Диффузия атомов из разряда

Фракционирование составляющих пробы можно ускорить и обеспечить преимущественное поступление всех примесей с большей летучестью для этого в порошок пробы вводятся в количестве 2—4% от пробы очень легко летучие окислы (например, окись галлия) в качестве так называемого носителя. Интенсивное испарение этого окисла способствует более энергичному поступлению в разряд всех легколетучих составляющих. Присутствие большого количества атомов носителя в зоне разряда существенно снижает диффузию атом ов легколетучих составляющих пробы из зоны разряда. Основной же элемент при этом почти не поступает в зону разряда и не загромождает спектр большим [c.50]

Кинетика Э. Фазовый переход ион в р-ре атом в кристаллич. решетке металла протекает через ряд стадий разряд иона с образованием адатомов, их поверхностная диффузия к месту роста и встраивание в кристаллич. решетку. Каждая из стадий может определять скорость процесса. При низких перенапряжениях ( < 30 мВ) для Си и Ag скорость процесса определяется поверхностной диффузией, при более высоких перенапряжениях - стадией переноса заряда. Адатомы могуг нести нек-рый электрич. заряд вследствие частичного разряда ионов. Вероятность разряда иона непосредственно в месте роста или на пов-сти грани с последующей диффузией адатомов к месту роста зависит от концентрации ионов в р-ре, энергии их. десольватации и энергии связи атомов в кристаллич. решетке. Предполагается, что преимущественный ра яд ионов в месте роста может происходить при энергии субли- [c.430]

В процессе образования пучка ионов атом отдельного элемента в плазме высокочастотной искры или низковольтного разряда должен быть удален из твердого вещества и ионизован. Эффективность его испарения, или распыления, зависит от вида материала его основы, температуры электродов, скорости диффузии, коэффициентов распыления и теплоты сублимации элемента. Температура поверхностного слоя определяется теплопроводностью и размером образца. Испарение и ионизация зависят от многих факторов, в том числе от импульсного напряжения, градиента напряжения в межэлектродном зазоре, потенциала ионизации элемента и электропроводности основы. Все эти свойства, конечно, определяются электронной конфигурацией атомов рассматриваемых элементов и поэтому тесно взаимосвязаны. Возникновение искрового пробоя зависит от величины зазора и тонкой структуры поверхности катода, которая непрерывно изменяется из-за конденсации вещества. Значение того или иного фактора неодинаково для высокочастотной искры и [c.250]

Процессы излучения спектральных линий связаны не только с процессами прямого возбуждения атомов, но и с так называемыми вторичными процессами, а именно ступенчатым возбуждением и ударами второго рода. Возбужденный атом может вер уться в нормальное состояние или на один из более низких уровней, не излучая света, если он отдает свою энергию возбуждения электрону или другой частице, присутствующей в разряде. Ступенчатое возбуждение, напротив, переводит возбужденные атомы в более высокое энергетическое состояние. Оно возможно благодаря тому, что атом находится в возбужденном состоянии в течение некоторого промежутка времени, и поэтому возбужденный атом может испытать неупругое столкновение с электроном и перейти в более высокое возбужденное со-стояние. Таким образом, в атоме накапливается энергия. путем последовательного столкновения с электронами. Ступенчатое возбуждение может играть значительную роль, несмотря на малую вероятность столкновения возбужденного атома с электроном. Этому способствует наличие метастабильных атомов и диффузия резонансного излучения. Теория диффузии резонансгюго излучения была создана Комптоном п мочнена Л. М. Би-берманом РП 1 Холстейном р . [c.18]

Электрические разряды способствуют снижению вязкости высоковязких систем, на порядок увеличивают коэффициент диффузии, интенсифицируют проникновение экстрагента внутрь сырья, в особенности растительного [103]. Процесс сопровождается образованием и ехлопьпзанием кавитационных пузырьков на границе раздела фаз, причем в момент схлопьшания на месте пузырька может происходить электрический пробой из-за электрического потенциала, скопившегося на поверхности пузьфьков. Давление в точке сх юпы-вания может досхш ать тысяч мегапаскалей. [c.498]

Признание существования мирового (или светового) эфира, как вещества, наполняющего до конца всю вселенную и проникающего все вещества, вызвано прежде всего с блистательно оправдавшимся допущением объяснения причины света при помощи поперечных колебаний этого всепроницающего упругого вещества, что подробно рассматривается физикою. Сближение, даже некоторое отожествление (Максвель), световых явлений с электрическими, хотя по видимости многое изменило в существовавших представлениях, оправдавшись в опытах Герца, воспроизводимых в беспроволочном телеграфе, во всяком случае лишь окончательно утвердило колебательную гипотезу света, тем более, что опыт показал одинаковость скорости распространения (волн) света и электромагнитной индукции или колебательных разрядов лейденской банки, хотя волны колебания в этом последнем случае могут достигать длины метра, световые же волны имеют длину волны лишь от 300 до 800 миллионных долей миллиметра. Таким образом в естествознании уже в течение около ста лет укрепилось понятие о воображаемой, упругой и все проницающей среде, т.-е. о веществе мирового эфира. Без него была бы совершенно непонятною передача энергии от солнца и прочих свети.. Вещество это считается невесомый лишь потому, что нет никаких способов освободить от него хотя малую долю пространства — эфир проникает всякие стенки. Это подобно тому, что воздух нельзя взвесить, не освободив от него какой-либо сосуд, а воду нельзя взвесить в решете. Если мировой эфир упруг и способен колебаться, то уже из этого одного следует думать, что он весом (хотя его нельзя взвешивать), т.-е. материален, как обычные газы. Если же так, то естественнее всего приписывать эфиру свойства, сходные с аргоновыми газами, потому что эти последние не вступают в химическое взаимодействие ни с чем, а мировой эфир, все тела проникая, тоже, очевидно, на них химически не действует притом гелий оказался уже способным при нагревании проникать даже чрез кварц. Если атомный вес эфира, как аналога аргона и гелия, назовем дг (считая Н = 1), то плотность будет дг/2, потому чго в частице надо предполагать и для него лишь один атом. Если же так, то квадрат скорости v собственного движения частиц эфира будет, судя по общепризнанной и опытами с диффузиею оправданной, кинетической теории газов (доп. 63), превосходить квадрат скорости частиц водорода, во сколько плотность водорода превосходит плотность эфира, при равных температурах. Температуру небесного или мирового пространства ныне нельзя считать, по всему, что известно, ниже — 100°, вероятно, даже около — 60°, а приняв среднее — 80° при этой температуре, средняя скорость собственного движения частиц водорода близка к 1550 м в секунду, а потому [c.384]

Еще в начале XX века высказывалось предположение, что разряжающийся поя металла не сразу входит в кристаллическую решетку металла, а образует коллоидный раствор возле поверхности электрода. В более позднее время это представление в такой форме было оставлено, но сама идея получила новое воплощение в форме теории поверхностной диффузии ионов (Г. Брандес) 153 . Впоследствии теория была развита другими исследователями. По этой теории, разрядившийся атом не всегда сразу включается в кристаллическую решетку, а некоторое время может странствовать в виде адсорбированного атома по поверхности кристалла, пока не достигнет места, вхождение в которое дает наибольший выигрыш энергии [153]. Если металл находится при температуре лишь на 200—400° ниже температуры его плавления, то поверхностная подвижность атомов может оказаться достаточно большой, чтобы атомы в значительном количестве диффундировали по поверхности грани к месту роста слоя. Поверхностная диффузия была показана на опыте в случае твердой ртути при низкой температуре (см. гл. I, раздей 8). Диффузия атомов по поверхности может способствовать также и сглаживанию поверхности (см. стр. 30) . Движению атомов по поверхности, по-видимому, может мешать наличие на ней слоя прочно адсорбированного вещества. [c.84]

Действительно, если бы донором протонов была молекула воды, то рядом с адсорбированным атомом И, образовавшимся в результате разряда, всегда бы имелась молекула Н2О, немедленно поставляющая протон для образования На. Если же донором протона является ион Н3О+, то между образованием адсорбированного И и его превращением в Иг должно пройти некоторое время, необходимое для диффузии Н3О+ к месту реакции Это время заведомо больше, чем период валентных колебаний по связи М—И. Но в рамках модели Хориучи—Поляни адсорбированный атом И не может существовать дольше, чем т , поскольку на его обратном пути к исходному состоянию нет барьера и при первом же колебании он окажется в исходной потенциальной яме. Строго говоря, в рамках модели Хориучи—Поляни, когда координата протона является единственной координатой реакции, безбарьерный раз- [c.118]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология