Влияние пересыщения

Влияние пересыщения раствора [c.104]

ЧТО, вообще говоря, неверно, легко притти к линейной зависимости энергии активации/ набл от энергии пересыщения Опыт подтверждает этот вывод, объясняющий наблюдаемое повышение активности падением энергии активации. Под влиянием пересыщения распределение по значениям Е расширяется в сторону малых энергий активаций. Пересыщение меняет энергетический рельеф поверхности. [c.48]

Опыты по кристаллизации гипса из растворов хлористого магния, образующихся из растворов хлористого кальция и сульфата магния, имели целью изучение влияния пересыщения, температуры в перемешивания на скорость выпадения гипса в условиях, применительных к процессу получения хлормагниевых щелоков из морской воды. [c.128]

Изучено влияние пересыщения раствора, скорости его движе- ния, размера и массы вводимой затравки на скорость процесса кристаллизации сульфата аммония в псевдоожиженном слое кристаллов, Опыты проведены на лабораторной установке циркуляционного типа с проточным кристаллизатором диаметром 50 мм. Монодисперсную затравку известной массы вводили в кристаллизатор после пуска установки. Затем эту затравку выращивали в течение определенного промежутка времени. По окончании опыта отфильтрованные кристаллы сушили до постоянной массы и взвешивали. Поверхность затравки и полученных кристаллов определяли по методу фильтрования атмосферного воздуха через пористый слой. Прирост массы соли в течение опыта находили по разности масс полученных кристаллов и введенной в кристаллизатор затравки Все опыты проведены в интервале температур 36,0— 36,6° С при скоростях движения раствора 0,76 и 0,93 см/сек. Длительность каждого опыта составляла 40 мин. [c.158]

О влиянии ПЕРЕСЫЩЕНИЯ ОСНОВНОГО ВЕЩЕСТВА НА ЗАХВАТ ИСТИННО ИЗОМОРФНЫХ ПРИМЕСЕЙ ТВЕРДОЙ ФАЗОЙ В ПРОЦЕССЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ [c.441]

Влияние пересыщения на формы кристалла иллюстрируется на рис. 1. Поскольку величина пересыщения определяется ско- [c.196]

Детальное исследование скоростей роста фиксированных кристаллов Ва(ЫОз)2 при разных пересыщениях и скоростях потоков освещено в работе [4]. Изучено также влияние пересыщения на гранулометрический состав кристаллов Ва(ЫОз)2 [5, 6]. Показано [51, что средний размер кристаллов связы- [c.41]

Хотя экспериментальные данные свидетельствуют о том, что в ряде случаев ориентированная кристаллизация действительно наблюдается лишь при повышении температуры конденсации, однако определяющая эпитаксию величина нагрева все же не связана со значением различия параметров срастающихся веществ. Что касается влияния пересыщения, то, как правило, с его росто.м степень ориентировки уменьшается. [c.254]

В книге приведены основные сведения по теории кристаллизации из растворов. Особое внимание уделено влиянию пересыщения, температуры, примесей и других факторов на процесс кристаллизации и качество получаемых кристаллов. Описаны различные методы кристаллизации и даны рекомендации по выбору их в зависимости от конкретных условий производства рассмотрены и сопоставлены конструкции современных кристаллизаторов даны расчеты аппаратов, показаны особенности их эксплуатации, освещены способы предотвращения инкрустаций (образования пристенных осадков). [c.4]

Влияние пересыщения растворе [c.91]

Рис. 43. Влияние пересыщения раствора II (в г/100 см раствора) на форму кристаллов алюмокалиевых квасцов

ВЛИЯНИЕ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ НА РОСТ КРИСТАЛЛОВ [c.79]

Рис. 138. Влияние пересыщения и степени разложения (в %> на ско-вость диссоциации окиси серебра при 350 С.

Исследования такого рода получили широкое развитие в области электролитического выделения новой фазы на электродеподложке под влиянием пересыщения, задаваемого в этом случае перенапряжением. К сожалению, большинство этих работ относится к выделению новой фазы в виде кристаллов, а не капель, и проблема линейного натяжения пока что решена только для смачивающей капли. Единственные данные по электролитическому выделению новой фазы в виде капель связаны с электролизом растворов солей ртути на индифферентном электроде — на графите [17] или платине [18]. В указанных работах имеются и данные по смачиваемости ртутью электрода-подложки. Автор проанализировал эти данные с точки зрения линейного натяжения. Результат [19] показал, что сильно заниженные значения критического перенапряжения по сравнению с ожидаемыми, согласно теории Фольмера (не учитывающей х), могут быть объяснены линейным натяжением, если ему приписать отрицательный знак и абсолютное значение порядка Ю " дин. Это объяснение, однако, не однозначно, так как твердые поликристаллические подложки — графитовый или платиновый катоды — могут иметь микроскопические активные участки на поверхности с сильно повышенной смачиваемостью ртутью, что и без учета х привело бы к снижению критического перенапряжения. [c.276]

Особенно целесообразно учитывать значения коэффициентов активности растворенного вещества для малорастворимых и хорошорастворимых соединений при наличии комплексообразователей. При комплексообразовании вследствие малых значений уо степень пересыщения ср а существенно возрастает, что позволяет по-иному, чем принято, подойти к оценке влияния пересыщения на скорость зародышеобразования, которое определяет гранулометрический состав получаемого продукта. Только сравнение т и по соотношениям (4.45—4.47) не дает возможности обосновать на практике размеры получаемых кристаллов. [c.107]

Можно привести некоторые примеры, иллюстрирующие влияние пересыщения ntj основному веп1еству и а захват истинно изоморфных примесей кристаллами. [c.107]

ЛОЖКИ- Такой процесс напоминает начальный этап расщепления, но с двойниковой ориентировкой субиндивида. Типичным примером является кварц, для которого установлено, что образование ростовых двойниковых сателлитов (так называемых дофинейских и бразильских типов двойникования) вызывается захватом механических примесей [Карякина Т. А., 1974]. На примере гипса и ВаС1 2Н2О показано, что для одного и того же вещества наблюдается сходное влияние пересыщения и примесей на двойникова-ние и расщепление, а также на образование механических двойников и двойников зарождения. Поэтому возникновение ростовых двойников — во многих случаях также один из способов снятия внутренних напряжений при росте, и мы можем причислить их к автодеформационным. [c.61]

Ввиду естественной осторожности в переносе результатов на другие системы рАсширение круга контактов и процессов, на которых проверялась теория, происходило сравнительно медленно. Реакции, о которых до сих пор шла речь, были премущественпо реакциями гидрирования. Для более широкого обследования границ применимости теории мы обследовали влияние пересыщения генетического процесса на активность окиси цинка по отношению к реакции каталитического разложения метанола и закиси никеля в качестве низкотемпературного окислительного катализатора. [c.46]

Задачей обстоятельного исследования закиси никеля, проведенного нами совместно с Целлинской и Кейер , было получение подробных кинетических характеристик влияния пересыщения на течение процесса. Сначала была детально обследована кинетика разложения карбоната , проанализированы равновесия, имеющие место при этой реакции, подсчитаны тепловой эффект реакции и равновесное давление СО2 при разных температурах. Во время приготовления и изучения препарат находился на пружинных кварцевых весах, что давало возможность следить за полнотой разложения, за захватом яда и т. д. Пересыщение регулировалось давлением углекислого газа во время генезиса и температурой. Значе- [c.46]

Таким образом, влияние пересыщения на скорость зарождения центров кристаллизации можно изучать, определяя любые из предложенных зависимостей /(С). Однако для сравнения результатов с теорией нуклеации необходим комплексный анализ всей функции /(С, t) для разных условий кристаллизации. Другая характеристика нестацибнарного процесса нуклеации — период нестационарности, который для исследуемых растворов монотонно возрастает с уменьшением пересыщения (см. рис. 50, а, б). [c.112]

Влияние пересыщения на дисперсность осадков в точке эквивалентности. Эмпирические обобщения Веймарна [10] и теория кристаллизации Фольмера [11] показывают, что размер первичных частиц в осадках должен монотонно уменьшаться с увеличением исходного пересыщения, т. е. с увеличением концентрации реагентов. Эта функциональная зависимость в общем подтверждается большинством работ по кристаллизации из растворов, однако лишь в единичных работах применялось прямое измерение размеров кристаллов осадка. [c.348]

Дальнейшее увеличение температуры усиливает извилистость торца ступени, которая затем распадается на множество островков и отдельных молекул кристаллизанта, разбросанных на поверхности плотноунакованного слоя 3. Поверхность при этом превращается в молекулярно-шероховатую, на которой расстояние между моле-ку.пами в слое А соизмеримо с межмолекулярным расстоянием в кристалле. Степень извилистости ступени согласно расчетам [41] увеличивается с повышением температуры немонотонно вследствие коллективного взаимодействия молекул. В результате распад степеней развивается лавинообразно при нагревании системы до температуры Т , при которой энергетические затраты на образование ступени близки к возрастанию энтропии при разупорядочении ступени [43]. Подобный распад ступеней происходит и на неравновесной поверхности. Однако в этом случае температура зависит от пересыщения среды. С ростом пересыщения возрастает заполнение кристаллизантом слоя А и легче происходит превращение молекулярно-гладкой грани в шероховатую [44]. Влияние пересыщения также нарастает немонотонно, и при достижении достаточно большого пересыщения грань кристалла может превратиться в шероховатую при любой температуре [45]. [c.64]

Чернов А. А., Д у к о в а Е. Д. О влиянии пересыщения на ступенчатый рельеф поверхности кристалла. Кристаллография, т. 5, I960, стр. 655. [c.186]

Чернов А. А., Дукова Е. Д., О влиянии пересыщения на ступенчатый рельеф поверхности кристалла и скорость его роста. Кристаллография, [c.274]