Расщепление термов

В тех случаях, когда переходы происходят между двумя расщепленными термами или уровнями (РЗЭ), число спектральных переходов должно соответствовать числу возможных комбинаций [c.244]

Как говорилось в гл. 9 (см. рис. 9.18), взаимодействие магнитного диполя электронного спинового момента с орбитальным моментом Ь 8 представляет собой спин-орбитальное взаимодействие. Изменение величины спин-орбитального взаимодействия в различных электронных конфигурациях также приводит к расщеплению термов, о которых уже шла речь. При рассмотрении этого эффекта широко используются две схемы так называемая схема взаимодействи.ч Рассела — Саундерса, нлк xe.ua Р 8-взаимодействия, и схема ] -взаимодействия. Если электрон-электронные взаимодействия приводят к большим энергетическим расщеплениям термов по сравнению с расщеплениями, обусловленными спин-орбитальным взаимодействием, пользуются первой схемой. В этом случае мы по существу рассматриваем спин-орбитальное взаимодействие в качестве возмущения энергий отдельных термов. [c.67]

V2 (15,/2 з -3 -1 ] Рис. 10.4. Расщепление терма f i/ -иона кристаллическим полем О,,. [c.74]

Рассмотрим еще один пример. Продемонстрируем применение уравнения (11.32) на примере -комплекса [3]. На рис. 11.3 показано расщепление термов газообразного иона кристаллическим [c.143]

В результате спин-орбитального взаимодействия терм с данными L и 5 разделяется на 25 + 1 близколежащих уровней, называемых компонентами муль-типлета и отличающихся значением квантового числа J. Число 25 1 называют мультиплетностью терма. Схема разделения конфигурации на термы и расщепления термов на компоненты приведена на рис. 13. [c.40]

Для 2 -термов, т. е. термов с Л =0, не возникает магнитного момента вдоль межъядерной оси, и вектор спина не ориентирован, поэтому расщепления терма не происходит тем не менее и в этом случае величина 25 -Ь 1 называется м ул ьти п л етн остью. [c.75]

Электронная оболочка центрального иона рассматривается на основе квантовомеханической теории. Влияние электрического поля, создаваемого лигандами ( кристаллического поля), приводит к расщеплению уровня энергии (терма) внешних электронов центрального иона. Расщепление терма мало влияет на полную энергию комплексного соединения, но оказывает существенное влияние на многие его свойства магнитные, оптические, структурные, термодинамические и кинетические. Эффект расщепления терма зависит не только от числа лигандов, но и от их расположения, т. е. симметрии поля. [c.121]

Рассмотрим сущность эффекта расщепления терма. В качестве центрального иона возьмем ион переходного металла, внешняя оболочка которого содержит один -электрон (терм Ю). В свободном ионе -состояние вырождено пятикратно, т. е. имеется пять -орбиталей, эквивалентных по энергии, на которых может находиться рассматриваемый электрон (см. 7). Если поместить ион в центр поля лигандов, имеющего сферическую симметрию, энергия иона повысится, но в поле любой другой симметрии вдобавок произойдет расщепление уровня на подуровни. В октаэдрическом поле шести отрицательных лигандов две из пяти -орбиталей направлены в сторону расположения лигандов, именно и -орбитали (рис. 53). Отталкивание электронов на этих орбиталях от отрицательных лигандов значитель- [c.121]

Выполнение. Налить в большие стаканы примерно одинаковые количества воды и внести затем сухие соли Мп, Ре, Со, N1, Си, п. В получившихся растворах находятся аквакемплексы, имеющие одинаковую координацию (октаэдрическую), но различный цвет. Последнее указывает на разную величину расщепления терма, завися-щ ю от природы центрального атома. В случае 2п( °) терм не расщепляется — раствор бесцветный. В случае М.п(с1 ) — расщепление тоже мало, и раствор имеет очень слабую окраску. [c.200]

Расщепление базиса -орбиталей в кристаллическом поле влечет за собой и расщепление термов. В термы объединяются теперь те состояния, которым соответствует одинаковая заселенность орбиталей и волновые функции которых одинаково преобразуются операциями симметрии. При анализе симметрии волновой функции состояния можно рассматривать просто произведения (а не построенный из них детерминант) волновых функций отдельных электронов. [c.184]

Подойдем K этому же результату с другой стороны попробуем получить перечень термов в результате расщепления термов Е, Р, G, D, S, соответствующих системе d в сферическом поле. Сгруппированные в старый терм состояния при переходе к новой симметрии окажутся, вообще говоря, базисом приводимого представления, характеры которого можно вычислить по формулам [c.186]

Умножая векторы характеров терма на векторы X для НП, получаем следующую схему расщеплений "-термов в поле О/, [c.187]

Схема расщепления терма F в кубическом и тетрагональном полях приведена на рис. 6.18. В кубическом и октаэдрическом полях этот терм расщепляется на два триплета — Tig и Ггг и синглет A2g (в кубическом поле нижний уровень Tig, в октаэдрическом Л2в) в тетрагональном поле происходит дополнительное расщепление триплетов Приведенная на рисунке схема осуществля- [c.232]

На рис. 6.21 приведен спектр иона [N1 (Н20)б] . В нем три полосы поглощения при 8500, 13500 и 25300 см". Все они обладают низкой интенсивностью, поскольку относятся к запрещенным по четности переходам. По спину разрешены переходы между подуровнями расщепления терма Р и Р. Если первая полоса относится к переходу A2g->-42g ( ООд), то при значении Д = 8500 см по диаграмме можно определить положение двух спектральных полос, соответствующих переходам A2g->-4 g ( Р) и [c.235]

Если переходы происходят в пределах одного терма ( -элементы) число полос в спектре на единицу меньше числа подуровней расщепления терма . При переходах между термами число полос в спектре равно числу термов. Поскольку число и разрешенность переходов зависят от симметрии комплекса, по числу наблюдаемых полос и их относительной интенсивности можно определить точечную группу симметрии комплекса 0 ,, Та, 0 н и т. д.). [c.243]

В отличие от других электростатических теорий химической связи здесь центральный ион рассматривается не просто как заряженная частица, строение его внешней электронной оболочки детализируется на основе квантовой механик1г. Модель Бете основана на идее, что в комплексе электроны центрального атома испытывают влияние электрического поля, создаваемого лигандами ( кристаллического поля ). Это приводит к расщеплению уровней энергии внешних электронов центрального иона (эффект Штарка, см. 14). Расщепление терма мало влияет на полную энергию комплексного соединения, но оказывает существен1юе влияние на многие его свойства магнитные, оптические, структурные, термодинамические и кинетические. Эффект расщепления терма зависит не только от числа лигандов, но и от их расположения, т. е. от симметрии поля. [c.237]

Продемонстрируем метод на наиболее симметричных конфигурациях и простейших системах. Рассмотрим сушность эффекта расщепления терма. В качестве центрального иона возьмем ион переходного металла, внешняя оболочка которого содержит один -электрон, терм /). В свободном ионе -состояние вырождено пятикратно, т. е. имеется пять /-орбиталей, эквивалентных по энергии, на которых может находиться рассматриваемый э.тектрон (см. 7). Если поместить ион в центр поля лигандов, имеющего сферическую симметрию, энергия внешних электронов иона повысится из-за дополнительного отталкивания от отрицательных лигандов, создающих цоле, но в поле любой другой симметрии вдобавок произойдет расщепление -уровня на подуровни. Последнее зависит от симметрии поля. В октаэдрическом поле шести отрицательных лигандов (симметрия Он) две из пяти -орбиталей направлены в сторону расположения лигандов, именно -орбитали (рис. 100). Отталкивание электронов на этих орбиталях от отрицательных лигандов значительнее, чем на трех оставшихся орбиталях (1 у, ,.. и ,, лепестки которых направлены к ребрам октаэдра, т. е. между лигандами. Поэтому энергия электрона на первых двух орбиталях оказывается вьипе, чем на трех последних. Таким образом, первоначальный -уровень ( О терм) расщепляется на два подуровня — более низкий,трижды вырожденный, и более высокий, дважды вырожденный (е ). При заполнении электронами более низких уровней (здесь г ) система стабилизируется по сравнению с произвольным заполнением -орбиталей. Достигаемый за счет этого выигрыш энергии, называемый энергией стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП), упрочняет химическую связь. [c.238]

Задача 3.15. Вычислить расщепление /)-терма атома хрома в магнитном поле напряженностью 1000 Гс, [c.90]

Рнс. 3.12. Расщепление термов и спектральных линий атома натрия в слабом магнитном поле [c.92]

Рис. 11.7. Расщепление термов основного состояния ионов от Т "" до в октаэдрическом поле. Цифра в скобках - степень вырождения уровня

Наиболее общий случай — так называемые произвольные поля лигандов, промежуточные между слабыми и сильными. Методы расчета расщеплений уровней при этом еще более усложняются. Танабе и Сугано (1954) выполнили расчеты расщеплений в произвольных полях для различных "-конфигураций и представили результаты расчетов в виде диаграмм зависимости расщепления термов от силы поля A= ODq). Эти диаграммы [c.187]

Х)-терм, возникающий из конфигурации центрального атома сС р рй. б. Как расщепляются уровни терма в поле тетраэдра в поле квадратной антипризмы в. Найдите компоненты расщепления термов В м. ъ тетрагональном кристаллическом поле (симметрии В4ь). г. Найдите компоненты расщепления термов [c.57]

Используйте теорему о центре тяжести и то, что энергия расщепления терма вследствие э4>фекта Яна — Теллера горазд(3 меньше энергии спаривания электроиов. [c.81]

Наряду с высокоспиновым комплексообразованием возможно и низкоспиновое, которое становится возможным, если энергия расщепления -термов А превышает энергию межэлектронного отталкивания. В этом случае, т. е. в сильном поле лигандов, заполнение -орбиталей иона-комплексообразователя электронами будет проходить в следующем порядке (октаэдрическое поле лигандов) [c.278]