Линия нормальной свободной энерги

Жидкое состояние по своей yi является аморфным физическим состоянием и может быть получено плавлением кристаллических тел с низкой свободной энергией, аморфных твердых тел или жидких кристаллов. Изотропные жидкие фазы ПАВ могут образовывать вынужденную жидкокристаллическую нематическую фазу в том случае, когда силы направлены на выравнивание молекулярных осей (в одну линию). В то время как большинство ПАВ при нормальных условиях являются твердыми телами, немногие все же существуют в виде жидких тел, и в основном — это неионогенные ПАВ. Возможно Тритон (ГХ-100 см. раздел 5.2.2.4) служит наиболее извест- [c.148]

Будучи термодинамически неустойчивым дефектом (обладая избыточной свободной энергией), дислокация стремится выйти на поверхность кристалла. Теория упругости позволяет приближенно оценить величину силы, с которой притягивается к поверхности расположенная параллельно поверхности краевая дислокация эта сила (так называемая сила зеркального изображения ) обратно пропорциональна расстоянию от поверхности, т. е. определяется медленно меняющимся логарифмическим потенциалом [201]. Вместе с тем выход дислокации (т. е. завершение сдвига в данной плоскости скольжения) сопровождается появлением ступеньки, ширина которой в данной точке контура плоскости скольжения равна составляющей вектора Бюргерса, лежащей в плоскости скольжения нормально к контуру. Создание каждой новой ячейки поверхности требует затраты работы порядка Ъ а, где Ъ — вектор Бюргерса дислокации (единичная трансляция). Этот потенциальный барьер простирается в глубь кристалла лишь па расстояние около полуширины дислокации (порядка нескольких 6), т. е. имеет значительную крутизну, и в непосредственной близости от поверхности определяемая им сила, препятствующая выходу дислокации, может преобладать над выталкивающей силой зеркального изображения [113]. Следует полагать, что эта сила, препятствующая перемещению выходящего на поверхность конца дислокации, становится особенно существенной в том случае, когда направление линии дислокации приближается к нормали относительно контура плоскости скольжения, и сила зеркального изображения перестает играть свою роль. [c.29]

В зависимости от механизма возбуждения рентгеновское излучение называется или тормозным или характеристическим. Тормозное излучение возникает при торможении быстрых электронов на атомах исследуемого вещества и представляет собой непрерывный спектр. Характеристический спектр — линейчатый рентгеновский спектр, возникающий при переходах электронов из внещних слоев атома на близко расположенные к ядру внутренние Л -, 1-, М-, Л -электронные слои. Для его возникновения необходимо, чтобы под действием какого-либо внешнего возбуждения теми же электронами пли фотонами высокой энергии электроны внутренних слоев перешли на свободные уровни внешних слоев. При возвращении такого возбужденного атома в основное нормальное состояние испускается квант характеристического излучения согласно (111.3). На рис. 82 показана схема возникновения характеристических рентгеновских спектров. Линии в пределах каждой серии отличают друг от друга индексами, обозначаемыми буквами греческого алфавита, например Ка, Кц, а, р, V и т. д. [c.181]

При ионизации внутренней, например, /С-оболочки атома в результате столкновения с электроном, фотоэффекта или какого-нибудь другого процесса атом приобретает избыточную по сравнению с нормальным состоянием потенциальную энергию. В этом случае электронная система атома стремится перегруппироваться таким образом, чтобы перейти в устойчивое состояние, т. е. в состояние с минимальной энергией. Так, на свободное место в /С-оболочке может перейти один из внешних электронов, скажем, из -оболочки, а разность энергии —Е двух состояний выделится в виде излучения с частотой [Ец—Е1)/к. В результате появится несколько спектральных линий с частотами, характерными для данного атома, возбужденного ионизацией. Однако энергия Е]< —Е может и не выделиться, а перейти к одному из электронов на внешнем уровне, в результате чего этот электрон вылетит из атома. Это явление называется эффектом Оже. [c.117]

Обычно при нормальной работе вода подается по обеим линиям. Если каждая из них рассчитана па подачу 100%( , то (при квадратичной зависимости й от 0 сопротивление системы будет при этом в четыре раза меньше, чем при работе одной линии. Однако использование при нормальной работе того же насоса, который должен работать и при аварии, и необходимости подавать заданный расход О затраты энергии не будут меньше, так как насос будет создавать тот же напор. Это повлечет (благодаря уменьшению сопротивления в системе) лишь увеличение свободного напора в точке Б (против требуемой величины). [c.139]

Ясно, что нарисованная нами прямая для схематического изображения функции А/ в = f(T) должна вообще рассматриваться как некая вспомогательная линия, с помощью которой можно криближенно вычислять химическое равновесие. Эта линия называется линией нормальных свободных энергий. Зная ее, мы можем найти форму и положение изобары Гиббса. [c.271]

Рис. 36. Зависимость стандартной свободной энергии адсорбции от 6 для анилина на фоне 1 М хлористого калия при 25 . Потенциалы в милливольтах относительно нормального каломельного электрода. Сплошные кривые соответствуют предельной поверхностной концентрации 7,1 10 ° моль см пунктирные линии — для моль1см . (Конуэй и Баррадас [15].)

Элементарный приближенный способ решения трудных упругих задач, связанных с криволинейньши дислокациями, был предложен Моттом и Набарро [14]. Он состоит в том, что берут подходящее среднее значение для и затем трактуют логарифмический множитель как константу. Дислокационную линию можно рассматривать теперь как линию с постоянным натяжением, аналогичным поверхностному натяжению мыльной пленки, которое равно ее энергии на единицу длины. Таким образом, проблема дислокационной петли в ее плоскости скольжения под напряжением сдвига становится аналогичной (в двух измерениях вместо трех) задаче с мыльным пузырем, в котором поддерживается постоянное внутреннее давление. В гомогенном напряжении сдвига равновесие является неустойчивым малая петля сжимается, а большая растягивается неопределенно. Та же аналогия указывает нам, что в отсутствие других напряжений дислокационные линии будут стремиться выпрямляться и оканчиваться на свободных поверхностях кристалла нормально к ним и что три дислокационные линии равной мощности, встречающиеся в узле дислокационной сетки, будут стремиться [c.22]

Энергия свободного электрона может иметь любое значение и различна у различных электронов. Поэтому энергия кч излучения, соответствующего рекомбинации различных электронов, также различна. Это и приводит к сплошному фону у границы серии в спектре рекомбинации. Большая интенсивность да. ёких линий спектральных серий в спектре свечения рекомбинации показывает, что рекомбинация частично происходит в виде ступенчатого процесса электрон сперва попадает на тот или иной высоки] энергетический уровень н излучает прп этом квант света, соответствующий отдаваемой им энергии, и лишь затем при новом акте спонтанного перехода на нормальный уровень излучает второй квант, соответствующий лалёкой линии спектральной серии. [c.104]

Поле напряжений вокруг рассматриваемого дефекта с протяженностью МО = S (А) можно уподобить упругому полю надреза с длиной s, параллельного приложенному скалывающему напряжению т. Как показывает теория упругости [199], вокруг такого дефекта появляются высокие концентрации и скалывающих, и нормальных напряжений при этом максимальные растягивающие напряжения возникают вдоль линии, отклоненной от плоскости надреза МО па угол 0, где они достигают величины Рмакс "С (s/r) s сдесь г — расстояние данной точки от вершины надреза . В этом месте вполне возможно зарождение клиновидной трещины NOR, если упругой энергии, освобождаемой нри снятии концентрации напряжений в районе MOR, окажется достаточно для совершения работы, связанной с созданием новой свободной поверхности — поверхности стенок трещины. Основанные на этих энергетических соображениях расчеты показывают, что длина такой трещины составит с St x s IGs, где G — модуль сдвига, и что эта трещина будет устойчивой [118]. [c.174]

В качестве примера для многоатомной молекулы рассмотрим предиссоциацию в свободном радикале НСО. Как уже отмечалось (стр. 172), в системе полос в красной области, для которой верхнее состояние относится ктипу Ы", все полосы с К ФО крайне диффузны, а полосы с К — О — резкие. Следует напомнить, что в верхнем состоянии молекула линейна и что как верхнее, так и нижнее состояния образованы из состояния линейной конфигурации вследствие сильного взаимодействия Реннера—Теллера. При /С = О верхние состояния относятся к электронно-колебательному типу 2 , а уровни в непрерывной области — к состоянию (или М ), которое образуется из нормальных атомов и не может вызвать предиссоциацию состояния 2". Однако при /С > О существуют уровни с /С = /С и с соответствующей симметрией в непрерывной области. Поэтому предиссоциация для них разрешена и действительно наблюдается с большой интенсивностью. В дискретных полосах (с /С = 0) обнаружена небольшая диффузность линий, увеличивающаяся с ростом / возможно, это связано с гетерогенной предиссоциацией уровней К О ( 2 ) на уровни с /С = 1 непрерывной области энергий. [c.187]

Обычно свободные радикалы нельзя зафиксировать с помоцдью ЯМР из-за их низкой концентрации и парамагнетизма, который приводит к очень широким. резонансным линиям. Однако можно ожидать, что продукты, образующиеся по радикальной реакции, обладают характеристическими спектрами ЯМР. Поскольку неспаренный электрон за счет магнитного момента может поляризовать ядерные спины протонов в радикале, радикальной реакции Могут иметь распределение по уровня л ядерной энергии, заметно отличающееся от нормального больц-мановского распределения. Это обстоятельство приводит к значительным различиям в интенсивности сигналов наблюдаемого ЯМР-спектра. Если перезаселенными оказываются низЩие энергетические уровни, то происходит увеличение поглощения радиочастотной энергии, в то время как при переза-селенности высших уровней имеет место эмиссия энергии и в ЯМР-спектре появляются отрицательные пики. [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология