Дислокационная реакция

Скольжение дислокаций, как правило, может происходить одновременно по нескольким системам плоскостей (на рис. 94 изображены две пересекающиеся системы плоскостей скольжения). Если две дислокации разных систем скольжения параллельны (или имеют параллельные участки), то при встрече в результате слияния они образуют новую дислокацию, вектор Бюргерса которой равен сумме векторов Бюргерса слившихся дислокаций. Подобный процесс (дислокационная реакция) может породить дислокацию, динамические свойства которой резко отличаются от таковых у исходных дислокаций. Б частности, возникающая дислокация может оказаться не способной перемещаться скольжением. Дело в том, что формально плоскость скольжения задается линией дислокации и ее вектором Бюргерса. [c.288]

В каждой определенной структуре устойчивы только немногие векторы Бюргерса (а значит и дислокации). Причина заключается в так называемых дислокационных реакциях, при которых дислокации с неустойчивы- [c.223]

МИ векторами Бюргерса расщепляются с выделением энергии и образованием стабильных дислокаций. Поэтому дислокационная реакция, подобно химической реакции, имеет определенный тепловой эффект Др. Если энергия АС высвобождается при расщеплении одной дислокации с большим вектором Бюргерса на две с меньшими векторами, то реакция будет протекать самопроизвольно. Этот процесс расщепления будет происходить до тех пор, пока не останется лишь небольшое количество векторов Бюргерса (векторов скольжения), которые обычно соответствуют кратчайшим расстояниям в решетке Бравэ (при полных дислокациях). [c.223]

ДВИЖЕНИЕ ДИСЛОКАЦИИ. ЭНЕРГИЯ ДИСЛОКАЦИИ. ДИСЛОКАЦИОННЫЕ РЕАКЦИИ [c.325]

Дислокационная реакция распада энергетически невыгодна, если [c.327]

Расширенная дислокация, состоящая из дефекта упаковки, ограниченного двумя частичными дислокациями Шокли, может скользить как целое в плоскости 111 . Встреча ее с другой такой же расширенной дислокацией вызывает дислокационную реакцию. Пример такой реакции показан на схеме рис. 280. [c.329]

Движение дислокации. Энергия дислокации. Дислокационные реакции [c.391]

Рассмотрим массообмен между частицей и сплошной средой, когда сопротивление переносу сосредоточено в самой частице. В этом случае изменением концентрации во внешнем потоке можно пренебречь. Такие задачи будем называть внутренними. Так, если к внешним задачам относили определение коэффициентов массоотдачи, то к внутренним — нахождение кинетических коэффициентов роста и зародышеобразования кристаллов. Вид кинетических коэффициентов определяется из теорий роста, экспериментальных данных. Все существующие теории роста кристаллов можно разделить на три категории [33] 1) теории, описывающие рост кристаллов с чисто термодинамической точки зрения, имеющие дело с идеальными кристаллами (без дефектов решетки) 2) дислокационные теории, учитывающие, что источником ступеней при росте плоскостей кристалла являются дислокации 3) теории, описывающие рост кристалла, как кристаллохимические реакции на поверхности. [c.262]

Поделив уравнение (84) на уравнение (76), находим искомое соотношение между химическими потенциалами металла и дислокаций (точнее, между величинами химического сродства реакции образования и движения дислокаций, рассчитанными соответственно для моделей металлической и дислокационной решеток) [c.50]

Книга завершается кратким обзором по кристаллохимии реального кристалла с дефектами. Здесь автор остановился на основных типах дефектов (дефекты Френкеля и Шоттки), процессах диффузии и реакциях в твердом состоянии, на мозаичном и дислокационном строении реального кристалла. [c.6]

Следовательно, теория образования зародышей и их распространения преимущественно по поверхности и дислокационной сетке кристалла не может объяснить некоторые наблюдаемые закономерности химических реакций с участием твердых тел. [c.47]

Если реакция на границе раздела фаз вообще не будет происходить (двухмерные зародыши не образуются), кристалл не будет расти. Вместе с тем этот вывод явно противоречит экспериментальным данным, согласно которым рост происходит даже при очень незначительных пересыщениях. Возможность такого процесса объясняется особенностями строения реальных кристаллов. Они не яв ляются совершенными. Реальным кристаллам присущи различные дефекты. Благодаря им на поверхности кри Сталлов появляются ступеньки, которые и обусловливают их рост по так называемому дислокационному меха низму [36, 37]. [c.20]

Во многих щелочных галогенидах также можно обнаружить пространственное распределение дислокаций, используя эффект декорирования (С. Амелинкс). Для этой цели в кристаллы в процессе их роста добавляют незначительные количества галогенных соединений серебра, например 0,8% Ag l. Последующий отжиг в водороде ведет к выделению серебра по линиям дислокаций, и тем самым к их декорированию. На рис. 11.9 показана гексагональная сетка дислокаций в кристалле КС1, обнаруживаемая при использовании элекронномикроскопического фотографирования. Подобным образом можно было детально исследовать дислокационные реакции в щелочных галогенидах. [c.250]

Анализ кинетических уравнений свидетельствует о возможности увеличения скорости анодной реакции на несколько порядков велич ины, как это наблюдалось экспериментально. Решающую роль в достижении экстремальных параметров анодной реакции (сдвиг стандартного потенциала на сотней милливольт и увеличение анодного тока в потенциостатическом режиме в десятки тысяч раз) играют деформационное упрочнение и образование дислокационных скоплений. Наоборот, пластическая деформация, не сопровождающаяся значительным деформационным упрочнением (стадия легкого скольжения I или заключительная стадия П1) и образованием плоских дислокационных скоплений, не приведет к заметному, механохимическрму эффекту. 54 [c.54]

Указанное преимущество стали 08Х2Г2М объясняется отмеченными свойствами малоуглеродистых мартенситных сталей, что согласуется с теорией, в соответствии с которой решающую роль в увеличении скорости анодной реакции играет деформационное упрочнение и формирование дислокационных скоплений. Высокая подвижность дислокаций в малоуглеродистых еталях способствует облегчению поперечного скольжения дислокаций и препятствует [c.250]

Научные работы посвящены кн-нетике химических реакций и катализу. Вывел (1950) матричное уравнение кинетики последовательных реакций первого порядка. Предложил (1950) топокинетиче-ское уравнение для реакций твердых веществ. Обосновал (1960-е) дислокационный механизм реакций твердых веществ. Установил, что соединения металлов в реакциях автоокнсления играют роль инициаторов. Показал (1977) энтропийно-статистическую природу многокомпонентных комплексно-координационных катализаторов полнмеризации. [c.186]

Химические реакции замещения водорода поверхностных гидроксильных групп кремнезема на алкилсилильные группы и другие подобные реакции замещения и их спектральные проявления рассмотрены в предыдущих главах. Там же рассмотрены некоторые реакции присоединения по силоксановым связям дегидроксилированных частей поверхности чистого кремнезема. Например, при адсорбции на кремнеземах, с поверхности которых удалена часть гидроксильных групп, возможно усложнение спектральной картины взаимодействия вследствие хемосорбции воды и спиртов с образованием новых поверхностных соединений за счет реакции присоединения по силоксановым связям. Существование на поверхности адсорбционных центров примесной и дислокационной природы также должно приводить к возникновению прочной связи молекул с поверхностью. [c.188]

Обычно реакци(шная способность твердых тел связывается с их структурой и энергетическим состоянием частиц кристаллической решетки. Зависимость скорости реакции твердого тела от предыстории образца, старения, небольших количеств примесей, наличие ф1 гур разложения, автокаталитнческий характер процессов, как правило, связывают с различными дефектами кристалла и образованием зародышей. Реакция начинается на дефектных местах кристалла и протекает либо с образованием и ростом зародышей новой твердой фазы, либо, при отсутствии последней с увеличением числа дефектов вокруг центров зарождения. Растущие зародыши рассматриваются как расширяющаяся реакционная зона. В большинстве случаев предполагают, что развитие зародышей происходит на новерхности кристалла или границе раздела блоков, т. е. на дислокационной сетке кристалла (1, 2]. [c.46]

Дефекты кристаллической структуры реа Ьентов типа дислокаций, микроискажений и свободных поверхностей вносят существенный вклад в твердофазное взаимодействие, особенно в высокодисперсных системах, обладающих достаточно большой реакционной зоной. Если благодаря использованию специальных методов гомогенизации (химической или механической) объем реакционной зоны становится соизмерим с объемом системы в целом, то диффузия не лимитирует скорости взаимодействия, т. е. дефекты практически не влияют на реакцию. При пониженных температурах роль диффузионных процессов в твердофазных реакциях также уменьшается (из-за конденсации вакансий и накопления дислокаций, образующихся в результате исчезновеБия точечных дефектов) и диффузионный механизм взаимодействия сменяется дислокационным механизмом массопереноса [97]. [c.133]

Измерения толщин детонационных волн в конденсированных взрывчатых веществах (ВВ) показали, что характерные времена химического превращения составляют Ю" — 1 мкс. Аналогичные измерения толщин волн, в которых происходят полиморфные фазовые превращения за счет перестройки кристаллической решетки (например, уже упоминавшийся переход Fe Fe ), показали, что характерные времена этих переходов составляют величины того же порядка (для перехода Fe Fe это примерно 0,2 мкс). Столь огромные скорости превращений в твердых телах, по-видимому, обусловлены дислокационными процессами, имеющими объемный характер, в отличие от фазовых переходов в газах и жидкостях, происходящих на межфазных поверхностях после образования зародышей новой фазы. В пользу дислокационной хшнетики перестройки кристаллических решеток и химических реакций в кристаллических веществах говорит также тот факт, что для металлов характерные времена развития пластических деформаций в ударных волнах также составляют 10 — 1 мкс. При этом известно, что пластические деформации в металлах развиваются за счет движения и размножения дислокаций. [c.253]

Согласно дислокационной теории активация веществ при механическом воздействии происходит за счет дислокаций, выходящих на поверхность в результате деформации твердых тел [10]. Повышение химической активности вызывается локализацией заряда в глубокой электронной ловушке на месте выхода дислокаций, вследствие чего снижается вьюота термодинамического барьера, препятствующего развитию химической реакции. [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология