Положение у кристаллов

При тех положениях кристалла, при которых выполняете соотношение (1.66), происходит отражение рентгеновского луча. Отраженные лучи регистрируют фотопленкой. Таким образом получают рентгенограмму, состоящую из рядов точек, которые являются следами отраженных лучей. [c.153]

При тех положениях кристаллов, при которых выполняется соот-нощение (IV. 12), происходит отражение рентгеновского луча, которое регистрируется фотопленкой таким образом, получаемая рентгенограмма состоит из рядов точек являющихся следами отраженных [c.252]

Спектрометр. В спектрометре с горизонтально расположенным кристалл-анализатором счетчик можно вращать вокруг общей оси. Условие отражения выполняется только тогда, когда перпендикуляр к пробе или соответственно перпендикуляр к поверхности кристалл-анализатора делит угол между падающим и отраженным лучами пополам (рис. 5.9). Если угловая скорость вращения счетчика в два раза больше скорости вращения кристалл-анализатора, то это требование выполняется при любом положении кристалла. [c.205]

Изучая зависимость расщепления линий спектра ЭПР от положения кристалла во внешнем магнитном поле, можно найти ориентацию радикала в монокристалле. По величине сдвига частот определяют компоненты тензора Ткт- Путем сравнения этих значений с теоретическими получают характеристики электронных состояний радикала. [c.113]

Для получения пучка монохроматических нейтронов на их пути при выходе из реактора ставят достаточно большой кристалл, перекрывающий весь пучок. Так как спектр нейтронов сплошной, то любому положению кристалла-монохроматора соответствует некоторый интервал длин волн, для которых угол скольжения удовлетворяет условию селективного отражения [c.94]

Двухзеркальная оптическая система (рис. 15.27, а) девять отражений со стандартным кристаллом, угол падения 45°. Независимо от толщины образца положение кристалла не меняется относительно оптического пути. Благодаря простоте конструкции такая система наиболее пригодна в обычной лабораторной практике. [c.254]

Определение показателей преломления кристаллических веществ ведут чаще всего иммерсионным методом — путем сравнения оптических характеристик кристаллов и жидкости, в которую их погружают. Для измерений используют поляризационный микроскоп (рис. 34), который снабжен поляризатором и анализатором, расположенными до и после объекта наблюдения в оптической системе микроскопа. Расположение поляризатора и анализатора должно быть на первом этапе измерений взаимно перпендикулярным (оси РР и АА на рис. 35, а). Луч света проходит от осветителя через поляризатор, который пропускает поляризованный свет с колебаниями в плоскости РР] войдя в кристалл исследуемого вещества, луч света разлагается на два с колебаниями, отвечающими направлениям осей эллипса сечения индикатрисы хх и уу. По пути к окуляру эти лучи проходят еще через анализатор, пропускающий только свет с колебаниями в плоскости АА. Колебания Хр и ур, совпадающие с осью РР, перпендикулярной АА, гасятся анализатором, а колебания ха и у а проходят через анализатор и наблюдаются в окуляре. В этом положении кристалл будет выглядеть светлым и окра- [c.108]

Затем снова введите в оптическую систему анализатор и поворотом столика найдите новое положение затемнения кристалла, выведите анализатор и наблюдайте перемещение полоски Бекке в новом положении кристалла. Сравнение показателей преломления необходимо проводить для каждой иммерсионной жидкости не менее чем на десяти кристаллах. Приготовьте препараты с различными иммерсионными жидкостями и найдите две пары таких жидкостей, для которых [c.112]

Свойства. Фосфор кристаллизуется в моноклинной системе [6] и образует квадратные пластинки размером до нескольких миллиметров при толщине 0,5 мм. В зависимости от толщины слоя и положения кристаллов их цвет меняется от ярко- до темно-красного. Фосфор Гитторфа не удается получить Свободным от свинца, содержание которого составляет 1% и более. По данным рентгенографии плотность равна 2,362. Сублимированные иглы состоят большей частью из изложенных друг на друга пластинок со структурой фосфора Гитторфа. [c.550]

Рис. 22. Облик порфиробластов пирита (а — таблитчатый б — призматический в — кубический — две вершины куба притуплены гранями октаэдра) из кварц-серицитовых сланцев и положение кристаллов в зависимости от ориентировки кристаллографических направлений по отношению к сланцеватости (г, й)

Если п — п" = О, кристаллы оптически изотропные они черные или темно-серые при любых положениях кристалла в скрещенных николях. Следовательно, кристаллы кубической сингонии и аморфные тела в скрещенных николях интерференцию света не вызывают. О таких телах говорят, что на поляризованный свет они не действуют. Отсюда ясно, какое большое значение имеет исследование кристаллов в поляризованном свете. [c.100]

В целом результаты исследования стационарного поля в камере синтеза позволяют оптимизировать геометрические параметры реакционного объема, наилучшим образом размещать в нем зоны роста кристаллов и растворения исходного углесодержащего вещества, а также по положению кристалла в реакционной зоне оценивать локальные температурные условия его роста. [c.336]

В свою очередь волокнистость в пределах каждого сектора роста граней (111) неоднородна. Серия топограмм (рис. 145) сечения (001), расположенного на половине расстояния между центром роста и вершиной октаэдра, снятых при различных уг- ловых положениях кристалла, показывает присутствие в сечении восьми пучков волокон, различным образом отражающих рентгеновское излучение. Причиной этого является закономерная раз-ориентировка пучков между собой. Максимальная разориентировка наблюдается у пучков, лежащих в плоскости дифракции — пучки <100> и <100>. Знак разориентировки таков, как если бы вдоль оси стыковки секторов роста граней (Ш) располагались малоугловые границы с лишними полуплоскостями у дислокаций, обращенных к центру кристалла. [c.398]

Рис. 157. График зависимости интенсивности однофононного поглощения (1135 см" ) от положения кристалла в реакционной зоне (а) и распределение температуры в реакционной зоне (6)

Синтетический рубин (Сг + в АЬОз) вполне подходит в качестве промежуточного стандарта, поскольку его -фактор анизотропен. Поэтому сигнал, соответствующий рубину, можно сдвинуть относительно сигнала образца, изменяя положение кристалла рубина, помещенного в резонатор. [c.196]

Таким образом, не при всяком положении кристалла относительно луча данной длины волны могут возникать отраженные лучи. Для того чтобы в кристалле возникли отраженные лучи, надо подбирать либо угол либо длину волны X при данной величине й. В соответс гвии с этим в рентгенографии получили развитие главным образом три метода анализа. [c.57]

Положению кристаллов на грани призмы отвечает сечение индикатрисы, параллельное оптической оси, при котором у кристаллов наблюдается двупреломление и прямое погасание. [c.29]

Если же при росте кристаллов развиваются грани дипирамиды или ромбоэдра и эти кристаллы ложатся такой гранью на предметное стекло, то другие, пересекающиеся с нею грани этой формы образуют контуры кристалла в форме ромбов с определенном углом между ребрами. Такому положению кристаллов на предметном столике отвечает сечение индикатрисы, косое к оптической оси у них наблюдается двупреломление, несимметричное погасание. По коноскопической фигуре косого разреза (см. стр. 19) определяется оптический знак и измеряется один из главных показателей преломления N0. Второй показатель преломления, измеренный у кристаллов, лежащих на косых гранях, хотя и не является главным Ые, но тем не менее этот Ы е характерен для кристаллов данного вещества, кристаллизующегося с развитием косых граней. [c.29]

Рассмотрим теперь вопрос об измеиении ширины отдельных подполос А р, A-Ej, АЕ и ширины шели в валентной зоне АЕ., в зависимости от положения кристалла А В " в соответствуюш ей вертикальной или горизонтальной последовательности. Начнем с р-полосы Хь — Pi5 — L. [c.176]

Теперь можно найти набор базисных функций, соответствующих симметрии решетки. Симметрию пространственной группы, за исключением трансляционной симметрии, дает фактор-группа, которая составлена из всех осей и плоскостей (включая винтовые оси и плоскости скольжения) и центров симметрии пространственной группы с условием, что все положения кристалла, которые трансляционно эквивалентны, рассматриваются как идентичные. (Фактор-группа является группой всех смежных классов подгруппы трансляций пространственной группы и часто называется группой элементарной ячейки.) Составим комбинации локализованных экситонов, которые являются представлениями фактор-группы [c.579]

На первый взгляд кажется, что выражение (6.16) позволяет определить интенсивность рассеянного излучения для любого положения кристалла (любого значения /С). Однако в действительности невозможно получить ни строго параллельный, ни строго монохроматический пучок лучей. Даже при наиболее совершенных экспериментальных условиях конец вектора К попадает не в определенную точку, а в некоторый объем, который обычно намного больше объема узла ОР. Формулу (6.16) нельзя непосредственно применить к конкретному эксперименту, так как практически мы может измерить только среднюю величину I для некоторой области, внутри которой она претерпевает существенные изменения. [c.186]

Для определения размеров ячейки кристалл ориентируют по одной из кристаллографических осей в соответствии с данными лауэграммы и переносят вместе с гониометрической головкой в камеру вращения, где выведенная по лауэграмме ось будет осью вращения. Тремя снимками вращения около основных осей находят размеры элементарной ячейки а, Ь п с. Осевые углы а, р и Y определяют из лауэграммы как углы поворота из одного положения кристалла, дающего симметричную лауэграмму, к другому. [c.232]

Это позволяет легко найти положение кристалла, соответствующее закону Вульфа—Брэгга для заданной плоскости. [c.475]

В изложенной кинематической теории рассеяния амплитуда волны для каждой ячейки кристалла одинакова. В действительности, рассеяние в каждом слое кристалла должно уменьшать энергию прямого пучка. Этот эффект особенно велик в точном вульф-брэгговском положении кристалла, а именно в этом положении достигается обычно максимальный контраст изображения. В связи с этим важно оценить, при прохождении какого слоя вещества энергия первичного луча полностью перейдет в-энергию дифрагированного луча. Теория и эксперимент показывают, что для электронов с энергией 100 кэВ и отражений с малыми НК1, таких металлических кристаллов как железо, никель, медь, это наступает при тол- [c.485]

Рис. 21.16. Два типа волнового поля в отражающем положении кристалла суммарные векторы потока направлены вдоль отражающих плоскостей, но пучности для волны (1) находятся между атомными плоскостями для волны (2). наоборот, поток идет вдоль самих атомных плоскостей

Из формулы (21.24) следует, что при n=gb=0 (т.е. 0 L ) контраст возле дислокации отсутствует. Это условие имеет простой физический смысл контраст отсутствует, если вектор Бюргерса лежит в отражающей плоскости, т. е. атомные смещения, параллельные отражающим плоскостям, не изменяют интенсивности. Очевидно, при заданном положении кристалла выявляются не все дислокации чтобы получить дифракционный контраст от разных дислокаций, может оказаться необходимым наклонить кристалл (т. е. приблизиться к другому отражающему положению, соответствующему вектору g другого направления). [c.508]

Зная радиус частицы Го, ширину изображения В, дей-ствуюш ий вектор обратной решетки g, расстояние экстинкции при данном положении кристалла можно [c.528]

В настоящее время кажется очевидным, что после вывода уравнения (1), как мы уже указывали во введении, проблема определения структуры кристалла формально была решена. Расчет этого выражения для каждой точки элементарной ячейки является трудоемким процессом, который, однако, можно запрограммировать для электронных вычислительных машин или провести расчет с помощью некоторых методов подобия. Измерение F hkl) в общем случае не дает нам какой-либо информации о фазовой постоянной а (hkl). Так как отражения рентгеновских луч й зависят от положения кристалла нри проведении эксперимента, то вся информация о соответствующих фазовых постоянных теряется. [c.48]

Если заменить полное вращение кристалла колебанием его в пределах некоторого угла (обычно угол качания составляет 5—15°), то кристалл будет проходить лишь через некоторые из своих отражающих положений и число пятен на каждой слоевой линии рентгенограммы будет сравнительно невелико. Набор качаний, охватывающих все возможные положения кристалла, равноценен полному вращению. [c.203]

Предположим, что кристалл обладает плоскостью симметрии, параллельной оси вращения, я расположен в исходном положении таким образом, что эта плоскость параллельна, кроме того, первичному пучку лучей. Допустим, что это исходное положение кристалла является средним положением в интервале углов качания. Тогда, если при повороте по часовой стрелке какое-либо семейство плоскостей проходит через отражающее положение, то при последующем обороте на тот же угол против часовой стрелки в отражающем положении окажется семейство плоскостей, связанное с первым симметрическим преобразованием отражения. Таким образом, на рентгенограмме появится пара пятен с координатами ху и ху. Рентгенограмма будет иметь вертикальную (перпендикулярную слоевым линиям) линию симметрии (рис. 129, в). [c.207]

Этот метод исггользует линейную интерполяцию между измеренными знл-чениями уровня фона а положениях А и В. Положение кристалла на этом рисунке эквивалентно длине волны. [c.103]

Поскольку кристаллическая решетка определяется тремя атомными рядами, не лежащими в одной плоскости, можно на основе условий Лауэ (стр. 47) построить всю дифракционную картину для любого положения кристалла относительно падающего луча. Возьмем тонкий кристалл и будем просвечивать его лучом определенной длины волны. Если группа параллельных друг другу рядов расположена параллельно падающему лучу, то вокруг пятна, которое он дает на фотопластинке, получится максимум нулевого порядка (h = k = l = = 0). Ширина этого интерференционного максимума зависит от длины указанных рядов. При не слишком тонком кристалле, т. е. при достаточно высокой разрешающей способности этих линейных решеток, интерференционные пятна появятся только в немногих местах, т. е. там, где пересекаются с фотопластинкой три интерференционных конуса (ср. рис. 29). Наоборот, при очень малой толщине кристалла, т. е. при нерез-кости третьего условия Лауэ, становятся размытыми как круги, соответствующие различным величинам /, так и сам нулевой главный максимум с /=0. Число направлений, в которых одновременно будут удовлетворяться три условия Лауэ, увеличится, а поэтому увеличится и число интерференционных пятен, в том числе и в области главного максимума (рис. 61). [c.125]

В положении кристалла, близком к симметричному, линии Кикучи располагаются между центральным пятном и соответствующими точечными рефлексами и сравнительно слабо выделяются. В точном вульф-брэггов-ском положении для некоторого рефлекса HKL светлая линия Кикучи HKL проходит точно через рефлекс HKL (рис. 20.32). [c.475]

Е2 и т. д. при энергии Е2 концы волновых векторов описывают поверхность, которая существенно усложняется возле границ зоны Бриллюэна (вертикальные линии на схеме), а при еще более высокой энергии Е поверхность разрывается, образуя различные ветви. Подобное построение можно сделать не только для волновь векторов Ка, но и для /Со+ёГь - о+ г и т. д., где Ц, 2 — векторы ОР кристалла, т. е. поверхности Ферми можно показать вокруг каждого узла ОР (рис. 21.19,6). В таком построении при достаточно больших значениях энергии однотипные ветви единой дисперсионной поверхности смыкаются (сравнить ветви дисперсионной поверхности для Ез и для E на рис. 21.19,6). На рис. 21.19, в представлена ограниченная часть ветвей (/) и (2) такой поверхности и соседние узлы ОР ООО (точка 0) и НКЕ (точка С). Окружности, проведенные с центрами в точках О и С, являются асимптотами для дисперсионных кривых —гипербол (1) и (2). При точном вульф-брэгговском положении точки >1 и попадают на грань зонь Бриллюэна, проходящую перпендикулярно вектору ОР д и делящую его пополам), при уменьшении возмущающего потенциала Vg и, соответственно, при ослаблении вульф—брэгговских отражений ветви (1) и 2 сближаются, превращаясь в две пересекающиеся сферы. Разностный вектор АК должен быть перпендикулярен внешней поверхности кристалла значение А — = ( ) , т. е. экстинкционная длина lg равна обратной величине расстояния между ветвями дисперсионной новерхности в точном вульф—брэгговском положении кристалла. [c.503]

Краевые дислокации, расположенные перпендикулярно поверхности фольги (торчковые дислокации), в положении кристалла, близком к отражающему, видны в виде двух лепестков — темного и светлого. Соотношение [c.510]

Доля видимых дислокаций рвид/р при различных отражающих положениях кристалла [c.515]

Очевидно, максимальное значение Ag и соответственно максимальная яркость темнопольного изображения будет в изображении той области кристалла, в которой отклонение от вульф-брэгговского положения кристалла, как целого (5 ), компенсируется ло1гальн ь1м поворотом [c.518]

Вскоре автор приступил к подготовке улучшенного издания. Новый текст опирался на ценные данные рентгеноструктурных исследований. Из него были исключены главы учебного характера, посвященные введению в кристаллооптическую методику, явлениям дифракции рентгеновских лучей и равновесиям плавкости в сухих системах. Читая в Берлинском университете лекции по технологии силикатов в строгом соответствии с классическим курсом Ф. Хабера, автор приобрел большой опыт и смог выделить все наиболее существенное в области исследований силикатов методами физической химии. Поэтому второе издание этой книги, без изменений выпущенное в свет в США в 1943 г., заключало много новых и важных положений кристалло-химичес-кой теории В. М. Гольдшмидта. Кроме того, в ней нашли отражение новейшие достижения в области твердофазовых реакций и физико-химических исследований стекла и гидравлических цементов. Неамотря на перерыв в получении важного материала в период между 194)1 и 1945 гг., рукопись третьего немецкого издания с многочисленными добавлениями и исправле-НИЯ1МИ была закончена весной 1945 г. [c.7]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология