Интенсивность комбинационного рассеяния

Интенсивность комбинационного рассеяния определяется изменением электронной поляризуемости молекулы в процессе колебательного движения [c.221]

Интенсивность комбинационного рассеяния и правила отбора для происходящих при этом переходов определяются матричными элементами типа [c.380]

О ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ИНТЕНСИВНОСТИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СРЕДЕ [c.198]

Температурная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния (к. р.) света в кристаллической среде определяется, помимо традиционного больцмановского фактора, действующего в любой фазе, еще и факторами, происходящими из межмолекулярного взаимодействия. Последние выступают на первый план в случае колебательных частот и [c.198]

Интенсивное комбинационное рассеяние, интерпретированное как валентное колебание связи ртуть — ртуть, наблюдалось в водных растворах, содержащих соли одновалентной ртути [15]. Это было, по существу, первое приложение спектроскопии КР к изучению связи металл—металл в комплексах. Однако более чем за 35 лет до этого измерения в электрохимической ячейке показали, что в водных растворах одновалентная ртуть находится Б виде димерного иона Hg + [16] при помощи рентгено- [c.13]

Абсолютные интенсивности комбинационного рассеяния и релеевского рассеяния на некоторых электронных уровнях [c.130]

Интенсивность комбинационного рассеяния может быть выведена путем рассмотрения матричных элементов [c.421]

Д. Интенсивность комбинационного рассеяния [c.428]

Интенсивность комбинационного рассеяния кристаллами зависит от направлений наблюдения и возбуждения относительно главной оси кристалла. Анизотропия комбинационного рассеяния может быть использована для установления симметрии колебаний решетки, ответственных за рассеяние. [c.428]

Интенсивность комбинационного рассеяния может быть вычислена при использовании данных табл. 6. Если падающие и рассеянные фотоны поляризованы в направлениях единичных векторов ej и es соответственно, то [c.429]

Исследование больших кристаллов хорошего оптического качества дает определенные преимущества, например возможность пропускать многократно луч лазера через образец, что обеспечивает повышение отношения сигнал/шум. Этого можно достичь, если вырезать из кристалла слегка клинообразный блок и алю-минировать его торцевые поверхности, оставив небольшое отверстие для входа луча лазера. Луч многократно проходит через образец перпендикулярно направлению наблюдения. Выбор лазерного источника для исследования спектра КР конкретного образца должен быть очень тщательным. Важно отметить, что не существует единого и специфического спектра КР, подобно абсорбционному спектру, и что вид спектра зависит от частоты возбуждающей линии. В общем случае, чем выше частота лазерного источника, тем сильнее интенсивность комбинационного рассеяния. Это обусловлено, во-первых, зависимостью интенсивности от четвертой степени возбуждающей частоты и, во-вторых, резонансным характером поляризуемости. Однако если энергия возбуждающих фотонов близка к частоте полосы поглощения кристалла, то будет происходить поглощение как возбуждающего, так и рассеянного излучения. Для каждой линии КР существует своя возбуждающая частота, с которой наблюдаемое рассеяние при данной геометрии будет максимальным. [c.438]

Экспериментально установлено, что при приближении энергии падающих фотонов, используемых для возбуждения спектра КР, к энергии электронного перехода происходит резкое резонансное увеличение интенсивности комбинационного рассеяния. Это явление нельзя было объяснить в рамках полуклассической теории. Эффект резонансного КР широко изучается на молекулярных Жидкостях, и работы в этом направлении рассмотрены Берингером [210] ). Позднее в отдельных случаях удалось наблюдать резонансный эффект на газах [228]. [c.559]

Серьезную проблему в спектроскопии комбинационного рассеяния газовых смесей представляет возбуждаемая лазерным излучением флуоресценция молекул, которые имеют полосы поглощения при длине волны излучения лазера эта флуоресценция может иметь интенсивность, на несколько порядков превышающую интенсивность комбинационного рассеяния. Поскольку время затухания флуоресценции соответствует времени жизни верхнего уровня, тогда как изменение интенсивности комбинационного рассеяния повторяет форму возбуждающего [c.309]

Теория интенсивности комбинационного рассеяния света в кристаллах. Вычисление интенсивности рассеянного света является одной из основных задач теории комбинационного рассеяния света. При решении этой задачи возникли различные методы рассмотрения комбинационного рассеяния света. [c.407]

Рассматривая кристалл как гигантскую молекулу , можно использовать общую формулу (5.57), которая при учете (5.54) и (6.8) дает для интенсивности комбинационного рассеяния выражение [c.409]

Пусть сИ — интенсивность комбинационного рассеяния, излучаемая слоем толщины йх, лежащим на глубине X от поверхности. Тогда [c.473]

Формулы (22.9), (22.10) дают общее решение задачи об интенсивности комбинационного рассеяния в дисперсных поглощающих средах. При этом 1(1) соответствует интенсивности комбинационного рассеяния в методе на просвет (в плоской кювете), а /г(0) —в методе на отражение . Заметим, однако, что предположения, при которых были выведены эти формулы, в реальных условиях в большей или меньшей степени не выполняются. Поэтому практически прежде всего встает задача о выяснении условий, при которых можно пользоваться данными формулами. [c.474]

С точки зрения применения нового источника возбуждающего излучения представляет большой интерес работа С. А. Ахманова и др. [493]. В качестве возбуждающей линии они использовали вторую гармонику лазера на стекле, активированном неодимом (длина волны 0,53 мкм). В этой работе сопоставлены пороги ВКР ряда веществ при возбуждении излучением рубина и этой гармоники. Оказалось, что при возбуждении второй гармоникой пороги ниже, причем авторы отмечают, что снижение порогов, по-видимому, нельзя однозначно отнести за счет повышения интенсивности комбинационного рассеяния света,, соответствующего множителю v . [c.490]

Спектр ртути снимают на пластинку над спектром комбинационного рассеяния. Для этого из осветителя вынимают кювету и отверстие в крышке кожуха, через которое вставлялась кювета, закрывают отражательным колпачком. Перемещают диафрагму, отметив в журнале ее новое положение. Так как интенсивность линий эмиссионного спектра значительно выше, чем интенсивность комбинационного рассеяния, уменьшают ширину щели до 6—7 мкм. Экспозиция подбирается предварительно и колеблется в пределах 20—70 с. [c.77]

Кейфери и сотр. [40] обнаружили интенсивное комбинационное рассеяние молекулами воды, прочно удерживаемыми водородными связями с льюисовскими кислотными центрами на поверхности глинозема. Спектральное исследование в интервалах 700 — 100 см" и 3200 —3700 см" показало, что при адсорбции воды на глиноземе образуется большое число групп ОН [250]. Различные стадии гидратации и дегидратации алюминатов кальция путем вымораживания могут быть изучены методами ИК-спектроскопии [69]. [c.413]

А) ионные лазеры. Преимуществами этих лазеров по срав нению с гелиево-неоновыми (6328 А) являются более высокая мощность возбуждения, более интенсивное комбинационное рассеяние, благодаря более коротковолновому излучению, и большая квантовая эффективность фотоумножителей для фотонов с большей энергией. [c.287]

На практике вещество, выходящее из газо-жидкостного хроматографа, улавливают обычным способом в стеклянной трубке длиной около 15 см и внутренним диаметром 0,5 мм. Затем участок трубки, в котором находится образец, отрезают, запаивают с помощью микрогорелки и центрифугируют. После этого регистрируют спектр КР, причем тщательно следят за тем, чтобы трубка с образцом была расположена точно вдоль направления луча, так как в противном случае интенсивность комбинационного рассеяния уменьшается и, кроме того, флуоресценция стекла дает чрезмерный фон. Совсем недавно Фримен и Лэндон [41, 42] сообщили о своих исследованиях, посвященных анализам малых проб. Они получили хорошие спектры ССи и линалоола на пробах объемом 8 нл, помещенных в капилляры с внутрепним диаметром 0,1 мм. Схема их спектрометра показана на рис. 6-31. [c.289]

К таким переходам принадлежат экситон-магнонные и экситон-фонон-ные спутники, наблюдавшиеся в антиферромагнетиках [4,5]. Процесс элементарного возбуждения включает в себя, например, одновременное рождение (или уничтожение) экситона и магнона в разных магнитных подрешетках. Одновременное возбуждение двух магнонов объясняет эксперименты, в которых наблюдалось интенсивное комбинационное рассеяние света на двухмагнон-ной частоте [6]. В инфракрасном спектре поглощения исследованы линии, соответствующие двухмагнон-ному и магнон-фононному поглощению [7—9]. В ультрафиолетовой области было обнаружено поглощение света, вызванное одновременным переходом в возбужденное состояние двух парамагнитных ионов [c.302]

Рис. 28. Зависимость интенсивности комбинационного рассеяния /к (когерентный и некогерентный сигнал 5 и 5" соответственно) от времени задержки 1 в пикосекундах д.пя С2Н5ОН (индекс I ) и СНзСС1з (индекс 2 ) [60]

Особенностью комбинационного рассеяния света в пьезоэлектрических кристаллах является также аномальная величина степени деполяризации ряда линий [440], не согласующаяся с теоретическими значениями. Обсуждение этих аномалий проводится в [365, 367, 373]. Как уже отмечалось выще, вырожденные полярные колебания под действием электростатических сил расщепляются на продольные и поперечные колебания (для кубического кристалла). Интенсивность комбинационного рассеяния на продольных и поперечных колебаниях различна. Это следует, например, из вида тензора комбинационного рассеяния, полученного с помощью теории возмущений третьего порядка [373], так как электрон-фононное взаимодействие для поперечных и продольных колебаний различно. Действительно, для продольного колебания, сопровождаемого электрическим полем, возникает добавочное электрон-фононное взаимодействие, которое может оказаться значительно ббльщим, чем обычное электрон-фононное взаимодействие, описываемое теорией деформационного потенциала. [c.452]

Отметим, что возможно также вычислить интенсивность комбинационного рассеяния второго порядка, исходя из электронных волновых функций, соответствующих равновесной конфигурации ядер при этом движение ядер учитывается как дополнительное малое возмущение. В этом методе отличная от нуля вероятность рассеяния появляется лищь в четвертом порядке теории возмущений. Вследствие громоздкости конечных формул выполнение такой программы является малоперспективным, однако важным качественным результатом [c.454]

Рис. 82. К расчету интенсивности комбинационного рассеяния в дисперсной среде, /о — возбуждающий свет. I,, /2 — интенсивности комбинационного рассеяния, Е, 2освещенности плоскости, лежащей на расстоянии X от поверхности.

Справочник химика 21

Химия и химическая технология