Негативные фоторезисты

Последней операцией при нанесении фоторезиста является так называемая предварительная сушка покрытия, цель которой заключается в удалении остатков растворителя, который может ослабить адгезию фоторезиста к подложке. При плохой сушке могут также меняться требования к экспонированию, потому что растворитель препятствует образованию поперечных связей и превращению функциональных групп. С другой стороны, если покрытие пересушено, то в этом случае возможны нежелательные явления, например, помутнения . Это обусловливается образованием в негативных фоторезистах термически активированных поперечных связей. В позитивных фоторезистах при этом может произойти плавление или разложение покрытия. Поставщики фоторезистов обычно прилагают соответствующие рекомендации относительно температуры и продолжительности циклов предварительной сушки. Режим сушки, конечно, в известной степени зависит от толщины покрытия. На практике наблюдается тенденция применять режимы сушки, отличные от указанных в инструкциях. В табл. 9 приводятся рекомендуемые и более жесткие режимы сушки. [c.599]

Глава III НЕГАТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ НА ОСНОВЕ ОНИЕВЫХ СОЛЕИ III. 1. ДИАЗОСОЕДИНЕНИЯ III. 1.1. Низкомолекулярные соли диазония [c.105]

ТАБЛИЦА 4. Некоторые негативные фоторезисты, производимые в США [8) [c.281]

Негативные фоторезисты стойки к травителям. Их основной недостаток, явившийся причиной перехода многих электронных фирм на использование позитивных фоторезистов, — недостаточная разрешающая способность. Кроме того, они чувствительны к кислороду и поэтому требуют проведения процесса литографии в среде азота или в вакууме. [c.132]

Фотополимеризация гексахлорбутадиена в паровой фазе светом с длиной волны 200—300 нм была использована для создания как позитивного, так и негативного фоторезистов прочные тонкие [c.96]

Глава III НЕГАТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ НА ОСНОВЕ ОНИЕВЫХ СОЛЕИ [c.105]

ТАБЛИЦА 2. Негативные фоторезисты, производимые в СССР [1, 2] [c.280]

Негативные фоторезисты. Промышленностью выпускаются негативные фоторезисты, рекомендуемые для использования вместе с растворителями (разбавителями) и проявителями, которые перечислены в табл, 3. [c.589]

Негативные фоторезисты и их поставщики [c.590]

Из приведенных данных можно сделать следующие выводы 1) минимальная ширина линии, которую удается достигнуть с использованием эмульсионных фотошаблонов и негативных фоторезистов, составляет около [c.615]

Литографические свойства резиста определяются рядом факторов (гл. I). Полимеры для негативных фоторезистов обычно линейны, их ММ 10 —10 . Из их растворов в летучих растворителях формируют на подложке пленки микронной и субмикроннон толщины. Необходимо, чтобы светочувствительный компонент поглощал в области эмиссии используемого источпика света, а изменение физико-химических свойств пленки, требуемое для создания различий в свойствах экспонируемых и пеэкспонируемых участков в расчете на 1 квант света, было как можно большим, так как оба фактора определяют время экспонирования. Полимерный рельеф должен иметь хорошую адгезию к подложке, чтобы исключить подтравливание краев при последующих операциях травления подложки (растворами сильных кислот или щелочей), а также уменьшить пористость слоя. [c.13]

Фоторезисты применяют в полупроводниковой электронике, в том числе в процессе фотолитографии. Это наиболее ответственный процесс в технологии изготовления интегральных схем, от которого зависит их качество и который существенно влияет на их стоимость. Традиционно для этой цели используют чувствительные к действию излучения полимеры. В зависимости от того, как воздействует на фоторезист излучение (ультрафиолетовое, рентгеновское, электронный луч), различают позитивные и негативные фоторезисты. В качестве позитивных фоторезистов используют полиметилметакрилат, полибутил- и полифенилме-такрилат, галогенированные полиметакрилаты, полиолефинсуль-фоны [поли(1-бутен)сульфон, поли (2-метил-1-пентен-сульфон)], [c.131]

Модель экспонирования негативного фоторезиста и математическую обработку процесса структурирования в зависимости от распределения молекулярной. массы фотополимера предложили Райзер и Питтс [88]. [c.56]

НЕГАТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ НА ОСНОВЕ ПОЛИВИНИЛЦИННАМАТОВ И ДРУГИХ ЦИКЛОДИМЕРИЗУЮЩИХСЯ СИСТЕМ [c.161]

Одним из типов негативных фоторезистов, широко используемых в фотолитографической практике с начала 50-х годов, явились составы на основе поливинилциннаматов. Фотолиз а, -нена-сыщенных карбонильных соединений приводит к фотодимеризации с образованием циклобутанового кольца. Эта реакция обусловлена, как было показано МО-расчетами, увеличением в возбужденном состоянии электронной плотности на a, -двoйнoй связи [1—3]. Фотоциклодимеризация характеризуется образованием эк-симера [4]. [c.161]

Большее значение производные антрахинона имеют в состав негативных фоторезистов. Антрахиноны здесь выступают в роли сен сибилизатора отверждения полимерной основы фоторезиста. Напри мер, 1,5- или 2,6-диазидоантрахиноны под действием света сенсибили зируют отверждение циклокаучука, что широко используется в нега тивных фоторезистных композициях [156]. качестве сенсибилизаторо поливинилциннамата применяют антрон и пирантрон [154]. [c.50]

В качестве полимерной основы для целого ряда негативных фоторезистов используются разнообразные каучуки [41]. Однако циклодимеризация в них за счет этиленовых связей, которая могла бы осуществляться с помощью вводимых сенсибилизаторов, как и у поливинилциннаматов, не приводит к практически ценным резистивным рельефам. Поэтому их фотоструктурирование происходит в результате реакций с фоточувствительными бифункциональными мономерами, дающими многочисленные поперечные связи в полимере после экспонирования. [c.104]

В отличие от композиций с диазидом I и другими сопряженными диазидами, указанные системы нечувствительны к кислороду, а из-за их спектральных свойств работа с ними может проводиться целиком при обычном дневном освещении помещений. Нанесение композиции на ЗЮг/З и проявление экспонированного Хе—Hg-лампой слоя проводят с помощью органических растворителей диазидодифенилсульфид придает слою светочувствительность, в сотни раз превышающую светочувствительность ПММА, она приближается к светочувствительности сенсибилизированного полиметилизопропенилкетона и обычных негативных фоторезистов. Однако разрешающая способность резиста мала, она ограничена деформациями, вызываемыми набуханием слоя при проявлении. Набухание, а следовательно, и деформации отсутствуют при проявлении щелочью экспонированных композиций азидов и полимеров с арилгидроксигруппами, что обеспечивает субмикронное разрешение. Поэтому предлагается использовать для глубокого УФ-света резист MRS-1 из поли-п-гидроксистирола и 20 % раство- [c.186]

Моноокись кремния. В течение некоторого времени не было известно никаких приемлемых травителей для SiO. По-видимому, этот травитель должен содержать какое-то количество HF для того, чтобы обеспечивать растворение двуокиси кремния. Однако выяснилось, что одна только фтористоводородная кислота не обеспечивает однородности травления пленок SiO, и в этом случае остаются островки и образуются края линий совершенно неправильной формы. Наиболее подходящий травитель был разработан Хансом [108]. Он состоит из 10—12 молей водного раствора NH4F с NH4OH или какой-либо другой щелочью, добавляемой для того, чтобы получить pH, равную приблизительно 9. Если этот раствор использовать при температуре 80—90° С, то скорость травления составит примерно 5000 А мин-1. При использовании такого метода в сочетании с обычными негативными фоторезистами получают пленки с чистой поверхностью, края линий резкие и ровные, без следов подтравливания. [c.609]

Негативные фоторезисты чехословацкого производства приведены в табл. 3. Композиция S R-3.1 подходит для слоев толщиной 3—5 мкм и репродукции элементов размером более 20 мкм, может использоваться для образования рельефных элементов на металлической фольге. Композиция S R-3,2 подходит для получения слоев толщиной 1,5—3 мкм, разрешающая способность 10—30 мкм, может наноситься окунанием. Резист S R-3,3 разработан для образования субмикронных элементов с четырьмя краями в слоях толщиной 0,3—1,5 мкм, специально очищен от механических примесей. Резист S R-3,4 пригоден для травления SiO,, оптимальная толщина слоя 0,8—1 мкм. Резист S R-7,1 тщательно очищен, имеет минимальную зольность, рекомендуется для создания полупроводников, особенно на кремнии. Композиция S R-7,lp создана специально для травления кремния в производстве мощных транзисторов, подходит для травления до глубины 50 мкм, устойчива в агрессивных травильных растворах оптимальная толщина слоя 6—8 мкм. Резист S R-7,2 тщательно очищен, имеет минимальную зольность, пригоден для быстрого травления алюминия горячей концентрированной фосфорной кислотой и далее для травления SiOj. Резист S R-7,3 имеет повышенную адгезию в толстых слоях, стабилизирован для долговременной обработки в кислородной атмосфере, допускает нанесение окунанием можно проявлять в парах трихлорэтилена, подходит для травления подложки на большую глубину. Фоторезисты следует хранить в темной стеклянной посуде при 10—20 °С, После нанесения слой резиста 5—10 мин сушат при комнатной температуре, а затем 10—30 мин при 60—80 °С, Доотверждение проводят прн 80—150 °С в зависимости от агрессивности используемого тра- [c.279]

В основном имеется два типа фоторезистов. Они отличаются по их реакции при воздействии света и растворимости, по характеру реакции с различными растворителями. Это явление проиллюстрировано на рис. 13. Материалы, которые меньше подвергаются растворению после воздействия излучения через фотошаблон, образующие негативный рисунок, называют негативными фоторезистами. И, наоборот, позитивные фоторезисты становятся более растворимыми под воздействием освещения и поэтому обра- [c.588]

Состав и свойства негативных фоторезистов разных изготовителей различаются между собой. Очень мало имеется сведений о свойствах фоторезистов фирм Вейкоут и Дайнэкэм , кроме того, что материалы фирмы Дайнэкэм . ка полагают, являются полиэфирами алифатического ряда фталевой кислоты. Материалы фирмы Кодак были подробно исследованы их физические свойства, изученные изготовителем, приводятся в табл 4. Вопросы основных свойств, развития и совершенствования фоторезисТ да> а также предполагаемых областей их применения рассмотрены Бэйтсом [70] и Мартинсоном [55]. [c.591]

В случае негативных фоторезистов имеет место явление выщелачивания. Оно возникает в связи с тем, что небольшое количество фоторезиста на некоторых участках остается и не растворяется полностью из-за недодержки при экспонировании. Это явление проявляется более резко в случае более толстых покрытий, а также в тех случаях, когда при проявлении и дальнейшей обработке применяются более активные растворители, например, трихлорэтилен. Отделение волокон непрочного слоя полимера от набухщего рельефа может распространяться дальше, на участки, которые должны оставаться чистыми. Промывание нерастворяющими растворами, например, спиртами, приводит довольно быстро к усадке набухшего рельефа и способствует разрастанию выщелачиваемой поверхности. [c.603]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология