Средняя длина свободного пробега электрона

Средняя длина свободного пробега электрона [c.79]

ЭОС широко используется для анализа поверхности благодаря сочетанию малой глубины отбора информации и высокого пространственного разрешения. Продольная локальность определяется средней длиной свободного пробега электронов (см. разд. 10.1.1), которая находится в пределах от 0,5 до 10 нм. Малое значение поперечной локальности достигается за счет возбуждения оже-электронных сигналов тонко сфокусированным электронным пучком (Ео = 3-10 кэВ). Интересующую область для анализа можно выбрать с помощью электронных изображений (в режиме детектирования вторичных электронов). Минимальный диаметр пучка ограничен величиной 100 нм вследствие необходимости работать с пучками высокой интенсивности для получения хорошего соотношения сигнал/шум. Пики оже-электронов в спектре располагаются на сильном непрерывном электронном фоне, возникающем вследствие многократного рассеяния электронов (рис. 10.2-12). Для более четкого выделения пиков часто записывают первые производные спектров. Для количественного анали- [c.339]

Глубина выхода Оже-электронов является функцией их энергии и в меньшей степени зависит от природы вещества. Так как энергия зонда обычно по крайней мере в три раза превышает энергию рождения Оже-электронов, глубина выхода определяется не областью возбуждения, а средней длиной свободного пробега электронов. Экспериментальные данные различных авторов, собранные в [13], показывают, что длина пробега, а следовательно, и глубина выхода составляют от 0,4 до 4 нм для всех элементов. [c.234]

Отдельные слои в монокристаллах графита принято представлять как двумерный металл с эффективной массой носителя тока, равной массе свободного эЛектрона. В перпендикулярном к слоям направлении - графит полупроводник. Поэтому ток в графите переносится как электронами, так и положительными дырками, а его проводимость определяется концентрацией носителей тока и их средним свободным пробегом. В самом общем виде электросопротивление можно рассчитывать по формуле р= АрП, где Ар — фактор, учитывающий влияние пористости, текстуры и температуры измерения / — средняя длина свободного пробега электронов. [c.88]

Вакуумная система служит для создания необходимого вакуума в колонне микроскопа. Остаточное давление в колонне должно составлять не больше 10 —10 мм рт. ст. При, этом давлении средняя длина свободного пробега электронов составляет около 1,5 м. Необходимый вакуум достигается с помощью форвакуумных и диффузионных насосов. [c.173]

Из-за большой длины пути электронов существует вероятность их столкновения с молекулами газа даже при очень низких давлениях, когда средняя длина свободного пробега электронов в газе во много раз превышает расстояние между анодом и катодом. [c.60]

Когда средняя длина свободного пробега электронов Л превосходит толщину скин-слоя б, скин-эффект аномален в этом случае [c.453]

Пусть —средняя длина свободного пробега электрона в газе. Число соударений электрона с молекулами газа на 1 см пути [c.237]

Эффективность ионизации в таком ионном источнике, т. е. отношение количества образовавшихся ионов к числу прошедших нейтральных молекул, находится в прямой зависимости от энергии связи компонентов в молекуле. В общем случае вероятность ионизации молекул эмпирически определяется как отношение линейных размеров ионного источника (с1) к средней длине свободного пробега электрона (к) [40]. Степень ионизации разных соединений различна и колеблется в пределах от 20 до 10-2% . [c.35]

Обычно рассчитанное отношение первого и второго членов уравнения (1) лежит в пределах от 10 до 100. Это указывает на то, что в карбидах и нитридах величина определяется средней длиной свободного пробега электронов. Для спеченных образцов карбидов и нитридов парамагнитный предел Маки а мал [10, 15, 43], в то время как частотный параметр спин-орбитального взаимодействия в теории ВГХ %.so сравнительно велик [48]. Малые величины а и большие Лзо приводят к тому, что парамагнитные поправки к уравнению (1) несущественны и экспериментальные значения Не, должны быть близки к рассчитанным по этому уравнению. Для тонких пленок, однако, парамагнитные эффекты могут существенно ограничить верхние критические поля. [c.229]

Если мы возьмем подобную систему электродов с катодом, эмиттирующим электроны, и уменьшим давление газа р так, чтобы средняя длина свободного пробега электрона (допустим, МЛ1 Hg), то соотношение между у, V и [c.23]

Если расстояние между электродами равняется нескольким средним длинам свободного пробега электрона, то каждый [c.180]

Пусть А,, —средняя длина свободного пробега электрона в газе. Число столкновений электрона с молекулам газа на 1 см [c.422]

Рассмотрим еще один случай состояния плазмы, реализующийся в электрических разрядах при пониженном давлении, в частности в лампах, используемых в атомно-абсорбционном анализе в качестве источников света. В отличие от пламен, плазму таких источников даже приближенно нельзя, считать равновесной. Так, температура газа в лампе невелика и даже в самых горячих зонах не превышает нескольких сотен градусов по Кельвину, Между тем средняя длина свободного пробега электронов прн давлении порядка 1 10 Па достаточна для достижения больших [c.22]

Формула справедлива, если средняя длина свободного пробега электронов в металле мала по сравнению с эффективной глубиной проникновения электромагнитных волн. Это условие не соблюдается для чистых металлов при низких температурах. Более общая теория показывает, что, например, степень черноты серебра при температуре жидкого гелия по отношению к излучению с длиной волны 96 мк более чем в 100 раз превышает величину, вычисленную по уравнению (9). [c.392]

Рассмотрим некоторые особенности движения электрона в реакционной зоне детектора. При условиях, близких к нормальным, средняя длина свободного пробега электрона равна примерно Ю" см. Если допустить, что электрон движется практически прямолинейно, то при длине реакционной зоны, равной 1 мм, полное число соударений электрона с атомами и молекулами газа равно 10 . В действительности это значение выше, так как электрон дрейфует в направлении поля, совершая хаотическое движение. Из полного числа соударений лишь единицы приходятся на неупругие. Так, в оптимальном режиме работы детектора число столкновений, приводящих к возбуждению аргона, равно двум. Отсюда следует, что среднее приращение энергии электрона за время его свободного пробега существенно ниже энергии е, необходимой для любого возможного неупругого соударения. Кроме того, необходимо учесть, что электрон, обладающий малой в сравнении с атомом массой, при каждом упругом соударении теряет незначительную часть своей энергии. Поэтому в установившемся режиме движения электронов, претерпевающих только упругие столкновения, функция их распределения по энергиям узка, т. е. практически все электроны обладают большей кинетической энергией по сравнению с энергией атомов газа. [c.80]

Трехступенчатая модель объясняет также высокую поверхностную чувствительность метода. Действительно средняя длина свободного пробега электрона в твердом теле ( ) невысока и в зависимости от кинетической энергии варьируется от 1 до 3 нм. Оценка толщины слоя (d), из которого собирается 95% информации, может быть получена из соответствующего уравнения, связывающего ослабление сигнала РФЭС (/) от слоя, расположенного на определенной глубине (z), по сравнению с поверхностным слоем [c.20]

Для определения критической напряженности электрического поля Екр нужно учитывать граничные условия. Если характерные размеры разряда г много больше средней длины свободного пробега электронов 1е, то на границах разрядного объема концентрация электронов принимается равной нулю (на стенках происходит рекомбинация). [c.216]

Выражая среднюю длину свободного пробега электрона через ее значение при давлении 1 мм рт. ст. Х = к р, получаем [c.16]

Какие пропессы рассеяния на самом деле определяют среднюю длину свободного пробега электронов проводимости в металлах [c.216]

В. Теплопроводность проводников. В решетках металлов валентные электроны способны более или менее свободт) циркулировать между атомами, перепося таким образом электрический заряд, т. е. создавая электрическую проводимость, При очень низких температурах средняя длина свободного пробега электронов ограничена главным образом примесями и дефектами решетки. С ростом температу- [c.191]

Результаты измерений инфракрасного поглощения были использованы для исследования аномального скин-эффекта в металлах. Согласно классической теории, поглощательная способность металла должна неограниченно уменьшаться по мере увеличения средней длины свободного пробега электронов проводимости. Однако наблюдаемая поглощательная способность металлов одинакова по порядку величины как при температуре жидкого гелия, так и при комнатной температуре. Классическая теория справедлива до тех пор, пока среднее значение длины свободного пробега электронов I меньше глубины проникновения электромагнитного поля 5. Если / > 5, то имеет место аномальный 2т т1 аффо1 т Ъьокдг [47] измерил оптическое поглоттте-ние меди и серебра при температуре 4,2° К в диапазоне 33 333—3030 сж" (0,3—3 мк), где 1>Ь. Обнаружено, что для длин волн, больших 1,5 мк, поглощательная способность не зависит от длины волны, что находится в согласии с аномальным скин-эффектом. [c.28]

Теория формы линий ЭПР, обусловленных электронами проводимости в металлах, разработана Дайсоном [35] (см. также [198]) и экспериментально подтверждена Фехером и Кипом [36], продолжившими оригинальное исследование Грисволда и др. [37] (см. также [38]). Дайсон установил, что форма линии зависит от времени Гв, которое необходимо электрону для диффузии сквозь скин-слой толщиной O, от времени Тг, которое необходимо электрону для пересечения всего образца, и от времени электронной спин-решеточной релаксации Т2 (для металлов Ti = Т )-При нормальной глубине скин-слоя, когда средняя длина свободного пробега электрона А, мала по сравнению с глубиной скин-слоя O, Фехер и Кип [36] получили следующие формулы для формы линии Y в единицах поглощенной мощности Р и ее производной Y а — dPIdu) (или Y h = dPIdH) в единицах мощности, поглощенной на единицу угловой частоты. [c.448]

Любое математическое описание физического явления предполагает какие-либо допущения. Концепция неразрывной жидкости — одно из таких допущений, которое достаточно удобно при описании поведения неразреженного газа в случае, если средняя длина свободного пробега молекул мала по сравнению с характерным размером потока. В соответствии с этим допущением при исследовании МГД-потоков обычно принимается, что средняя длина свободного пробега электрона мала по сравнению с характерным линейным размером в задаче. [c.266]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология