; ;

Моноклинная кристаллографическая система

Поэтому предпочтительно не обсуждать этот вопрос, а оговорить способ проведения кристаллографических координатных осей для решеток каждой сингонии по отдельности. Соответствующие требования сформулированы в табл. 2 в колонке Выбор осей . Так, например, в пространственных группах, относящихся к ромбической сингонии, всегда содержащих взаимно перпендикулярные поворотные, винтовые или инверсионные оси второго порядка, координатные оси направляются парал-тельно этим элементам симметрии. Следовательно, в группах ромбической сингонии кристаллографическая координатная система всегда ортогональна. То же относится, естественно, и к группам с более высокой симметрии— средней и высшей категории. Наоборот, в группах моноклинной сингонии ось симметрии 2, 2] или [c.30]

Системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кристаллографических осей и их длиной. В трех первых типах систем оси а, Ь я с взаимно перпендикулярны (а=Р=7=90°). В кубической системе оси имеют одинаковую длину (а=6=с), тетрагонально й — одинаковы лишь две оси (а=Ьфс), в орто-ромбической — все три оси разной длины (афЬфс). В гексагональной системе две оси одинаковой длины располагаются в одной плоскости и образуют угол 120°, ось с им перпендикулярна (а=Ьфс а=Р=90°, 7= 120 )- В моноклинной системе все три оси разной длины (афЬфс), две из них образуют между собой угол, отличный от 90°, а третья ось расположена под прямым углом к этим двум осям ( =7=90°, Р=90°). В триклинной системе все три оси имеют разную длину (афЬфс) и расположены под разными углами (аф фу). Ромбоэдрическая система характеризуется одинаковой длиной осей (а=Ь=с) и одинаковыми углами между осями, отличными от 90° (а=Р= 79 90 ). [c.133]

В табл. 2.1 приведены кристаллографические данные для различных кристаллических модификаций полимеров и удельный объем полимера в различных фазовых и агрегатных состояниях. При обозначении сингонии использованы следующие сокращения гекса.— гексагональная, моно.— моноклинная, орто.— кубическая (орторомбическая), тетра.— тетрагональная, три.— триклинная, триг.— тригональная (ромбоэдрическая). Приставка п- перед названием сингонии означает псевдо (например, п-гекса.— псевдогексагональная). Обозначения пространственных групп даны в соответствии с принятой международной системой [14, 492]. Значения параметров элементарной ячейки кристалла а, й и с даны в 10"i м. Как правило, параметр с соответствует периоду идентичности вдоль оси макромолекулы, за исключением случаев, когда ось макромолекулы совпадает с направлением другого параметра ячейки. [c.123]

Зависимость между числом фаз, находящихся в равновесии, и числом степеней свободы можно пояснить на примере диаграммы состояния серы, которая имеет точку кристаллографического превращения. На рис. 8.2 отмечены области существования ромбической, моноклинной, жидкой и парообразной серы. Диаграмма показывает, что могут быть следующие равновесные системы [c.132]

Слюды являются алюмосиликатами щелочных и щелочно-зе.мельных металлов и имеют сложный состав. Кристаллизуются они в моноклинной системе, обнарул ивая большую близость к гексагональным формам. В зависимости от состава и физических свойств слюды делятся на две большие группы мусковита и биотита. С кристаллографической точки зрения эти группы отличаются небольшой разницей параметров. Биотит и мусковит имеют весьма совершенную спайность по основному пинакоиду (001) и несовершенную — по плоскостям (НО) и (010). В качестве ориентирующей подложки используется плоскость совершенной спайности. Положение частиц в плоскости скола слюд характеризуется гексагональной симметрией, спайность проходит по плоскости расположения ионов К+ (рис. 29). Параметры [c.87]

Для описания отношений симметрии между внешними гранями кристаллов применимы только кристаллографические операции типа пип. Последние могут быть объединены в 32 кристаллографические точечные группы симметрии, известные как классы кристаллов. Внутреннее периодическое расположение атомов в кристаллической структуре требует применения векторов параллельного переноса, которые также могут сочетаться с осями вращения и плоскостями симметрии, как обсуждалось выше. Включение сложных операций симметрии, таких, как винтовые оси и плоскости скольжения, приводит к 230 пространственным группам симметрии, разрешенным для комбинаций элементов симметрии в элементарной ячейке. Они приведены в Международных таблицах кристаллографии [11.2-1]. В этом контексте интересно отметить, что примерно 75% всех органических и металлоорганических соединений образуют кристаллы, принадлежащие всего к 5 пространственным группам, а 12 пространственных групп симметрии, все принадлежащие к триклинным, моноклинным и орторомбическим кристаллическим системам, охватывают 87% таких соединений. Все эти пространственные группы симметрии допускают достаточно хорошую плотную упаковку органических молекул, которые, как правило, имеют низкую симметрию. [c.395]

Кристаллографические сингонии обозначаются следующим образом К — кубическая (равноосная кристаллическая система) Т —тетрагональная Г —гексагональная Тр- три-гональная Р —ромбоэдрическая М—моноклинная, а. 3 и т. д. —модификации, существующие при обычных температурах. [c.111]

Чтобы наглядно ознакомить читателя с множеством форм кристаллов, на рис. 6-30 приведены некоторые примеры с указанием кристаллографических классов (для моноклинной системы см. рис. 6-28). Полезно у этих кристаллов обнаружить элементы симметрии и сравнить с соответствующими стереографическими проекциями. [c.240]

Рассматривая таким образом все семь кристаллографических систем, можно обнаружить, что внешняя симметрия может быть обусловлена большим числом различных вариантов внутреннего расположения точек. В случае моноклинной системы две различные решетки Бравэ обусловливают одну и ту же морфологию кристалла. Отметим, что класс т может быть обусловлен либо [c.255]

Абиетиновая кислота кристаллизуется, образуя характерные треугольные пластинки, которые при рассмотрении в поляризационный микроскоп дают очень яркую окраску эти кристаллы принадлежат к моноклинной системе, >но являются квази-орторомбическими. Кристаллографические константы абиетиновой кислоты еще не определены с достаточной точностью данные, которые встречаются в литературе, относятся к недостаточно чистым продуктам и нуждаются в пересмотре. [c.525]

При образовании минералов в природных условиях также преобладали упорядоченность и простота построения. Число известных типов минералов составляет примерно 3000, но все их разнообразные кристаллические формы являются вариантами семи основных кристаллографических систем кубической, тригональной, гексагональной, тетрагональной, ромбической, моноклинной и триклинной. При этом кубическая система служит основой всех остальных (рис. 8.1). [c.99]

В зависимости от внешней формы и строения кристаллы делятся иа кристаллографические системы, или сингонии (син — сходный, гония — угол) Всего существует семь кристаллографических систем которые сгруппированы по набору элементов симметрии в три категории выс-шую, среднюю и низшзто К высшей категории относится только кубическая система Кристаллы, входящие в нее, в наборе элементов симметрии имеют несколько осей симметрии высшего порядка (п>2) К средней категории относятся уже три системы — тригональная (ромбоэдрическая), тетрагональная и гексагональная Кристаллы этих систем имеют лишь по одной оси симметрии высшего порядка К низшей категории относятся оставшиеся три системы— триклинная. моноклинная и ромбическая Кристаллы этих систем не имеют ни одной оси симметрии высшего порядка [c.236]

В высшей и средней категориях и в ромбической сингонии ориентировка характеристической поверхности полностью задается кристаллографической системой координат. Значительно сложнее обстоит дело с моноклинной и триклинной сингопиями, где главные оси характеристической поверхности могут и не совпадать с кристаллографической системой координат. [c.213]

Тип кристаллографической системы в некоторой степени определяется сложностью строения вещества. С упрощением состава вещества обычно повышается симметрия его кристаллов. Так, наиболее простыми являются химические элементы, которые в большинстве случаев кристаллизуются в кубической или гексагональной сингониях. В таких же системах кристаллизуются и простые неорганические соединения. Например, кристаллы Na l, K l, КВг, KJ, NaF относятся к кубической сингонии. По мере усложнения химического состава все реже встречаются примеры кристаллов высокой симметрии, и преобладающими становятся ромбическая и моноклинная системы. [c.23]

Форму кристаллов изучает кристаллография. Для описания формы кристаллов пользуются системой трех кристаллографических осей (рис 63). В отличие от обычных координатных осей эти оси представляют собой конечные отрезки а, 6 и с, а углы между ними могут быть прямыми и косыми. В соот ветствии с геометрической формой кристаллов возможны следующие их системы (рис. 64) кубическая, тетрагональная, орторомбическая, моноклинная, шриклинная, гексагональная и ромбоэдрическая. Как видно из рис. 64, системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кригталлографи-ческих осей а, 7) и их длиной (а, 6, с). [c.117]

В качестве общего заключения по всем рассмотренным структурам можно сказать следующее. Для всех характерно наличие плотно заполненных плоскостей, в которых лежат центры ртутных группировок и отдельных атомов ртути и хлора. В пространстве эти плоскости пересекаются под углами, близкими к 60% а линии их пересечений представляют ряды с разным законом чередования атомов или центров их компактных групп. В кубических структурах эти ряды идут вдоль тройных осей и, следовательно, есть четыре одинаковых системы параллельных рядов разных направлений. Как следствие, возникают взаимно перпендикулярные плоскости с квадратными сетками атомов. В моноклинных и ромбических структурах представлено, как правило, одно направление регулярных рядов-линий пересечений трех плоскостей, составляющих угол около 60°, но более низкая симметрия допускает разнообразные вариации их заполнения. Таким образом, главным структурообразующим фактором в рассмотренных структурах следует считать концентрацию основных атомов или центров их компактных фрагментов на симметрично связанных кристаллографических плоскостях с межплоскостными расстояниями в интервале 3,23 —2,50А, пересекающимися под углом около 60°. Эти плоскости часто дают интенсивные рефлексы на порошкограм-мах и могут быть выделены по этим признакам, даже если кристаллическая структура вещества неизвестна. Атомные позиции концентрируются возле линий пересечения таких плоскостей, образуя линейные ряды, характер заполнения которых определяется химическим составом соединения. В то же время стремление к минимальным трансляциям, свойственное всем структурам, принуждает разные по составу атомные ряды к соразмерности, что наблюдалось в анализированных структурах и отмечалось в тексте и на рисунках. [c.114]

В морфологии кристаллов тот или иной класс, к которому относится кристалл, определяется симметрией, расположения структурных единиц около каладого узла соответствующей решетки Бравз. В качестве примера можно привести моноклинную систему, для которой известны две решетки Бравэ примитивная и базоцентрированная (С) решетка. Если симметрия группировки структурных единиц около каждого узла решетки такова, что есть плоскость симметрии и перпендикулярная к ней двойная ось, то кристалл относится к нормальному классу моноклинной системы 2/т. Если же точечная симметрия такова, что есть только одна двойная ось, кристалл относится к классу 2. И, наконец, если точечная симметрия характеризуется наличием только плоскости симметрии, кристаллографический класс должен быть т. [c.255]

Триклиниая дисперсия. У триклинных кристаллов с изменением длины волны может меняться положение всех трех главных направлений колебания. Так как оси волновой поверхности не связаны с кристаллографическими осями, то дисперсия положения главных направлений колебаний не имеет симметрии. Поэтому дисперсия оптических осей в коноскопической интерференционной фигуре, перпендикулярной к острой биссектрисе, может одновременно обладать признаками двух типов моноклинной дисперсии горизонтальной и перекрещенной или горизонтальной и наклонной. В случае триклинных кристаллов наблюдается дисперсия величины угла между осями если угол между осями при определенной длине волны становится равным нулю, то теоретически возможна также дисперсия перекрещения плоскости оптических осей. Дисперсия оптических осей и в этом случае обладает характерной асимметрией триклинной системы, одинаковой прн длинах волн как больших, так к меньших той длины волны, при которой кристалл становится одноосным. Насколько известно автору, триклинная дисперсия перекрещения плоскостей оптических осей еще никем не наблюдалась.-Впрочем, обнаружить небольшую моноклинную и триклинную дисперсию в соединении с дисперсией перекрещения плоскости оптических осей можно только при очень тщательных измерениях в монохроматическом свете различных длин волн. [c.255]

В наиболее общем случае монохроматический свет, падающий на пластинку поглощающего кристалла, разлагается на два эллиптически поляризованных луча. Как отношения больших осей к малым, так и направления вращения одинаковы для обоих эллипсов, но их большие оси взаимно перпендикулярны. Однако свет, колеблющийся вдоль направления колебания кристаллической пластинки, проходит плоскополяризованным и поэтому может быть погашен скрещенным анализатором. Сечение кристалла обладает показателями преломления щ и Па и показателями поглощения и К.2 соответственно для двух его направлений погасания. Различно ориентированные сечения одного и того же кристалла обладают различными значениями 1, 2- 1 и 2. Эти значения меняются с изменением длины волны, причем особенно чувствительны показатели преломления. Можно построить поверхность показателей поглощения так же, как мы строим поверхность показателей преломления, чтобы дать наглядное представление о природе двойного лучепреломления в кристалле. Для идеально прозрачного кристалла эта поверхность сведется к геометрической точке, в то время как для оптически изотропного (поглощающего) кристалла она будет сферой радиуса 1. Поверхность показателя поглощения для обыкновенного луча в одноосном кристалле образует сферу радиусом а для необыкновенного луча — овалоид, меняющийся от 7. вдо ь оптической оси и до перпендикулярно к ней. Обычно у положительных кристаллов а у отрицательных кристаллов Это эквивалентно утверждению, что большее светопреломление сопровождается обычно и большим поглощением. Для двуосных ромбических веществ поверхность поглощения подобна поверхности показателей преломления, т. е. имеется два направления, для которых показатели поглощения одинаковы. За случайными исключениями, эти направления не совпадают с оптическими осями и не имеют определенных обозначений. Ваягно, однако, отметить то обстоятельство, что главные оси поверхности поглощения ромбического кристалла совпадают с осями X, Г, 2 поверхности показателей преломления, которые, в свою очередь, совпадают с кристаллографическими осями. В моноклинных кристаллах только одна из главных осей поглощения, совпадающая с кристаллографической осью Ь, совпадает также с осью поверхности показателя преломления. Асимметрия кристаллов триклинной системы сказывается также и на поверхности поглощения главные оси поглощения, за случайными исключениями, не совпадают с главными осями колебаний. [c.303]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология