Внутренние электронные слои

Эффект экранирования заряда ядра обусловлен наличием в атоме между данным электроном и ядром других электронов, которые экранируют, ослабляют воздействие на этот электрон положительного заряда ядра и тем самым ослабляют связь его с ядром. Понятно, что экранирование возрастает с увеличением числа внутренних электронных слоев. [c.30]

Решающее значение для характеристики химических свойств элементов имеет внешняя электронная оболочка атомов. Менее резко выражена зависимость свойств атомов и ионов от второго снаружи слоя. Влияние структуры этого слоя сказывается тем сильнее, чем меньше электронов в самом внешнем слое. Н. Бор в своем варианте периодической таблицы расположил элементы, исходя из аналогичности электронных структур нейтральных атомов. В рамках помещены элементы, в атомах которых происходит заполнение внутренних электронных слоев второго (простая рамка) или третьего (двойная рамка) снаружи (см. с. 86). [c.85]

Рентгеновское излучение возникает в результате бомбардировки вещества электронами высокой энергии или при облучении жесткими рентгеновскими лучами. При достаточной энергии бомбардируют, электронов или рентгеновских лучей происходит вырывание электронов из внутренних электронных слоев атома. На освободившиеся орбитали переходят электроны из более далеких от ядра слоев (рис. [c.171]

Понятно, что экранирование ядра возрастает с увеличением числа внутренних электронных слоев. Поэтому в подгруппах х- и р-элементов наблюдается тенденция к уменьшению энергии ионизации атомов (см. рис. 12). [c.37]

Первые энергии ионизации атомов щелочных металлов составляют (в эВ) 5,39(и), 5,14(Ма), 4,34(К), 4,18(кЬ), 3,89(Сз). Энергии ионизации данных элементов имеют наиболее низкие значения. Это объясняется сильным экранированием заряда ядра внутренними электронными слоями, которые предшествуют внешнему электрону. Уменьшение энергии ионизации от лития к-цезию обусловлено возрастанием расстояния электрона от ядра по мере увеличения размера атомов. [c.46]

Атомы марганца, технеция и рения, отличаясь числом внутренних электронных слоев, имеют на внешнем слое 2 электрона, а на соседнем с внешним (8+5) электронов при окислении они могут максимально терять 7 электронов, проявляя положительную валентность, равную 7. Марганец, кроме того, образует соединения с положительной валентностью, равной 2, 3, 4, 5 и 6. Для рения известны соединения с валентностью 3, 4, 5 и 6. Технеций по своим химическим свойствам ближе к рению, чем к марганцу. [c.316]

Рентгеновское излучение возникает за счет квантовых переходов внутренних электронов атомов. Последнее становится возможным в результате облучения вещества потоком электронов высокой энергии или жесткими рентгеновскими лучами, при котором происходит вырывание электронов из внутренних электронных слоев. На освободившиеся орбитали переходят электроны из более далеких от ядра слоев (рис. 85), что и сопровождается выделением квантов рентгеновского излучения. [c.141]

Такое изменение состояния практически не затрагивает электронов внутренних электронных слоев. Поэтому они вместе с ядром атома образуют положительный ион данного элемента, участвующий в структуре металлического кристалла как единое целое. [c.137]

Поляризуемость ионов элементов в каждой подгруппе периодической системы (одинаковая электронная структура и заряд ионов) растет с увеличением порядкового номера (см. табл. 1.11). Это объясняется тем, что с увеличением числа электронных слоев у ионов-аналогов внешний электронный слой отдаляется от ядра и усиливается экранирование ядра внутренними электронными слоями, что и способствует более интенсивной деформации ионов. [c.119]

По подгруппам (одинаковые электронная структура и заряд ионов) поляризуемость растет (табл. 17). Это объясняется тем, что увеличение числа электронных слоев у ионов-аналогов приводит одновременно к отдалению внешнего электронного слоя от ядра и к усилению экранирования ядра внутренними электронными слоями, что и способствует более интенсивной деформации ионов. [c.207]

Энергия порядка,тысяч или десятков тысяч электрон-вольт типична для электронов, находящихся на внутренних электронных слоях атомов. Рентгеновское излучение возникает при переходе электронов с внешнего электронного слоя на один из внутренних или между внутренними электронными слоями. На этом основан классический способ получения рентгеновского излучения. Ускоренные полем в несколько тысяч или десятков тысяч вольт электроны ударяются в анод и выбивают электроны из внутренних слоев атомов материала анода. Атомы переходят в возбужденное состояние с вакансией на внутреннем электронном слое. Возвращение в основное состояние [c.148]

Поясним суть этого явления на примере дифракции в кристалле хлористого цезия. В качестве элементарной ячейки кристалла хлористого цезия (см. рис. 55) можно выбрать куб, в вершинах которого находятся ионы цезия, а в центре — ион хлора. Рассеяние рентгеновского излучения происходит в результате взаимодействия излучения с электронами, находящимися на внутренних электронных слоях. Число таких электронов у иона цезия существенно больше, чем у иона хлора, и можно в первом приближении рассмотреть рассеяние только на ионах цезия, пренебрегая вкладом в рассеяние ионов хлора. [c.160]

Энергия в тысячи или десятки тысяч электрон-вольт типична для электронов на внутренних электронных слоях атомов. Рентгеновское излучение возникает при переходе электронов с внешнего электронного слоя на один из внутренних или между внутренними электронными слоями. На этом основан классический способ получения рентгеновского излучения. Ускоренные полем в несколько тысяч или десятков тысяч вольт электроны ударяются в анод и выбивают [c.169]

Водородная связь возникает между положительно поляризованным атомом водорода одной молекулы и отрицательно поляризованным атомом с большой электроотрицательностью, например атомом фтора, кислорода или азота другой молекулы. Положительно поляризованный атом водорода обладает уникальными свойствами очень малым размером и отсутствием внутренних электронных слоев, поэтому он может проникать в электронную оболочку отрицательно поляризованного атома соседней молекулы. Между двумя молекулами возникает взаимодействие, которое имеет частично электростатический и частично донорно-акцепторный характер. Так, например, в молекуле HF электронная пара смещена к атому фтора, т. е. атом водорода поляризован положительно, а атом фтора — отрицательно. Между этими атомами, принадлежащими различным молекулам, возникает водородная связь [c.26]

ВНУТРЕННИЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СЛОИ [c.35]

В, D V —часть детерминанта, построенная на АО валентных электронов всех атомов 10 —части детерминанта, содержащие только нули. Как известно из алгебры, такой детерминант разбивается на произведение детерминантов вида А В . .. D IV]. Если полученное таким образом выражение подставить в уравнение (II, 10), т. е. записать равенство А В . .. Dl V1=0, то это уравнение разобьется на несколько независимых уравнений более низких степеней А =0, В1=0,. .., D =0, V =0. Разбиение уравнения (II, 10) на несколько уравнений приводит к распаду системы (11,9) на независимые уравнения, описывающие внутренние электронные слои каждого атома и систему, характеризующую электроны валентных слоев всех атомов. Из уравнений для внутренних электронов получаются примерно такие же волновые функции, как из уравнений для свободных атомов. Это указывает на то, что состояния электронов внутренних атомных слоев почти не изменяются при объединении атомов в молекулы. Такой вывод- подтверждается экспериментально, например, при изучении характеристических рентгеновских спектров, хотя при более тонких исследованиях обнаруживаются так называемые химические сдвиги в этих спектрах, появляющиеся как результат влияния химической связи на внутренние электронные слои. Для решения многих химических задач достаточно в качестве базисных функций выбирать АО внешних слоев (или функции, им соответствующие). При этом число электронов в системе равно числу валентных электронов. [c.36]

Классификация атомов по подобию электронных оболочек. По подобию электронных оболочек атомы разделяются на 32 подгруппы аналогов (вертикальное направление). Аналогами з- и р-элементов называются атомы, в наружном слое которых находится одинаковое количество электронов. Они отличаются только числом внутренних слоев. У -элементов аналогами называются атомы, у которых сумма наружных 5-электронов и -электронов соседнего с наружным слоя одинакова. Количество внутренних электронных слоев у аналогов различно. [c.83]

Элементы этой подгруппы являются -элементами. В таблице периодической системы эта подгруппа обозначена ЗВ. Атомы элементов этой подгруппы, отличаясь числом внутренних электронных слоев, имеют одинаковую структуру внешнего и соседнего с внешним электронных уровней [c.271]

В рамках помещены т. н. переходные элементы, в атомах которых происходит дополнение внутренних электронных слоев [c.223]

То, что подобное взаимодействие обнаруживается у атома водорода, объясняется его малым размером и отсутствием внутренних электронных слоев. [c.107]

Атомы элементов 5, 5е и Те, отличаясь числом внутренних электронных слоев, имеют во внешнем слое по 6 электронов. По своим химическим свойствам эти элементы являются неметаллами и проявляют себя как окислители (R- -2e =R ) и как восстановители (К—6е =К ). Помимо положительной валентности, равной шести, они также проявляют валентность, равную четырем (Н—4е =Н ) и двум (К—2е- = Я +). [c.274]

Атомы галогенов, отличаясь между собой числом внутренних электронных слоев, имеют во внешнем слое по 7 электронов. [c.298]

Природа взаимодействия столь различающихся по энергии квантов с веществом принципиально неодинакова. Так, излучение уквантов связано с ядерными процессами, излучение квантов в рентгеновском диапазоне обусловлено электронными переходами во внутренних электронных слоях атома, испускание квантов УФ- и видимого излучения или взаимодействие вещества с ними — следствие перехода внешних валентных электронов (сфера оптических методов анализа), поглощение ИК- и микроволновых квантов связано с переходом между колебательными и вращательными уровнями молекул, а излучение в ра-диоволновом диапазоне обусловлено переходами с изменением ориентации спинов электронов или ядер атомов. Для решения разнообразных задач наибольшее значение имеют спектральные методы анализа, оперирующие с излучением рентгеновского, оптического, ИК- и радиоволнового диапазонов. В данном практическом руководстве по физико-химическим методам анализа рассматриваются оптические методы, которые традиционно делятся па оптическую атомную и оптическую молекулярную спектроскопию. В первом случае аналитические сигналы в области спектра от 100 до 800 нм являются следствием электронных переходов в атомах, во втором — в молекулах. [c.7]

Руководствуясь табл. 2.8 и порядком заполнения подуровней в 4-м периоде, написать такую формулу не составляет особого труда. Вакантные подуровни, в которых электронов нет, можно пропустить, но вернее их оставить, так как строение внутренних электронных слоев влияет на химические и физические свойства элементов, определяемые электронами внешнего слоя. [c.53]

Ве,. .. Не по сравнению с радиусами изоэлектронной серии. .. Не + происходит вследствие отталкивания электронов 2з и 2р внутренними электронами слоя 15 . Это отталкивание обычно условно и называют экранированием , вводя математическое понятие об эффективном ядерном заряде, как бы просвечивающем через экран, и подставляя его в классические формулы, выведенные И. Бором. [c.14]

Еще больше по величине отталкивание от внутренних электронных слоев (величина экранирования), действующее на электроны четвертого слоя и тем более пятого, и т. д. При этом отталкиваемые внешние главные плотности дор-электронов особенно отдаляются от ядра и получают очень растянутые по радиусу атома облака с добавочными максимумами зарядовой плотности (рис. 4 и 5). [c.14]

Образование молекул из атомов элементов второго периода может быть записано следующим образом (/( — внутренние электронные слои) [c.124]

Направленность ковалентной связи. Как указано выше, ковалентная связь имеет направленность. Квантовомеханическое объяснение направ.1енности ковалентной связи основано на учете формы различных орбиталей. Здесь отметим, что атомы элементов второго и последующих периодов можно рассматривать как состоящие из остова, содержащего внутренние электронные слои, и внешних (валентных) электронов, которые вносят основной вклад в образование химической связи. Поэтому далее при описании строения молекул принимаем во внимание только орбитали валентных электронов. [c.90]

Так как линии рентгеновской флуоресценции возникают вследствие переходов электронов в наиболее глубоких внутренних электронных слоях, энергия химической связи в общем слишком мала для того, чтобы изменить состояние электронов этих слоев. Напротив, в случае легких элементов в образовании связи участвуют электроны ЛI-oбoлoчки. В этом случае могут проявляться заметные смещения длин волн, например, для элемента и его окисла. Для А1/Ср-линий это различие составляет ДЯ = 0,02 А. Наряду с изменением длины волны изменяется и относительная интенсивность линий. Длины волн линий алюминия изменяются также в зависимости от его координационного числа по отношению к кислороду. Этим способом можно было бы. например, определить координационные числа алюминия в полевых шпатах и других алюмосиликатах. [c.217]

Наряду с электронами, рождяюш.имися в процессе Р -прер,рашения атомных ядер, иногда наблюдается также выделение электронов, выбиваемых ядерным у-иулучеиием с внутренних электронных слоев того же атома (конверсионные электроны). Этот процесс сонровождается рентгеновским излучением. [c.379]

Водородная связь. Промежуточный характер между валентным и межмолекулярным взаимодействием носит так называемая водородная связь. Она осуществляется между положительно поляризованным атомом водорода, химически связанным в одной молекуле, и отрицательно поляризованным атомом фтора, кислорода и азота (реже хлора, серы и др.), принадлежащим другой молекуле. То, что подобное взаимодействие не обнаруживается у других атомов, обусловлено уникальными свойствами поляризованного водорода — его малым размером и отсутствием внутрениих электронных слоев. Эти особенности водорода позволяют второму атому приблизиться на столь малое расстояние, которое h u io kuo при взаимодействии с другими положительными частицами, например [c.137]

Обратимся к элементам главных подгрупп и рассмотрим ход значений макс как по горизонтальным строкам, так и по вертикальным столбцам Системы. Ход значений Гцакс н строках (например, в строке В—ЫеилиА — Аг...) оказывается плавным. Более сложен отклоняющийся от плавности ход в вертикальных столбцах, т. е. в группах— например, в серии В, А1, Оа, 1п, Т1, или С, 51, Ое, 8п, РЬ (рис. 15). Отсюда можно прийти к заключению, что, действительно, сходство элементов в строке более выражено и следует более плавному простому закону зависимости от ядерного заряда 2 при неизменности числа внутренних электронных слоев. Сходство в вертикальных столбцах искажено более сложной зависимостью г от 2эфф, на которую влияет специфически возрастающее число внутренних электронных слоев атома. [c.33]

Для ионов актиноидных металлов Э + и Э + с увеличением порядкового номера элемента наблюдается уменьшение радиусов. Подобно лантаноидному, это явление получило название актиноидного сжатия. Причина явления,та же, что и в случае лантаноидного сжатия поскольку при переходе по ряду актиноидов происходит заполнение внутренних электронных, слоев (бе.э увеличения числа этих слоев), а заряд ядра растет, то увеличивается кулоновское притяжение каждого элек трона к ядру и происходит сжатие электронных оболочек. [c.451]

Возникновение водородной связи (на схеме она показывается тремя точками) обусловлено прежде всего тем, что у атома водорода имеется только один электрон, который при образовании полярной ковалентной связи с си.льноэлектроотрицательным элементом смещается в сторону этого элемента. На атоме водорода возникает высокий эффективный положительный заряд, что в сочетании с отсутствием внутренних электронных слоев позволяет другому атому сближаться до расстояний, близких к длинам атомных связей [c.77]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология