанием фосфат-ионов на несбалансированных анионоактивш участках мозаичной поверхности глинистых частиц (Р. Шофил [c.104]

Для мечения эндонуклеазных фрагментов существуют и другие способы. Усеченный З -конец фрагмента можно удлинить (достроить) при помощи фрагмента Кленова, использующего выступающий 5 -конец в качестве матрицы достраивание осуществляется за счет добавленных в реакционную смесь дезоксирибонуклеотидов, один из которых несет метку. Кроме того, к вы- [c.463]

Методы синтеза птеридиновой бициклической системы основаны на использовании двух очевидных подходов первый заключается в достраивании пиразинового цикла к уже сформированному 4,5-диаминопиридиновому, а второй связан с аннелированием пиримидинового цикла к пиразиновому. Первый метод синтеза (синтез Исая) имеет один недостаток конденсация гетероцикли- [c.294]

Позднее Э- Шоттки предложил другую модель разупоря-доченности твердых тел, содержащую только вакансии. Допускается, что вакансии образуются прн выходе атомов из объема кристалла на поверхность, в результате чего на ней происходит достраивание решетки, а в самом кристалле возникают вакантные узлы (рис. 1.10,6). Другими- словами, механизм Шоттки предполагает растворение вакуума в кристалле через поверхность и не связан с рождением междоузельных атомов. [c.34]

Однако в общем. случае стационарный режим приводит к формированию обогащенной по компоненту В зоны, толщина которой может намного превосходить значения, х-арак-терные для механизма послойного стравливания. Принципиальным моментом в этом процессе является создание диффузионных зон вследствие инжекции вакансий в кристалл и возможности транспорта атомов А по этим вакансиям. Вероятно, преимущественный выход А из положения 1 способствует переходу вакансий в глубь кристалла (по механизму Шоттки) [10]. В дальнейшем атомы компонента , , достигнув диффузионным путем поверхности, быстро ионизируются, а атомы компонента В переходят-в раствор вследствие послой-него стравливания. Таким образом, в стационарных условиях обогащенная зона сама является стационарной ее исчезновение со стороны раствора все время компенсируется постоянным достраиванием со стороны сплава. [c.39]

Иногда наблюдается и более сложная функция олиго- или полинуклеотида в ферментативной полимеризации. Так, при добавлении к ДНК-нолимеразе двухцепочечных комплексов олигодезоксинуклеотидов, цепи которых имеют различную длину, происходит достраивание их до полных двухцепочечных комплексов. При этом одна из цепей комплекса служит затравкой полимеризации, а другая — матрицей, определяющей нуклеотидную последовательность синтезирующегося участка полимера. [c.99]

В случае abno > ki в системе имеется нерастворимый комплекс Agi и ионы Ag+, К+ и NOs". В процессе роста ультрамикрокристалла ядра происходит избирательная адсорбция поверхностью ядра ионов из раствора. Достраивание решетки Agi может идти только за счет ионов Ag+. Так начинается стадия образования адсорбционного слоя. Ионы Ag+ достраивают кристаллическую решетку ядра и прочно входят в его структуру, сообщают ему [c.155]

Затем достраивание молекулами кристалла происходит следующим образом. Когда ряд молекул заполнен, положение повтори-мого шага отсутствует. В этом случае следующей стадией будет начало нового ряда. Поскольку первая молекула, начинающая новый ряд, имеет энергию связи всего 2ф, время жизни такой молекулы на поверхности должно быть весьма малым. Однако существует, хотя и небольшая, вероятность того, что две молекулы адсорбируются одновременно в соседних позициях у края заполненного ряда. Б этом случае обе молекулы оказываются в положении новторимого шага, и каждая из них имеет энергию связи Зф. Следовательно, может начать расти новый ряд. Таким образом, после заполнения каждого ряда будет происходить задержка, прежде чем начнет расти новый ряд. [c.163]

Внедрение атомов в междуузлия может происходить сравнительно легко в кристаллах с достаточно просторной упаковкой, при которой размеры междуузлий сравнимы с размерами атомов, и затруднено в кристаллах с плотной упаковкой атомов. Поэтому несколько позднее Шоттки предложил другую модель разупорядоченности твердых тел, содержащую только вакансии. По Шоттки, вакансии образуются при выходе атомов из узлов в объеме кристалла на поверхность, в результате которого на поверхности происходит достраивание кристаллической решетки, а в объеме кристалла возникают вакансии. В бинарных химических соединениях, в частности, в ионных кристаллах такая модель предполагает существование вакансий в подрешетках обоих компонентов в эквивалентных количествах. [c.22]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология